「とらんじすたー」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

ユーザとの対話を提供するため、上記の特徴は、ユーザに情報を表示するためのCRT(ブラウン管)またはLCD(液晶表示)モニタなどの表示デバイスと、ユーザがそれによってコンピュータに入力を提供できるキーボードおよびマウスまたはトラックボールなどのポインティングデバイスとを有するコンピュータ上で実施することができる。

为了提供与用户的交互，可以在具有显示设备和键盘和指示设备的计算机上实现特征，该显示设备诸如是 CRT(阴极射线管 )或 LCD(液晶显示器 )监控器，用于向用户显示信息，该键盘和指示设备诸如是鼠标或跟踪球，通过其，用户可以向计算机提供输入。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅トランジスタ23は、ソースフォロワ回路を構成している期間において、リセットトランジスタ22によりリセットされた後のFD25の電圧（リセット電圧）を同レベルの画素信号に変換して垂直信号線VSLに出力し、さらに、読み出しトランジスタ21により、フォトダイオード20から信号電荷がFD25に読み出された後のFD25の電圧（リセット電圧＋変換信号電圧）を同レベルの画素信号に変換して垂直信号線VSLに出力する。

放大晶体管 23在构成源极跟踪器电路的期间中，将被复位晶体管 22复位后的 FD25的电压 (复位电压 )变换为同电平的像素信号并输出至垂直信号线 VSL，另外，通过读出晶体管 21，在从光电二极管 20将信号电荷读出至 FD25之后的 FD25的电压 (复位电压 +变换信号电压 )变换为同电平的像素信号并输出至垂直信号线 VSL。 - 中国語 特許翻訳例文集

最大値検出用NMOSトランジスタ116のドレイン端子は電源VDDに接続され、ソース端子は差動アンプ115の反転入力端子および最大値検出用スイッチ117と接続される。

最大值检测NMOS晶体管 116的漏极端子与电源 VDD连接。 最大值检测 NMOS晶体管 116的源极端子与差分放大器 115的反相输入端子连接并且与最大值检测开关 117连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

最小値検出用PMOSトランジスタ119のドレイン端子は電源VDDと接続され、ソース端子は差動アンプ118の反転入力端子および最小値検出用スイッチ120と接続される。

最小值检测PMOS晶体管 119的漏极端子与电源 VDD连接。 最小值检测 PMOS晶体管 119的源极端子与差分放大器 118的反相输入端子连接，并且还与最小值检测开关 120连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

差動アンプ115の非反転入力端子は画素101の出力端子からの信号を受けるように構成されており、その出力端子は最大値検出用NMOSトランジスタ116のゲート端子と接続されている。

差分放大器 115被配置为使得从像素 101输出的信号被输入到差分放大器 115的非反相输入端子。 差分放大器 115的输出端子与最大值检测 NMOS晶体管 116的栅极端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

差動アンプ118の非反転入力端子は画素101の出力端子からの信号を受けるように構成されており、その出力端子は最小値検出用PMOSトランジスタ119のゲート端子と接続されている。

差分放大器 118被配置为使得从像素 101输出的信号被输入到差分放大器 118的非反相输入端子。 差分放大器 118的输出端子与最小值检测 PMOS晶体管 119的栅极端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、増幅トランジスタ414は、そのドレイン端子が電源電位線415に接続され、そのソース端子が垂直信号線（VSL1および2）501および502に接続される。

此外，放大晶体管 414使其漏极端子连接到电源电势线 415，并且使其源极端子连接到垂直信号线 (VSL1和 VSL2)501和 502。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生容量619は、負荷トランジスタ614のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と基準電流線601との間に形成される配線間容量からなる。

寄生电容器 619包括在负载晶体管 614的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和参考电流线 601之间形成的布线间电容器。 - 中国語 特許翻訳例文集

