「けいきばん」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

また、切欠き部33近傍は、フレキシブル基板10の第2の曲げ部18により第1の接点12及び第2の接点13への静電気の侵入経路がふさがれており、回り込もうとしても先に支持部材23に落ちる。

另外，在切口部 33附近，静电从柔性基板 10的第二弯曲部 18侵入第一触点 12和第二触点 13的侵入路径被关闭，静电流向支撑构件 23而不流入电路板 15。 - 中国語 特許翻訳例文集

図10を参照して、一例として前捌き部材である前捌き板201Cは、その端部がピックアップローラ201A，201A’および捌きローラ201Bよりも上流側の搬送経路に突出した状態で備えられる。

参照图 10，作为预分离构件的预分离板201C被设置为一个示例，使得其一端突出到在拾取辊201A、201A′和分离辊201B的上游侧的输送路径上。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、本実施形態では、第1チューナユニット2Aとして、接続端子数がTV基板1の端子孔10の数と同じものを挙げているが、第1チューナユニット2Aの接続端子数も端子孔の数よりも少なく形成されているものであってもよい。

应注意，第二实施例例示了其中第一调谐器单元 2A的连接端子数量等于 TV板 1的端子孔 10的数量的情形。 然而，第一调谐器单元 2A的连接端子数量可以小于 TV板 1的端子孔 10的数量。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4はCPU119が正常状態における画像形成装置のシステム制御部のCPU119とプリンタエンジン部のCPU120及びドライバ基板との通信例を示す図である。

图 4是示出图像形成设备的系统控制单元的处于正常状态的 CPU 119、打印机引擎单元的 CPU 120和驱动器基板 115～ 117之间的通信的示例的图。 - 中国語 特許翻訳例文集

半導体基板SUB2Aには、複数の回路ブロック200を制御するための制御回路210、並びに、回路ブロック200の出力のためのデマルチプレクサ（DEMUX）220、レジスタ群230、転送線240、および出力回路250が形成される。

在半导体基底 SUB2A上形成控制多个电路块 200的控制电路 210、用于解多路复用电路块 200的输出的解多路复用器 (DEMUX)220、寄存器 230、传送线 240、以及输出电路250。 - 中国語 特許翻訳例文集

図12は、本発明の実施形態にしたがって構成された、基板1206上に配置されたマイクロリング共振器1202、及び隣接するリッジ導波路1204の一部の等角図である。

图 12示出了设置在衬底 1206上且依照本发明实施例配置的微环谐振器 1202和相邻脊形波导 1204的一部分的等距视图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図4】当該イメージセンサのp型基板上のnウエル内に形成された図2のpMOS画素回路を有するイメージセンサの一部の断面図である。

图 4是图像传感器的一部分的剖面图，所述图像传感器包括形成于该图像传感器的 p型衬底上的 n阱中的、图 2的 PMOS像素电路； - 中国語 特許翻訳例文集

図2において、TFTアレイ基板10上には、駆動素子である画素スイッチング用のTFTや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。

图 2中，TFT阵列基板 10上，形成嵌入了驱动元件即像素开关用的 TFT、扫描线、数据线等的布线的层叠构造。 - 中国語 特許翻訳例文集

TFTアレイ基板10における液晶層50の面する側の表面、即ち画素電極9a上には、配向膜16が画素電極9aを覆うように形成されている。

在 TFT阵列基板 10中的液晶层 50一侧的表面，即像素电极 9a上，取向膜 16以覆盖像素电极 9a的方式形成。 - 中国語 特許翻訳例文集

基板105は、撮像する波長帯域で吸収を有する材料、例えばSiであり、イオン打ち込みなどで光電変換部104を内部に形成する。

基板 105由吸收成像中的波长带中的光的材料例如 Si形成，并且包括通过离子注入等形成在其中的光电转换单元 104。 - 中国語 特許翻訳例文集

放送受信装置Eでは、第1チューナユニット2Aと第2チューナユニット2Bとを取り付けるときに、接続端子は異なる系統の端子孔に挿入されるようにTV基板1は形成されている。

在广播接收机 E中，TV板 1被形成为使得用于在安装第一调谐器单元 2A时容纳第一调谐器单元 2A的连接端子的连接孔与用于在安装第二调谐器单元 2B时容纳第二调谐器单元 2B的连接端子的连接孔处于不同直线中。 - 中国語 特許翻訳例文集

