「げーととらんじすた」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

差動アンプ118の非反転入力端子は画素101の出力端子からの信号を受けるように構成されており、その出力端子は最小値検出用PMOSトランジスタ119のゲート端子と接続されている。

差分放大器 118被配置为使得从像素 101输出的信号被输入到差分放大器 118的非反相输入端子。 差分放大器 118的输出端子与最小值检测 PMOS晶体管 119的栅极端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、リセットトランジスタ413は、そのゲート端子が画素リセット線321および322に接続され、そのドレイン端子がリセット電位線311および312に接続される。

此外，复位晶体管 413使其栅极端子连接到像素复位线 321和 322，并且使其漏极端子连接到复位电势线 311和 312。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS62において、注目行の単位画素131は、ステップS55と同様の処理により、浮遊拡散領域145をリセットし、現在のフレームの信号電荷S1を排出し、選択トランジスタ147のゲート電極への選択パルスSELの印加を停止する。

在步骤 S62中，采用类似于步骤 S55的处理，单元像素 131的目标行使浮置扩散区145复位，释放当前帧的信号电荷 S1，并停止选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147的栅电极。 - 中国語 特許翻訳例文集

PD1のカソードは電源電圧VDDに接続され、アノードはリセットMOSトランジスタ3の一方の主電極およびオペアンプ2の非反転入力端子に接続される。

PD 1的阴极与电源电压 VDD连接，PD 1的阳极与复位 MOS晶体管 3的主电极中的一个和运算放大器 2的非反相输入端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、このとき、注目行の単位画素131の選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加され、その状態がステップS62まで継続される。

另外，此时，选择脉冲 SEL施加至目标行的单元像素 131的选择晶体管 147的栅电极的状态持续到步骤 S62。 - 中国語 特許翻訳例文集

最大値検出用NMOSトランジスタ116のドレイン端子は電源VDDに接続され、ソース端子は差動アンプ115の反転入力端子および最大値検出用スイッチ117と接続される。

最大值检测NMOS晶体管 116的漏极端子与电源 VDD连接。 最大值检测 NMOS晶体管 116的源极端子与差分放大器 115的反相输入端子连接并且与最大值检测开关 117连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、VOBクランプとデジタルクランプについては、どちらがノイズに敏感かの比較は特にしないが、使い方に応じて、駆動トランジスタTd1のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lに差を設けてもかまわない。

尽管没有具体说明 VOB钳位的噪声灵敏度和数字钳位的噪声灵敏度之间的比较，但可以根据使用方式来设置驱动晶体管 Td1的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L之间的一些差异。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、VOBクランプとデジタルクランプについては、どちらがノイズに敏感かの比較は特にしないが、使い方に応じて、駆動トランジスタTd1のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lに差を設けてもかまわない。

尽管没有具体说明 VOB钳位的噪声灵敏度和数字钳位的噪声灵敏度之间的比较，但可以根据使用方式设置驱动晶体管 Td1的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L之间的一些差异。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、このとき、注目行の単位画素131の選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加され、その状態がステップS55まで継続される。

这里，此时，选择脉冲 SEL施加至目标行的单元像素 131的选择晶体管 147栅电极的状态持续到步骤 S55。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−1は、端子bがキャパシタC191A−1の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−1のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-1的端子 b连接至电容器 191A-1的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-1的栅极以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−2は、端子bがキャパシタC191A−2の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−2のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-2的端子 b连接至电容器 191A-2的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-2的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−3は、端子bがキャパシタC191A−3の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−3のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-3的端子 b连接至电容器 C191A-3的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-3的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−nは、端子bがキャパシタC191A−nの一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−nのゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-n的端子 b连接至电容器 C191A-n的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-n的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6Bの実施形態と比較して、この実施形態では、PMOSトランジスタM6が加えられており、これにより、reset＿b信号がイネーブル状態になる、すなわちランプが中断する又は開放されると、浮いているノードfnodeがグランドレベルに引き下げられる。

在这个实施例中，与图 6B的实施例相比较，当使能 reset_b信号时，即当斜坡正被中止或放电时，PMOS晶体管 M6的增加将悬空节点 fnode下拉到接地。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から不要電荷N0が排出される。

另外，复位晶体管 146的栅电极施加有复位脉冲 RST，浮置扩散区 145被复位，从而从浮置扩散区 145中释放多余电荷N0。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、時刻t19において、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から信号電荷S1が排出される。

