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「FD」を含む例文一覧

該当件数 : 100



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如果步骤 S77的判别结果为“是”,则进入到步骤 S83,并将面部检测框 FD的当前位置及尺寸作为面部图像信息登录至寄存器 RGST1。

ステップS77の判別結果がYESであればステップS83に進み、顔検出枠FDの現在の位置およびサイズを顔画像情報としてレジスタRGST1に登録する。 - 中国語 特許翻訳例文集

光电二极管 (PD)106,其将光转换为电力 (信号电荷 ); FD放大器 107,其放大电信号;

画素100は、光を電気(信号電荷)に変換するフォトダイオード(PD)106と、電気信号を増幅するFDアンプ107と、行選択スイッチを構成する行選択トランジスタ(Tr)108を備える。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体地说,在 FD放大器 107中,在终止存储时段之后,在输出信号之前,通过复位线 113(其组成复位栅极 (Rst))复位电荷检测器 110。

すなわち、FDアンプ107は、蓄積期間が完了すると、信号を出力する前に電荷検出部110がリセットゲート(Rst)を構成するリセット線113でリセットされる。 - 中国語 特許翻訳例文集

外部存储器 2406是诸如 FD(Flexible Disk,软盘 )或 HD(Hard Disk,硬盘 )等的非易失性存储器,并且存储程序和数据。

2406はFD即ちフレキシブルディスク装置あるいはHD即ちハードディスク装置などの不揮発性の外部記憶装置であり、プログラムおよびデータを記憶、格納する。 - 中国語 特許翻訳例文集

这出现在当短时间中缺陷增长在光电二极管 51-1中出现、并且超过正常传送到 FD 53的电荷量的电荷量传送到 FD 53时。

これは、フォトダイオード51−1において短時間で成長する欠陥が生じて、本来FD53に転送される電荷量を超えた電荷量がFD53に転送されることで発生する。 - 中国語 特許翻訳例文集

同样在如上所述的 PD短时间缺陷检测处理之后,如在 FD缺陷检测处理之后,如参照图 3的时序图所述读出像素信号 (像素值 )。

以上のようなPD短時間欠陥検出処理の後も、FD欠陥検出処理の後と同様に、図3のタイムチャートを参照して説明した画素信号(画素値)の読み出しが行われる。 - 中国語 特許翻訳例文集

如果吻合度超过基准值 REF,就决定当前时刻的面部检测框 FD的位置及尺寸,作为面部图像的尺寸及位置,将标志 FLGpet从“0”更新为“1”。

照合度が基準値REFを上回ると、現時点の顔検出枠FDの位置およびサイズが顔画像のサイズおよび位置として決定され、フラグFLGpetが“0”から“1”に更新される。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如,当摄取图像的图像摄取时的透镜 21的聚焦距离 FD为半径的圆柱的侧面被设定作为圆柱面 CS时,通过捕获图像摄取面 PS而获得的摄取图像被投影到该圆柱面 CS上。

例えば、撮像画像の撮像時におけるレンズ21の焦点距離FDを半径とする円筒の側面を円筒面CSとして、撮像面PSを撮像して得られた撮像画像が、円筒面CSに射影(投影)される。 - 中国語 特許翻訳例文集

接着,在时段“t13”,电压 Vtrg1被供应到转移晶体管 22的控制电极,并且根据光电二极管 21中的存储电子的量 (其由入射光强度决定 ),电子被部分地转移到 FD区 26。

次に、期間t13で転送トランジスタ22の制御電極に電圧Vtrg1を供給し、入射光強度によって決まるフォトダイオード21の蓄積電子の量に応じて部分的にFD部26へ転送する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 t15,继续执行存储操作,并且在时段 t16,通过使得复位脉冲 RST为“H”电平,再次复位 FD区 26,接着,通过使得选择脉冲 SEL为“H”电平,读出复位电平。

