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「高阻抗」を含む例文一覧

該当件数 : 8



所述非传导发射器可处于高阻抗状态。

非導電性送信機は、高インピーダンス状態にあってもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 6的串联谐振器 RES1被设计成呈现在所关心阻带 304上的高阻抗

図6の直列共振器RES1は、関心のある阻止帯域304で高インピーダンスを提示するように設計される。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如,当阻抗改变为低阻抗以捕捉线路,然后改变为高阻抗,之后返回为低阻抗时,VoIP适配器 124错误地将这种变化识别为拨号脉冲“1”。

例えば、当該インピーダンスが、低インピーダンスとなって回線が捕捉された後に、高インピーダンスへ変化し、再び低インピーダンスへ戻ると、VoIPアダプタ124はこれをダイヤルパルス“1”と誤認識してしまう。 - 中国語 特許翻訳例文集

分路谐振器RES2的反谐振频率408恰好高于阻带304并处于阻带304和通带306B之间—在反谐振频率 408处,该分路谐振器 RES2对地呈现高阻抗

シャント共振器RES2の反共振周波数408は、阻止帯域304のすぐ上であり、阻止帯域304と通過帯域306Bとの間である。 反共振周波数408では、シャント共振器RES2は接地への高いインピーダンスを提示する。 - 中国語 特許翻訳例文集

照此方式,谐振器 RES1和 RES2提供的滤波器的整体效果是对于频率在阻带 304内、在端口 PORT1和 PORT2之间传递的信号提供高阻抗

このように、共振器RES1及びRES2により提供されるフィルタの全体的効果は、阻止帯域304の周波数を有するポートPORT1及びPORT2の間を通過する信号について高いインピーダンスを提供することにある。 - 中国語 特許翻訳例文集

当在第三发射器 230的第一输入 231处接收“1”信号且在第三发射器 230的第二输入 232处接收“0”信号时,p沟道 FET 234及 n沟道 FET 235两者断开,且输出 233处于高阻抗状态。

“1”信号が第3の送信機230の第1の入力231で受信され、“0”信号が第3の送信機230の第2の入力232で受信されるとき、pチャネルFET234及びnチャネルFET235の両者はオフであり、出力233は高インピーダンス状態である。 - 中国語 特許翻訳例文集

串联谐振器 RES1被配置成为在阻带频率处反谐振(按照一个示例,图 7描述了用于串联谐振器 RES1的反谐振频率),这意味着串联谐振器 RES1在反谐振频率处呈现高阻抗

直列共振器RES1は、阻止帯域周波数で反共振になるように構成される(一例による直列共振器RES1の反共振周波数が図7に示されている)。 このことは、直列共振器RES1が反共振周波数で高インピーダンスを提示することを意味する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在特定实施例中,操作状态 502到 512可为图 1到图 2中所说明的多重发射器系统、图 3到图 4中所说明的串行接口 360或 460,或其任何组合的状态,使得一个发射器供应电流、一个发射器汲取电流且一个发射器处于高阻抗 (高 Z)状态。

特定の実施形態において、動作状態502−512は、電流を吐き出す(ソースする)1つの送信機、電流を吸い込む(シンクする)1つの送信機及び高インピーダンス(high-Z)状態の1つの送信機をもつ図1−2に例証した多元送信機システムの状態、図3−4に例証した直列インターフェース360あるいは460の状態またはそれらの任意の組み合わせであってもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集





   

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