「とらんじすたーらじお」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

container＿IDレジスタは、ブランチ装置、複合シンク装置及び複数のトランスポートを有する如何なる装置でも対応されてよい。

分支设备、复合宿设备以及具有多传输的任何设备上都可支持 container_ID寄存器。 - 中国語 特許翻訳例文集

container＿IDレジスタは、ブランチ装置、複合シンク装置及び複数のトランスポートを有する如何なる装置でも対応されてよい。

可在分支设备、复合宿设备和具有多传输的任何设备上支持 container_ID寄存器。 - 中国語 特許翻訳例文集

本実施例においても、最大値または最小値検出期間における共通出力線605の充放電は、最大値検出用NMOSトランジスタ116を流れるソース電流または最小値検出用PMOSトランジスタ119を流れるシンク電流によって行われる。

同样，在本实施例中，通过流过最大值检测 NMOS晶体管 116的拉电流或流过最小值检测 PMOS晶体管 119的灌电流来执行最大值检测周期或最小值检测周期中共用输出线605的充放电。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明のこの態様は、UEまたはMSCサーバがDevIDを保護するときに採用されるのと同じ技法を使用するが、レジストラ（S−CSCF）により実施される。

本发明的此方面使用在 UE或 MSC服务器保护 DevID时采用的，但由注册器 (S-CSCF)执行的相同技术。 - 中国語 特許翻訳例文集

読み出しトランジスタ21は、ゲート端子に接続される読み出し線READの電圧によりオン・オフ制御される。

读出晶体管 21通过与栅极端子连接的读出线 READ的电压来进行导通 /截止控制。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生容量619は、負荷トランジスタ614のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と基準電流線601との間に形成される配線間容量からなる。

寄生电容器 619包括在负载晶体管 614的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和参考电流线 601之间形成的布线间电容器。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、本発明の実施形態では、ユーザ端末装置102は、トランザクションに含まれることになるIPアドレスおよびパスワードを暗号化するための線形帰還シフト・レジスタ（LFSR）を具備して作られている。

然而，在本发明的实施例的情况下，用户终端 102由线性反馈移位寄存器 (LFSR)配置以加密 IP地址和密码，并且 IP地址和密码包括在交易中。 - 中国語 特許翻訳例文集

画像モニタリング装置20のディスプレイ28上にトラブルメッセージ（操作パネルアイコン50付きのトラブル画面70）を表示した状態で、トラブル画面70上に表示された操作パネルアイコン50を使用したリモート操作により、トラブルシミュレーションが実行されると、画像形成装置10のディスプレイ15において、トラブルメッセージの表示を継続する一方、画像モニタリング装置20のディスプレイ28に、画像形成装置10のトラブルに関するシミュレーション情報（操作パネルアイコン50付きのシミュレーション情報画面80）を表示する。

在图像监控装置 20的显示器 28上显示了故障消息 (带有操作面板图标 50的故障画面 70)的状态下，当通过使用了在故障画面 70上显示的操作面板图标 50的遥控操作，执行故障模拟时，在图像形成装置 10的显示器 15中，继续故障消息的显示，另一方面，在图像监控装置 20的显示器 28中，显示与图像形成装置10的故障相关的模拟信息 (带有操作面板图标 50的模拟信息画面 80)。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、メッセージ認証器314は、メッセージの再読み取りの試みがオリジナルのスクランブリング情報（例えば、最初の読み取り試みに利用されたのと同じスクランブリング情報）によってうまくいけば、署名情報の変化以外の理由でメッセージがうまく読み取られなかったと確認することができる。

此外，消息检验器 314能够确认： - 中国語 特許翻訳例文集

トランシーバ10はRFループバック経路11、送信器12、受信器13、ディジタル信号プロセッサ（DSP）14、シリアル周辺インターフェース（SPI）バス15、およびI／Q較正レジスタ16を含んでいる。

收发器 10包括 RF环回路径 11、发射器 12、接收器 13、数字信号处理器 (DSP)14、串行外围接口 (SPI)总线 15及 I/Q校准寄存器 16。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、VMはPMOSトランジスタのオフのためにゲートに供給される電圧の絶対値よりも小さい電圧である。

电压 VM比向栅极供给以关断 PMOS晶体管的电压的绝对值小。 - 中国語 特許翻訳例文集

このトラブル画面70には、図8に示すような画像形成装置10側のトラブル画面60と同じトラブルメッセージ（即ち、トラブル画面60の画像61）と、画像形成装置10の操作部17に対応する操作パネルアイコン50とが表示される。