期間t15では継続的に蓄積動作を実行し、期間t16でリセットパルスRSTが“H”レベルになることによって再びFD部26をリセットし、次いで選択パルスSELが“H”レベルになることによってリセットレベルを読み出す。 - 中国語 特許翻訳例文集


另一方面,如图 7所示,当入射光很强时,超出电势Φtrgi的电子被转移到 FD区26,继而被读出作为信号电平。

一方で、図7に示すように、入射光が強いときは、ポテンシャルΦtrgiを超えた電子がFD部26へ転送され、信号レベルとして順次読み出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

作为图 12中所示的实例,还可以通过除了图 4A的操作之外就在信号电平的转移或者读出之后执行复位操作,预先地复位 FD区 26中的电子。

また、図12の例のように、図4(A)の動作に加えて、転送あるいは信号レベルの読み出し直後にリセット動作を実行して、FD部26の電子をあらかじめリセットすることが可能である。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 18中,示出了在完全转移时段 T4和电子快门时段 T1中,光电二极管 (PD)21和 FD区 26的电势关系,以及选择电源电势 SELVDD、复位脉冲 RST和转移脉冲 TRG的具体时序关系。

図18に、完全転送期間T4および電子シャッタ期間T1におけるフォトダイオード(PD)21とFD部26の電位関係および選択電源電位SELVDD、リセットパルスRSTおよび転送パルスTRGの詳細なタイミング関係を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 t4,通过使得复位脉冲 RST为“H”电平并且使得复位晶体管 23处于导通状态 (充当电子快门 ),复位 FD区 26。

期間t4でリセットパルスRSTが“H”レベルになり、リセットトランジスタ23がオン状態になることによってFD部26をリセットし、電子シャッタの動作をする。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 19,示出了在中间转移时段 T2、T3中,光电二极管 (PD)21和 FD区 26的电势关系,以及选择电源电势 SELVDD、复位脉冲 RST和转移脉冲 TRG的具体时序关系。

図19に、中間転送期間T2,T3におけるフォトダイオード21とFD部26の電位関係および選択電源電位SELVDD、リセットパルスRSTおよび転送パルスTRGの詳細なタイミング関係を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 24中,示出了在中间转移时段 S2、S3,光电二极管 21和 FD区 26的电势关系,以及选择电源电势 SELVDD、复位脉冲 RST和转移脉冲 TRG的具体时序关系。

図24に、中間転送期間S2,S3におけるフォトダイオード21とFD部26の電位関係および選択電源電位SELVDD、リセットパルスRSTおよび転送パルスTRGの詳細なタイミング関係を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 25中,示出了在完全转移时段 S4和电子快门时段 S5中,光电二极管 21和 FD区 26的电势关系,以及选择电源电势 SELVDD、复位脉冲 RST和转移脉冲 TRG的具体时序关系。

図25に、完全転送期間S4および電子シャッタ期間S5におけるフォトダイオード21とFD部26の電位関係および選択電源電位SELVDD、リセットパルスRSTおよび転送パルスTRGの詳細なタイミング関係を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

软盘 FD内置在外壳 F内,该盘的表面从外周到内周呈同心圆状形成多个轨道 Tr,各个轨道在角度方向上分割为 16个扇区 Se。

フレキシブルディスクFDはケースF内に内蔵され、該ディスクの表面には、同心円状に外周からは内周に向かって複数のトラックTrが形成され、各トラックは角度方向に16のセクタSeに分割されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在将实现图像信号处理方法的所述程序记录到软盘FD的情况下,经由软盘驱动器FDD从计算机系统Cs写入所述程序。

画像信号処理方法を実現する上記プログラムをフレキシブルディスクFDに記録する場合は、コンピュータシステムCsから上記プログラムを、フレキシブルディスクドライブFDDを介して書き込む。 - 中国語 特許翻訳例文集

