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203 フローティング・ディフュージョン

203 浮动扩散部 - 中国語 特許翻訳例文集

303 フローティング・ディフュージョン

303 浮动扩散部 - 中国語 特許翻訳例文集

フローティングディフュージョン（以下FDと呼ぶ）304a〜304cは、光信号電荷をFD電位に転換する。

FD304a至 FD 304c将光信号转换为 FD电位。 - 中国語 特許翻訳例文集

1．第1の実施の形態（フローティングディフュージョンに欠陥がある場合の欠陥検出）

1.第一实施例 (当浮置扩散具有缺陷时的缺陷检测 ) - 中国語 特許翻訳例文集

【図5】フローティングディフュージョンの共有について説明する図である。

图 5是解释共享的浮置扩散节点的示图； - 中国語 特許翻訳例文集

【図6】図6は、フローティングディフュージョンの降圧効果を説明するポテンシャル図である。

图 6是说明浮动扩散层的降压效果的电势图。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4は、フローティングディフュージョンの昇圧効果を説明するポテンシャル図である。

图 4是说明浮动扩散层的升压效果的电势图。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6は、フローティングディフュージョンの降圧効果を説明するポテンシャル図である。

图 6是说明浮动扩散层的降压效果的电势图。 - 中国語 特許翻訳例文集

フローティングディフージョン部（FD）37においても、絶縁膜との界面から電子が滲み出して暗電流が発生する。

在浮动扩散部 (FD)37中，电子从与绝缘膜的界面漏出，从而产生暗电流。 - 中国語 特許翻訳例文集

隣接画素間では、このフローティングディフージョン部（FD）37における暗電流量が同等近くになる。

对于相邻像素来说浮动扩散部 (FD)37中的暗电流是彼此接近的。 - 中国語 特許翻訳例文集

4つの転送ゲート207乃至210は、フローティング・ディフュージョン203に関して対称的に配置されている。

四个传送栅极 207到 210对称地布置在浮动扩散部 203周围。 - 中国語 特許翻訳例文集

4つの転送ゲート307乃至310は、フローティング・ディフュージョン303に関して対称的に配置されている。

四个传送栅极 307到 310对称地布置在浮动扩散部 303周围。 - 中国語 特許翻訳例文集

これは、光学的な左右非対称を取り込んでしまうが、フローティング・ディフュージョン線315の幅を広くすることによって軽減されうる。

此确实引入可通过使得浮动扩散部导线 315较宽而减轻的光学左右不对称性。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ202は、フローティング・ディフュージョン204と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 202缓冲浮动扩散部 204与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ302は、フローティング・ディフュージョン304と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 302缓冲浮动扩散部 304与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ102は、フローティング・ディフュージョン104と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 102缓冲浮动扩散部 104与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

この仮定の下では、フローティング制御チャネルの開始位置は早ければ第4番目のシンボルに設定されることが可能である。

在这个假设下，浮动控制信道的起始位置能够被设为早至第 4个码元。 - 中国語 特許翻訳例文集

RNに対するフローティング制御チャネルのサイズは、UE1に対して先に定義したREG／CCE／集合レベルと同様に定義され得る。

可以与在前为 UE1限定的 REG/CCE/聚合水平类似地限定用于 RN的浮动控制信道的大小。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、本実施の形態においては、隣接画素間ではフローティングディフージョン部（FD）37に付加される暗電流も近いので、同じく信号処理によりフローティングディフージョン部（FD）37の暗電流の低減を図ることができる。

此外，由于本实施例中相邻像素的浮动扩散部 (FD)37的暗电流是彼此接近的，因而通过信号处理也能够减少浮动扩散部 (FD)37的暗电流。 - 中国語 特許翻訳例文集

フローティングディフージョンFD1、FD1´に信号電荷が読み出された後、水平制御線L3、L4のリセット線がハイレベルになると、リセットトランジスタ2、2´がオンし、フローティングディフージョンFD1、FD1´に読み出された信号電荷が排出される。

