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「P-36」の部分一致の例文検索結果

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虽然开关部件 31、32、36和 37中的开关是作为 N-沟道开关来描述的,但是在其他的示例中,这些开关也可以是诸如 P-沟道开关或转移栅极之类的其他类型的开关。

スイッチブロック31、32、36、及び37は上記ではNチャネルスイッチとして述べられたが、これらのスイッチは、他の例では、Pチャネルスイッチまたはトランスファーゲートのような他のタイプのスイッチであっても良い。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 8所示,在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部 (FD)37、以及溢出沟道机构 40。

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部(FD)37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 9所示,在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部(FD)37、以及溢出沟道机构 40。

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部(FD)37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集





   

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