若整理以上说明的动作例1、2,在该实施方式中,如图7所示那样控制FD的动态范围,如图 8所示那样控制偏压。

以上説明した動作例1,2を整理すると、この実施の形態では、FDのダイナミックレンジを図7に示すように制御し、バイアス電圧を図8に示すように制御している。 - 中国語 特許翻訳例文集

另一方面,当在步骤 S14确定从 FD 53的重置经过一定时间之后 VSL 57的电压电平的改变大于预定阈值,也就是说,当 FD 53的电压电平在时间 T6之后在图 5的时序图中的时间 T7改变,并且 VSL 57的电压电平的改变在时间 T6之后在时间 T7又大于预定阈值时,确定 FD 53具有缺陷。 处理进行到步骤 S15。

一方、ステップS14において、VSL57における、FD53がリセットされてから一定時間経過後の電圧レベルの変化が、所定の閾値より大きいと判定された場合、すなわち、図5のタイムチャートの時刻T7において、FD53の電圧レベルが時刻T6から変化し、ひいては、VSL57の電圧レベルが時刻T6から、所定の閾値より変化している場合、FD53に欠陥があるとされ、処理はステップS15に進む。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时间 T1到 T2的时段中处于脉冲形式的 H电平的驱动信号 RST重置 FD 53中累积的电荷。

時刻T1乃至T2の期間において、駆動信号RSTがパルス状にHレベルになると、FD53に蓄積されている電荷がリセットされる。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此,对来自漏光修正用像素 24的漏光信号和来自与该漏光修正用像素 24相邻的普通像素 22的信号执行的减法处理能够减少普通像素 22的浮动扩散部 (FD)37中的暗电流。

従って、漏れ込み光補正用画素24からの漏れ信号と、これに隣接する通常画素22からの信号を減算処理するとき、通常画素22におけるフローティングディフージョン部(FD)での暗電流を低減できる。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 8所示,在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部 (FD)37、以及溢出沟道机构 40。

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部(FD)37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 9所示,在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部(FD)37、以及溢出沟道机构 40。

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部(FD)37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 2所示,本发明的特征在于 64个Walsh码被用作Walsh码,并且跨度从W0到W63的 64个Walsh码用来将所使用的频带精确地划分为 64个频率并且将每个Walsh码中的最主要频率 (fd)顺序地映射到所划分的频率。

図2によると、本発明は、拡散符号として64個のウォルシュ符号を使用し、W0〜W63の64個のウォルシュ符号は、使用周波数帯域を正確に64個に分割して、各ウォルシュ符号の最も優勢な周波数fdが分割された周波数に順次マッピングされる特徴を有する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在步骤 S73中,将变量 DIR设定为“1”,在步骤 S75中将属于面部检测框 FD的图像数据的特征量与词典 DC_DIR所收容的面部图案的特征量进行对照,在步骤 S77中判别对照后是否超过基准 REF。

ステップS73では、変数DIRを“1”に設定し、ステップS75では顔検出枠FDに属する画像データの特徴量を辞書DC_DIRに収められた顔パターンの特徴量と照合し、ステップS77では照合後が基準REFを上回るか否かを判別する。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外,传输晶体管 412使其栅极端子连接到电荷传输线 331和 332,并且经由浮动扩散 FD使其漏极端子连接到复位晶体管 413的源极端子和放大晶体管 414的栅极端子。

また、転送トランジスタ412は、そのゲート端子が電荷転送線331および332に接続され、そのドレイン端子がフローティングディフュージョンFDを介してリセットトランジスタ413のソース端子と増幅トランジスタ414のゲート端子とに接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 2中的共享像素单元 41包括光电二极管 (PD0和 PD1)51-1和 51-2、传送晶体管(M0和 M1)52-1和 52-2,浮置扩散 (FD)53、重置晶体管 (M2)54、放大晶体管 (M3)55、以及选择晶体管 (M4)56。