在该故障画面 70中，显示图 8所示那样的与图像形成装置 10侧的故障画面 60相同的故障消息 (即，故障画面 60的图像 61)、和与图像形成装置 10的操作部 17对应的操作面板图标 50。 - 中国語 特許翻訳例文集

このトラブル画面70には、図8に示すような画像形成装置10側のトラブル画面60と同じトラブルメッセージ（即ち、トラブル画面60の画像61）と、画像形成装置10の操作部17に対応する操作パネルアイコン50とが表示される。

在该故障画面 70中，显示与图 8所示那样的图像形成装置 10侧的故障画面 60相同的故障消息 (即，故障画面 60的图像 61)、和与图像形成装置 10的操作部 17对应的操作面板图标 50。 - 中国語 特許翻訳例文集

転送トランジスタ（以下転送Trと呼ぶ）302a〜302c はフォトダイオードに蓄積された光信号電荷をフローティングディフフュージョンに転送し、フォトダオード（以下、PD）303a〜303cは光電変換素子である。

传送晶体管 (下文中简称为传送 Tr)302a至 302c将累积在 PD303a至 PD 303c上的光信号电荷传送到浮动扩散 (下文中简称为 FD)304a至 304c，并且 PD 303a至 PD 303c是光电转换元件。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、PMOSトランジスタ54，55がオンしているので、差動増幅回路45a，45b，45cの正相内部ノードD1，D2，D3、および逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の対応するものが接続される。

此时，由于 PMOS晶体管 54、55导通，因此差动放大电路 45a、45b、45c的正相内部节点 D1、D2、D3和反相内部节点 /D1、/D2、/D3连接着数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3中所对应的基准电压线。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、PMOSトランジスタ54，55がオンしているので、差動増幅回路45a，45b，45cの正相内部ノードD1，D2，D3、および逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の対応するものが接続される。

此时，由于PMOS晶体管 54、55导通，因此差动放大电路 45a、45b、45c的正相内部节点 D1、D2、D3和反相内部节点 /D1、/D2、/D3连接着数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3中对应的基准电压线。 - 中国語 特許翻訳例文集

IR受信機32、フォトトランジスタまたはフォトダイオード12、IRドライバ33およびIR送信機またはLED13は、よく知られている回路およびデバイスであり、IR通過フィルタおよび／または低域通過フィルタと共にカプセル化された様々なICまたは個別パッケージで一般に入手することができる。

IR接收器 32、光电晶体管或光电二极管 12、IR驱动器 33和 IR发射器或 LED 13是众所周知的电路和装置，其通常在不同 IC或分立封装中可获得、与 IR通滤波器和 /或低通滤波器包封在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

図13において、各データ転送回路18bは、同じ構成であって、データ線10とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ25，26で構成されている。

图 13中，各数据传输电路 18b构成都相同，包括串联连接于数据线 10与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 25、26。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図7】本発明のここに例示する実施形態により、図2A及び2Bに示すユーザ装置に対して、ここに例示する方法の操作と、ここに例示するコンピュータプログラムインストラクションの実行の結果とを示す論理フロー図である。

图 7是根据本发明的示例性实施例对于图 2A和图 2B中所示的用户设备说明示意性方法的操作以及示例性计算机程序指令的执行结果的逻辑流程图。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランシーバ10は、数多くの電気コンポーネント、光コンポーネント及び光エレクトロニクスコンポーネントを動作可能な態様で支持するプリント回路基板PCBを有する。

收发机 10包括可操作地支持数个电、光和光电组件的印刷电路板 PCB。 - 中国語 特許翻訳例文集

データ通信回路31において、ドライバ201，電圧緩和トランジスタ202p，202n，および信号ノードNP1，NN1の接続関係は、図5に示した接続関係と同様である。

在数据通信电路 31中，驱动器 201、电压缓和晶体管 202p、202n以及信号节点 NP1、NN1的连接关系与图 5所示的连接关系同样。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、デバイスがユーザインタフェース（例えば液晶ディスプレイ（LCD）パネル）を有する場合、レジストラ構成モードおよびエンローリー構成モードの間で選択を行うオプションは、LCDパネル上のプロンプトとしてユーザに提示される。

