「とらんじすたーとらんじすたーろんり」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

グランド側の2つのNMOSトランジスタ26，28ではNMOSトランジスタ26のゲート端子にn列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dnが入力され、また、NMOSトランジスタ28のゲート端子にn＋1列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dn＋1が入力される。

在电路接地端侧的 2个 NMOS晶体管 26、28处，NMOS晶体管 26的栅极端子被输入第 n列的寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn，另外，NMOS晶体管 28的栅极端子被输入第 n+1列的寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn+1。 - 中国語 特許翻訳例文集

グランド側のNMOSトランジスタ26のゲート端子にn列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dnが入力される。

电路接地端侧的 NMOS晶体管 26的栅极端子被输入第 n列寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn。 - 中国語 特許翻訳例文集

電源側に直列配置されるPMOSトランジスタ60，61およびPMOSトランジスタ66，67において、電源64にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ60，66のうち、PMOSトランジスタ60のゲート端子には、n＋1列目のレジスタデータDn＋1が直接入力され、PMOSトランジスタ66のゲート端子には、n＋1列目のレジスタデータDn＋1を論理反転したデータ（／Dn＋1）とn列目のレジスタデータDnを論理反転したデータ（／Dn）とがNAND回路70を介して入力される。

在配置于电源侧的 PMOS晶体管 60、61和 PMOS晶体管 66、67中，在源极端子连接到电源 64的 PMOS晶体管 60、66中 PMOS晶体管 60的栅极端子被直接输入第 n+1列的寄存器数据 Dn+1，PMOS晶体管 66的栅极端子经由 NAND电路 70被输入对第 n+1列寄存器数据Dn+1进行逻辑反转后的数据 (/Dn+1)和对第 n列寄存器数据 Dn进行逻辑反转后的数据 (/Dn)。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、転送トランジスタ412は、そのゲート端子が電荷転送線331および332に接続され、そのドレイン端子がフローティングディフュージョンFDを介してリセットトランジスタ413のソース端子と増幅トランジスタ414のゲート端子とに接続される。

此外，传输晶体管 412使其栅极端子连接到电荷传输线 331和 332，并且经由浮动扩散 FD使其漏极端子连接到复位晶体管 413的源极端子和放大晶体管 414的栅极端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

単位画素2aでは、増幅トランジスタ23のドレイン端子がアドレストランジスタ24を介して電源26が接続され、ソース端子が垂直信号線VSLおよびスイッチトランジスタ14を介して電流源15が接続されるので、増幅トランジスタ23は、ソースフォロワ回路を構成する。

在单位像素2a中，放大晶体管 23的漏极端子经由地址晶体管 24与电源 26连接，源极端子经由垂直信号线 VSL以及开关晶体管 14与电流源 15连接，因此，放大晶体管 23构成源极跟踪器电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2の共有画素ユニット41は、フォトダイオード（PD0，PD1）51−1，51−2、転送トランジスタ（M0，M1）52−1，52−2、フローティングディフュージョン（FD）53、リセットトランジスタ（M2）54、増幅トランジスタ（M3）55、および選択トランジスタ（M4）56から構成される。

图 2中的共享像素单元 41包括光电二极管 (PD0和 PD1)51-1和 51-2、传送晶体管(M0和 M1)52-1和 52-2，浮置扩散 (FD)53、重置晶体管 (M2)54、放大晶体管 (M3)55、以及选择晶体管 (M4)56。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、MOSトランジスタ221と定電流源225とで構成されるソースフォロワの出力はVRSである。

此时，包含 MOS晶体管 221和恒流源 225的源跟随器的输出为 VRS。 - 中国語 特許翻訳例文集

この第2リセットトランジスタTr16は、そのリセットゲートをオーバーフローゲートとし、そのドレインをオーバーフロードレインとした、いわゆるオーバーフロードレイン機構として構成される。