図2の共有画素ユニット41は、フォトダイオード(PD0,PD1)51−1,51−2、転送トランジスタ(M0,M1)52−1,52−2、フローティングディフュージョン(FD)53、リセットトランジスタ(M2)54、増幅トランジスタ(M3)55、および選択トランジスタ(M4)56から構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

驱动信号 SEL、驱动信号 TG0和 TG1和驱动信号 RST从图 3的顶部起以第一到第四的顺序示出。 在浮置扩散 (FD)53和垂直信号线 (VSL)57的电压的电压电平从图 3的顶部起分别在第五和第六示出。

図3の上から1乃至4番目には、駆動信号SEL、駆動信号TG0,TG1、および駆動信号RSTが順に示されており、上から5,6番目には、フローティングディフュージョン(FD)53および垂直信号線(VSL)57における電圧の電圧レベルがそれぞれ示されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体地,如图 4B所示,在时段“t10”通过使得转移脉冲 TRG和复位脉冲 RST都为“H”电平,复位光电二极管 21和 FD区 26,在时段“t11”所接收的光被光电转换为存储在光电二极管 21中的电子。

具体的には、図4(B)に示すように、期間t10で転送パルスTRGおよびリセットパルスRSTが共に“H”レベルになることによってフォトダイオード21およびFD部26をリセットし、期間t11で受光した光を電子に光電変換し、フォトダイオード21に蓄積する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 t14,通过使得选择脉冲 SEL为“H”电平,根据被转移电子的量的 FD区 26的电势被读出,作为信号电平,并且如果需要的话,使用在时段 t12读出的复位电平,在例如列电路 16中执行噪音消除处理。

期間t14では、選択パルスSELが“H”レベルになることによって転送された電子の量に応じたFD部26の電位を信号レベルとして読み出し、必要に応じて、期間t12で読み出したリセットレベルを用いて、例えばカラム回路16においてノイズキャンセル処理を行う。 - 中国語 特許翻訳例文集

在中间转移之前,在时段 T2,中间电压 (对应于图 4B中的电压 Vtrg1)被施加到转移晶体管 22的控制电极,并且在具有大量入射光的像素中产生的信号电子被部分地转移到 FD区 26。

中間読み出しの前に、期間T2で中間電圧(図4の電圧Vtrg1に相当)を転送トランジスタ22の制御電極に印加し、入射光量の大きい画素で発生した信号電荷を部分的にFD部26へ転送する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 T3,与时段 T2的相同或者不同的中间电压被施加到转移晶体管 22的控制电极,并且在具有大量入射光的像素中产生的信号电荷再次被部分转移到 FD区 26。

期間T3で転送トランジスタ22の制御電極に期間T2と同じ、あるいは異なる中間電圧を印加することにより、再び入射光量の大きい画素で発生した信号電荷を部分的にFD部26へ転送する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 27中,示出了操作实例 2的情形中,在中间转移时段 S3’和电子快门时段 S5中,光电二极管 21和 FD区 26的电势关系,以及选择电源电势 SELVDD、复位脉冲 RST和转移脉冲 TRG的具体时序关系。

図27に、動作例2の場合の中間転送期間S3′および電子シャッタ期間S5におけるフォトダイオード21とFD部26の電位関係および選択電源電位SELVDD、リセットパルスRSTおよび転送パルスTRGの詳細なタイミング関係を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

作为用于提供程序编码的记录介质,能够使用 FD、硬盘、光盘、光磁盘、CD-ROM、CD-R、磁性带、非易失性存储器、ROM等光记录介质、磁记录介质、光磁记录介质、半导体记录介质。

プログラムコードを供給するための記録媒体としては、FD、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、CD−ROM、CD−R、磁気テープ、不揮発性のメモリ、ROMなどの光記録媒体、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、半導体記録媒体を使用することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

