「電流シンク」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

例えば、第1の送信機での第1の極性は、第1の送信機が電流を吐き出している（ソースしている）ことを示してもよいし、第2の送信機での第2の極性は、第2の送信機が電流を吸い込んでいる（シンクしている）ことを示してもよい。

举例来说，第一发射器处的第一极性可指示第一发射器正供应电流，而第二发射器处的第二极性可指示第二发射器正汲取电流。 - 中国語 特許翻訳例文集

本実施例においても、最大値または最小値検出期間における共通出力線605の充放電は、最大値検出用NMOSトランジスタ116を流れるソース電流または最小値検出用PMOSトランジスタ119を流れるシンク電流によって行われる。

同样，在本实施例中，通过流过最大值检测 NMOS晶体管 116的拉电流或流过最小值检测 PMOS晶体管 119的灌电流来执行最大值检测周期或最小值检测周期中共用输出线605的充放电。 - 中国語 特許翻訳例文集

“1”信号が第2のデバイス220の入力221及び222に提供されるとき、pチャネルFET224はオフであり、nチャネルFET225はオンであり、第2のデバイス220は出力213で電流226を吸い込む（シンクする）。

当将“1”信号提供到第二装置 220的输入 221及 222时，p沟道 FET 224断开，n沟道 FET225接通，且第二装置 220在输出 213处汲取电流 226。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、最小値検出期間205では、最小値検出用PMOSトランジスタ119を流れるシンク電流によって出力線141が放電されることである。

另一方面，在最小值检测周期 205期间，输出线 141通过流过最小值检测 PMOS晶体管119的灌电流 (sink current)被放电。 - 中国語 特許翻訳例文集

特定の実施形態において、動作状態502−512は、電流を吐き出す（ソースする）1つの送信機、電流を吸い込む（シンクする）1つの送信機及び高インピーダンス（high-Z）状態の1つの送信機をもつ図1−2に例証した多元送信機システムの状態、図3−4に例証した直列インターフェース360あるいは460の状態またはそれらの任意の組み合わせであってもよい。

在特定实施例中，操作状态 502到 512可为图 1到图 2中所说明的多重发射器系统、图 3到图 4中所说明的串行接口 360或 460，或其任何组合的状态，使得一个发射器供应电流、一个发射器汲取电流且一个发射器处于高阻抗 (高 Z)状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

そのため、図4に示すように、基準信号読み出し期間、最大値検出期間、最小値検出期間の順に動作を行うことで、出力線141の充放電を、負荷抵抗ではなく、トランジスタ116を流れるソース電流または119を流れるシンク電流によって行うことができる。

因此，如图 4所示，当以基准信号读取周期、最大值检测周期和最小值检测周期的次序执行操作时，不是通过负载电阻器而是通过流过晶体管 116的拉电流或流过晶体管 119的灌电流来对于输出线 141进行充放电。 - 中国語 特許翻訳例文集