「たいきばんせい」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

センス回路部120は、第1の半導体基板SUB1と異なる第2の半導体基板SUB2に形成される。

感测电路部分 120形成在不同于第一半导体基底 SUB 1的第二半导体基底 SUB2上。 - 中国語 特許翻訳例文集

対向基板20におけるTFTアレイ基板10との対向面上には、遮光膜23が形成されている。

在对向基板 20中的与 TFT阵列基板 10的对向面上，形成遮光膜 23。 - 中国語 特許翻訳例文集

この画素アレイ部110は、たとえば第1の半導体基板SUB1に形成される。

像素阵列部分 110例如形成在第一半导体基底 SUB1上。 - 中国語 特許翻訳例文集

彼は大器晩成型の人で、プロになったのは30歳の時だった。

他大器晚成，30岁才成为行家。 - 中国語会話例文集

図4に示した多層基板70は、図3に示した多層基板70に対し、多層基板70を構成する単一基板70a，70b，70c，70d間に形成される金属膜77a，77b，77cを更に有している。

比较图 3所示的叠层基片 70，图 4所示的叠层基片 70还包括形成在单层基片 70a、70b、70c和 70d之间的金属膜 77a、77b和77c。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、回路ブロック200は半導体基板SUB2Aに積層された異なる半導体基板SUB2Bにアレイ状に敷き詰められて形成されている。

在半导体基底 SUB2A上层叠的不同半导体基底 SUB2B上以阵列布置电路块 200。 - 中国語 特許翻訳例文集

p型半導体領域1306を、マイクロリング1302の内側の半導体基板で（または、該半導体基板に）形成することができ、n型半導体領域1308及び1310を、マイクリング1032の外側を囲む半導体基板であって導波路1304の反対側にある半導体基板で（または、該半導体基板に）形成することができる。

p型半导体区域 1306可以在微环 1302的半导体衬底内部形成，并且 n型半导体区域 1308和1310可以在包围微环 1302的外面的半导体衬底中和波导 1304的相对侧上形成。 - 中国語 特許翻訳例文集

多層基板70にLEDチップ71を設け、このような貫通孔72を有しない場合、多層基板70が本実施の形態のガラスエポキシ基板であると、LEDチップ71から発生する熱の放熱性がよいとは言えない。

如果 LED芯片 71配置在不具有通孔 72的叠层基片 70上，并且如本实施例中叠层基片 70为环氧玻璃基片，LED芯片 71产生的热将无法有效的散发出去。 - 中国語 特許翻訳例文集

基板は、SLMデバイス108と統合され、単一の光学組立体を形成することができる。

可以将该衬底与 SLM108集成以形成单个光学组件。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図2】第1の実施形態に係るメモリ基板周辺の構成を示す側面図である。

图 2是示出根据第一示例性实施方式的存储器基板周边的构造的侧视图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図6】第2の実施形態に係るメモリ基板周辺の構成を示す側面図である。

图 6是示出根据第二示例性实施方式的存储器基板周边的构造的侧视图。 - 中国語 特許翻訳例文集

たとえば第1の半導体基板SUB1に形成された複数の画素DPXと第2の半導体基板SUB2に形成された複数のセンス回路121がそれぞれ1対1で対向するように積層される。

例如，以这样的方式执行层叠，使得在第一半导体基底 SUB 1上形成的多个数字像素 DPX一对一地面对在第二半导体基底 SUB2上形成的多个感测电路 121。 - 中国語 特許翻訳例文集

他の実施形態では、光出力基板340のためのアクティブ・バックプレーンは、光入力基板350とは別の基板上に形成されてよい。

在其它的实施例中，针对光输出基板 340的有源底板可以在与光输入基板 350分离的基板上形成。 - 中国語 特許翻訳例文集

つまり、液晶表示パネル300の下部面には下部偏光板12が形成され、その上には下部基板である薄膜トランジスタ基板310が形成され、これに対向する位置には上部基板320が形成され、上部基板320と薄膜トランジスタ基板310との間には液晶層330が位置している。

