「とらんじすたーらじお」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

トランジスターラジオ．

半导体收音机 - 白水社 中国語辞典

トランジスターラジオ．

晶体管收音机 - 白水社 中国語辞典

トランジスターラジオ．

半导体收音机 - 白水社 中国語辞典

PMOSトランジスタPT311のソースおよびPMOSトランジスタPT312のソースが電源電位VDDに接続されている。

PMOS晶体管 PT311的源极和 PMOS晶体管 PT312的源极连接至电源电势 VDD。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、L3およびL4ならびに対応するトランジスタは、低直線性受信モードで使用されてよい。

另外，L3及 L4以及对应晶体管可用于低线性接收模式中。 - 中国語 特許翻訳例文集

この例では、1行読み出し期間における垂直信号線（VSL1）501、第2負荷トランジスタゲート線622、第2負荷トランジスタ624のソース端子および負荷トランジスタゲート線612における電位変動が示されている。

在该示例中，示出了在一行读出时段期间垂直信号线 (VSL1)501、第二负载晶体管栅极线622、第二负载晶体管624的源极端子、以及负载晶体管栅极线612的电势中的改变。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセットトランジスタ54のソース、および、増幅トランジスタ55のソースは、所定の電源電圧VDDに接続されている。

重置晶体管 54的源极和放大晶体管 55的源极连接到预定电源电压 VDD。 - 中国語 特許翻訳例文集

本実施形態において、駆動トランジスタTd1および負荷トランジスタTs1以外のトランジスタは、スイッチとして働き、ゲートに接続されている制御線のオンで導通し、オフで遮断することとする。

假定在本实施例中，除驱动晶体管 Td1和负荷晶体管 Ts1以外的晶体管作为随着连接至栅极的控制线接通和断开而接通和断开的开关作用。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2の共有画素ユニット41は、フォトダイオード（PD0，PD1）51−1，51−2、転送トランジスタ（M0，M1）52−1，52−2、フローティングディフュージョン（FD）53、リセットトランジスタ（M2）54、増幅トランジスタ（M3）55、および選択トランジスタ（M4）56から構成される。

图 2中的共享像素单元 41包括光电二极管 (PD0和 PD1)51-1和 51-2、传送晶体管(M0和 M1)52-1和 52-2，浮置扩散 (FD)53、重置晶体管 (M2)54、放大晶体管 (M3)55、以及选择晶体管 (M4)56。 - 中国語 特許翻訳例文集

図15（E）及び図16（E）は、駆動トランジスタN2のソース電位Vsの波形である。

图15E和 16E是所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs的波形。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、寄生容量629は、第2負荷トランジスタゲート線622と第2負荷トランジスタ624のドレイン端子との間に形成される。

应注意，寄生电容器 629形成在第二负载晶体管栅极线 622与第二负载晶体管 624的漏极端子之间。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ25，26のゲート幅Wは、それぞれ同じ2μmである。

并且，所串联连接起来的 2个 NMOS晶体管 25、26的栅极宽度 W分别都为 2μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ40，41のゲート幅Wは、それぞれ同じ7μmである。

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管 40、41的栅极宽度 W都为 7μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ25，26のゲート幅Wは、それぞれ同じ2μmである。

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管 25、26的栅极宽度 W分别都为 2μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ30，31のゲート幅Wは、それぞれ同じ1μmである。

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管30、31的栅极宽度 W分别都为 1μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

単位画素2aでは、増幅トランジスタ23のドレイン端子がアドレストランジスタ24を介して電源26が接続され、ソース端子が垂直信号線VSLおよびスイッチトランジスタ14を介して電流源15が接続されるので、増幅トランジスタ23は、ソースフォロワ回路を構成する。