具体地，在时间t19，复位脉冲RST被施加至复位晶体管146的栅电极，浮置扩散区145被复位，并从浮置扩散区 145中释放信号电荷 S1。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、時刻t22において、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から信号電荷S2が排出される。

具体地，在时间t22，复位脉冲RST被施加至复位晶体管146的栅电极，浮置扩散区145复位，且从浮置扩散区 145释放信号电荷 S2。 - 中国語 特許翻訳例文集

タイミング発生回路（TG）15は、供給電圧制御回路13が転送トランジスタ22のゲート電極に制御電圧を供給する際のタイミングを決めるタイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3（図2参照）を発生する。

时序发生器 (TG)15生成时序信号 PTRG1、PTRG2、PTRG3(参考图 2)，用于确定供应电压控制电路 13向转移晶体管 22的栅电极供应控制电压的定时。 - 中国語 特許翻訳例文集

読み出し動作は、まず、単位画素3のリセットトランジスタRSTTrのゲートにリセットパルス（RST）を与え、リセット信号を垂直信号線VSLに出力する。

在读取动作中，首先对单位像素 3的复位晶体管 RSTTr的栅极赋予复位脉冲(RST)，向垂直信号线 L输出复位信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2に戻って、垂直信号線101〜103に接続されている負荷トランジスタTs1は、ドレインがそれぞれ垂直信号線101〜103に接続され、ゲートおよびソースが接地されている。

返回参考图 2，负荷晶体管 Ts1分别连接至垂直信号线 101、垂直信号线 102和垂直信号线 103，以使得漏极连接至垂直信号线 101～ 103，并且栅极和源极接地。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から電荷が排出される。

具体地，将复位脉冲 RST施加至复位晶体管 146的栅电极，使浮置扩散区145复位，电荷从浮置扩散区 145释放。 - 中国語 特許翻訳例文集

各選択トランジスタ41のゲートには、それぞれ別の制御信号φSW1、φSW2、φSW3が供給され、この制御信号に従って任意の中間保持手段2の信号が選択されて増幅回路42を介し出力される。

不同的控制信号和 被施加到相应的选择晶体管 41的栅极，并且根据控制信号，从相应的中间保持单元 2选择信号并经由放大电路 42将该信号输出。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、本実施形態においては、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくするためであれば、駆動トランジスタTd1のレイアウトによっては、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする方向（水平方向あるいは垂直方向）の組み合わせが逆になってもよい。

此外，只要可以增大栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L，就可以根据驱动晶体管 Td1的布局，颠倒栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L增大的方向 (水平方向和垂直方向 )的组合。 - 中国語 特許翻訳例文集

この負荷電流供給回路610において、設定トランジスタ611は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が基準電流線601に接続される。

在负载电流提供电路 610中，设置晶体管 611使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到参考电流线 601。 - 中国語 特許翻訳例文集

この第2負荷電流供給回路620において、第2設定トランジスタ621は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が第2基準電流線602に接続される。

在第二负载电流提供电路 620中，第二设置晶体管 621使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到第二参考电流线 602。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3側の3つのNMOSトランジスタ30，33，35の各ゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が共通に入力される。

基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3侧的 3个 NMOS晶体管 30、33、35的各栅极端子被公共输入来自列选择电路 5a的列选择信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、増幅トランジスタ414は、そのドレイン端子が電源電位線415に接続され、そのソース端子が垂直信号線（VSL1および2）501および502に接続される。

此外，放大晶体管 414使其漏极端子连接到电源电势线 415，并且使其源极端子连接到垂直信号线 (VSL1和 VSL2)501和 502。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、PMOSトランジスタPT313およびPT314のゲートがローレベルでアクティブの第1の制御パルス信号CPLの入力端子TCPLに共通に接続されている。

