「げーととらんじすた」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

PMOSトランジスタPT311のソースおよびPMOSトランジスタPT312のソースが電源電位VDDに接続されている。

PMOS晶体管 PT311的源极和 PMOS晶体管 PT312的源极连接至电源电势 VDD。 - 中国語 特許翻訳例文集

共通の制御端47は、NMOSトランジスタ52のゲート端子に直接接続され、インバータ53を介してPMOSトランジスタ50のゲート端子に接続され、また、PMOSトランジスタ54，55の各ゲート端子に接続されている。

公共的控制端 47与 NMOS晶体管 52的栅极端子直接连接，经由反相器 53与 PMOS晶体管 50的栅极端子连接，连还接到 PMOS晶体管 54、55的各栅极端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

制御端47は、NMOSトランジスタ52のゲート端子に直接接続され、インバータ53を介してPMOSトランジスタ50のゲート端子に接続され、また、PMOSトランジスタ54，55の各ゲート端子に接続されている。

控制端 47与 NMOS晶体管 52的栅极端子直接连接，经由反相器 53与 PMOS晶体管 50的栅极端子连接，还与 PMOS晶体管 54、55的各栅极端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

グランド側の2つのNMOSトランジスタ26，28ではNMOSトランジスタ26のゲート端子にn列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dnが入力され、また、NMOSトランジスタ28のゲート端子にn＋1列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dn＋1が入力される。

在电路接地端侧的 2个 NMOS晶体管 26、28处，NMOS晶体管 26的栅极端子被输入第 n列的寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn，另外，NMOS晶体管 28的栅极端子被输入第 n+1列的寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn+1。 - 中国語 特許翻訳例文集

この例では、1行読み出し期間における垂直信号線（VSL1）501、第2負荷トランジスタゲート線622、第2負荷トランジスタ624のソース端子および負荷トランジスタゲート線612における電位変動が示されている。

在该示例中，示出了在一行读出时段期间垂直信号线 (VSL1)501、第二负载晶体管栅极线622、第二负载晶体管624的源极端子、以及负载晶体管栅极线612的电势中的改变。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、寄生容量629は、第2負荷トランジスタゲート線622と第2負荷トランジスタ624のドレイン端子との間に形成される。

应注意，寄生电容器 629形成在第二负载晶体管栅极线 622与第二负载晶体管 624的漏极端子之间。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセットトランジスタ54のソース、および、増幅トランジスタ55のソースは、所定の電源電圧VDDに接続されている。

重置晶体管 54的源极和放大晶体管 55的源极连接到预定电源电压 VDD。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ203の全てのトランスファゲート制御ゲートは、画素203の各行内で互いに接続されている。

晶体管 203的所有传送门控制栅极在每一像素 210行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ303の全てのトランスファゲート制御ゲートは、画素310の各行内で互いに接続されている。

晶体管 303的所有传送门控制栅极在每一像素 310行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

全てのトランジスタ103のトランスファゲート制御ゲートは、画素110の各行内で互いに接続されている。

晶体管 103的所有传送门控制栅极在每一像素 110行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、転送トランジスタ412は、そのゲート端子が電荷転送線331および332に接続され、そのドレイン端子がフローティングディフュージョンFDを介してリセットトランジスタ413のソース端子と増幅トランジスタ414のゲート端子とに接続される。

此外，传输晶体管 412使其栅极端子连接到电荷传输线 331和 332，并且经由浮动扩散 FD使其漏极端子连接到复位晶体管 413的源极端子和放大晶体管 414的栅极端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、選択トランジスタ147のゲート電極への選択パルスSELの印加が停止される。

另外，停止将选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147的栅电极。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、MOSトランジスタ221と定電流源225とで構成されるソースフォロワの出力はVRSである。

此时，包含 MOS晶体管 221和恒流源 225的源跟随器的输出为 VRS。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、このゲート電位Vgの電位変化に連動して、駆動トランジスタN2のソース電位Vsも押し下げられる（図15（E）、図16（E））。

与所述栅极电位 Vg的电位变化所关联，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs也减小(图 15E，图 16E)。 - 中国語 特許翻訳例文集

グランド側のNMOSトランジスタ26のゲート端子にn列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dnが入力される。

电路接地端侧的 NMOS晶体管 26的栅极端子被输入第 n列寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn。 - 中国語 特許翻訳例文集

電源側に直列配置されるPMOSトランジスタ60，61およびPMOSトランジスタ66，67において、電源64にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ60，66のうち、PMOSトランジスタ60のゲート端子には、n＋1列目のレジスタデータDn＋1が直接入力され、PMOSトランジスタ66のゲート端子には、n＋1列目のレジスタデータDn＋1を論理反転したデータ（／Dn＋1）とn列目のレジスタデータDnを論理反転したデータ（／Dn）とがNAND回路70を介して入力される。