在信号电荷被读出到浮动扩散部 FD1、FD1′中之后，如果水平控制线 L3、L4的复位线成为高电平，则复位晶体管 2、2′导通，将读出到浮动扩散部 FD1、FD1′中的信号电荷排出。 - 中国語 特許翻訳例文集

一部の実装では、図3の328において、コントローラは、トランシーバに、フローティング制御領域の実際の開始位置のシグナリングを行うことなく、中継器に対しフローティング制御領域の幾つかの可能な開始位置のシグナリングを行うように構成される。

在一些实施方式中，在图 3中的 328处，控制器被配置为促使收发信机通过信号向中继器传送浮动控制区域的若干可能起始位置而不通过信号传送浮动控制区域的实际起始位置。 - 中国語 特許翻訳例文集

フローティング制御領域の可能な開始位置の明示的なシグナリングと同様に、フローティング制御領域の可能なサイズをRNに通知するために、基地局は高位層を介して構成メッセージを送信することが可能である。

类似于浮动控制区域的可能起始位置的显式信号传送，基站能够经由高层来发送配置消息以向 RN通知浮动控制区域的可能大小。 - 中国語 特許翻訳例文集

フローティング制御領域のサイズが1つのサブフレームから次のサブフレームへと変化する複数の実施形態では、コントローラは、中継端末によって予め認識されている幾つかの可能なサイズのうちの1つに基づき情報の復号を試みることによって、フローティング制御領域を検出するように構成されている。

在其中浮动控制区域的大小逐个子帧地改变的实施例中，该控制器被配置为通过基于中继终端事先已知的若干可能大小之一尝试解码信息来检测浮动控制区域。 - 中国語 特許翻訳例文集

転送トランジスタ（以下転送Trと呼ぶ）302a〜302c はフォトダイオードに蓄積された光信号電荷をフローティングディフフュージョンに転送し、フォトダオード（以下、PD）303a〜303cは光電変換素子である。

传送晶体管 (下文中简称为传送 Tr)302a至 302c将累积在 PD303a至 PD 303c上的光信号电荷传送到浮动扩散 (下文中简称为 FD)304a至 304c，并且 PD 303a至 PD 303c是光电转换元件。 - 中国語 特許翻訳例文集

フローティングディフージョン部（FD）37は、遮光膜46を貫通するコンタクトビア52を介して上層に形成された多層配線層51の所要の配線49に接続される。

浮动扩散部 (FD)37利用贯穿遮光膜 46的接触通道 52与形成在上层处的多层布线层 51的所需布线 49连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

その後、第1実施の形態で説明したと同様に、1画素行毎に読み出しトランジスタTr12がオン状態となり、通常画素22の合算信号電荷（eS1＋eM1＋eM2）がフローティングディフージョン部（FD）37へ読み出される。

此后，如第一实施例的前述说明中所述的那样逐个像素行地接通读晶体管 Tr12，使普通像素 22的合并信号电荷 eS1+eM1+eM2被读出到浮动扩散部 (FD)37。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセットトランジスタ36は、ソースがフローティングディフュージョン38に、ドレインがリセット電源Vrd（通常はアナログ用の電源Vdd＝AVDD）と共通にする）にそれぞれ接続される。

复位晶体管 36使其源极连接到浮动扩散 38，且使其漏极连接到复位电源 Vrd(通常也用作模拟电源 Vdd＝ AVDD)。 - 中国語 特許翻訳例文集

この時、フローティングディフージョンFD1、FD1´のリセット電圧が垂直信号線Vsig1a、Vsig1bをそれぞれ介して出力され、このリセット電圧が信号処理回路12にて保持される。

此时，将浮动扩散部 FD1、FD1′的复位电压分别经由垂直信号线 Vsig1a、Vsig1b输出，将该复位电压通过信号处理电路 12保持。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、フローティングディフージョンFD1、FD1´で変化した信号電圧（リセット電圧＋信号電圧）が垂直信号線Vsig1a、Vsig1bをそれぞれ介して信号処理回路12に出力される。