当在步骤 S14确定从 FD 53的重置经过一定时间之后 VSL 57的电压电平的改变不大于预定阈值,也就是说,当 FD 53的电压电平在时间 T6之后在图 5的时序图中的时间T7没有改变,并且 VSL 57的电压电平在时间 T6之后在时间 T7又没有改变时,如由实线 A所示,确定 FD 53不具有缺陷。 处理跳过步骤 S15,并且进行到步骤 S16。

ステップS14において、VSL57における、FD53がリセットされてから一定時間経過後の電圧レベルの変化が、所定の閾値より大きくないと判定された場合、すなわち、図5のタイムチャートの時刻T7において、実線Aで示されるように、FD53の電圧レベルが時刻T6から変化せず、ひいては、VSL57の電圧レベルが時刻T6から変化していない場合、FD53に欠陥はないとされ、処理はステップS15をスキップし、ステップS16に進む。 - 中国語 特許翻訳例文集

在 CMOS图像传感器 10(其中,包括图 1所示的像素电路配置的单元像素 20以矩阵形式排列 )中,一般如图 4A所示,在时段“t1”通过使得转移脉冲 TRG和复位脉冲 RST都为“H”电平,复位光电二极管 21和 FD区 26,在时段“t2”所接收的光被光电转换为存储在光电二极管 21中的电子。

図1に示す画素回路構成の単位画素20が行列状に配置されてなるCMOSイメージセンサ10では、一般的に、図4(A)に示すように、期間t1で転送パルスTRGおよびリセットパルスRSTが共に“H”レベルになることによってフォトダイオード21およびFD部26をリセットし、期間t2で受光した光を電子に光電変換し、フォトダイオード21に蓄積する。 - 中国語 特許翻訳例文集

此时,在通常时 (a),浮点扩散部 (FD)被遮光,电位变动几乎为零,由于复位信号出现与自动调零时所取得的电压几乎相等的电压,所以比较器 8反转,在该时间之前,通过由计数器 11对时钟计数值进行计数 (计测 ),由此来确定复位计数值。

この際、通常時(a)では、フローティングディフージョン部(FD)は遮光されており電位変動はほぼ無い為、リセット信号はオートゼロ時に取得したとほぼ等しい電圧が出るのでコンパレータ8は反転し、その時間までのクロックカウント値をカウンタ11でカウント(計測)することでリセットカウントが確定する。 - 中国語 特許翻訳例文集

传送晶体管 (下文中简称为传送 Tr)302a至 302c将累积在 PD303a至 PD 303c上的光信号电荷传送到浮动扩散 (下文中简称为 FD)304a至 304c,并且 PD 303a至 PD 303c是光电转换元件。

転送トランジスタ(以下転送Trと呼ぶ)302a〜302c はフォトダイオードに蓄積された光信号電荷をフローティングディフフュージョンに転送し、フォトダオード(以下、PD)303a〜303cは光電変換素子である。 - 中国語 特許翻訳例文集

返回到图 4的流程图,检测部分 27在步骤 S14确定从 FD 53的重置经过一定时间之后 VSL 57的电压电平的改变是否大于预定阈值。

ここで、図4のフローチャートに戻り、ステップS14において、検出部27は、VSL57における、FD53がリセットされてから一定時間経過後の電圧レベルの変化が、所定の閾値より大きいか否かを判定する。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 3所示,根据本实施例的像素阵列部分 16是像素共享型阵列,其中在像素列的延伸方向上安排的四个像素共享浮置扩散。 四个像素构成一个像素组 21。

本実施形態に係る画素アレイ部16は、図3に示すように、画素列(カラム)方向の4つの画素20がFDを共有する画素共有型であり、4つの画素が一つの画素群21を構成している。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 t23的曝光之后,在时段 t24通过使得复位脉冲 RST为“H”电平,再次执行复位操作,并且通过使得选择脉冲 SEL为“H”电平,读出复位电平,接着,在时段 t25,通过使得转移脉冲 TRG为“H”电平,转移晶体管 22被完全导通并且执行到 FD区 26的完全转移,然后,在时段 t26,通过使得选择脉冲 SEL为“H”电平,读出信号电平。