たとえば、画素DPXとセンス回路121は別個の半導体ウエハー上にそれぞれ形成され、両ウエハーを張り合わせることによって上記基板の積層が実現される。

例如，像素 DPX和感测电路121被分别形成在分离的半导体晶片上，其又粘附在一起以实现半导体基底的层叠配置。 - 中国語 特許翻訳例文集

本構成の場合、たとえば画素アレイの行数が1ブロック分で満たされ、ブロックが列方向に並ぶだけの場合は、全ての回路を同一半導体基板上に形成することも可能である。

在该配置的情况下，当像素阵列的行数是一个块中的行数，并且仅在列方向布置各块时，可以在同一半导体基底上形成所有的电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3において、カラム方向に互いに隣接する2個の画素PXでは、半導体基板SB1に拡散層DF1が形成されることでフォトダイオードPD1、PD1´が構成されている。

在图 3中，在列方向上相互邻接的两个像素 PX中，通过在半导体基板 SB1上形成扩散层 DF1而构成光电二极管 PD1、PD1′。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4において、カラム方向に互いに隣接する3個の画素PXでは、半導体基板SB2に拡散層DF2が形成されることでフォトダイオードPD2、PD2´、PD2´´が構成されている。

在图 4中，在沿列方向相互邻接的 3个像素 PX中，通过在半导体基板 SB2上形成扩散层 DF2而构成光电二极管 PD2、PD2′、PD2″。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、固体撮像素子1Aでは、基板18の表面または裏面に、図1で説明した制御I／O14Aと接続される図示しない電極が形成される。

此外，在固态图像拾取元件 1A中，在衬底 18的前表面或后表面上形成参照图 1描述的、且连接到控制 I/O 14A的各电极 (未示出 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

照明モジュール32はレーザダイオードのような1行の端部放出型光電子要素70を有し、それはシリコンウェハのような基板72上に形成される。

模块 32包括一行边缘发射光电元件 70，诸如激光二极管，它们形成在衬底 72诸如硅晶片上。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4は、光がレンズ基板310のマイクロ・レンズのアレイによってどのようにキャプチャされることが可能であるかの一例示的実施形態の側面図を例示する。

图 4示出了通过透镜基板 310的微透镜阵列如何捕获光的实施例的侧视图。 - 中国語 特許翻訳例文集

32. 前記コードは、前記バケットグループを識別して、グループ毎にm個のバケットを含む、合計n個のバケットグループを形成するように構成されており、N＝n*mである請求項31記載のコンピュータ読み取り可能媒体。

32.如权利要求 31所述的计算机可读介质，其中，所述代码被配置为： 确定所述区段组，以便构成总共 n个区段组，每一个组包括 m个区段，其中，N＝ n*m。 - 中国語 特許翻訳例文集

34. 前記コードは、前記バケットグループを識別して、バケットグループ毎にm個のバケットを含むn個のバケットグループの、合計o個のグループを形成するように構成されており、N＝n*m*oである請求項33記載のコンピュータ読み取り可能媒体。

34.如权利要求 33所述的计算机可读介质，其中，所述代码被配置为： 确定所述区段组，以便构成总共 o个组，每一个组包括 n个区段组，每一个区段组包括 m个区段，其中，N＝n*m*o。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかし、撮像素子が多くの画素を持つ場合には、画素ブロック160（−0〜−3）は、対応するセンス回路121A（−0〜−3）を含む支持回路の上に異なる半導体基板で積層されて形成されることが望ましい。

然而，当成像器件具有多个像素时，希望像素块 160-0、160-1、160-2、160-3应该层叠地形成在包括各个感测电路 121A-0、121A-1、121A-2、121A-3的支撑电路上的不同半导体基底上。 - 中国語 特許翻訳例文集

本実施形態では、第2の曲げ部18の側からレリーズボタン4の押し子部35が切欠き部33に入っていくので、押し子部35がフレキシブル基板10をめくり上げることがない。

在本示例性实施方式中，由于释放按钮 4的推动部 35从第二弯曲部 18侧进入切口部 33，所以推动部 35不会向上弯曲柔性基板 10。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、搬送ガイド61A〜61Cは、複数からなるため、ADF120に配設した基板610にそれやねじれ等が発生したとしても、搬送ガイド61A〜61Cが個別に移動し設計上の適切な位置に配置される。

由于输送引导器包括多个输送引导器 61A至 61C，因此，即使当位于 ADF 120中的基板 610具有翘曲、变形等情况时，输送引导器 61A至 61C也能够单独移动至适当的设计位置。 - 中国語 特許翻訳例文集