第二复位晶体管Tr16被配置为所谓的溢出沟道机构(overflow drain mechanism)，其具有用作溢出栅极的复位栅极以及用作溢出漏极的漏极。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧線Vref1を駆動するPMOSトランジスタ75，76のうち、電源77にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ75のゲート端子は、グランドに接続され、PMOSトランジスタ75のドレイン端子と基準電圧線Vref1との間に介在するPMOSトランジスタ76のゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。

驱动基准电压线 Vref1的 PMOS晶体管 75、76中源极端子连接到电源 77的 PMOS晶体管 75的栅极端子与电路接地端连接，处于 PMOS晶体管 75的漏极端子与基准电压线Vref1之间的 PMOS晶体管 76的栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

負荷MOSトランジスタ51−1〜51−nは画素読み出し時のソースフォロワの電流源として機能する。

当像素被读出时，负载 MOS晶体管 51-1至 51-n用作源极跟随器的电流源。 - 中国語 特許翻訳例文集

負荷MOSトランジスタ151−1〜151−nは画素読み出し時のソースフォロワの電流源として機能する。

当像素被读出时，负载 MOS晶体管 151-1至 151-n用作源极跟随器的电流源。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、PMOSトランジスタ60，66のドレイン端子にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ61，67の各ゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。

另外，源极端子连接到 PMOS晶体管 60、66的漏极端子的 PMOS晶体管 61、67的各栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅トランジスタ23は、アドレストランジスタ24が行選択されてオンしドレイン端子が電源26に接続され、かつスイッチトランジスタ14がオンして電流源15が垂直信号線VSLを介してソース端子に接続されたときにソースフォロワ回路を構成する。

在地址晶体管 24被行选择后导通时，放大晶体管 23的漏极端子与电源 26连接，且在开关晶体管 14导通后电流源 15经由垂直信号线 VSL与源极端子连接时，构成源极跟踪器电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2設定トランジスタ621は、タイミング制御回路200から供給された維持制御信号に基づいて、第2負荷トランジスタ624のゲート端子に接続された負荷トランジスタゲート線622と、基準電流線601と間の接触の有無を切り替えるスイッチである。

第二设置晶体管 621是被适配为基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号、在连接到第二负载晶体管 624的栅极端子的第二负载晶体管栅极线 622和参考电流线 601之间出现接触和不出现接触间进行切换的开关。 - 中国語 特許翻訳例文集

設定トランジスタ611は、タイミング制御回路200から供給される維持制御信号に基づいて、負荷トランジスタ614のゲート端子に接続された負荷トランジスタゲート線612と、基準電流線601と間の接触の有無を切り替えるスイッチである。

设置晶体管 611是被适配为基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号、在连接到负载晶体管 614的栅极端子的负载晶体管栅极线 612和参考电流线 601之间出现接触和不出现接触间进行切换的开关。 - 中国語 特許翻訳例文集

データ線10側の2つのNMOSトランジスタ25，27の各ゲート端子には列選択回路5aからの列選択信号が共通に入力される。

在数据线 10侧的 2个 NMOS晶体管 25、27的各栅极端子公共被输入来自列选择电路 5a的列选择信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

データ線10側のNMOSトランジスタ25のゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が入力される。

数据线 10侧的 NMOS晶体管25的栅极端子被输入来自列选择电路 5a的列选择信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ202は、フローティング・ディフュージョン204と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 202缓冲浮动扩散部 204与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ302は、フローティング・ディフュージョン304と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 302缓冲浮动扩散部 304与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ102は、フローティング・ディフュージョン104と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 102缓冲浮动扩散部 104与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

この開始時点において、駆動トランジスタN2のゲート・ソース間電圧Vgsは、バラツキを考慮しても閾値電圧Vthより広くなっている。

在开始时刻，甚至当考虑变动时，所述驱动晶体管 N2的栅 /源极之间的电压 Vgs也比所述阈值电压 Vth更宽。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、第3のトランジスタ25と、共通信号線27に設けられた図示しない負荷電流源とでソースフォロア回路が構成されている。

