「けいきばん」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

彼は警棒をわき腹に挟んだ．

他把哨棒插在肋下。 - 白水社 中国語辞典

TFT基板とカラーフィルター基板の間には液晶層が形成される。

液晶层形成在TFT基板和滤色器基板之间。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、この基板170上にカプラ150が形成されている。

在基片170上形成耦合器 150。 - 中国語 特許翻訳例文集

センス回路部120は、第1の半導体基板SUB1と異なる第2の半導体基板SUB2に形成される。

感测电路部分 120形成在不同于第一半导体基底 SUB 1的第二半导体基底 SUB2上。 - 中国語 特許翻訳例文集

対向基板20におけるTFTアレイ基板10との対向面上には、遮光膜23が形成されている。

在对向基板 20中的与 TFT阵列基板 10的对向面上，形成遮光膜 23。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、上部基板320の外側には上部偏光板22が形成されている。

而且，在上基板 320的外部形成有上偏振片 22。 - 中国語 特許翻訳例文集

この画素アレイ部110は、たとえば第1の半導体基板SUB1に形成される。

像素阵列部分 110例如形成在第一半导体基底 SUB1上。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、TV基板1は異なる2系統の端子孔を備えている。

换言之，TV板 1包括排列成两条不同直线的端子孔。 - 中国語 特許翻訳例文集

携帯電話やPHSからのお問合せは下記番号へおかけ下さい。

用手机或者PHS询问的话请拨打下面的号码。 - 中国語会話例文集

左目シャッターSTLと右目シャッターSTRそれぞれは、第1透明基板、第1透明基板上に形成された第1透明電極、第2透明基板、第2透明基板上に形成された第2透明電極、第1及び第2透明基板上に狭持された液晶層を含む。

左眼快门STL和右眼快门 STR中的每个快门包括第一透明基板、在第一透明基板上形成的第一透明电极、第二透明基板、在第二透明基板上形成的第二透明电极、和夹在第一透明基板和第二透明基板之间的液晶层。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4に示した多層基板70は、図3に示した多層基板70に対し、多層基板70を構成する単一基板70a，70b，70c，70d間に形成される金属膜77a，77b，77cを更に有している。

比较图 3所示的叠层基片 70，图 4所示的叠层基片 70还包括形成在单层基片 70a、70b、70c和 70d之间的金属膜 77a、77b和77c。 - 中国語 特許翻訳例文集

他の実施形態では、光出力基板340のためのアクティブ・バックプレーンは、光入力基板350とは別の基板上に形成されてよい。

在其它的实施例中，针对光输出基板 340的有源底板可以在与光输入基板 350分离的基板上形成。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、回路ブロック200は半導体基板SUB2Aに積層された異なる半導体基板SUB2Bにアレイ状に敷き詰められて形成されている。

在半导体基底 SUB2A上层叠的不同半导体基底 SUB2B上以阵列布置电路块 200。 - 中国語 特許翻訳例文集

チューナユニット2は接続端子25をTV基板1に形成されている8個の端子孔10に差し込むことで、TV基板1に取り付けられる。

连接端子 25被插入 TV板 1中形成的 8个端子孔 10中，藉此将调谐器单元 2安装在 TV板 1上。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1及び図2において、本実施形態に係る液晶装置100では、TFTアレイ基板10と対向基板20とが対向配置されている。

图 1及图 2中，本实施例的液晶装置 100中，TFT阵列基板 10和对向基板 20相对向配置。 - 中国語 特許翻訳例文集

つまり、液晶表示パネル300の下部面には下部偏光板12が形成され、その上には下部基板である薄膜トランジスタ基板310が形成され、これに対向する位置には上部基板320が形成され、上部基板320と薄膜トランジスタ基板310との間には液晶層330が位置している。

也就是说，在显示面板 300的下表面形成有下偏振片 12，在下偏振片上形成有作为下基板的薄膜晶体管基板 310，形成有面向薄膜晶体管基板的上基板 320，并且，在上基板 320和薄膜晶体管基板 310之间形成有液晶层 330。 - 中国語 特許翻訳例文集

カラーフィルター基板は、上部ガラス基板上に形成されたブラックマトリクス、カラーフィルターを含む。

滤色器基板包括在上玻璃基板上形成的黑矩阵和滤色器。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図6】本発明の他の実施形態による表示パネルの第1基板の平面図である。

图 6是示出根据另一示例实施例的显示面板的第一基板的平面图； - 中国語 特許翻訳例文集

【図8】本発明のまた他の実施形態による表示パネルの第1基板の平面図である。

图 8是示出图 7的显示面板的第二基板的平面图； - 中国語 特許翻訳例文集

【図2】第1の実施形態に係るメモリ基板周辺の構成を示す側面図である。

图 2是示出根据第一示例性实施方式的存储器基板周边的构造的侧视图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図6】第2の実施形態に係るメモリ基板周辺の構成を示す側面図である。

