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「LT」を含む例文一覧

該当件数 : 15



广播命令分组可以包括例如定义的逻辑传送地址 (LT-ADDR)值 (例如全零 LT-ADDR),这触发扬声器设备 120a-f拾音并响应于此。

例えば、ブロードキャストコマンドパケットは、ピックアップしかつ応答するようにスピーカ装置120a〜120fをトリガする規定の転送論理アドレス(LT−ADDR)値(例えば、全てゼロのLT−ADDR)を含んでもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

这里,假设 LT表示由读取原稿 G的待读取表面 GA反射并朝第一镜 75传播的光 L的光轴,由扩散板 67扩散的一部分光 L穿过第二稿台玻璃 43B,使得利用该光从光轴 LT的一侧照射读取原稿 G,并且光 L的其余部分被反射板 79反射,之后穿过第二稿台玻璃 43B,使得利用该光从光轴 LT的另一侧照射读取原稿 G。

ここで、読取原稿Gの被読取面GAで反射され第1ミラー75に向かう光Lの光軸を光軸LTとすると、拡散板67で拡散された光Lの一部は、第2プラテンガラス43Bを通って光軸LTの一方側から読取原稿Gに照射され、光Lの残りは、反射板79で反射された後に第2プラテンガラス43Bを通って光軸LTの他方側から読取原稿Gに照射される。 - 中国語 特許翻訳例文集

读取位置 X0为照射读取原稿 G的光 L的光强分布的中心位置并位于光轴 LT上。

なお、読み取り位置X0は、読取原稿Gに照射された光Lの強度分布の中心位置であり、光軸LT上にある。 - 中国語 特許翻訳例文集

在该漫射光 L之中,沿光轴 LT朝第一镜 75传播的光 L被第一镜 75反射。

この拡散された光Lのうち、光軸LTに沿って第1ミラー75に向かう光Lは、第1ミラー75で反射される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在第一托架 210中,从经过读取位置 X0的光轴 LT至第一保持件 212的上表面的端部 212A的水平距离 d为 d= W3= 9mm。

第1キャリッジ210では、読み取り位置X0を通る光軸LTから第1ホルダー212の上面の端部212Aまでの水平距離d=W3=9mmとなっている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在读取位置 X0在慢扫描方向上的反射板 79侧,反射板 79被放置成比第一保持件51的端部 51C更靠近光轴 LT,但是由于反射板 79的安装位置基于从扩散板 67出射的光 LB的反射状态设定,因而从光轴 LT至反射板 79的距离也可在 12mm以内。

一方、副走査方向で読み取り位置X0から反射板79側では、反射板79が第1ホルダー51の端部51Cよりも光軸LTに近い配置となっているが、反射板79の取り付け位置については、拡散板67から出射された光LBの反射状態に基づいて設定されるため、光軸LTから反射板79までの距離が12mm以内であってもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 6中,光轴 LT对应于将从读取原稿 G的待读取表面 GA反射的光引导至成像部件 20的光路的光轴的实施例。

なお、図6において、光軸LTが、読取原稿Gの被読取面GAからの反射光を結像部20に導く光路の光軸の一例に相当する。 - 中国語 特許翻訳例文集

为此,在当前示例性实施方式的第一托架 18中,从经过读取位置 X0的光轴 LT至第一保持件 51的上表面的端部的距离 (这里为水平距离 d)设定为使得 d= W1= 12mm。

このため、本実施形態の第1キャリッジ18では、読み取り位置X0を通る光軸LTから第1ホルダー51の上面端部までの距離(ここでは水平距離dとする)をd=W1=12mmとしている。 - 中国語 特許翻訳例文集

接着,在读取原稿 G的读取位置 X0处被反射并成为扩散光的光中,沿着光轴 LT传播的光 L从读取原稿 G的表面朝第一镜 75传播并被第一镜 75反射。

続いて、読取原稿Gの読み取り位置X0で反射され拡散光となった光Lのうち、光軸LTに沿って進む光Lは、読取原稿Gの表面から第1ミラー75に向かい、第1ミラー75で反射される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在上述的第一托架 18中,在由读取原稿 G反射的漫射光之中,沿着光轴 LT朝第一镜 75传播的光 L被第一镜 75反射。

第1キャリッジ18では、前述のように、読取原稿Gで反射された拡散光のうち、光軸LTに沿って第1ミラー75に向かった光Lが第1ミラー75で反射される。 - 中国語 特許翻訳例文集


接下来描述当前示例性实施方式与第二对比实施例之间的差异,在该第二对比实施例中使用导光构件 65并将第一保持件 212的端部 212A移动成更靠近光轴 LT

次に、導光部材65を用いると共に第1ホルダー212の端部212Aを本実施形態よりも光軸LTに近づけた第2比較例と、本実施形態との差異について説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集

虽然刷新块RL-B周期性地 (即以周期 T)出现在每个恒定编码量片段 LT中,但是跨越恒定编码量片段LT的刷新块 RL-B之间的关系没有一定之规。

各定符号量スライスにおいてリフレッシュブロックRL−Bは、周期Tごとに定期的に出現するものの、各定符号量スライス間におけるリフレッシュブロックRL−Bの位置関係に一定のルールはない。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 7A中所示,导光构件 65被放置成使得从光入射表面 65B至光出射表面 65A的上表面 65C的一部分相对于位于导光构件 65上方的第一保持件 51(上壁 51A)朝光轴 LT伸出,并使得从待读取表面 GA反射的光入射在导光构件上并透射过该导光构件。

一方、図7(a)に示すように、導光部材65は、光入射面65Bから光出射面65Aまでの上側面65Cの一部が、導光部材65の上方にある第1ホルダー51(上壁51A)に対して光軸LT側に突出しており、被読取面GAからの反射光が入射すると共に透過するように配置されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在从导光构件 65出射而被扩散板 67扩散并直接向读取原稿 G传播的光 L之中,以比光 LG(参见图 9A)的漫射角更大的漫射角出射的光 LH在沿箭头 X的方向朝比读取位置 X2(参见图 9A)更远离光轴 LT的一侧偏移的读取位置 X5处被反射并成为漫射光。

一方、導光部材65から出射されると共に拡散板67で拡散されて読取原稿Gに直接向かう光Lのうち、光LG(図9(a)参照)の拡散角よりも大きい拡散角度で出射された光LHは、矢印X方向で反射位置X2(図9(a)参照)よりも光軸LTから離れる側にずれた反射位置X5で反射されて拡散光となる。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外,在当前示例性实施方式的第一托架 18中,由于使第一保持件 51的端部 51C的位置远离光轴 LT移动,因而再次照射读取原稿 G的待读取表面 GA的光量减少,从而不再需要为抑制光反射而对第一保持件 51的上表面进行表面处理,从而与使用进行了表面处理的保持件时相比,构造变得廉价。

また、本実施形態の第1キャリッジ18では、第1ホルダー51の端部51Cの位置を光軸LTから離すことだけで読取原稿Gの被読取面GAへの再度の照射光が低減するので、第1ホルダー51の上面に光の反射を抑える表面処理を施す必要が無くなり、表面処理を行った物を用いる場合に比べて、安価な構成となる。 - 中国語 特許翻訳例文集





   

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