也就是说，在显示面板 300的下表面形成有下偏振片 12，在下偏振片上形成有作为下基板的薄膜晶体管基板 310，形成有面向薄膜晶体管基板的上基板 320，并且，在上基板 320和薄膜晶体管基板 310之间形成有液晶层 330。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、信号読出部20，AD変換部30および制御部40Aのそれぞれは、受光部10Aが集積化される半導体基板3に集積化せず、これとは別の半導体基板に集積化する構成でもあってよい。

再者，也可为如下构成： 信号读出部 20、A/D转换部 30及控制部 40A的各个并不集成化在集成化有受光部 10A的半导体基板 3中，而集成化在与其不同的半导体基板中。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、信号読出部20，AD変換部30および制御部40Aのそれぞれは、受光部10Aが集積化される半導体基板3に集積化せず、これとは別の半導体基板に集積化する構成でもあってよい。

再者，也可为如下构成： 信号读出部 20、 A/D转换部 30及控制部 40A的各个并不集成化在集成化有受光部 10A的半导体基板 3中，而集成化在与其不同的半导体基板中。 - 中国語 特許翻訳例文集

メモリカード201Aは、基板202の一方の面上に信号生成部207（ミリ波信号変換部）を具備する半導体チップ203を有する。

存储卡 201A在板 202的一个表面上具有包括信号产生部分 207(毫米波信号转换部分 )的半导体芯片 203。 - 中国語 特許翻訳例文集

メモリカード201Bは、基板202の一方の面上に信号生成部207を具備する半導体チップ203を有する。

存储卡 201B在板 202的一个表面上的具有包括信号生成部分 207的半导体芯片203。 - 中国語 特許翻訳例文集

他の実施形態では、マイクロリング1302の内側の半導体基板にn型半導体領域1306を形成し、マイクロリング1302の外側を囲む半導体基板にp型半導体領域1308及び1310を形成することによってドーパントを逆にすることができる。

在其他实施例中，可以通过在微环 1302的半导体衬底内部形成 n型半导体区域 1306并且在包围微环 1302外面的半导体衬底中形成 p型半导体区域 1308和 1310来反转这些掺杂剂。 - 中国語 特許翻訳例文集

シャーシ本体(50)の第2キャビネット部品(102)側の表面には、回路基板(6)が設置され、シャーシ本体(50)の上部(501)と回路基板(6)との間には、隙間(502)が形成されている。

在机架主体 50的第二机壳部件 102侧的表面，设置电路基板 6，在机架主体 50的上部 501和电路基板 6之间，形成有间隙 502。 - 中国語 特許翻訳例文集

これに対して第1例を適用して、基板202上の凹形状構成298Kと対応する位置（真下）にアンテナ236を配置する。

通过将第一示例应用于此，在与板 202上的凹陷形状配置 298K对应的位置中 (直接在凹陷形状配置 298K之下 )放置天线 236。 - 中国語 特許翻訳例文集

光照射部59の回路基板59Aには、ねじ孔82に対応して複数（本実施形態では、4つ）の貫通孔83が形成されている。

在光照部件 59的电路板 59A中，形成有与螺纹孔 82对应的多个 (在本示例性实施方式中为四个 )通孔 83。 - 中国語 特許翻訳例文集

前述したように、各画素DPXは、対応するセンス回路121を含む支持回路の上に、異なる半導体基板で積層されて形成される。

如上所述，将各个像素 DPX布置在包括相关联的感测电路 121的支撑电路上的不同半导体基底上。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、本発明の他の側面による半導体装置は、上記受信回路が半導体基板上に形成されている。

另外，本发明的另一方面的半导体装置，在半导体基板上形成有上述接收电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明は、受信回路及び受信回路を半導体基板上に形成した半導体装置に関する。

本发明涉及一种接收电路及在半导体基板上形成有接收电路的半导体装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

遮光膜23は、例えば対向基板20における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。

遮光膜 23例如从平面上看在对向基板 20中的对向面上，形成格子状。 - 中国語 特許翻訳例文集

1以上のノード60は、構成が全体的にまたは部分的にマザーボード32および回路基板102にそれぞれ合致しているマザーボード32'および回路基板102'を含んでよい。