在配置于电源侧的 PMOS晶体管 60、61和 PMOS晶体管 66、67中，在源极端子连接到电源 64的 PMOS晶体管 60、66中 PMOS晶体管 60的栅极端子被直接输入第 n+1列的寄存器数据 Dn+1，PMOS晶体管 66的栅极端子经由 NAND电路 70被输入对第 n+1列寄存器数据Dn+1进行逻辑反转后的数据 (/Dn+1)和对第 n列寄存器数据 Dn进行逻辑反转后的数据 (/Dn)。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、補助トランジスタ105のゲート−ドレイン間電圧は“VTT”よりも低い“VTT−Vth”になる。

例如，辅助晶体管 105的栅极—漏极间电压成为比“VTT”低的“VTT-Vth”。 - 中国語 特許翻訳例文集

単位画素2aでは、増幅トランジスタ23のドレイン端子がアドレストランジスタ24を介して電源26が接続され、ソース端子が垂直信号線VSLおよびスイッチトランジスタ14を介して電流源15が接続されるので、増幅トランジスタ23は、ソースフォロワ回路を構成する。

在单位像素2a中，放大晶体管 23的漏极端子经由地址晶体管 24与电源 26连接，源极端子经由垂直信号线 VSL以及开关晶体管 14与电流源 15连接，因此，放大晶体管 23构成源极跟踪器电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

各リセットトランジスタ113Cのゲート電極が共通のリセット線118Cに接続されている。

各个复位晶体管 113C的栅极电极连接到公共复位线 118C。 - 中国語 特許翻訳例文集

この第2リセットトランジスタTr16は、そのリセットゲートをオーバーフローゲートとし、そのドレインをオーバーフロードレインとした、いわゆるオーバーフロードレイン機構として構成される。

第二复位晶体管Tr16被配置为所谓的溢出沟道机构(overflow drain mechanism)，其具有用作溢出栅极的复位栅极以及用作溢出漏极的漏极。 - 中国語 特許翻訳例文集

負荷MOSトランジスタ51−1〜51−nは画素読み出し時のソースフォロワの電流源として機能する。

当像素被读出时，负载 MOS晶体管 51-1至 51-n用作源极跟随器的电流源。 - 中国語 特許翻訳例文集

負荷MOSトランジスタ151−1〜151−nは画素読み出し時のソースフォロワの電流源として機能する。

当像素被读出时，负载 MOS晶体管 151-1至 151-n用作源极跟随器的电流源。 - 中国語 特許翻訳例文集

PチャネルMOSトランジスタ22のゲートには、差動入力信号の他方の信号IN2が入力される。

差分输入信号的另一个信号 IN2进入 P沟道 MOS晶体管 22的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧線Vref1を駆動するPMOSトランジスタ75，76のうち、電源77にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ75のゲート端子は、グランドに接続され、PMOSトランジスタ75のドレイン端子と基準電圧線Vref1との間に介在するPMOSトランジスタ76のゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。

驱动基准电压线 Vref1的 PMOS晶体管 75、76中源极端子连接到电源 77的 PMOS晶体管 75的栅极端子与电路接地端连接，处于 PMOS晶体管 75的漏极端子与基准电压线Vref1之间的 PMOS晶体管 76的栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

保持容量613は、負荷電流を一定に維持するために、負荷トランジスタ614のゲート電圧を一定に保持するためのキャパシタである。

保持电容器 613维持负载晶体管 614的栅极电压恒定，以便维持负载电流恒定。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、この場合、電圧緩和トランジスタ102のドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”であるので、電圧緩和トランジスタ102の端子間電圧（ゲート−ドレイン間電圧，ゲート−ソース間電圧，およびソース−ドレイン間電圧）を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，该情况下，由于电压缓和晶体管 102的漏极电压及栅极电压为“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 102的端子间电压 (栅极—漏极间电压、栅极—源极间电压以及源极—漏极间电压 )比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

本実施形態において、駆動トランジスタTd1および負荷トランジスタTs1以外のトランジスタは、スイッチとして働き、ゲートに接続されている制御線のオンで導通し、オフで遮断することとする。

假定在本实施例中，除驱动晶体管 Td1和负荷晶体管 Ts1以外的晶体管作为随着连接至栅极的控制线接通和断开而接通和断开的开关作用。 - 中国語 特許翻訳例文集

全てのリセットトランジスタ200のゲートは、画素210の各行内で互いに接続されている。

所有复位晶体管 200的栅极在每一像素 210行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

全てのリセットトランジスタ300のゲートは、画素310の各行内で互いに接続されている。

所有复位晶体管 300的栅极在每一像素 310行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

全てのリセットトランジスタ100のゲートは、画素110の各行内で互いに接続されている。

所有复位晶体管 100的栅极在每一像素110行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

全てのリセットトランジスタ101のゲートは、画素110の各行内で互いに接続されている。

所有复位晶体管 101的栅极在每一像素 110行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ25，26のゲート幅Wは、それぞれ同じ2μmである。

并且，所串联连接起来的 2个 NMOS晶体管 25、26的栅极宽度 W分别都为 2μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

直列接続される2つのNMOSトランジスタ27，28のゲート幅Wは、それぞれ同じ4μmである。

所串联连接起来的 2个 NMOS晶体管 27、28的栅极宽度 W分别都为 4μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

直列接続される2つのNMOSトランジスタ33，34のゲート幅Wは、それぞれ同じ3μmである。

所串联连接的 2个NMOS晶体管 33、34的栅极宽度 W都为 3μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