5. 上記中継器で上記複数の子局の夫々から受信する上り信号はヘッダ部とデータを含むペイロード部からなるバースト信号で、上記フレーム処理部は、前記バースト信号の前記ヘッダの所定領域と前記バースト信号間の領域を削除して前記変換を実施することを特徴とする請求項2に記載の光通信システム。

5.如权利要求 2所述的光通信系统，其特征在于，通过上述中继器从上述多个子站的各个子站接收的上行信号是由头部和包含数据的有效载荷部构成的促发信号，上述帧处理部将上述猝发信号的上述头部的规定区域和上述猝发信号间的区域删除并实施上述变换。 - 中国語 特許翻訳例文集

9. 上記中継器で上記複数の子局の夫々から受信する上り信号はヘッダ部とデータを含むペイロード部からなるバースト信号で、前記バースト信号の前記ヘッダの所定領域と前記バースト信号間の領域を削除して前記変換を実施することを特徴とする請求項7に記載の通信帯域制御方法。

9.如权利要求 7所述的通信频带控制方法，其特征在于，通过上述中继器从上述多个子站的各个子站接收的上行信号是由头部和包含数据的有效载荷部构成的猝发信号，将上述猝发信号的上述头部的规定区域和上述猝发信号间的区域删除并实施上述变换。 - 中国語 特許翻訳例文集

25. 前記プロセッサは、前記バケットグループを識別して、バケットグループ毎にm個のバケットを含むn個のバケットグループの、合計o個のグループを形成するように構成されており、N＝n*m*oである請求項22記載の装置。

25.如权利要求 22所述的装置，其中，所述处理器被配置为： 确定所述区段组，以便构成总共 o个组，每一个组包括 n个区段组，每一个区段组包括 m个区段，其中，N＝ n*m*o。 - 中国語 特許翻訳例文集

このような溝部78を設けることで配線76bの反りやねじれをガラスエポキシ基板を形成するガラスエポキシ樹脂により抑えることができる。

通过设置槽 78，布线 76b的弯曲和扭曲可以通过由环氧玻璃形成的环氧玻璃基片而得到抑制。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、リセットまたは読み出しを行うための画素DPXの駆動回路の少なくとも一部は、画素DPXと同一の第1の半導体基板SUB1に形成されることが望ましい。

此外，希望用于要复位或经历数据读出的像素 DPX的驱动电路的至少一些形成在与形成像素 DPX相同的第一半导体基底 SUB1上。 - 中国語 特許翻訳例文集

その結果、利用者毎にセキュリティ機能を設定することができ、バナーページ作成機能を有する画像形成装置において、管理者の管理目的にあった細かな表示制御を行なうことができる。

其结果，可以对各个利用者设定安全功能，在具有标题页制作功能的图像形成装置中，能够进行与管理者的管理目的对应的细微的显示控制。 - 中国語 特許翻訳例文集

尚、遮光膜23をストライプ状に形成し、該遮光膜23と、TFTアレイ基板10側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。

另外，也可以使遮光膜 23形成条纹状，通过该遮光膜 23和在 TFT阵列基板 10侧设置的数据线等的各种构成要素，规定非开口区域。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素部111、垂直駆動回路112、カラム処理回路113、出力回路114、および、制御回路115は、図示せぬ半導体基板（チップ）上に形成されている。

像素部 111，垂直驱动电路 112，列处理电路 113，输出电路 114以及控制电路 115形成在半导体基板 (芯片 )(未示出 )上。 - 中国語 特許翻訳例文集

4. 印刷データには、当該印刷データの印刷を指示した利用者を特定する利用者情報が付されており、前記セキュリティ設定記憶手段は、前記画像形成装置のセキュリティ機能のオン・オフを利用者ごとに設定する情報を記憶するための手段を含み、前記バナーページ生成手段は、前記セキュリティ設定記憶手段に記憶された利用者ごとの前記セキュリティ機能のオン・オフの設定と、前記受信手段が受信した印刷データに付された利用者情報とに応じて、前記バナーページに表示する情報、又は前記画像形成手段による前記バナーページの画像形成時の条件を変更する、請求項1に記載の画像形成装置。