MOSトランジスタ221は定電流源225とともにソースフォロワ回路を構成し、その出力はフィードバックスイッチ227の他方の端子と接続される。

MOS晶体管 221和恒流源 225包含于源跟随器电路中，并且，源跟随器电路的输出端子与反馈开关 227的另一端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、「CMOS」に含まれる「金属酸化物半導体」という用語は、従来は、半導体に形成される酸化物材料に金属ゲートが形成された電界効果トランジスタの物理構造のことを示す。

例如，术语“CMOS”中的短语“金属氧化物半导体”传统上可以表示在氧化物材料上形成金属栅极的场效应晶体管的物理结构，其形成于半导体上。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、垂直信号線（VSL1）501における信号レベルの変動によるカップリングの影響は、その垂直信号線（VSL1）501に対応する負荷トランジスタゲート線612に対して充分に抑制できないことがある。

例如，可以不能充分地抑制从垂直信号线 (VSL1)501的信号电平的改变导致的、对与该垂直信号线 (VSL1)501相关联的负载晶体管栅极线 612的耦合影响。 - 中国語 特許翻訳例文集

タイミング発生回路（TG）15は、供給電圧制御回路13が転送トランジスタ22のゲート電極に制御電圧を供給する際のタイミングを決めるタイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3（図2参照）を発生する。

时序发生器 (TG)15生成时序信号 PTRG1、PTRG2、PTRG3(参考图 2)，用于确定供应电压控制电路 13向转移晶体管 22的栅电极供应控制电压的定时。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、このとき、注目行の単位画素131の選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加され、その状態がステップS62まで継続される。

另外，此时，选择脉冲 SEL施加至目标行的单元像素 131的选择晶体管 147的栅电极的状态持续到步骤 S62。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2に戻って、垂直信号線101〜103に接続されている負荷トランジスタTs1は、ドレインがそれぞれ垂直信号線101〜103に接続され、ゲートおよびソースが接地されている。

返回参考图 2，负荷晶体管 Ts1分别连接至垂直信号线 101、垂直信号线 102和垂直信号线 103，以使得漏极连接至垂直信号线 101～ 103，并且栅极和源极接地。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素部3内の全ての通常画素22［22R，22G，22B］は、第2リセットトランジスタTr16のゲート電極（OFG）43にリセットパルスを印加することで、完全電荷排出によるグローバルリセット動作が行われる。

当向第二复位晶体管 Tr16的溢出栅极电极 (OFG)43施加复位脉冲时，像素部 3中的全部像素 22(22R、22G和 22B)进行通过完全排出电荷而实现的全局复位操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素100は、光を電気（信号電荷）に変換するフォトダイオード（PD）106と、電気信号を増幅するFDアンプ107と、行選択スイッチを構成する行選択トランジスタ（Tr）108を備える。

光电二极管 (PD)106，其将光转换为电力 (信号电荷 )； FD放大器 107，其放大电信号； - 中国語 特許翻訳例文集

各選択トランジスタ41のゲートには、それぞれ別の制御信号φSW1、φSW2、φSW3が供給され、この制御信号に従って任意の中間保持手段2の信号が選択されて増幅回路42を介し出力される。

不同的控制信号和 被施加到相应的选择晶体管 41的栅极，并且根据控制信号，从相应的中间保持单元 2选择信号并经由放大电路 42将该信号输出。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、画像モニタリング装置20のディスプレイ28は、図16に示すように、トラブルメッセージが表示されている画面（即ち、トラブルメッセージ付きのシミュレーション情報画面120）と同一の画面上にシミュレーション情報を表示するが、本発明はそのような構成に限定されず、画像モニタリング装置20のディスプレイ28は、トラブルメッセージが表示されている画面と異なる画面上にシミュレーション情報を表示する構成であってもよい。

同样地，图像监控装置 20的显示器28如图 16所示，在与显示有故障消息的画面 (即，带有故障消息的模拟信息画面 120)同一画面上显示模拟信息，但本发明并不限定于这样的结构，也可以是图像监控装置 20的显示器 28在与显示有故障消息的画面不同的画面上显示模拟信息的结构。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6B及び図6Cの実施形態では、CMOSをベースとした設計が示されたが、他のトランジスタ技術（例えば、ECL、BJT、BiCOMS等）を、本発明の本質を変更することなく同じ設計を実装するのに採用してもよい。