在单位像素2a中，放大晶体管 23的漏极端子经由地址晶体管 24与电源 26连接，源极端子经由垂直信号线 VSL以及开关晶体管 14与电流源 15连接，因此，放大晶体管 23构成源极跟踪器电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、転送トランジスタ412は、そのゲート端子が電荷転送線331および332に接続され、そのドレイン端子がフローティングディフュージョンFDを介してリセットトランジスタ413のソース端子と増幅トランジスタ414のゲート端子とに接続される。

此外，传输晶体管 412使其栅极端子连接到电荷传输线 331和 332，并且经由浮动扩散 FD使其漏极端子连接到复位晶体管 413的源极端子和放大晶体管 414的栅极端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

電源側に直列配置されるPMOSトランジスタ60，61およびPMOSトランジスタ66，67において、電源64にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ60，66のうち、PMOSトランジスタ60のゲート端子には、n＋1列目のレジスタデータDn＋1が直接入力され、PMOSトランジスタ66のゲート端子には、n＋1列目のレジスタデータDn＋1を論理反転したデータ（／Dn＋1）とn列目のレジスタデータDnを論理反転したデータ（／Dn）とがNAND回路70を介して入力される。

在配置于电源侧的 PMOS晶体管 60、61和 PMOS晶体管 66、67中，在源极端子连接到电源 64的 PMOS晶体管 60、66中 PMOS晶体管 60的栅极端子被直接输入第 n+1列的寄存器数据 Dn+1，PMOS晶体管 66的栅极端子经由 NAND电路 70被输入对第 n+1列寄存器数据Dn+1进行逻辑反转后的数据 (/Dn+1)和对第 n列寄存器数据 Dn进行逻辑反转后的数据 (/Dn)。 - 中国語 特許翻訳例文集

直列接続される2つのNMOSトランジスタ27，28のゲート幅Wは、それぞれ同じ4μmである。

所串联连接起来的 2个 NMOS晶体管 27、28的栅极宽度 W分别都为 4μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

直列接続される2つのNMOSトランジスタ33，34のゲート幅Wは、それぞれ同じ3μmである。

所串联连接的 2个NMOS晶体管 33、34的栅极宽度 W都为 3μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

直列接続される2つのNMOSトランジスタ35，36のゲート幅Wは、それぞれ同じ5μmである。

所串联连接的 2个 NMOS晶体管 35、36的栅极宽度 W都为 5μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

入力部510は一つのトランジスター（第4のトランジスターTr4）を備え、第4のトランジスターTr4の入力端子及び制御端子は第1の入力端子IN1と共通に接続（ダイオード接続）され、出力端子はQ接点（以下、第1のノードともいう）に接続されている。

输入部分 510包括一个晶体管 (第四晶体管 Tr4)，第四晶体管 Tr4的输入端和控制端被共同连接 (二极管连接 )到第一输入端 IN1，输出端连接到节点 Q(以下，称为第一节点 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、基準トランジスタ690は、そのソース端子が接地され、かつ、そのゲート端子およびドレイン端子が基準電流線601に接続される。

此外，参考晶体管 690使其源极端子接地，并且使其栅极端子和漏极端子连接到参考电流线 610。 - 中国語 特許翻訳例文集

特許文献1には、第1および第2のnMOSトランジスタから構成されたオープンドレイン型出力回路が開示されている。

专利文献 1中公开了一种由第一及第二 nMOS晶体管构成的开放 (open)漏极型输出电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅トランジスタ23は、アドレストランジスタ24が行選択されてオンしドレイン端子が電源26に接続され、かつスイッチトランジスタ14がオンして電流源15が垂直信号線VSLを介してソース端子に接続されたときにソースフォロワ回路を構成する。

在地址晶体管 24被行选择后导通时，放大晶体管 23的漏极端子与电源 26连接，且在开关晶体管 14导通后电流源 15经由垂直信号线 VSL与源极端子连接时，构成源极跟踪器电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、選択制御線LSELを通して制御信号（アドレス信号またはセレクト信号)SELが選択トランジスタ115のゲートに与えられ、選択トランジスタ115がオンする。