图 6是示出根据第二示例性实施方式的存储器基板周边的构造的侧视图。 - 中国語 特許翻訳例文集

サーバで計算されるMSAF−Xの値は、常に、各受信器バッファの容量を考慮する。

在服务器处计算的 MSAF-X的值总是考虑每个接收机缓冲器的容量。 - 中国語 特許翻訳例文集

基板は、SLMデバイス108と統合され、単一の光学組立体を形成することができる。

可以将该衬底与 SLM108集成以形成单个光学组件。 - 中国語 特許翻訳例文集

代わりに、IC19およびIC20の基板またはシステム・オン・チップ（SOC）の基板が、RFループバック経路として働き、複合RF信号81は基板カップリングによって送信器と受信器との間で伝達される。

实情为，IC 19及 IC 20的衬底或芯片上系统 (SOC)的衬底充当 RF环回路径，且复合 RF信号 81是经由衬底耦合而在发射器与接收器之间传送。 - 中国語 特許翻訳例文集

いくつかの実施形態では、オンチップ結合が送信経路の出力を受信経路に例えば集積回路の基板を介して中継する場合、専用のループバック経路さえも使用されない。

在一些实施例中，当芯片上耦合将发射路径的输出中继到接收路径 (例如，经由集成电路的衬底 )时，甚至不使用专用环回路径。 - 中国語 特許翻訳例文集

p型半導体領域1306を、マイクロリング1302の内側の半導体基板で（または、該半導体基板に）形成することができ、n型半導体領域1308及び1310を、マイクリング1032の外側を囲む半導体基板であって導波路1304の反対側にある半導体基板で（または、該半導体基板に）形成することができる。

p型半导体区域 1306可以在微环 1302的半导体衬底内部形成，并且 n型半导体区域 1308和1310可以在包围微环 1302的外面的半导体衬底中和波导 1304的相对侧上形成。 - 中国語 特許翻訳例文集

また受信モジュール12は、チューナ回路部25、信号処理IC21、DRAM22、第1のフラッシュメモリ23、第2のフラッシュメモリ24などが、メイン基板とは別の回路基板（サブ基板）の実装面に配置されて形成されている。

另外，接收模块 12由布置在与主电路板分离的另一电路板 (子电路板 )的组件侧上的调谐器电路部分 25、信号处理 IC 21、DRAM 22、第一闪存 23、第二闪存 24等等构成。 - 中国語 特許翻訳例文集

次に、CPU101は、ステップ139において、次のストリップのために使用されるべき倍率を計算する。

在步骤 139，然后，CPU101计算将用于下一条的比例因子。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、N型埋め込み層184とN型基板181との間において、P型ウェル層182が薄く形成されている。

此外，P型阱层 182在 N型嵌入层 184和 N型基板 181之间形成得较薄。 - 中国語 特許翻訳例文集

光照射部59の回路基板59Aには、ねじ孔82に対応して複数（本実施形態では、4つ）の貫通孔83が形成されている。

在光照部件 59的电路板 59A中，形成有与螺纹孔 82对应的多个 (在本示例性实施方式中为四个 )通孔 83。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図2】この発明の実施の形態1による画像読取装置のセンサ基板に形成された受光部の平面図である。

图 2是本发明实施方式 1所涉及的图像读取装置的传感器基板上所形成的受光部的俯视图。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2は、この発明の実施の形態1による画像読取装置のセンサ基板に形成された受光部の平面図である。

图 2是形成于本发明实施方式 1所涉及的图像读取装置的传感器基板上的受光部的俯视图。 - 中国語 特許翻訳例文集

多層基板70にLEDチップ71を設け、このような貫通孔72を有しない場合、多層基板70が本実施の形態のガラスエポキシ基板であると、LEDチップ71から発生する熱の放熱性がよいとは言えない。

如果 LED芯片 71配置在不具有通孔 72的叠层基片 70上，并且如本实施例中叠层基片 70为环氧玻璃基片，LED芯片 71产生的热将无法有效的散发出去。 - 中国語 特許翻訳例文集

たとえば第1の半導体基板SUB1に形成された複数の画素DPXと第2の半導体基板SUB2に形成された複数のセンス回路121がそれぞれ1対1で対向するように積層される。

例如，以这样的方式执行层叠，使得在第一半导体基底 SUB 1上形成的多个数字像素 DPX一对一地面对在第二半导体基底 SUB2上形成的多个感测电路 121。 - 中国語 特許翻訳例文集

他の実施形態では、マイクロリング1302の内側の半導体基板にn型半導体領域1306を形成し、マイクロリング1302の外側を囲む半導体基板にp型半導体領域1308及び1310を形成することによってドーパントを逆にすることができる。

在其他实施例中，可以通过在微环 1302的半导体衬底内部形成 n型半导体区域 1306并且在包围微环 1302外面的半导体衬底中形成 p型半导体区域 1308和 1310来反转这些掺杂剂。 - 中国語 特許翻訳例文集