接着，将在浮动扩散部 FD1、FD1′中变化的信号电压 (复位电压+信号电压 )分别经由垂直信号线 Vsig1a、Vsig1b输出给信号处理电路 12。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間（3）では／φGRが一時的にハイレベルになるため、期間（3）が終了する時点で転送容量228の他方の端子は電気的浮遊状態（フローティング）になり、転送容量228にはVGR＋Ntの電位差が保持される。

由于在时段 (3)中信号 暂时上升到高电平，因此，当时段 (3)结束时传送电容 228的所述另一端子进入电气浮置状态，并且，电势差 VGR+Nt被存储在传送电容 228中。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間（3）では／φGRが一時的にハイレベルになるため、期間（3）が終了する時点で転送容量228の他方の端子は電気的浮遊状態（フローティング）になり、転送容量228にはVGR＋Ntの電位差が保持される。

由于信号 在时段 (3)中暂时上升到高电平，因此，当时段 (3)结束时，传送电容 228的所述另一端子进入电气浮置状态，并且，电势差 VGR+Nt被存储在传送电容 228中。 - 中国語 特許翻訳例文集

つまり、増幅トランジスタ23は、ソース端子がフローティング状態の垂直信号線VSLに接続されているだけであるので、ソースフォロワ回路の動作を行わない。

即，放大晶体管 23仅源极端子与浮动状态的垂直信号线 VSL连接，不进行源极跟踪器电路的动作。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合には、図示するように、まず、時刻t1の際、リセットパルスが立ち上がりフローティングディフージョン部のリセット信号が垂直信号線VSLに送られる。

在该情况下，如图所示，首先，在时刻 t1时，复位脉冲升高，浮点扩散部的复位信号被发送到垂直信号线 VSL。 - 中国語 特許翻訳例文集

フローティング制御領域の位置は、0でないリソースに割り当てられるとき、サブフレーム内の可能な点の限られた組から開始するように構成される。

当浮动控制区域的位置被指配有非零资源时，该浮动控制区域的位置被配置为从子帧内的、有限集合的可能点开始。 - 中国語 特許翻訳例文集

フローティング制御領域の開始位置は、固定の手法により、または中継ノードもしくは端末に対し送信される何らかの高位層の構成メッセージに従って、予め定義されてもよい。

浮动控制区域的起始位置可以是以固定方式或者根据发送到中继节点或者终端的一些较高层配置消息来预先限定的。 - 中国語 特許翻訳例文集

基地局によるフローティング制御領域の可能な開始位置のシグナリングは、明示的に行われてもよく、非明示的に行われてもよいが、RNによるサブフレームの復号より前に行われる必要がある。

由基站通过信号传送浮动控制区域的可能起始位置可以是显式的或者隐式的，并且必须在由 RN解码子帧之前发生。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、フローティング制御領域の可能な開始位置をRNに通知するために、基地局は高位層を介して構成メッセージを送信することが可能である。

例如，基站能够经由高层发送配置消息以将浮动控制区域的可能起始位置通知RN。 - 中国語 特許翻訳例文集

一般的には、フローティング制御領域の幾つかの可能な大きさは、何らかの理由によって第1の制御領域を受信することが不可能な受信中継端末によって予め認識されている。

通常，浮动控制区域的若干可能尺寸是接收中继终端事先已知的，该接收中继终端由于不论什么原因而不能接收第一控制区域。 - 中国語 特許翻訳例文集

記載したように、第2の制御領域は、中継ノードに予め認識されている幾つかの可能な開始位置のうちの1つである開始位置を有するフローティング制御領域である。

如所讨论的那样，第二控制区域是具有中继节点事先已知的若干可能起始位置之一的起始位置的浮动控制区域。 - 中国語 特許翻訳例文集

記載したように、RNコントローラは、可能な開始位置について復号前に予め認識しており、また、フローティング制御領域のサイズまたは可能なサイズについても予め認識している。

