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「静電コンデンサ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 6件
そして、光電変換素子26(図3参照)で光電変換された画像における輝度差(コントラスト)の低下が小さくなる。
此外,由光电转换元件 26(参见图 3)光电转换的图像的亮度差 (对比度 )的下降变小。 - 中国語 特許翻訳例文集
これにより、光電変換素子26(図3参照)で光電変換された画像では、読取原稿Gの下地と画像との輝度差(コントラスト)が低下し、画像の輪郭がぼやけるといった現象が生じることになる。
因而,在被光电转换元件 26(参见图 3)光电转换的图像中,读取原稿 G的背景与图像之间的亮度差 (对比度 )下降,从而产生图像的轮廓变得模糊的现象。 - 中国語 特許翻訳例文集
以上、図3Aないし図8Cを参照しつつ説明した第1実施形態ないし第6実施形態によるコンテンツ・サービス管理装置は、コンテンツ提供過程を制御するために、コンテンツを直接伝達することによって、コンテンツ送受信に直接関与できる。
通过直接发送内容以便控制内容的内容提供过程,如上参考图 3A至 8C所述的内容服务管理装置可以直接与内容的发送和接收有关。 - 中国語 特許翻訳例文集
典型的な描写では、RF回路30として描かれた、ロードコンポーネントを指図するモードコントローラ28は、電源回路26のモード検出器32にモード情報を提供する。
在所述示范性描绘中,指导描绘为RF电路 30的负载组件的模式控制器 28将模式信息提供到功率电路 26的模式检测器 32。 - 中国語 特許翻訳例文集
まず、シリコン基板105の所定の位置にイオンを打ち込み、光電変換部104を作製し、図示しない配線等を形成した後、裏面側からCMPやエッチバックなどにより、基板を薄膜化する(図7(a))。
首先,离子被注入到由硅形成的基板 105的预定位置以形成光电转换单元 104。 在形成布线等 (未示出 )之后,从后侧通过 CMP或回蚀刻 (etch back)等将基板制成薄膜 (图7A)。 - 中国語 特許翻訳例文集
相対強度が10%以上となる領域では読取原稿Gで反射された光Lの強度が高いため、仮にこの領域(相対強度が10%以上となる領域)内に上方部材が設けられていると、上方部材の上面で光の再反射がおこり、前述のように、光電変換素子26(図1参照)において画像の輝度差(コントラスト)の低下が生じることになる。
在相对光强变为大于等于 10%的区域,由读取原稿 G反射的光 L的光强高,因而若将上构件设置在该区域 (相对光强变为大于等于 10%的区域 )内,则会在上构件的上表面处发生光的全反射,从而如以上所述在光电转换元件 26(参见图 1)中会出现图像的亮度差 (对比度 )下降。 - 中国語 特許翻訳例文集
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