控制信号 (地址信号或选择信号 )SEL经由选择控制线 LSEL供给至选择晶体管115的栅极，来导通选择晶体管 115。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、この場合、電圧緩和トランジスタ102のドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”であるので、電圧緩和トランジスタ102の端子間電圧（ゲート−ドレイン間電圧，ゲート−ソース間電圧，およびソース−ドレイン間電圧）を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，该情况下，由于电压缓和晶体管 102的漏极电压及栅极电压为“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 102的端子间电压 (栅极—漏极间电压、栅极—源极间电压以及源极—漏极间电压 )比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、このゲート電位Vgの電位変化に連動して、駆動トランジスタN2のソース電位Vsも押し下げられる（図15（E）、図16（E））。

与所述栅极电位 Vg的电位变化所关联，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs也减小(图 15E，图 16E)。 - 中国語 特許翻訳例文集

この開始時点において、駆動トランジスタN2のゲート・ソース間電圧Vgsは、バラツキを考慮しても閾値電圧Vthより広くなっている。

在开始时刻，甚至当考虑变动时，所述驱动晶体管 N2的栅 /源极之间的电压 Vgs也比所述阈值电压 Vth更宽。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、図3に示したデータ通信回路11は、図2に示した補助トランジスタ105をさらに備えていても良い。

另外，图 3所示的数据通信电路 11可以还具备图 2所示的辅助晶体管 105。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、図3に示したデータ通信回路12は、図2に示した補助トランジスタ106をさらに備えていても良い。

另外，图 3所示的数据通信电路 12可以还具备图 2所示的辅助晶体管 106。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、図7に示したデータ通信回路21は、図6に示した補助トランジスタ205p，205nをさらに備えていても良い。

另外，图 7所示的数据通信电路 21可以还具备图 6所示的辅助晶体管 205p、205n。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6においては、光電変換素子D1、FD容量C1、各トランジスタのゲート、ソース、ドレインおよび配線以外は省略している。

参考图 6，没有示出除了光电转换元件 D1、FD电容器 C1、各个晶体管的栅极、源极和漏极、以及内部连线以外的组件。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、負荷トランジスタゲート線612に示される波形は、接続期間において従来負荷トランジスタゲート線872と同様の波形を示す。

也就是说，在连接时段期间，负载晶体管栅极线 612示出与现有技术的负载晶体管栅极线 872的波形相似的波形。 - 中国語 特許翻訳例文集

この第2リセットトランジスタTr16は、そのリセットゲートをオーバーフローゲートとし、そのドレインをオーバーフロードレインとした、いわゆるオーバーフロードレイン機構として構成される。

第二复位晶体管Tr16被配置为所谓的溢出沟道机构(overflow drain mechanism)，其具有用作溢出栅极的复位栅极以及用作溢出漏极的漏极。 - 中国語 特許翻訳例文集

制御装置はこれらLED122およびオーディオトランスデューサ124を使用して、コードエントリモジュール103の状態をユーザ101に信号で知らせると共に管理プロセスを指示する。

LED 122和音频变换器124由控制器使用来发出信号，向用户101表明代码入口模块 103的状态并指引管理过程。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、第3のトランジスタ25と、共通信号線27に設けられた図示しない負荷電流源とでソースフォロア回路が構成されている。

并且，通过第 3晶体管 25、设置于共同信号线 27商的未图示的负荷电流源构成源跟随器电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、選択トランジスタTr4のソースを列信号線VSLと接続しないことで、増幅トランジスタTr3から列信号線VSLへ誤って信号が出力されないようにしている。