PMOS晶体管PT313和PT314的栅极共同连接至用于在低电平有效的第一控制脉冲信号 CPL的输入端子 TCPL。 - 中国語 特許翻訳例文集

続いて、後者の手法、即ち選択トランジスタ25をオフするときにゲートに負電圧を与える具体的な実施例について以下に説明する。

接着，下面将详细描述后一种方法即当选择晶体管 25被关断时将负电压施加到栅极的实施例。 - 中国語 特許翻訳例文集

期間（8）においては、まず、信号φFBがハイレベルになり、MOSトランジスタ221と定電流源225とで構成されるソースフォロワの出力を共通出力線に接続する。

在时段 (8)中，首先，信号 上升到高电平，并且，包含 MOS晶体管 221和恒流源 225的源跟随器的输出与共用输出线 102连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、上記した第2の実施の形態において、画像形成装置10のディスプレイ15は、図15に示すように、トラブルメッセージが表示されている画面（即ち、リモート操作メッセージ付きのトラブル画面110）と同一の画面上にリモート操作メッセージを表示するが、本発明はそのような構成に限定されず、画像形成装置10のディスプレイ15は、トラブルメッセージが表示されている画面と異なる画面上にリモート操作メッセージを表示する構成であってもよい。

此外，在上述第 2实施方式中，图像形成装置 10的显示器 15如图 15所示，在与显示有故障消息的画面 (即，带有遥控操作消息的故障画面 110)同一画面上显示遥控操作消息，但本发明并不限定于这样的结构，也可以是图像形成装置 10的显示器 15在与显示有故障消息的画面不同的画面上显示遥控操作消息的结构。 - 中国語 特許翻訳例文集

ICは、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（DSP）、特定用途向け集積回路（ASIC）、フィールドプログラム可能ゲートアレイ（FPGA）または他のプログラム可能論理デバイス、ディスクリートゲートまたはトランジスタ論理、ディスクリートハードウェアコンポーネント、電気的コンポーネント、光学的コンポーネント、機械的コンポーネント、あるいは、ここで記述した機能を実施するように設計されたこれらの何らかの組み合わせを含んでいてもよく、そして、IC内に、ICの外部に、または双方に存在するコードまたは命令を実行してもよい。

IC可包含通用处理器、数字信号处理器 (DSP)、专用集成电路 (ASIC)、现场可编程门阵列 (FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件、电组件、光学组件、机械组件，或其经设计以执行本文中所描述的功能的任何组合，且可执行驻留于 IC内、IC外或两种情况下的代码或指令。 - 中国語 特許翻訳例文集

回路ブロック134は、アドレス信号ADRとNOR回路135の出力信号とを2入力とするAND回路1341、アドレス信号ADRを一方の（否定）入力とし、AND回路1341の出力信号を他方の入力とするOR回路1342、レベルシフタ1343およびNチャネルの駆動トランジスタ1344により構成され、接地電圧よりも低い電圧Vtrg4を選択して転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。

电路块 134包括采用地址信号 ADR和 NOR电路 135的输出作为两个输入的 AND电路 1341，采用地址信号 ADR作为一个 (负 )输入并且采用 AND电路的输出信号作为另一个输入的 OR电路 1342，电平相移器 1343以及 N-沟道驱动晶体管 1344，其选定电压 Vtrg4(所述电压 Vtrg4低地电压 )并且将其供应到转移晶体管 22的栅电极。 - 中国語 特許翻訳例文集

本明細書で開示された実施形態に関連して記述されたさまざまな例示的なロジック、論理ブロック、モジュール、および回路は、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（DSP）、特定用途向け集積回路（ASIC）、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（FPGA）あるいはその他のプログラマブル論理デバイス、ディスクリート・ゲートあるいはトランジスタ・ロジック、ディスクリート・ハードウェア構成要素、または上述された機能を実現するために設計された上記何れかの組み合わせを用いて実現または実施されうる。

可用通用处理器、数字信号处理器 (DSP)、专用集成电路 (ASIC)、现场可编程门阵列 (FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件，或其经设计以执行本文所描述的功能的任何组合来实施或执行结合本文所揭示的实施例而描述的各种说明性逻辑、逻辑块、模块和电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

本明細書で開示された実施形態に関連して記述されたさまざまな例示的な論理ブロック、モジュール、および回路は、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（DSP）、特定用途向け集積回路（ASIC）、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（FPGA）あるいはその他のプログラマブル論理デバイス、ディスクリート・ゲートあるいはトランジスタ・ロジック、ディスクリート・ハードウェア構成要素、または上述された機能を実現するために設計された上記何れかの組み合わせを 用いて実現または実施されうる。