一个或多个结点 60可以包括其构造可以分别地与母板 32和电路板 102的构造完全或部分一致的母板 32’和电路板 102’。 - 中国語 特許翻訳例文集

アンテナ構造としては、たとえば、ロッドアンテナなどのように基板102，202に対して平面方向に指向性を有するものを使用するのが好ましい。

例如，期望使用在板 102和 202的平面方向中具有方向性的天线结构 (如棒状天线 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、センス回路121Eは半導体基板SUB2E上に形成されており、画素DPXからの出力信号を入力電極部122で受ける。

在半导体基底 SUB2E上形成感测电路 121E，并且感测电路 121E在输入电极部分122接收来自像素 DPXE的输出信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

基板118'は、構成が全体的にまたは部分的にNIC120およびメモリ122にそれぞれ合致しているNIC120'およびメモリ122'を含んでよい。

电路 118’可以包括其构造可以与 NIC 120和存储器 122的构造完全或部分一致的 NIC 120’和存储器 122’。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図1】第1の実施形態に係るメモリ基板周辺の構成を示す分解斜視図である。

图 1是示出根据本发明的第一示例性实施方式的存储器基板周边的构造的分解立体图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図5】第2の実施形態に係るメモリ基板周辺の構成を示す分解斜視図である。

图 5是示出根据本发明的第二示例性实施方式的存储器基板周边的构造的分解立体图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図2】この発明の実施の形態1による画像読取装置のセンサ基板に形成された受光部の平面図である。

图 2是本发明实施方式 1所涉及的图像读取装置的传感器基板上所形成的受光部的俯视图。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2は、この発明の実施の形態1による画像読取装置のセンサ基板に形成された受光部の平面図である。

图 2是形成于本发明实施方式 1所涉及的图像读取装置的传感器基板上的受光部的俯视图。 - 中国語 特許翻訳例文集

フォトダイオード141は、例えば、N型基板181上に形成されたP型ウェル層182に対して、P型層183を基板表面側に形成してN型埋め込み層184を埋め込むことによって形成される埋め込み型フォトダイオードである。

光电二极管 141例如为嵌入式光电二极管，它是通过在基板表面一侧上形成 P型层 183，并相对于形成在 N型基板 181上的 P型阱层 182嵌入 N型嵌入层 184而形成的。 - 中国語 特許翻訳例文集

この第5の実施の形態は、ベース部材72の側面に導体パターンを形成した配線基板82を取り付け、その配線基板82の導体バターンにより左右のボンディングパッド38a〜38dとボンディングパッド39a〜39dを電気的に接続している。

在第五实施方式中，附加了在基底部件 72的侧面形成导电图案的布线基板 82，并且接合焊盘 38a～ 38d通过布线基板 82的导电图案电连接到接合焊盘 39a～ 39d。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1通信装置100が制御回路や画像処理回路などを搭載したメイン基板に搭載され、第2通信装置200が固体撮像装置を搭載した撮像基板に搭載されているシステム構成となっている。

第一示例具有这样的系统配置，其中第一通信设备 100安装在主板上，在该主板上安装控制电路、图像处理电路等，并且第二通信设备 200安装在图像拾取板上，在该图像拾取板上安装固态图像拾取设备。 - 中国語 特許翻訳例文集

本例の固体撮像装置1は、図1に示すように、半導体基板11例えばシリコン基板に光電変換部を含む複数の画素2が規則的に2次元的に配列された画素部（いわゆる撮像領域）3と、周辺回路部とを有して構成される。

如图 1所示，本实施例的固体摄像装置 1被配置成包括像素部 (被称作摄像区域 )3和周边电路部，上述像素部 3具有以二维阵列规则地布置在半导体基板 11(例如硅基板 )上的多个像素 2，每个像素 2都包括光电转换部。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4はCPU119が正常状態における画像形成装置のシステム制御部のCPU119とプリンタエンジン部のCPU120及びドライバ基板との通信例を示す図である。

图 4是示出图像形成设备的系统控制单元的处于正常状态的 CPU 119、打印机引擎单元的 CPU 120和驱动器基板 115～ 117之间的通信的示例的图。 - 中国語 特許翻訳例文集

半導体基板SUB2Aには、複数の回路ブロック200を制御するための制御回路210、並びに、回路ブロック200の出力のためのデマルチプレクサ（DEMUX）220、レジスタ群230、転送線240、および出力回路250が形成される。