4.根据权利要求 1所述的图像形成装置，其特征在于，在打印数据中附加有用于确定指示了该打印数据的打印的利用者的利用者信息，上述安全设定存储装置包括第一设定存储装置，该第一设定存储装置用于存储按照各利用者设定上述图像形成装置的安全功能的启用 /禁用的信息，上述标题页生成装置，根据存储于上述第一设定存储装置中的各利用者的上述安全功能的启用 /禁用的设定以及上述通信装置接收到的打印数据中附加的利用者信息，变更上述标题页上显示的信息或由上述图像形成部进行上述标题页的图像形成时的条件。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、前記システム100は、前記携帯端末ユーザIDに基づき、前記番組表（配信テーブル）データベース125において該当携帯端末ユーザに対応付けた番組表（配信テーブル）1000を検索し、当該番組表（配信テーブル）1000において前記配信希望時刻に設定されている該当デジタルコンテンツ1100を特定する、配信コンテンツ特定部113を備えるものとすれば好適である。

另外，所述系统 100优选具有分配内容确定部 113，其根据所述便携式终端用户ID，在所述节目表 (分配表 )数据库 125中检索与相应的便携式终端用户对应的节目表 (分配表)1000，并在该节目表(分配表)1000中确定在所述希望分配时刻设定的相应的数字内容 1100。 - 中国語 特許翻訳例文集

携帯端末102は、制御したい情報、例えば、ある時刻になったらコンテンツの表示を開始する、ある時刻になったら表示を停止する、ある地域（場所）の携帯端末102だけ制御したい、更にはある地域の特定の携帯端末102のみを制御したい等の制御情報を入力する。

便携终端 102输入要进行控制的信息、例如，若成为某个时刻则开始内容的显示、若成为某个时刻则停止显示、仅要控制某个地域 (场所 )的便携终端 102、以及仅要控制某个地域的特定便携终端 102等控制信息。 - 中国語 特許翻訳例文集

もう一つは、特定用途向けICとして製造された駆動回路を画素アレイ部が形成された基板上に実装する表示パネルモジュールである。

另一个是被制造为特定应用的 IC的驱动电路被安装在形成像素阵列单元的基板上的显示面板模块。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、前記システム100は、前記番組表（配信テーブル）1000の情報のうち少なくとも配信希望時刻の情報を備える携帯端末200より、前記配信希望時刻情報を前記要求情報として受信する、希望時刻受信部114を備えることとすれば好適である。

另外，所述系统 100优选具有希望时刻接收部 114，其通过在所述节目表 (分配表 )1000的信息中至少具有希望分配时刻的信息的便携式终端 200，作为所述请求信息接收所述希望分配时刻信息。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3に示すように、放射線検出素子10の画素20Aは、無アルカリガラス等からなる絶縁性の基板1上に、走査配線101（図2参照。）、ゲート電極2が形成されており、走査配線101とゲート電極2は接続されている（図2参照。）。

如图 3中所示，由无碱玻璃等构成的绝缘基板 1形成放射线图像成像装置 10的像素 20A，在该绝缘基板 1上形成有扫描线 101和栅极 2，其中扫描线 101连接到栅极 2(参见图 2)。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4に示すような典型的実施態様によれば、ライン分離インプレースを達成するために、プリンタコントローラ基板400に配置されたコプロセッサ（例えば、DSP）420を使用できる（即ち、余分な作業バッファは何ら必要ない）。

根据图 4所示的示例性实施例，位于打印机控制器板 400上的协处理器 (如DSP)420可用于实现在位行分割 (line splitting in place)(即不需要额外的工作缓冲器 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、前記システム100は、前記番組表1000の情報のうち少なくとも配信希望時刻の情報を備える携帯端末200より、前記配信希望時刻情報に基づく該当時刻に送信された、携帯端末ユーザIDを前記要求情報として受信する、ユーザID受信部112を備える。

另外，所述系统 100具有用户 ID接收部 112，其从在所述节目表 1000的信息中至少具有希望分配时刻的信息的便携式终端 200，作为所述请求信息接收在基于所述希望分配时刻信息的相应时刻发送的便携式终端用户 ID。 - 中国語 特許翻訳例文集

一実施形態では、レンズ基板310は、本発明と共に本発明の譲受人に譲渡され、参照によりその全体が本明細書に組み込まれている、「Method for Making Micro Lenses」という名称の2005年8月9日にBolleに対して発行された米国特許第6，926，850号に従って製作されることが可能である。

在一个实施例中，根据 Bolle于 2005年 8月 9日提交的题目为“Method for Making Micro Lenses”的美国专利 No.6,926,850制造了透镜基板 310，其与本发明共同转让，并且其全部内容通过引用的方式并入本文。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように、使用される接続端子と端子孔との間でやり取りされる信号をチューナユニットの接続端子数に関係なく共通化することで、異なる接続端子数のチューナユニットでTV基板を共用することができる。