结合本文中所揭示的实施例而描述的各种说明性逻辑块、模块及电路可使用通用处理器、数字信号处理器 (DSP)、专用集成电路 (ASIC)、现场可编程门阵列 (FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其经设计以执行本文中所描述的功能的任何组合来实施或执行。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここでの開示に関連して説明した、さまざまな実例となる論理ブロック、モジュール、および、回路は、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（DSP）、特定用途向け集積回路（ASIC）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（FPGA）または他のプログラマブル論理デバイス、ディスクリートゲートまたはトランジスタ論理、ディスクリートハードウェアコンポーネント、あるいは、ここで説明した機能を実行するために設計されたこれらの何らかの組み合わせで、実現または実行してもよい。

可用经设计以执行本文所描述的功能的通用处理器、数字信号处理器 (DSP)、专用集成电路 (ASIC)、现场可编程门阵列 (FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合来实施或执行结合本文的揭示内容而描述的各种说明性逻辑块、模块及电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図5】本発明の第2の実施の形態における負荷トランジスタゲート線612に対するカップリングの影響の一例を示す概念図である。

图 5是图示根据本发明的第二实施例的负载晶体管栅极线上的耦合影响的示例的概念性图； - 中国語 特許翻訳例文集

図5は、本発明の第2の実施の形態における負荷トランジスタゲート線612に対するカップリングの影響の一例を示す概念図である。

图 5是图示根据本发明的第二实施例的负载晶体管栅极线 612上的耦合影响的示例的概念性图。 - 中国語 特許翻訳例文集

ワイヤレスノードのさまざまな部分は、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（DSP）、特定用途向け集積回路（ASIC）、フィールドプログラム可能ゲートアレイ（FPGA）、プログラム可能論理回路（PLD）、または、他のプログラム可能論理デバイス、ディスクリートゲートまたはトランジスタロジック、ディスクリートハードウェア構成部品、あるいは、ここで説明する機能を実現するように設計されているこれらの任意の組み合わせとともに、実現、または、実行してもよい。

无线节点的各种部分可通过一个或一个以上通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路 (ASIC)、现场可编程门阵列 (FPGA)、可编程逻辑装置 (PLD)、其它可编程逻辑组件、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其经设计以执行本文中所描述的功能的任何组合而进行实施。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1のデバイス210の第1の入力211は、pチャネル電界トランジスタ（pチャネルFET）214のゲートのような第1のスイッチング要素の制御端子に連結される。

第一装置 210的第一输入 211耦合到第一切换元件的控制端子，例如 p沟道场效晶体管 (p沟道 FET)214的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集

この画素回路では、リセット電圧Vrstを垂直信号線111から選択的に供給する構成となっているために、リセットトランジスタ23がFD部26（増幅トランジスタ24のゲート電極）と垂直信号線111との間に接続されるとともに、垂直信号線111にはスイッチパルスSWでオン状態となるスイッチトランジスタ27を介して選択的にリセット電圧Vrstが供給されることになる。

像素电路具有如下配置，其中，复位电压 Vrst被选择性地从垂直信号线 111供应，因此，复位晶体管 23被连接在 FD区 26(放大晶体管 24的栅电极 )和垂直信号线 111之间，并且复位电压 Vrst通过开关晶体管 27被选择性地供应到垂直信号线 111，所示开关晶体管 27通过开关脉冲 SW导通。 - 中国語 特許翻訳例文集

装置100に関して説明される、該機能ブロックの内の1又は複数及び／又は該機能ブロックの内の1又は複数の組合せは、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（DSP）、特定用途向け集積回路（ASIC）、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（field programmable gate array）（FPGA）若しくは他のプログラム可能な論理デバイス、ディスクリート・ゲート若しくはトランジスタ・ロジック、ディスクリート・ハードウェア・コンポーネント、又は本明細書記載の諸機能を実行するために設計されたそれ等の任意の適切な組合せ、として具現化されることが出来る。

结合设备 100描述的一个或多个功能块和 /或功能块的一种或多种组合可实现为通用处理器、数字信号处理器 (DSP)、专用集成电路 (ASIC)、现场可编程门阵列 (FPGA)或其它可编程的逻辑设备、分立的门或晶体管逻辑、分立的硬件组件或设计为执行本文所述功能的任何适当的组合。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1の入力トランジスタ501のゲートに第1の共通出力線2からの信号が供給される。 本実施例においてはクランプ容量を介して供給される。

