「とらんじすたー」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ40，41のゲート幅Wは、それぞれ同じ7μmである。

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管 40、41的栅极宽度 W都为 7μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ25，26のゲート幅Wは、それぞれ同じ2μmである。

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管 25、26的栅极宽度 W分别都为 2μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、直列接続される2つのNMOSトランジスタ30，31のゲート幅Wは、それぞれ同じ1μmである。

并且，所串联连接的 2个 NMOS晶体管30、31的栅极宽度 W分别都为 1μm。 - 中国語 特許翻訳例文集

設定トランジスタ611は、タイミング制御回路200から供給される維持制御信号に基づいて、負荷トランジスタ614のゲート端子に接続された負荷トランジスタゲート線612と、基準電流線601と間の接触の有無を切り替えるスイッチである。

设置晶体管 611是被适配为基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号、在连接到负载晶体管 614的栅极端子的负载晶体管栅极线 612和参考电流线 601之间出现接触和不出现接触间进行切换的开关。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2のように、データ通信回路11は、補助トランジスタ105をさらに備えていても良い。

如图 2所示，数据通信电路 11可以还具备辅助晶体管 105。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6のように、データ通信回路21は、補助トランジスタ205p，205nをさらに備えていても良い。

如图 6所示，数据通信电路 21可以还具备辅助晶体管 205p、205n。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、データ通信回路22も、補助トランジスタ206p，206nをさらに備えていても良い。

同样，数据通信电路 22也可以还具备辅助晶体管 206p、206n。 - 中国語 特許翻訳例文集

第6のトランジスターTr6の制御端子にはリセット端子REを介してダミーステージの伝達信号CRが印加され、第9のトランジスターTr9の制御端子には第2の入力端子IN2を介して次段のステージのゲート電圧が入力される。

第六晶体管 Tr6的控制端通过重置端 RE接收伪级的传输信号 CR，通过第二输入端 IN2向第九晶体管 Tr9的控制端输入下一级的栅极电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

各リセットトランジスタ113Cのゲート電極が共通のリセット線118Cに接続されている。

各个复位晶体管 113C的栅极电极连接到公共复位线 118C。 - 中国語 特許翻訳例文集

負荷MOSトランジスタ51−1〜51−nは画素読み出し時のソースフォロワの電流源として機能する。

当像素被读出时，负载 MOS晶体管 51-1至 51-n用作源极跟随器的电流源。 - 中国語 特許翻訳例文集

負荷MOSトランジスタ151−1〜151−nは画素読み出し時のソースフォロワの電流源として機能する。

当像素被读出时，负载 MOS晶体管 151-1至 151-n用作源极跟随器的电流源。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、MOSトランジスタ221と定電流源225とで構成されるソースフォロワの出力はVRSである。

此时，包含 MOS晶体管 221和恒流源 225的源跟随器的输出为 VRS。 - 中国語 特許翻訳例文集

PチャネルMOSトランジスタ21のゲートには、差動入力信号の一方の信号IN1が入力される。

差分输入信号的一个信号 IN1进入 P沟道 MOS晶体管 21的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集

この第2リセットトランジスタTr16は、そのリセットゲートをオーバーフローゲートとし、そのドレインをオーバーフロードレインとした、いわゆるオーバーフロードレイン機構として構成される。

第二复位晶体管Tr16被配置为所谓的溢出沟道机构(overflow drain mechanism)，其具有用作溢出栅极的复位栅极以及用作溢出漏极的漏极。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、この場合、電圧緩和トランジスタ102のドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”であるので、電圧緩和トランジスタ102の端子間電圧（ゲート−ドレイン間電圧，ゲート−ソース間電圧，およびソース−ドレイン間電圧）を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，该情况下，由于电压缓和晶体管 102的漏极电压及栅极电压为“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 102的端子间电压 (栅极—漏极间电压、栅极—源极间电压以及源极—漏极间电压 )比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