直列接続される2つのNMOSトランジスタ35，36のゲート幅Wは、それぞれ同じ5μmである。

所串联连接的 2个 NMOS晶体管 35、36的栅极宽度 W都为 5μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ40，41のゲート幅Wは、それぞれ同じ7μmである。

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管 40、41的栅极宽度 W都为 7μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ25，26のゲート幅Wは、それぞれ同じ2μmである。

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管 25、26的栅极宽度 W分别都为 2μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ30，31のゲート幅Wは、それぞれ同じ1μmである。

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管30、31的栅极宽度 W分别都为 1μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

負荷MOSトランジスタ105は垂直出力線毎に設けられ、ゲートが共通に接続されている。

负载 MOS晶体管 105是对于各个垂直输出线 102设置的。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、基準電圧線Vref3を駆動するNMOSトランジスタ78，79のうち、基準電圧線Vref3にドレイン端子が接続されるNMOSトランジスタ78のゲート端子には、列選択信号が入力され、NMOSトランジスタ78のソース端子とグランドとの間に介在するNMOSトランジスタ79のゲート端子は、電源77に接続されている。

另外，驱动基准电压线 Vref3的 NMOS晶体管 78、79中漏极端子与基准电压线Vref3连接的 NMOS晶体管 78的栅极端子被输入列选择信号，处于 NMOS晶体管 78的源极端子与电路接地端之间的 NMOS晶体管 79的栅极端子与电源 77连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

PチャネルMOSトランジスタ21のゲートには、差動入力信号の一方の信号IN1が入力される。

差分输入信号的一个信号 IN1进入 P沟道 MOS晶体管 21的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2設定トランジスタ621は、タイミング制御回路200から供給された維持制御信号に基づいて、第2負荷トランジスタ624のゲート端子に接続された負荷トランジスタゲート線622と、基準電流線601と間の接触の有無を切り替えるスイッチである。

第二设置晶体管 621是被适配为基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号、在连接到第二负载晶体管 624的栅极端子的第二负载晶体管栅极线 622和参考电流线 601之间出现接触和不出现接触间进行切换的开关。 - 中国語 特許翻訳例文集

設定トランジスタ611は、タイミング制御回路200から供給される維持制御信号に基づいて、負荷トランジスタ614のゲート端子に接続された負荷トランジスタゲート線612と、基準電流線601と間の接触の有無を切り替えるスイッチである。

设置晶体管 611是被适配为基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号、在连接到负载晶体管 614的栅极端子的负载晶体管栅极线 612和参考电流线 601之间出现接触和不出现接触间进行切换的开关。 - 中国語 特許翻訳例文集

アドレストランジスタ24は、ドレイン端子が電源（電圧VDD）26に接続され、ソース端子が増幅トランジスタ23のドレイン端子に接続され、ゲート端子がアドレス線ADDRESSに接続されている。

地址晶体管 24的漏极端子与电源 (电压 VDD)26连接，源极端子与放大晶体管 23的漏极端子连接，栅极端子与地址线 ADDRESS连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅トランジスタ23は、アドレストランジスタ24が行選択されてオンしドレイン端子が電源26に接続され、かつスイッチトランジスタ14がオンして電流源15が垂直信号線VSLを介してソース端子に接続されたときにソースフォロワ回路を構成する。

在地址晶体管 24被行选择后导通时，放大晶体管 23的漏极端子与电源 26连接，且在开关晶体管 14导通后电流源 15经由垂直信号线 VSL与源极端子连接时，构成源极跟踪器电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

第3のトランジスターTr3の制御端子はプルアップ駆動部511の第7のトランジスターTr7の出力端子に接続され、第2のトランジスターTr2の制御端子には第2の入力端子IN2を介して次段のステージのゲート電圧が入力される。

第三晶体管 Tr3的控制端连接到上拉驱动器 511的第七晶体管 Tr7的输出端，通过第二输入端 IN2向第二晶体管 Tr2的控制端输入下一级的栅极电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、基準トランジスタ690は、そのソース端子が接地され、かつ、そのゲート端子およびドレイン端子が基準電流線601に接続される。

此外，参考晶体管 690使其源极端子接地，并且使其栅极端子和漏极端子连接到参考电流线 610。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、NMOSトランジスタNT311のゲートにより第1の信号入力端子が形成され、NMOSトランジスタNT312のゲートにより第2の信号入力端子が形成される。

NMOS晶体管 NT311的栅极构成第一信号输入端子，而 NMOS晶体管 NT312的栅极构成第二信号输入端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、負荷トランジスタゲート線612に示される波形は、接続期間において従来負荷トランジスタゲート線872と同様の波形を示す。

也就是说，在连接时段期间，负载晶体管栅极线 612示出与现有技术的负载晶体管栅极线 872的波形相似的波形。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、PMOSトランジスタ60，66のドレイン端子にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ61，67の各ゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。

另外，源极端子连接到 PMOS晶体管 60、66的漏极端子的 PMOS晶体管 61、67的各栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。 - 中国語 特許翻訳例文集