複数の撮像装置は、基板の第1の位置上に形成される第1の撮像装置と、基板の第2の位置上に形成される第2の撮像装置と、を少なくとも含む。

所述多个成像器至少包括形成于所述基底上第一位置的第一成像器和形成于所述基底上第二位置的第二成像器。 - 中国語 特許翻訳例文集

5. 前記バケットグループを識別することは、前記バケットグループを識別して、グループ毎にm個のバケットを含む、合計n個のバケットグループを形成することを含み、N＝n*mである請求項4記載の方法。

5.如权利要求 4所述的方法，其中，所述确定区段组包括： 确定所述区段组，以便构成总共 n个区段组，每一个区段组包括 m个区段，其中，N＝ n*m。 - 中国語 特許翻訳例文集

論理レベルの設計を、半導体基板上でエッチングされ形成される準備ができている半導体回路設計に変換するために、複雑かつ強力なソフトウェアツールが利用可能である。

复杂且强大的软件工具可用于将逻辑级设计转换成准备在半导体衬底上蚀刻并形成的半导体电路设计。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明は、受信回路及び受信回路を半導体基板上に形成した半導体装置に関する。

本发明涉及一种接收电路及在半导体基板上形成有接收电路的半导体装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

フォトダイオード141は、例えば、N型基板181上に形成されたP型ウェル層182に対して、P型層183を基板表面側に形成してN型埋め込み層184を埋め込むことによって形成される埋め込み型フォトダイオードである。

光电二极管 141例如为嵌入式光电二极管，它是通过在基板表面一侧上形成 P型层 183，并相对于形成在 N型基板 181上的 P型阱层 182嵌入 N型嵌入层 184而形成的。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、本発明の他の側面による半導体装置は、上記受信回路が半導体基板上に形成されている。

另外，本发明的另一方面的半导体装置，在半导体基板上形成有上述接收电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3に示すように、TV基板1には8個の端子孔10（第2の接続端子）が直線状に並んで形成されている。

如图 3中所示，TV板 1中形成有 8个端子孔 10(第二连接端子 )，这些端子孔 10排列成直线。 - 中国語 特許翻訳例文集

レンチキュラーレンズ410は、屈折率等方性を有する物質で形成され、半円柱状で保護基板430の上部面に付着している。

柱状透镜 410由具有各向同性折射率的材料制成，并形成附接于保护基板 430上表面的半圆形的柱体。 - 中国語 特許翻訳例文集

基板202の一方の面上には、ミリ波送受信端子232と接続された基板パターンによるミリ波伝送路234とアンテナ236（図ではパッチアンテナ）が形成されている。

在板 202的一个表面上形成由与毫米波发送和接收端子 232连接的板样式 (boardpattern)构成的毫米波传输线 234以及天线 236(图 12A到 12C中的接线天线 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

基板102の一方の面上には、ミリ波送受信端子132と接続された基板パターンによるミリ波伝送路134とアンテナ136（図ではパッチアンテナ）が形成されている。

在板 102的一个表面上形成由连接到毫米波发送和接收端子 132的板样式构成的毫米波传输线 134以及天线 136(图 12A到12C中的接线天线 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

基板202の一方の面上には、ミリ波送受信端子232と接続された基板パターンによるミリ波伝送路234とアンテナ236（図ではパッチアンテナ）が形成されている。

由连接到毫米波发送和接收端子 232的板图案制成的毫米波发送线 234和天线 236(图 13A中为接线天线 )形成在板 202的一个表面上。 - 中国語 特許翻訳例文集

基板102の一方の面上にミリ波送受信端子132と接続された基板パターンによるミリ波伝送路134とアンテナ136（図ではパッチアンテナ）が形成されている。

由连接到毫米波发送和接收端子 132的板图案制成的毫米波发送线 134和天线 136(图 13B中为接线天线 )形成在板 102的一个表面上。 - 中国語 特許翻訳例文集

センサ基板10は誘電体基板の表面に直線的に形成された多数の受光部（光電変換部）を含み受光部を駆動するシフトレジスタ、ラッチ回路及びスイッチなどの駆動回路部からなる。

传感器基板 10包括多个在介质基板表面形成为直线形的受光部 (光电转换部 )，由驱动受光部的移位寄存器、锁存电路及开关等驱动电路部构成。 - 中国語 特許翻訳例文集

まず、シリコン基板105の所定の位置にイオンを打ち込み、光電変換部104を作製し、図示しない配線等を形成した後、裏面側からCMPやエッチバックなどにより、基板を薄膜化する（図7（a））。

首先，离子被注入到由硅形成的基板 105的预定位置以形成光电转换单元 104。 在形成布线等 (未示出 )之后，从后侧通过 CMP或回蚀刻 (etch back)等将基板制成薄膜 (图7A)。 - 中国語 特許翻訳例文集

この第5の実施の形態は、ベース部材72の側面に導体パターンを形成した配線基板82を取り付け、その配線基板82の導体バターンにより左右のボンディングパッド38a〜38dとボンディングパッド39a〜39dを電気的に接続している。

在第五实施方式中，附加了在基底部件 72的侧面形成导电图案的布线基板 82，并且接合焊盘 38a～ 38d通过布线基板 82的导电图案电连接到接合焊盘 39a～ 39d。 - 中国語 特許翻訳例文集