如以上所描述的，不管调谐器单元的连接端子数量如何，使得连接端子与待使用的端子孔之间交换的信号可共享，因此可在连接端子数量不同的调谐器单元之间共享 TV板。 - 中国語 特許翻訳例文集

最正面座標取得部32は、割込要求受付部12が割込要求を取得することを契機として、3次元空間に存在するオブジェクト200の奥行き情報を格納する奥行きバッファ34を参照し、最近傍点座標（図13（a）における座標M）を取得する。

最正面坐标取得单元 32以插入请求受理单元 12取得插入请求为契机，参照存储位于三维空间的对象物 200的纵深信息的纵深缓冲 34，取得最近傍点坐标 (图 13(a)中的坐标 M)。 - 中国語 特許翻訳例文集

電気バンドパスフィルタ220は、λNA及びλNBに関して変調された信号のクロック周波数に等しい、例えば、データソースが40Gb／sデータ信号を供給する形態での20GHzに等しい、中心周波数を有する周知の構成をとってもよい。

电带通滤波器 220可采取具有等于在λNA和λNB上调制的信号的时钟频率的中心频率 (例如在数据源提供 40Gb/s数据信号的实施例中的 20GHz)的已知配置。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、背面支持部13cの他の電子部品17・18を避けた両側の凸形状部において、フレキシブル基板11との間の隙間にUV硬化接着剤14を、分割してそれぞれ塗布・充填し、その後、UVを照射してUV硬化接着剤14を硬化させて封止する。

而且，在背面支撑部 13c的避开了其他电子部件 17、18的两侧的凸形状部，在与挠性基板 11之间的间隙，分别分开地进行涂布、填充 UV硬化粘合剂 14，其后，照射 UV使 UV硬化粘合剂 14硬化并封装。 - 中国語 特許翻訳例文集

図8に示す様に（図9も参照）、回路基板(6)のシャーシ本体(50)側の表面には、シャーシ本体(50)の上部(501)との間に隙間(502)が形成されている領域に、ビデオカメラの機器動作を制御するASIC（Application Specific Integrated Circuit）(60)が搭載されている。

如图 8所示 (参照图 9)，在电路基板 6的机架主体 50侧的表面上，在与机架主体50的上部 501之间形成间隙 502的区域中装载了控制摄像机的设备动作的 ASIC(专用集成电路 )60。 - 中国語 特許翻訳例文集

センサ基板10の受光部は読み取り幅方向に延在して形成され、光軸ラインに配置した緑色フィルタ列（G列）を中心に搬送方向両側に青色フィルタ列（B列）と赤色フィルタ列（R列）とを振り分けて配置されている。

传感器基板 10的受光部由在读取宽度方向上延伸形成，以配置在光轴线上的绿色滤色片列 (G列 )为中心，传送方向两侧分别配置有蓝色滤色片列 (B列 )和红色滤色片列 (R列 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

実施の形態3に係る3次元画像表示装置100は、3次元コンテンツ再生部10、割込要求受付部12、輝度値制御部14、最正面座標取得部32、奥行きバッファ34、制御メニュー出力部16、および画像バッファ18を含む。

与实施形态 3相关的三维图像显示装置 100具有三维内容播放单元 10、插入请求受理单元 12、亮度值控制单元 14、最正面坐标取得单元 32、纵深缓冲 34、控制菜单输出单元16、及图像缓冲 18。 - 中国語 特許翻訳例文集

水平走査部12や垂直走査部14などの駆動制御部7の各要素は、画素アレイ部10とともに、半導体集積回路製造技術と同様の技術を用いて単結晶シリコンなどの半導体領域に一体的に形成されたいわゆる1チップもの（同一の半導体基板上に設けられているもの）として、本実施形態の固体撮像装置1が構成される。

根据本实施例的固态成像器件 1以单芯片器件 (提供在同一半导体衬底上 )的形式构成，其中在单晶硅或其他半导体区域中使用与半导体集成电路制造技术相同的技术而集成地形成驱动控制部件 7的各个组件 (如水平和垂直扫描部件 12和 14)与像素阵列部件 10。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施の形態に係る固体撮像装置31は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第一实施例的固体摄像装置 31具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2実施の形態に係る固体撮像装置61は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。

第二实施例的固体摄像装置 61具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。 - 中国語 特許翻訳例文集