例如，如果装置设有用户接口，例如，液晶显示器 (LCD)面板，则在 LCD面板上向用户提示用于在登记者模式的配置和加入者模式的配置之间进行选择的选项。 - 中国語 特許翻訳例文集

受信機という用語は、IRまたは可視光信号を受信し、それを電気信号に変換するフォトダイオード、Pinダイオード、フォトトランジスタ、または他の光検出器を意味する。

术语接收器指的是光电二极管、PIN二极管、光电晶体管或用于接收 IR或可见光信号并将它们转换为电信号的其他光电检测器。 - 中国語 特許翻訳例文集

その後、第1実施の形態で説明したと同様に、1画素行毎に読み出しトランジスタTr12がオン状態となり、通常画素22の合算信号電荷（eS1＋eM1＋eM2）がフローティングディフージョン部（FD）37へ読み出される。

此后，如第一实施例的前述说明中所述的那样逐个像素行地接通读晶体管 Tr12，使普通像素 22的合并信号电荷 eS1+eM1+eM2被读出到浮动扩散部 (FD)37。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施例では、画素20内の選択トランジスタ25をオフときに、そのゲート電圧を当該選択トランジスタ25が形成されているウェルの電圧よりもオフ側、本例では負電圧に設定することを特徴としている。

第一实施例的特征在于，当像素 20的选择晶体管 25被关断时，其栅极电压被设为一电压也就是负电压，该电压距关断侧比距其中形成了选择晶体管 25的阱的电压更近。 - 中国語 特許翻訳例文集

整列センサー39は、それぞれ搬送路Pを挟んで対向する発光部（LED等）と受光部（フォトトランジスター等）とを備える光透過型のセンサーであり、主走査方向に並べて配設されている。

调齐传感器 39分别是具有夹着输送路 P而对置的发光部 (LED等 )和受光部 (光电晶体管等 )的光透射型的传感器，沿着主扫描方向排列配置。 - 中国語 特許翻訳例文集

フォトダイオードPDは光信号を電気信号に変換する光電変換を行い、そのアノードは接地電源GNDに接続され、カソードは読み出しトランジスタREADTrの電流経路の一端に接続される。

光电二极管 PD进行将光信号变换为电信号的光电变换，其正极连接在接地电压GND上，负极连接在读取晶体管 READTr的电流路径的一端。 - 中国語 特許翻訳例文集

この画素回路410において、光電変換素子411は、そのアノード端子が接地され、カソード端子が転送トランジスタ412のソース端子に接続される。

在像素电路 410中，光电转换元件 411使其阳极端子接地，并且使其阴极端子连接到传输晶体管 412的源极端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6B及び図6Cの実施形態では、CMOSをベースとした設計が示されたが、他のトランジスタ技術（例えば、ECL、BJT、BiCOMS等）を、本発明の本質を変更することなく同じ設計を実装するのに採用してもよい。

虽然图 6B和图 6C的实施例被示出为基于 CMOS的设计，但是可以使用其他晶体管技术 (例如，ECL、BJT、BiCMOS等 )来实现相同的设计，而不改变本发明的本质。 - 中国語 特許翻訳例文集

さて、この移動度補正動作の完了後も電源制御トランジスタN3のオン状態が継続すると、駆動トランジスタN2のソース電位Vsが有機EL素子OLEDの閾値電圧Vth(oled)を越えるまで上昇し、有機EL素子OLEDの点灯が開始される。

当电力供应控制晶体管 N3的导通状态在完成所述迁移率校正操作之后继续时，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs被增加到超过所述有机 EL器件 OLED的阈值电压Vth(oled)，并开始所述有机 EL器件 OLED的点亮。 - 中国語 特許翻訳例文集

画像形成装置10側では、用紙トレイのリフトアップトラブルを検出すると、トラブル処理を開始し、CPU11が、用紙トレイのリフトアップトラブルコード「F3−12」及びトラブルメッセージの画像データを含むトラブル発生信号を画像モニタリング装置20に対して送信し（図14AのステップS40）、ディスプレイコントローラ25が、CPU11の指示に基づいて、ディスプレイ15上に、図7に示すようなトラブルメッセージ（トラブル画面60）を表示する。