そして、期間t23での露光後、期間t24でリセットパルスRSTが“H”レベルになることによって再びリセット動作を行い、選択パルスSELが“H”レベルになることによってリセットレベルを読み出し、次いで期間t25では転送パルスTRGが“H”レベルになることによって転送トランジスタ22を完全にオン状態にしてFD部26へ完全転送を実行し、期間t26で選択パルスSELが“H”レベルになることによって信号レベルを読み出す。 - 中国語 特許翻訳例文集

像素电路具有如下配置,其中,复位电压 Vrst被选择性地从垂直信号线 111供应,因此,复位晶体管 23被连接在 FD区 26(放大晶体管 24的栅电极 )和垂直信号线 111之间,并且复位电压 Vrst通过开关晶体管 27被选择性地供应到垂直信号线 111,所示开关晶体管 27通过开关脉冲 SW导通。

この画素回路では、リセット電圧Vrstを垂直信号線111から選択的に供給する構成となっているために、リセットトランジスタ23がFD部26(増幅トランジスタ24のゲート電極)と垂直信号線111との間に接続されるとともに、垂直信号線111にはスイッチパルスSWでオン状態となるスイッチトランジスタ27を介して選択的にリセット電圧Vrstが供給されることになる。 - 中国語 特許翻訳例文集

接着,在时刻t6时,在通常时(a),浮点扩散器FD被遮光,电位变动大致变无,所以复位信号向垂直信号线 VSL读取与在自动调零期间 (1)取得的信号大致相等的电压,所以在垂直信号线 VSL和参照电压 VREF变相等时比较器 8反转,通过在边缘检测器 10捕捉该反转时的边缘,能够在计数器 11对该时间为止的时钟计数 (count clk)的值进行计数 (计测 ),并确定复位计数。

続いて、時刻t6の際、通常時(a)では、フローティングディフージョンFDは遮光されており電位変動はほぼ無いため、リセット信号は垂直信号線VSLにはオートゼロ期間(1)中に取得した信号とほぼ等しい電圧が読み出されるので、垂直信号線VSLと参照電圧VREFが等しくなった時にコンパレータ8は反転し、エッジ検出器10でその反転時のエッジを捉える事で、その時間までのクロックカウント(count clk)の値をカウント11でカウント(計測)することでき、リセットカウントが確定する。 - 中国語 特許翻訳例文集

如在图 3的时序图的情况下,图 5的时序图从图 5的顶部起以第一、第四、第五和第六的顺序示出驱动信号 SEL、驱动信号 TG0和 TG1和驱动信号 RST,并且从图 5的顶部起分别在第七和第八示出在 FD 53和 VSL 57的电压的电压电平。

図5のタイムチャートにおいては、図3のタイムチャートと同様に、図5の上から1,4,5,6番目には、駆動信号SEL、駆動信号TG0,TG1、および駆動信号RSTが順に示されており、上から7,8番目には、FD53およびVSL57における電圧の電圧レベルがそれぞれ示されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

也就是说,当在步骤 S34确定,当从 FD 53的重置起在短曝光时间中传送晶体管 52-1导通时、VSL 57的电压电平不改变时,处理跳过步骤 S35,并且进行到步骤 S36。

すなわち、ステップS34において、FD53がリセットされてから、短い露光時間で転送トランジスタ52−1がオンされたときに、VSL57における電圧レベルが変化していないと判定された場合、処理はステップS35をスキップし、ステップS36に進む。 - 中国語 特許翻訳例文集

也就是说,当在步骤 S34(图 7的时序图中的时间 T7)确定,当从 FD 53的重置起的短曝光时间中传送晶体管 52-1导通时、VSL 57的电压电平急剧下降时,处理进行到步骤S35。