并且，通过第 3晶体管 25、设置于共同信号线 27商的未图示的负荷电流源构成源跟随器电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧線Vref側のNMOSトランジスタ30ゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が入力される。

基准电压线Vref侧的 NMOS晶体管 30的栅极端子被输入来自列选择电路 5a的列选择信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

制御信号線21側のNMOSトランジスタ40のゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が入力される。

控制信号线 21侧的 NMOS晶体管 40的栅极端子被输入来自列选择电路 5a的列选择信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

逆相内部ノード／Dは、「差動増幅回路の一方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ54を介してデータ線に接続され、正相内部ノードDは、「差動増幅回路の他方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ55を介して基準電圧線Vrefに接続されている。

反相内部节点 /D作为“差动放大电路的一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 54与数据线连接，正相内部节点 D作为“差动放大电路的另一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 55与基准电压线 Vref连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

特許文献1には、第1および第2のnMOSトランジスタから構成されたオープンドレイン型出力回路が開示されている。

专利文献 1中公开了一种由第一及第二 nMOS晶体管构成的开放 (open)漏极型输出电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

この負荷電流15と増幅トランジスタAMPTrとでソースホロワ回路を構成し、画素信号を読み出す。

由该负荷电流 15和放大晶体管 Amp Tr.构成源极跟随电路，读取像素信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランシーバ10は、数多くの電気コンポーネント、光コンポーネント及び光エレクトロニクスコンポーネントを動作可能な態様で支持するプリント回路基板PCBを有する。

收发机 10包括可操作地支持数个电、光和光电组件的印刷电路板 PCB。 - 中国語 特許翻訳例文集

M個のスイッチトランジスタ14の各ゲート端子はタイミング制御回路10が制御する電流制御線16に並列に接続されている。

M个开关晶体管 14的各栅极端子并联地连接在定时控制电路 10所控制的电流控制线 16上。 - 中国語 特許翻訳例文集

転送トランジスタ（以下転送Trと呼ぶ）302a〜302c はフォトダイオードに蓄積された光信号電荷をフローティングディフフュージョンに転送し、フォトダオード（以下、PD）303a〜303cは光電変換素子である。

传送晶体管 (下文中简称为传送 Tr)302a至 302c将累积在 PD303a至 PD 303c上的光信号电荷传送到浮动扩散 (下文中简称为 FD)304a至 304c，并且 PD 303a至 PD 303c是光电转换元件。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、各画素ブロック160Cの複数の画素の転送トランジスタのソースまたはドレインが共通の出力信号線131に接続されている。

每个像素块 160C的多个像素的传送晶体管的源极或漏极连接到公共输出信号线 131。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランシーバ10はRFループバック経路11、送信器12、受信器13、ディジタル信号プロセッサ（DSP）14、シリアル周辺インターフェース（SPI）バス15、およびI／Q較正レジスタ16を含んでいる。

收发器 10包括 RF环回路径 11、发射器 12、接收器 13、数字信号处理器 (DSP)14、串行外围接口 (SPI)总线 15及 I/Q校准寄存器 16。 - 中国語 特許翻訳例文集

命令変換器259Pのトランシーバとも呼ばれる組合せ両方向TX−RXドライバ／受信機33Aおよび32Aは、調光器回路6M−2のLED13Aおよびフォトダイオード12Aに相当するLED13Aおよびフォトトランジスタまたはダイオード12Aを介してプロトコルを送り、また受信する。

命令转换器 259P的组合双向 TX-RX驱动器 /接收器 33A和 32A（也称为收发器）经由与调光器电路 6M-2的 LED 13A和光电二极管 12A互易的 LED 13A和光电晶体管或二极管 12A来馈送和接收协议。 - 中国語 特許翻訳例文集

整列センサー39は、それぞれ搬送路Pを挟んで対向する発光部（LED等）と受光部（フォトトランジスター等）とを備える光透過型のセンサーであり、主走査方向に並べて配設されている。