在图像形成装置 10侧，当检测到托盘的抬升故障时，开始故障处理，CPU11将包含纸张托盘的抬升故障码“F3-12”以及故障消息的图像数据的故障发生信号向图像监控装置20发送 (图 14A的步骤 S40)，显示控制器 25基于 CPU11的指示，在显示器 15上显示图 7所示那样的故障消息 (故障画面 60)。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6Bの実施形態と比較して、この実施形態では、PMOSトランジスタM6が加えられており、これにより、reset＿b信号がイネーブル状態になる、すなわちランプが中断する又は開放されると、浮いているノードfnodeがグランドレベルに引き下げられる。

在这个实施例中，与图 6B的实施例相比较，当使能 reset_b信号时，即当斜坡正被中止或放电时，PMOS晶体管 M6的增加将悬空节点 fnode下拉到接地。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、上記した第2の実施の形態において、画像形成装置10のディスプレイ15は、図15に示すように、トラブルメッセージが表示されている画面（即ち、リモート操作メッセージ付きのトラブル画面110）と同一の画面上にリモート操作メッセージを表示するが、本発明はそのような構成に限定されず、画像形成装置10のディスプレイ15は、トラブルメッセージが表示されている画面と異なる画面上にリモート操作メッセージを表示する構成であってもよい。

此外，在上述第 2实施方式中，图像形成装置 10的显示器 15如图 15所示，在与显示有故障消息的画面 (即，带有遥控操作消息的故障画面 110)同一画面上显示遥控操作消息，但本发明并不限定于这样的结构，也可以是图像形成装置 10的显示器 15在与显示有故障消息的画面不同的画面上显示遥控操作消息的结构。 - 中国語 特許翻訳例文集

差動アンプ115の非反転入力端子は画素101の出力端子からの信号を受けるように構成されており、その出力端子は最大値検出用NMOSトランジスタ116のゲート端子と接続されている。

差分放大器 115被配置为使得从像素 101输出的信号被输入到差分放大器 115的非反相输入端子。 差分放大器 115的输出端子与最大值检测 NMOS晶体管 116的栅极端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

差動アンプ118の非反転入力端子は画素101の出力端子からの信号を受けるように構成されており、その出力端子は最小値検出用PMOSトランジスタ119のゲート端子と接続されている。

差分放大器 118被配置为使得从像素 101输出的信号被输入到差分放大器 118的非反相输入端子。 差分放大器 118的输出端子与最小值检测 PMOS晶体管 119的栅极端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

そのようなシナリオでは、機器が、レジストラに向けたいくつかのプライベートユーザ識別番号（PSアクセスを介するなどのUEからの識別番号、およびユーザに代わって登録するMSCサーバからの識別番号）により表されることがある。

在此类情况下，一个装置可通过多个私有用户身份向注册器表示 (通过 PS接入等来自 UE的一个身份和来自代表用户注册的 MSC服务器的一个身份 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、VOBクランプとデジタルクランプについては、どちらがノイズに敏感かの比較は特にしないが、使い方に応じて、駆動トランジスタTd1のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lに差を設けてもかまわない。

尽管没有具体说明 VOB钳位的噪声灵敏度和数字钳位的噪声灵敏度之间的比较，但可以根据使用方式来设置驱动晶体管 Td1的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L之间的一些差异。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、VOBクランプとデジタルクランプについては、どちらがノイズに敏感かの比較は特にしないが、使い方に応じて、駆動トランジスタTd1のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lに差を設けてもかまわない。

尽管没有具体说明 VOB钳位的噪声灵敏度和数字钳位的噪声灵敏度之间的比较，但可以根据使用方式设置驱动晶体管 Td1的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L之间的一些差异。 - 中国語 特許翻訳例文集

電圧調整部207は、複数の信号線対のうちいずれか1つに対応し、その対応する信号線対にそれぞれ接続される信号ノードNP1，NN1の電圧（信号電圧VP1，VN1）の中間電圧を制御電圧VMとして電圧緩和トランジスタ203p，203p，…のゲートおよび電圧緩和トランジスタ203n，203n，…のゲートに供給する。

电压调整部 207对应于多个信号线对中的任意一个，将与该对应的信号线对分别连接的信号节点 NP1、NN1的电压 (信号电压 VP1、VN1)的中间电压作为控制电压 VM，向电压缓和晶体管 202p、202p、…的栅极及电压缓和晶体管 202n、202n、…的栅极供给。 - 中国語 特許翻訳例文集