在第一示例性实施例中，通过箝位电容器 5从第一共用输出线 2向第一输入晶体管 501的栅极供给信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、ステップS34（図7のタイムチャートの時刻T7）において、FD53がリセットされてから、短い露光時間で転送トランジスタ52−1がオンされたときに、VSL57における電圧レベルが急激に変化したと判定された場合、処理はステップS35に進む。

也就是说，当在步骤 S34(图 7的时序图中的时间 T7)确定，当从 FD 53的重置起的短曝光时间中传送晶体管 52-1导通时、VSL 57的电压电平急剧下降时，处理进行到步骤S35。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、画像モニタリング装置20のディスプレイ28は、図16に示すように、トラブルメッセージが表示されている画面（即ち、トラブルメッセージ付きのシミュレーション情報画面120）と同一の画面上にシミュレーション情報を表示するが、本発明はそのような構成に限定されず、画像モニタリング装置20のディスプレイ28は、トラブルメッセージが表示されている画面と異なる画面上にシミュレーション情報を表示する構成であってもよい。

同样地，图像监控装置 20的显示器28如图 16所示，在与显示有故障消息的画面 (即，带有故障消息的模拟信息画面 120)同一画面上显示模拟信息，但本发明并不限定于这样的结构，也可以是图像监控装置 20的显示器 28在与显示有故障消息的画面不同的画面上显示模拟信息的结构。 - 中国語 特許翻訳例文集

本文書において開示される態様に関連して説明される種々の例示的論理ブロック、モジュールおよび回路は、汎用コンピュータ、ディジタル信号プロセッサ（DSP）、特定用途向け集積回路（ASIC）、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（FPGA）または他のプログラム可能論理デバイス、個別ゲートまたはトランジスタ論理、個別ハードウエアコンポーネント、あるいはここで説明された機能を実行するように設計されたこれらの任意の組合せによって実現または実行され得る。

结合本文献中所揭示的方面而描述的各种说明性逻辑块、模块和电路可用经设计以执行本文所描述的功能的通用处理器、数字信号处理器 (DSP)、专用集成电路 (ASIC)、现场可编程门阵列 (FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合来实施或执行。 - 中国語 特許翻訳例文集

本明細書で開示された実施形態に関連して説明された様々な例示的な論理回路、論理ブロック、モジュール、および回路は、本明細書で説明された機能を行うように設計された汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（DSP）、特定用途向け集積回路（ASIC）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（FPGA）もしくは他のプログラマブル論理デバイス、個別のゲートもしくはトランジスタ論理回路、個別のハードウェアコンポーネント、またはそれらの任意の組合せで実現または実行することができる。

用于执行本申请所述功能的通用处理器、数字信号处理器 (DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列 (FPGA)或其它可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件或者其任意组合，可以实现或执行结合本申请所公开实施例描述的各种示例性的逻辑、逻辑框图、模块和电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、光電変換素子D1の垂直方向の面積を削減し、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくするためであれば、駆動トランジスタTd1のレイアウトによっては、光電変換素子D1の面積を水平および垂直に削減する方向と、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする方向（水平方向あるいは垂直方向）の組み合わせが逆になってもよい。

然而，只要缩减光电转换元件 D1在垂直方向上的面积以增大栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L，就可以根据驱动晶体管 Td1的布局，颠倒光电转换元件 D1的面积水平地或垂直地缩减的方向、以及栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L增大的方向 (水平方向或垂直方向 )的组合。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生容量629は、第2負荷トランジスタ624のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と第2基準電流線602との間に形成される配線間容量からなる。

寄生电容器 629包括在第二负载晶体管 624的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和第二参考电流线 602之间形成的布线间电容器。 - 中国語 特許翻訳例文集

転送トランジスタ22のゲート電極に供給する電圧をVtrg1，Vtrg2，Vtrg3，Vtrg4とした場合において、アドレス信号ADRによって行が選択された際に、タイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3によって、それぞれに対応する電圧Vtrg1，Vtrg2，Vtrg3を供給し、それ以外は電圧Vtrg4を供給する。

在将被供应到转移晶体管 22的栅电极的电压为 Vtrg1、Vtrg2、Vtrg3和 Vtrg4的情形中，当通过地址信号 ADR选定行时，根据时序信号 PTRG1、PTRG2和 PTRG3，对应于各个时序信号的电压Vtrg1、Vtrg2和 Vtrg3被供应，而电压 Vtrg4被供应到其它行。 - 中国語 特許翻訳例文集