调齐传感器 39分别是具有夹着输送路 P而对置的发光部 (LED等 )和受光部 (光电晶体管等 )的光透射型的传感器，沿着主扫描方向排列配置。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、メッセージ認証器314は、メッセージの再読み取りの試みがオリジナルのスクランブリング情報（例えば、最初の読み取り試みに利用されたのと同じスクランブリング情報）によってうまくいけば、署名情報の変化以外の理由でメッセージがうまく読み取られなかったと確認することができる。

此外，消息检验器 314能够确认： - 中国語 特許翻訳例文集

制御装置はこれらLED122およびオーディオトランスデューサ124を使用して、コードエントリモジュール103の状態をユーザ101に信号で知らせると共に管理プロセスを指示する。

LED 122和音频变换器124由控制器使用来发出信号，向用户101表明代码入口模块 103的状态并指引管理过程。 - 中国語 特許翻訳例文集

フォトダイオードPDは光信号を電気信号に変換する光電変換を行い、そのアノードは接地電源GNDに接続され、カソードは読み出しトランジスタREADTrの電流経路の一端に接続される。

光电二极管 PD进行将光信号变换为电信号的光电变换，其正极连接在接地电压GND上，负极连接在读取晶体管 READTr的电流路径的一端。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセットトランジスタ36は、ソースがフローティングディフュージョン38に、ドレインがリセット電源Vrd（通常はアナログ用の電源Vdd＝AVDD）と共通にする）にそれぞれ接続される。

复位晶体管 36使其源极连接到浮动扩散 38，且使其漏极连接到复位电源 Vrd(通常也用作模拟电源 Vdd＝ AVDD)。 - 中国語 特許翻訳例文集

つまり、増幅トランジスタ23は、ソース端子がフローティング状態の垂直信号線VSLに接続されているだけであるので、ソースフォロワ回路の動作を行わない。

即，放大晶体管 23仅源极端子与浮动状态的垂直信号线 VSL连接，不进行源极跟踪器电路的动作。 - 中国語 特許翻訳例文集

蓄積時間中は、光電変換素子21で電気信号に変換された信号が、ソースフォロワ回路の入力トランジスタ23のソース電極より増幅されて出力されている。

在积累期间中，在源极跟随器电路中的输入晶体管 23的源极处将光电转换元件 21中转换的电信号放大，并从那里输出。 - 中国語 特許翻訳例文集

その後、第1実施の形態で説明したと同様に、1画素行毎に読み出しトランジスタTr12がオン状態となり、通常画素22の合算信号電荷（eS1＋eM1＋eM2）がフローティングディフージョン部（FD）37へ読み出される。

此后，如第一实施例的前述说明中所述的那样逐个像素行地接通读晶体管 Tr12，使普通像素 22的合并信号电荷 eS1+eM1+eM2被读出到浮动扩散部 (FD)37。 - 中国語 特許翻訳例文集

回路ブロック134は、アドレス信号ADRとNOR回路135の出力信号とを2入力とするAND回路1341、アドレス信号ADRを一方の（否定）入力とし、AND回路1341の出力信号を他方の入力とするOR回路1342、レベルシフタ1343およびNチャネルの駆動トランジスタ1344により構成され、接地電圧よりも低い電圧Vtrg4を選択して転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。

电路块 134包括采用地址信号 ADR和 NOR电路 135的输出作为两个输入的 AND电路 1341，采用地址信号 ADR作为一个 (负 )输入并且采用 AND电路的输出信号作为另一个输入的 OR电路 1342，电平相移器 1343以及 N-沟道驱动晶体管 1344，其选定电压 Vtrg4(所述电压 Vtrg4低地电压 )并且将其供应到转移晶体管 22的栅电极。 - 中国語 特許翻訳例文集

この電圧設定回路631は、タイミング制御回路200からの維持制御信号に基づいて、そのドレイン側の基準電流線601とソース側の負荷トランジスタゲート線632との間を接続する。

电压设置电路 631基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号，将在其漏极侧的参考电流线 601和其源极侧的负载晶体管栅极线 632连接到一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