すなわち、ステップS34(図7のタイムチャートの時刻T7)において、FD53がリセットされてから、短い露光時間で転送トランジスタ52−1がオンされたときに、VSL57における電圧レベルが急激に変化したと判定された場合、処理はステップS35に進む。 - 中国語 特許翻訳例文集

顺便提及,尽管在图 4的流程图中对图像传感器 22中的所有像素执行步骤 S14和S15的处理,但是可以对共享像素单元中的像素之一执行步骤 S14和 S15的处理,因为作为缺陷检测的实际目标的 FD 53由共享像素单元中的像素所共享。

なお、図4のフローチャートにおいては、ステップS14,S15の処理を、イメージセンサ22における全ての画素について行うようにしたが、実際の欠陥検出対象であるFD53は、共有画素ユニット内の画素に共有されているので、共有画素ユニット内の画素のうちの1つの画素について行うようにしてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

1A固态图像拾取元件,10A像素单元,11AA/D转换器,12A光通信单元,13A时序发生器,14A控制 I/O,15A DC-DC单元,16A控制器,17总线,2A光学设备,20A透镜单元,21外壳,3A信号处理设备,30A光通信单元,31A控制 I/O,32A操作单元,33A读取控制器,34A信号处理器,35A数据存储单元,36A显示单元,37A电源,38A电源控制器,4A信号处理系统,100像素,101像素阵列,102垂直扫描电路,103水平扫描电路,104列 CDS电路,105列信号线,106光电二极管,107FD放大器,108行选择晶体管,109行选择线,110电荷检测器,111复位晶体管,112放大晶体管,113复位线,114行读取线,120串行接口,120A并 /串转换器,121 121S 121CL发光单元,122A 122B线,123线,124编码单元,125数据加扰单元,126并/串转换器,128A表面发射半导体激光器,130H 130AD130OP线,300S 300CL光接收单元,301A串 /并转换器,302光接收单元,303串 /并转换器,304解扰单元,305解码单元,306光接收单元,307并行接口,401A相机系统,402A透镜单元,403A相机机身单元,404快门,405AE/AF检测器,406电子闪光,407电子闪光控制器

1A・・・固体撮像素子、10A・・・画素部、11A・・・A/D変換部、12A・・・光通信部、13A・・・タイミングジェネレータ、14A・・・制御I/O、15A・・・DC−DC部、16A・・・制御部、17・・・バス、2A・・・光学装置、20A・・・レンズ部、21・・・ハウジング、3A・・・信号処理装置、30A・・・光通信部、31A・・・制御I/O、32A・・・操作部、33A・・・読み出し制御部、34A・・・信号処理部、35A・・・データ保持部、36A・・・表示部、37A・・・電源、38A・・・電源制御部、4A・・・信号処理システム、100・・・画素、101・・・画素アレイ、102・・・垂直走査回路、103・・・水平走査回路、104・・・カラムCDS回路、105・・・列信号線、106・・・フォトダイオード、107・・・FDアンプ、108・・・行選択トランジスタ、109・・・行選択線、110・・・電荷検出部、111・・・リセットトランジスタ、112・・・増幅トランジスタ、113・・・リセット線、114・・・行読み出し線、120・・・シリアルインタフェース、120A・・・パラレル/シリアル変換部、121、121S,121CL・・・発光部、122A,122B・・・配線、123・・・配線、124・・・エンコード部、125・・・データスクランブル部、126・・・パラレル/シリアル変換部、128A・・・面発光型半導体レーザ、130H,130AD,130OP・・・配線、300S,300CL・・・光受信部、301A・・・シリアル/パラレル変換部、302・・・光受信部、303・・・シリアル/パラレル変換部、304・・・デスクランブル部、305・・・デコード部、306・・・受光部、307・・・パラレルインタフェース、401A・・・カメラシステム、402A・・・レンズユニット、403A・・・カメラ本体部、404・・・シャッタ、405・・・AE/AF検出部、406・・・ストロボ、407・・・ストロボ制御部 - 中国語 特許翻訳例文集

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