これによって、例えば、「運動会でゴールした瞬間」（図7）、「サッカーでボールを蹴る瞬間」等を捉えた一部の画像を、画像表示（スライドショー）において印象的に表現することができ、スライドショーをより効果的に演出することができる。

由此，能够将例如捕捉到“运动会中得分的瞬间”(图 7)、“足球赛中进球的瞬间”等的一部分图像在图像显示 (幻灯片放映 )中印象深刻地表现，能够使幻灯片放映更有效果地呈现。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図11】本発明の1実施形態による、エンローリーおよび／またはレジストラとして構成することのできるデバイスの様々なハードウェアブロックを示す。

图 11示出根据本发明实施例、适于被配置为加入者和 /或登记者的装置的各种硬件块。 - 中国語 特許翻訳例文集

図11は、本発明の1実施形態による、エンローリーおよび／またはレジストラとして構成されることのできるデバイス1100のハードウェアブロック図を示す。

图11示出根据本发明一个实施例、适于被配置为加入者和/或登记者的装置1100的硬件框图。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、増幅トランジスタ414は、そのドレイン端子が電源電位線415に接続され、そのソース端子が垂直信号線（VSL1および2）501および502に接続される。

此外，放大晶体管 414使其漏极端子连接到电源电势线 415，并且使其源极端子连接到垂直信号线 (VSL1和 VSL2)501和 502。 - 中国語 特許翻訳例文集

PD1のカソードは電源電圧VDDに接続され、アノードはリセットMOSトランジスタ3の一方の主電極およびオペアンプ2の非反転入力端子に接続される。

PD 1的阴极与电源电压 VDD连接，PD 1的阳极与复位 MOS晶体管 3的主电极中的一个和运算放大器 2的非反相输入端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、垂直信号線（VSL1）501における信号レベルの変動によるカップリングの影響は、その垂直信号線（VSL1）501に対応する負荷トランジスタゲート線612に対して充分に抑制できないことがある。

例如，可以不能充分地抑制从垂直信号线 (VSL1)501的信号电平的改变导致的、对与该垂直信号线 (VSL1)501相关联的负载晶体管栅极线 612的耦合影响。 - 中国語 特許翻訳例文集

ユーザとの対話を提供するため、上記の特徴は、ユーザに情報を表示するためのCRT(ブラウン管)またはLCD(液晶表示)モニタなどの表示デバイスと、ユーザがそれによってコンピュータに入力を提供できるキーボードおよびマウスまたはトラックボールなどのポインティングデバイスとを有するコンピュータ上で実施することができる。

为了提供与用户的交互，可以在具有显示设备和键盘和指示设备的计算机上实现特征，该显示设备诸如是 CRT(阴极射线管 )或 LCD(液晶显示器 )监控器，用于向用户显示信息，该键盘和指示设备诸如是鼠标或跟踪球，通过其，用户可以向计算机提供输入。 - 中国語 特許翻訳例文集

つまり、増幅トランジスタ23は、ソース端子がフローティング状態の垂直信号線VSLに接続されているだけであるので、ソースフォロワ回路の動作を行わない。

即，放大晶体管 23仅源极端子与浮动状态的垂直信号线 VSL连接，不进行源极跟踪器电路的动作。 - 中国語 特許翻訳例文集

もちろん、そのような単一の一方向命令変換器は、電気器具を操作するためにTX回路33AおよびLED13Aだけを、または電気器具から状態またはデータを受信するためにRX回路32Aおよびフォトダイオードまたはフォトトランジスタ12Aだけを持ち、さらに、図8Aに示された端子を通して有線ネットワークに接続される。

当然，这种单个单向命令转换器将仅具有用于操作设备的 TX电路 33A和 LED 13A，或者仅具有用于接收来自设备的状态或数据的 RX电路 32A和光电二极管或光电晶体管 12A，并且它们通过图 8A中所示的端子连接到其有线网络。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、時刻t19において、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から信号電荷S1が排出される。

具体地，在时间t19，复位脉冲RST被施加至复位晶体管146的栅电极，浮置扩散区145被复位，并从浮置扩散区 145中释放信号电荷 S1。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、時刻t22において、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から信号電荷S2が排出される。

具体地，在时间t22，复位脉冲RST被施加至复位晶体管146的栅电极，浮置扩散区145复位，且从浮置扩散区 145释放信号电荷 S2。 - 中国語 特許翻訳例文集