フローティングディフージョンFD1、FD1´に信号電荷が読み出された後、水平制御線L3、L4のリセット線がハイレベルになると、リセットトランジスタ2、2´がオンし、フローティングディフージョンFD1、FD1´に読み出された信号電荷が排出される。

在信号电荷被读出到浮动扩散部 FD1、FD1′中之后，如果水平控制线 L3、L4的复位线成为高电平，则复位晶体管 2、2′导通，将读出到浮动扩散部 FD1、FD1′中的信号电荷排出。 - 中国語 特許翻訳例文集

MOSトランジスタ221は定電流源225とともにソースフォロワ回路を構成し、その出力はフィードバックスイッチ227の他方の端子と接続される。

MOS晶体管 221和恒流源 225包含于源跟随器电路中，并且，源跟随器电路的输出端子与反馈开关 227的另一端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

この画素回路410において、光電変換素子411は、そのアノード端子が接地され、カソード端子が転送トランジスタ412のソース端子に接続される。

在像素电路 410中，光电转换元件 411使其阳极端子接地，并且使其阴极端子连接到传输晶体管 412的源极端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

遮断の指示を有するRDI、例えば、RDI＝1を受信するとすぐ、ルート1は、選択装置ブリッジが保護トランスポートエンティティに接続して、リーフの保護経路上でトラフィックを転送するための指示をルート2に提供し、一方、選択装置ブリッジは、作動トランスポートエンティティに対する接続を維持することになる。

在接收到具有断开指示的 RDI时，例如， RDI＝ 1，则根 1向根 2提供关于在叶的保护路径上转发业务的指示，并且选择器桥接器连接到保护传输实体，同时选择器桥接器将保留针对工作传输实体的连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素部3内の全ての通常画素22［22R，22G，22B］は、第2リセットトランジスタTr16のゲート電極（OFG）43にリセットパルスを印加することで、完全電荷排出によるグローバルリセット動作が行われる。

当向第二复位晶体管 Tr16的溢出栅极电极 (OFG)43施加复位脉冲时，像素部 3中的全部像素 22(22R、22G和 22B)进行通过完全排出电荷而实现的全局复位操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅トランジスタ23は、ソースフォロワ回路を構成している期間において、リセットトランジスタ22によりリセットされた後のFD25の電圧（リセット電圧）を同レベルの画素信号に変換して垂直信号線VSLに出力し、さらに、読み出しトランジスタ21により、フォトダイオード20から信号電荷がFD25に読み出された後のFD25の電圧（リセット電圧＋変換信号電圧）を同レベルの画素信号に変換して垂直信号線VSLに出力する。

放大晶体管 23在构成源极跟踪器电路的期间中，将被复位晶体管 22复位后的 FD25的电压 (复位电压 )变换为同电平的像素信号并输出至垂直信号线 VSL，另外，通过读出晶体管 21，在从光电二极管 20将信号电荷读出至 FD25之后的 FD25的电压 (复位电压 +变换信号电压 )变换为同电平的像素信号并输出至垂直信号线 VSL。 - 中国語 特許翻訳例文集

ICは、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（DSP）、特定用途向け集積回路（ASIC）、フィールドプログラム可能ゲートアレイ（FPGA）または他のプログラム可能論理デバイス、ディスクリートゲートまたはトランジスタ論理、ディスクリートハードウェアコンポーネント、電気的コンポーネント、光学的コンポーネント、機械的コンポーネント、あるいは、ここで記述した機能を実施するように設計されたこれらの何らかの組み合わせを含んでいてもよく、そして、IC内に、ICの外部に、または双方に存在するコードまたは命令を実行してもよい。

IC可包含通用处理器、数字信号处理器 (DSP)、专用集成电路 (ASIC)、现场可编程门阵列 (FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件、电组件、光学组件、机械组件，或其经设计以执行本文中所描述的功能的任何组合，且可执行驻留于 IC内、IC外或两种情况下的代码或指令。 - 中国語 特許翻訳例文集