选择晶体管Tr4的源极不连接到列信号线VSL，以防止来自放大晶体管Tr3的信号错误地输出到列信号线 VSL。 - 中国語 特許翻訳例文集

より効率的なロジスティックス管理を行なうため、多くのトラックターミナルが空港の隣に建てられている。

为了实行更有效率的物流管理， 很多货车中转站依机场而建。 - 中国語会話例文集

なお、選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加された状態は、ステップS10まで継続される。

这里，选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147栅电极的状态持续到步骤 S10。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、電圧緩和トランジスタ202pのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT−Vα”，“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202pの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，由于电压缓和晶体管 202p的漏极电压及栅极电压分别为“VTT-Vα”、“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、電圧緩和トランジスタ202p，202nのドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202p，202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，由于电压缓和晶体管 202p、202n的漏极电压及栅极电压为“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p、202n的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

この状態から、ユーザがトランスコードの実行を指示すると、計画した通りにトランスコードが実行され、実際にクリップ482乃至クリップ487（のファイル）が生成される。

当从该状态用户指示执行转码时，按照计划来执行转码，实际上被生成剪辑 482至剪辑 487(的文件 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、電圧緩和トランジスタ202nのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT”，“VTT−Vα”になるので、電圧緩和トランジスタ202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

同样，由于电压缓和晶体管 202n的漏极电压及栅极电压分别为“VTT”、“VTT-Vα”，所以可以使电压缓和晶体管 202n的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

結果的に、移動度μが大きい駆動トランジスタN2ほどゲート・ソース間電圧Vgsが小さくなる。

因此，栅 /源极之间的电压 Vgs随着所述驱动晶体管N2的迁移率μ的增加而减小。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合には、ストライプの第1シーケンス中のデータ要素番号Nが、ストライプの第2シーケンス中のデータ要素番号Nと同じ水平位置を持つように、シーケンスが水平方向に位置合わせされることができる。

在这种情况下，这些序列可以水平对准，使得第一条纹序列中的数据元素号 N与第二条纹序列中的数据元素号 N具有相同的水平位置。 - 中国語 特許翻訳例文集

命令変換器259Pのトランシーバとも呼ばれる組合せ両方向TX−RXドライバ／受信機33Aおよび32Aは、調光器回路6M−2のLED13Aおよびフォトダイオード12Aに相当するLED13Aおよびフォトトランジスタまたはダイオード12Aを介してプロトコルを送り、また受信する。

命令转换器 259P的组合双向 TX-RX驱动器 /接收器 33A和 32A（也称为收发器）经由与调光器电路 6M-2的 LED 13A和光电二极管 12A互易的 LED 13A和光电晶体管或二极管 12A来馈送和接收协议。 - 中国語 特許翻訳例文集

フィールド1が、画像ストライプA、C、及びEで表示される左画像の半分であるレフト1、レフト3、レフト5をそれぞれ表示し、フィールド1はまた、画像ストライプB、D、及びFで表示される右画像の半分であるライト2、ライト4、ライト6をそれぞれ表示する。

半帧 1分别以图像条纹 A、C和 E显示左图像的半部左 1、左 3、左 5，并且半帧 1还分别以图像条纹 B、D和 F显示右图像的半部右 2、右 4、右 6。 - 中国語 特許翻訳例文集

フィールド2が、画像ストライプB、D、及びFで表示される左画像の残りの半分であるレフト2、レフト4、レフト6をそれぞれ表示し、フィールド2はまた、画像ストライプA、C、及びEで表示される右画像の半分であるライト1、ライト3、ライト5をそれぞれ表示する。

然后，半帧 2分别以图像条纹B、D和 F显示左图像剩余的半部左 2、左 4、左 6，并且半帧 2还分别以图像条纹 A、C和 E显示右图像剩余的半部右 1、右 3、右 5。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、図2において、負荷トランジスタ31のゲートに図5に示すスイッチングパルスLOADを印加することで、負荷トランジスタ31にスイッチ素子としての役割を持たせる。

更具体地说，在图 4中，图 7所示的开关脉冲 LOAD被提供到负载晶体管 31的栅极，这使负载晶体管 31充当开关元件。 - 中国語 特許翻訳例文集