全てのリセットトランジスタ200のゲートは、画素210の各行内で互いに接続されている。

所有复位晶体管 200的栅极在每一像素 210行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

全てのリセットトランジスタ300のゲートは、画素310の各行内で互いに接続されている。

所有复位晶体管 300的栅极在每一像素 310行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

全てのリセットトランジスタ100のゲートは、画素110の各行内で互いに接続されている。

所有复位晶体管 100的栅极在每一像素110行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

全てのリセットトランジスタ101のゲートは、画素110の各行内で互いに接続されている。

所有复位晶体管 101的栅极在每一像素 110行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

負荷MOSトランジスタ105は垂直出力線毎に設けられ、ゲートが共通に接続されている。

负载 MOS晶体管 105是对于各个垂直输出线 102设置的。 - 中国語 特許翻訳例文集

透過型液晶表示パネルは、薄膜トランジスター(Thin Film Transistor: 以下、“TFT”とする)基板とカラーフィルター基板を含む。

背光型液晶显示面板包括薄膜晶体管 (TFT)基板和滤色器基板。 - 中国語 特許翻訳例文集

データ線10側の2つのNMOSトランジスタ25，27の各ゲート端子には列選択回路5aからの列選択信号が共通に入力される。

在数据线 10侧的 2个 NMOS晶体管 25、27的各栅极端子公共被输入来自列选择电路 5a的列选择信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

データ線10側のNMOSトランジスタ25のゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が入力される。

数据线 10侧的 NMOS晶体管25的栅极端子被输入来自列选择电路 5a的列选择信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、第2負荷トランジスタ624は、そのドレイン端子が垂直信号線（VSL1または2）501または502に接続され、そのソース端子が負荷トランジスタ614のドレイン端子に接続される。

另一方面，第二负载晶体管 624使其漏极端子连接到垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502，并且使其源极端子连接到负载晶体管 614的漏极端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、NMOSトランジスタNT311のゲートにより第1の信号入力端子が形成され、NMOSトランジスタNT312のゲートにより第2の信号入力端子が形成される。

NMOS晶体管 NT311的栅极构成第一信号输入端子，而 NMOS晶体管 NT312的栅极构成第二信号输入端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、選択制御線LSELを通して制御信号（アドレス信号またはセレクト信号)SELが選択トランジスタ115のゲートに与えられ、選択トランジスタ115がオンする。

控制信号 (地址信号或选择信号 )SEL经由选择控制线 LSEL供给至选择晶体管115的栅极，来导通选择晶体管 115。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、このゲート電位Vgの電位変化に連動して、駆動トランジスタN2のソース電位Vsも押し下げられる（図15（E）、図16（E））。

与所述栅极电位 Vg的电位变化所关联，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs也减小(图 15E，图 16E)。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合には、ストライプの第1シーケンス中のデータ要素番号Nが、ストライプの第2シーケンス中のデータ要素番号Nと同じ水平位置を持つように、シーケンスが水平方向に位置合わせされることができる。

在这种情况下，这些序列可以水平对准，使得第一条纹序列中的数据元素号 N与第二条纹序列中的数据元素号 N具有相同的水平位置。 - 中国語 特許翻訳例文集

つまり、リモートクライアント103は、上述したトランスコードの変換体系（その中に含まれる各クリップの素性）を表すファミリーツリー（FT）等をモニタに表示する等して、ユーザに提示する。

即，远程客户端 103通过将表示上述的转码的转换体系 (包含在其中的各剪辑的来历 )的家谱树 (FT)等显示在监视器上等来向用户进行提示。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅トランジスタ23は、ソース端子が垂直信号線VSLに接続され、ゲート端子がFD25に接続されている。

放大晶体管 23的源极端子与垂直信号线 VSL连接，栅极端子与 FD25连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図9】本発明のここに例示する実施形態により、ユーザ装置に対して、ここに例示する別の方法の操作と、ここに例示するコンピュータプログラムインストラクションの実行の結果とを示す論理フロー図である。

图 9是根据本发明的示例性实施例对于用户设备说明另一示意性方法的操作以及示例性计算机程序指令的执行结果的逻辑流程图。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、電圧緩和トランジスタ202pのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT−Vα”，“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202pの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，由于电压缓和晶体管 202p的漏极电压及栅极电压分别为“VTT-Vα”、“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、電圧緩和トランジスタ202p，202nのドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202p，202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，由于电压缓和晶体管 202p、202n的漏极电压及栅极电压为“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p、202n的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、このような長期的な電位低下は、設定トランジスタ611から負荷トランジスタゲート線612へのチャンネルリーク電流によって抑制されると考えられる。

然而，这样的长期下降有可能被从设置晶体管 611到负载晶体管栅极线 612的沟道漏电流抑制。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、負荷トランジスタ614は、そのドレイン端子が垂直信号線（VSL1または2）501または502に接続され、そのソース端子が接地される。

