| 例文 |
「184」を含む例文一覧
該当件数 : 15件
此外，P型阱层 182在 N型嵌入层 184和 N型基板 181之间形成得较薄。
また、N型埋め込み層184とN型基板181との間において、P型ウェル層182が薄く形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
在图 10中说明的配置的一个实施例中，风噪声检测器 184耦合到侧音反馈通知器 90。
図10に例示された構成の一実施形態では、風雑音検出器184が側音フィードバック通知器90に結合される。 - 中国語 特許翻訳例文集
例如如图 1C所示，这些设备170、174、178、182、186通过各自的链路 172、176、180、184、188连接到本地网络 190。
これらの機器170，174，178，182，186は、例えば図1Cに示したように、それぞれのリンク172，176，180，184，188を介してローカルネットワーク190に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
霍尔传感器 182检测由设置在转接器 20中的磁体 184产生的磁场的磁通量密度。
該ホールセンサ182は、アダプタ20に設けられた磁石184により生じる磁場の磁束密度を検出する。 - 中国語 特許翻訳例文集
另一方面，如果光已经沿着路径 184被从 DMD108反射离开，则输出端口 1103接收光。
他方、光が経路184に沿ってDMD108から反射された場合、光は出力ポート1103によって受光される。 - 中国語 特許翻訳例文集
发射器识别器 182包括发射器鉴别逻辑、用于存储可由例如基站节点 28使用的 Costas阵列模式的存储器 184或者其它元件以及时间 -频率位移库 186。
送信側識別器182は、送信側識別論理、基地局ノード28などによって利用され得るCostasアレイパターンを記憶するメモリ184または他の要素、および時間・周波数シフトのライブラリ186を含む。 - 中国語 特許翻訳例文集
为了使发送装置 100具有通信功能，用户通过打开电池盖部分 112，并从壳口部分184中将卡片式通信装置 170A插入到预定的插入孔口中来装载卡片式通信装置 170A。
ユーザは、送信装置100に通信機能を与えるためには、バッテリ蓋部112を開いて、開口部184から所定の挿入口などに対してカード型通信装置170Aを差し込むようにして装填する。 - 中国語 特許翻訳例文集
例如，如图 7所示，安装检测单元 180包括设置在图像拍摄设备 10的图像检测单元 110中的安装检测霍尔传感器 182，以及设置在转接器 20中的磁体184。
この装着検出部180は、例えば、図7に示すように、撮像装置10の撮像部110に設けられる装着検出用ホールセンサ182と、アダプタ20に設けられる磁石184とで具現される。 - 中国語 特許翻訳例文集
另一方面，在没有安装转接器 20时 (见图 4)，霍尔传感器 182没有检测到密度比由转接器 20的磁体 184产生的预定磁通量密度相等或更大的磁场。
一方、アダプタ20の非装着時には（図4A参照。）、ホールセンサ182が、アダプタ20の磁石184から所定の磁束密度以上の磁場を検出することはない。 - 中国語 特許翻訳例文集
此外，该数据链接指定信息在第 184至 186行中指定： 从 CSV数据中描述的多个数值中，读出第四列的第三行中的数值作为 float型，即浮点型的数值。
また、このデータリンク指定情報は、184乃至186行目において、CSVデータに記載の複数の数値のうち、3行4列目に記載の数値を、float型（浮動小数点型）の数値として読み出すことを指定している。 - 中国語 特許翻訳例文集
位置信息计算器 184在对比所述差运算器 182计算出的各个不同像素的像素值的差异值和事先设定的基准值之后，计算出所述差异值达到设定基准值或该基准值以上的像素的位置信息 (步骤 S12)。
位置情報算出部184は、前記差演算部182によって算出されたピクセル別のピクセル値の差値を予め設定された基準値と比較し、前記差値が設定された基準値以上であるピクセルの位置情報を算出する（段階：S12）。 - 中国語 特許翻訳例文集
如果光束 170或 175入射在其上的镜元件在与初始输入波长λ1沿着路径 180入射在其上的镜元件相反的位置倾斜，则光沿着路径 182或 184被反射回朝向第二准直透镜 125，其中，路径 182和 184与路径180平行。
最初の入力波長λ1が経路180に沿って入射するミラー素子から、光線170または175が入射するミラー素子が反対側の位置に傾けられる場合、光は、経路180と平行である経路180または182に沿って第2のコリメーティングレンズ125へと反射される。 - 中国語 特許翻訳例文集
光电二极管 141例如为嵌入式光电二极管，它是通过在基板表面一侧上形成 P型层 183，并相对于形成在 N型基板 181上的 P型阱层 182嵌入 N型嵌入层 184而形成的。
フォトダイオード141は、例えば、N型基板181上に形成されたP型ウェル層182に対して、P型層183を基板表面側に形成してN型埋め込み層184を埋め込むことによって形成される埋め込み型フォトダイオードである。 - 中国語 特許翻訳例文集
注意，如果光束入射在 DMD的多于一个的镜子上，则可以同时将光束的不同部分引导到两个输出 182和 184。
光ビームがDMDの複数のミラーに入射する場合、出力180および182の両方にビームの異なる部分を同時に向けることが可能である点に注意する。 - 中国語 特許翻訳例文集
再一次参见图 6，在光第二次从 DMD 108反射离开后沿着路径 182或 184传播之后，光然后以与如上所述的方式相反的方式穿过光栅 120和第一准直透镜 115。
再び図6を参照して、DMD108から離れたその第2の反射の後で経路180または182に沿って進行したあと、光は次いで上で記載されているそれとは逆の方法で回折格子120および第1のコリメーティングレンズ115を横断する。 - 中国語 特許翻訳例文集
| 例文 |