在半导体基底 SUB2A上形成控制多个电路块 200的控制电路 210、用于解多路复用电路块 200的输出的解多路复用器 (DEMUX)220、寄存器 230、传送线 240、以及输出电路250。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合、システム100が前記番組表（配信テーブル）1000を作成した時点で、携帯端末200に宛てて、前記番組表（配信テーブル）1000の情報のうち少なくとも配信希望時刻の情報を送信していることが想定できる。

此时，可以假定系统 100在生成了所述节目表 (分配表 )1000的时刻，以便携式终端 200为目的地，在所述节目表 (分配表 )1000的信息中至少发送希望分配时刻的信息。 - 中国語 特許翻訳例文集

レンズ基板310と光入力基板350の軸から離れると、視野全体がキャプチャされることを保証するために、マイクロ・レンズ及び画像センサはよりミスアラインされるようになる可能性がある（それぞれの軸の間の距離がより大きくなる）。

当从透镜基板310的轴和光输入基板350的轴移开时，微透镜和图像传感器可以变得更加不对准(每个轴之间的距离变得更大 )以确保捕获到整个视场。 - 中国語 特許翻訳例文集

水平走査部12や垂直走査部14などの駆動制御部7の各要素は、画素アレイ部10とともに、半導体集積回路製造技術と同様の技術を用いて単結晶シリコンなどの半導体領域に一体的に形成されたいわゆる1チップもの（同一の半導体基板上に設けられているもの）として、本実施形態の固体撮像装置1が構成される。

根据本实施例的固态成像器件 1以单芯片器件 (提供在同一半导体衬底上 )的形式构成，其中在单晶硅或其他半导体区域中使用与半导体集成电路制造技术相同的技术而集成地形成驱动控制部件 7的各个组件 (如水平和垂直扫描部件 12和 14)与像素阵列部件 10。 - 中国語 特許翻訳例文集

本構成の場合、たとえば画素アレイの行数が1ブロック分で満たされ、ブロックが列方向に並ぶだけの場合は、全ての回路を同一半導体基板上に形成することも可能である。

在该配置的情况下，当像素阵列的行数是一个块中的行数，并且仅在列方向布置各块时，可以在同一半导体基底上形成所有的电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

5. ウェハレベルオプティクス（WLO）技術を用いて前記半導体基板上に作製された光学素子をさらに備える請求項1に記載のカメラアレイ。

5.如权利要求 1所述的相机阵列，所述相机阵列还包括使用晶片级光学 (WLO)技术在所述半导体基底上制作的光学元件。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3において、カラム方向に互いに隣接する2個の画素PXでは、半導体基板SB1に拡散層DF1が形成されることでフォトダイオードPD1、PD1´が構成されている。

在图 3中，在列方向上相互邻接的两个像素 PX中，通过在半导体基板 SB1上形成扩散层 DF1而构成光电二极管 PD1、PD1′。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4において、カラム方向に互いに隣接する3個の画素PXでは、半導体基板SB2に拡散層DF2が形成されることでフォトダイオードPD2、PD2´、PD2´´が構成されている。

在图 4中，在沿列方向相互邻接的 3个像素 PX中，通过在半导体基板 SB2上形成扩散层 DF2而构成光电二极管 PD2、PD2′、PD2″。 - 中国語 特許翻訳例文集

図7A−Bは、どのように導波回路402が使用されて、その導波回路を用いる変調器の帯域幅を、追加の電気的又は光学的バンドパスフィルタを使用せずに制御可能に制限できるのかをグラフで示す。

图 7A-B用图形示出了波导回路 402如何用于可控地限制采用该波导回路的调制器的带宽，而不使用附加的电学或光学带通滤波器。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、固体撮像素子1Aでは、基板18の表面または裏面に、図1で説明した制御I／O14Aと接続される図示しない電極が形成される。

此外，在固态图像拾取元件 1A中，在衬底 18的前表面或后表面上形成参照图 1描述的、且连接到控制 I/O 14A的各电极 (未示出 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号生成部107や伝送路結合部108は画像処理エンジンとは別の半導体チップ103に収容してありメイン基板602に搭載される。

信号生成部分 107和发送线耦合部分 108容纳在与图像处理引擎分开的半导体芯片 103中，并且安装在主板 602上。 - 中国語 特許翻訳例文集