此外，负载晶体管 614使其漏极端子连接到垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502，并且使其源极端子接地。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素ダミー選択トランジスタ118のゲートが垂直走査部120により供給される選択パルスDSELの供給ラインに接続されている。

像素哑选择晶体管118的栅极连接至将由垂直扫描部件120供给的选择脉冲DSEL的供给线。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、負荷トランジスタゲート線612に示される波形は、接続期間において従来負荷トランジスタゲート線872と同様の波形を示す。

也就是说，在连接时段期间，负载晶体管栅极线 612示出与现有技术的负载晶体管栅极线 872的波形相似的波形。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号電圧V1が“VTT”である場合、供給ノードN101の電圧（電圧緩和トランジスタ102のソース電圧）は、“VTT−Vth”に設定される。

在信号电压 V1为“VTT”的情况下，供给节点 N101的电压 (电压缓和晶体管 102的源极电压 )被设定为“VTT-Vth”。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ202は、フローティング・ディフュージョン204と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 202缓冲浮动扩散部 204与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ302は、フローティング・ディフュージョン304と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 302缓冲浮动扩散部 304与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ102は、フローティング・ディフュージョン104と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 102缓冲浮动扩散部 104与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、電圧緩和トランジスタ202nのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT”，“VTT−Vα”になるので、電圧緩和トランジスタ202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

同样，由于电压缓和晶体管 202n的漏极电压及栅极电压分别为“VTT”、“VTT-Vα”，所以可以使电压缓和晶体管 202n的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6においては、光電変換素子D1、FD容量C1、各トランジスタのゲート、ソース、ドレインおよび配線以外は省略している。

参考图 6，没有示出除了光电转换元件 D1、FD电容器 C1、各个晶体管的栅极、源极和漏极、以及内部连线以外的组件。 - 中国語 特許翻訳例文集

結果的に、移動度μが大きい駆動トランジスタN2ほどゲート・ソース間電圧Vgsが小さくなる。

因此，栅 /源极之间的电压 Vgs随着所述驱动晶体管N2的迁移率μ的增加而减小。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号電圧VP1が“VTT−Vα”であり、信号電圧VN1が“VTT”である場合、供給ノードN201pの電圧（電圧緩和トランジスタ202pのソース電圧）は、“VTT−Vth”に設定され、供給ノードN201nの電圧（電圧緩和トランジスタ202nのソース電圧）は、“VTT−Vα−Vth”に設定される。

在信号电压 VP1为“VTT-Vα”、信号电压 VN1为“VTT”的情况下，供给节点 N201p的电压 (电压缓和晶体管 202p的源极电压 )被设定为“VTT-Vth”，供给节点 N201n的电压(电压缓和晶体管 202n的源极电压 )被设定为“VTT-Vα-Vth”。 - 中国語 特許翻訳例文集

垂直選択用トランジスタ40は、一例として、ドレインが増幅用トランジスタ42のソースに、ソースが画素線51にそれぞれ接続され、ゲート（特に垂直選択ゲートSELVという）が垂直選択線58に接続されている。

例如，垂直选择晶体管 40使其漏极连接到放大晶体管 42的源极，使其源极连接到像素线 51，且使其栅极 (具体地，称为垂直选择栅极 SELV)连接到垂直选择线 58。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅用トランジスタ42は、ゲートがフローティングディフュージョン38に接続され、ドレインが電源Vddに、ソースは垂直選択用トランジスタ40を介して画素線51に接続され、さらに垂直信号線19に接続されるようになっている。

放大晶体管 42使其栅极连接到浮动扩散 38，使其漏极连接到电源 Vdd，且使其源极经由垂直选择晶体管 40连接到像素线 51，并进一步连接到垂直信号线 19。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧線Vref側のNMOSトランジスタ30ゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が入力される。

基准电压线Vref侧的 NMOS晶体管 30的栅极端子被输入来自列选择电路 5a的列选择信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

この開始時点において、駆動トランジスタN2のゲート・ソース間電圧Vgsは、バラツキを考慮しても閾値電圧Vthより広くなっている。

在开始时刻，甚至当考虑变动时，所述驱动晶体管 N2的栅 /源极之间的电压 Vgs也比所述阈值电压 Vth更宽。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合、供給ノードN201p，N201nの電圧（電圧緩和トランジスタ202p，202nのソース電圧）は、“VTT−Vth”に設定される。

该情况下，供给节点 N201p、N201n的电压(电压缓和晶体管 202p、202n的源极电压 )被设定为“VTT-Vth”。 - 中国語 特許翻訳例文集