如所指出地，RN控制器具有对解码之前的可能起始位置和浮动控制区域的大小或者可能大小的事先了解。 - 中国語 特許翻訳例文集

したがって、コントローラは、可能な開始位置にて開始する受信したサブフレームにおける情報の復号を試みることによって、「盲目的に」フローティング制御領域を検出し得る。

因此该控制器可以通过尝试解码所接收的、在可能起始位置处开始的子帧中的信息来“盲”检测浮动控制区域。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように一般に、eNB−RNリンクサブフレームのフローティング制御領域またはチャネルは、eNBに関連した全てのRNに対する制御メッセージを含む。

因此通常地，eNB-到 -RN链路子帧的浮动控制区域或者信道包含针对与 eNB相关联的所有 RN的控制消息。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、漏れ込み光補正用画素24からの漏れ信号と、これに隣接する通常画素22からの信号を減算処理するとき、通常画素22におけるフローティングディフージョン部（FD）での暗電流を低減できる。

因此，对来自漏光修正用像素 24的漏光信号和来自与该漏光修正用像素 24相邻的普通像素 22的信号执行的减法处理能够减少普通像素 22的浮动扩散部 (FD)37中的暗电流。 - 中国語 特許翻訳例文集

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。

如图 8所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部 (FD)37、以及溢出沟道机构 40。 - 中国語 特許翻訳例文集

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。

如图 9所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部(FD)37、以及溢出沟道机构 40。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅用トランジスタ42は、ゲートがフローティングディフュージョン38に接続され、ドレインが電源Vddに、ソースは垂直選択用トランジスタ40を介して画素線51に接続され、さらに垂直信号線19に接続されるようになっている。

放大晶体管 42使其栅极连接到浮动扩散 38，使其漏极连接到电源 Vdd，且使其源极经由垂直选择晶体管 40连接到像素线 51，并进一步连接到垂直信号线 19。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、転送トランジスタ412は、そのゲート端子が電荷転送線331および332に接続され、そのドレイン端子がフローティングディフュージョンFDを介してリセットトランジスタ413のソース端子と増幅トランジスタ414のゲート端子とに接続される。

此外，传输晶体管 412使其栅极端子连接到电荷传输线 331和 332，并且经由浮动扩散 FD使其漏极端子连接到复位晶体管 413的源极端子和放大晶体管 414的栅极端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、垂直信号線Vsig1a、Vsig1bに用いられている配線H1をアンプトランジスタ4、4´のソース側の拡散層DF1にそれぞれ接続することにより、フローティングディフージョンFD1、FD1´と垂直信号線Vsig1b、Vsig1aとの間の距離をそれぞれ大きくすることができる。

此外，通过将用于垂直信号线Vsig1a、Vsig1b的配线H1分别连接在放大晶体管4、4′的源极侧的扩散层 DF1上，能够使浮动扩散部 FD1、FD1′与垂直信号线 Vsig1b、Vsig1a之间的距离分别变大。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2の共有画素ユニット41は、フォトダイオード（PD0，PD1）51−1，51−2、転送トランジスタ（M0，M1）52−1，52−2、フローティングディフュージョン（FD）53、リセットトランジスタ（M2）54、増幅トランジスタ（M3）55、および選択トランジスタ（M4）56から構成される。

图 2中的共享像素单元 41包括光电二极管 (PD0和 PD1)51-1和 51-2、传送晶体管(M0和 M1)52-1和 52-2，浮置扩散 (FD)53、重置晶体管 (M2)54、放大晶体管 (M3)55、以及选择晶体管 (M4)56。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3の上から1乃至4番目には、駆動信号SEL、駆動信号TG0，TG1、および駆動信号RSTが順に示されており、上から5，6番目には、フローティングディフュージョン（FD）53および垂直信号線（VSL）57における電圧の電圧レベルがそれぞれ示されている。

驱动信号 SEL、驱动信号 TG0和 TG1和驱动信号 RST从图 3的顶部起以第一到第四的顺序示出。 在浮置扩散 (FD)53和垂直信号线 (VSL)57的电压的电压电平从图 3的顶部起分别在第五和第六示出。 - 中国語 特許翻訳例文集