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「nチャネル」を含む例文一覧
該当件数 : 10件
その結果、NチャネルMOSトランジスタ15を流れる参照電流Iref0の値が大きくなる。
这增大了流向 N沟道 MOS晶体管 15的参考电流 Iref0的值。
- 中国語 特許翻訳例文集
その結果、NチャネルMOSトランジスタ15を流れる参照電流Iref0の値が小さくなる。
这减小了流向 N沟道 MOS晶体管 15的参考电流 Iref0的值。 - 中国語 特許翻訳例文集
第2のデバイス220の第2の入力222は、nチャネルFET225のゲートのような第2のスイッチング要素の制御端子に連結される。
第二装置 220的第二输入 222耦合到第二切换元件的控制端子，例如 n沟道FET225的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集
第3のデバイスの第2の入力は、nチャネルFET235のゲートのような第2のスイッチング要素の制御端子に連結される。
第三装置 230的第二输入 232耦合到第二切换元件的控制端子，例如 n沟道FET235的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集
例証されるように、“0”信号が第1のデバイス210の入力211及び212に提供されるとき、pチャネルFET214はオンであり、nチャネルFET215はオフであり、第1のデバイス210は出力213で電流216を吐き出す（ソースする）。
如所说明，当将“0”信号提供到第一装置 210的输入 211及 212时，p沟道 FET 214接通，n沟道 FET 215断开，且第一装置 210在输出 213处供应电流 216。 - 中国語 特許翻訳例文集
“1”信号が第2のデバイス220の入力221及び222に提供されるとき、pチャネルFET224はオフであり、nチャネルFET225はオンであり、第2のデバイス220は出力213で電流226を吸い込む（シンクする）。
当将“1”信号提供到第二装置 220的输入 221及 222时，p沟道 FET 224断开，n沟道 FET225接通，且第二装置 220在输出 213处汲取电流 226。 - 中国語 特許翻訳例文集
スイッチブロック31、32、36、及び37は上記ではNチャネルスイッチとして述べられたが、これらのスイッチは、他の例では、Pチャネルスイッチまたはトランスファーゲートのような他のタイプのスイッチであっても良い。
虽然开关部件 31、32、36和 37中的开关是作为 N-沟道开关来描述的，但是在其他的示例中，这些开关也可以是诸如 P-沟道开关或转移栅极之类的其他类型的开关。 - 中国語 特許翻訳例文集
“1”信号が第3の送信機230の第1の入力231で受信され、“0”信号が第3の送信機230の第2の入力232で受信されるとき、pチャネルFET234及びnチャネルFET235の両者はオフであり、出力233は高インピーダンス状態である。
当在第三发射器 230的第一输入 231处接收“1”信号且在第三发射器 230的第二输入 232处接收“0”信号时，p沟道 FET 234及 n沟道 FET 235两者断开，且输出 233处于高阻抗状态。 - 中国語 特許翻訳例文集
回路ブロック134は、アドレス信号ADRとNOR回路135の出力信号とを2入力とするAND回路1341、アドレス信号ADRを一方の（否定）入力とし、AND回路1341の出力信号を他方の入力とするOR回路1342、レベルシフタ1343およびNチャネルの駆動トランジスタ1344により構成され、接地電圧よりも低い電圧Vtrg4を選択して転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。
电路块 134包括采用地址信号 ADR和 NOR电路 135的输出作为两个输入的 AND电路 1341，采用地址信号 ADR作为一个 (负 )输入并且采用 AND电路的输出信号作为另一个输入的 OR电路 1342，电平相移器 1343以及 N-沟道驱动晶体管 1344，其选定电压 Vtrg4(所述电压 Vtrg4低地电压 )并且将其供应到转移晶体管 22的栅电极。 - 中国語 特許翻訳例文集
さらに、受信回路2000は、レーンワイドクロック補償およびデコーディング回路261と、選択回路203と、ブロック同期回路263と、物理的媒体アクセス（「PMA」）副層回路262（例示的PMA回路ブロック0−Nが示される；PMA回路262は、データを非直列化する）と、ビットデマルチプレクシング（M／Nチャネル変換）回路270と、選択回路204と、物理的媒体依存（「PMD」）副層回路281（例示的回路ブロック281 0−Mが示される）と、を含む。
接收电路 2000还包括全通路时钟补偿和解码电路 261、选择电路 203、块同步电路 263、物理介质接入 (“PMA”)子层电路 262(示例 PMA电路块 0-N被示出；PMA电路 262将数据解串行 )、比特解复用 (M到 N通道转换 )电路 270、选择电路 204和物理介质相关(“PMD”)子层电路 281(示例电路块 2810-M被示出 )。 - 中国語 特許翻訳例文集
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