虽然图 6B和图 6C的实施例被示出为基于 CMOS的设计，但是可以使用其他晶体管技术 (例如，ECL、BJT、BiCMOS等 )来实现相同的设计，而不改变本发明的本质。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、リセットトランジスタ413は、そのゲート端子が画素リセット線321および322に接続され、そのドレイン端子がリセット電位線311および312に接続される。

此外，复位晶体管 413使其栅极端子连接到像素复位线 321和 322，并且使其漏极端子连接到复位电势线 311和 312。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、画像モニタリング装置20側では、トラブルメッセージを表示すると（図6BのステップP20）、インターフェイス23を介して画像形成装置10からシミュレーション情報を受信したか否かを判別することにより、画像形成装置10に対しトラブルシミュレーションの実行指示があった否かを判別する（図6BのステップP21）。

另一方面，在图像监控装置 20侧，当显示故障消息时 (图 6B的步骤 P20)，通过判别是否经由接口 23从图像形成装置 10接收到模拟信息，从而判别对图像形成装置 10是否有故障模拟的执行指示 (图 6B的步骤 P21)。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、画像モニタリング装置20側では、トラブルメッセージを表示すると（図14BのステップP40）、インターフェイス23を介して画像形成装置10からシミュレーション情報を受信したか否かを判別することにより、画像形成装置10に対しトラブルシミュレーションの実行指示があった否かを判別する（図14BのステップP41）。

另一方面，在图像监控装置 20侧，当显示故障消息时 (图 14B的步骤 P40)，通过判别是否经由接口 23从图像形成装置 10接收到模拟信息，从而判别对图像形成装置 10是否有故障模拟的执行指示 (图 14B的步骤 P41)。 - 中国語 特許翻訳例文集

この負荷電流供給回路610において、設定トランジスタ611は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が基準電流線601に接続される。

在负载电流提供电路 610中，设置晶体管 611使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到参考电流线 601。 - 中国語 特許翻訳例文集

この第2負荷電流供給回路620において、第2設定トランジスタ621は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が第2基準電流線602に接続される。

在第二负载电流提供电路 620中，第二设置晶体管 621使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到第二参考电流线 602。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3側の3つのNMOSトランジスタ30，33，35の各ゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が共通に入力される。

基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3侧的 3个 NMOS晶体管 30、33、35的各栅极端子被公共输入来自列选择电路 5a的列选择信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、PMOSトランジスタPT313およびPT314のゲートがローレベルでアクティブの第1の制御パルス信号CPLの入力端子TCPLに共通に接続されている。

PMOS晶体管PT313和PT314的栅极共同连接至用于在低电平有效的第一控制脉冲信号 CPL的输入端子 TCPL。 - 中国語 特許翻訳例文集

セクション315、320、325、および330は、共同セッション・データ・タイプに従って分割された共同セッション・トランスクリプトの諸部分を提示する。

部分 315、320、325和 330呈现根据协同会话数据类型而分段的协同会话转录的部分。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、このとき、注目行の単位画素131の選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加され、その状態がステップS55まで継続される。

这里，此时，选择脉冲 SEL施加至目标行的单元像素 131的选择晶体管 147栅电极的状态持续到步骤 S55。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−1は、端子bがキャパシタC191A−1の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−1のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-1的端子 b连接至电容器 191A-1的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-1的栅极以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−2は、端子bがキャパシタC191A−2の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−2のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-2的端子 b连接至电容器 191A-2的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-2的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−3は、端子bがキャパシタC191A−3の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−3のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-3的端子 b连接至电容器 C191A-3的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-3的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−nは、端子bがキャパシタC191A−nの一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−nのゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-n的端子 b连接至电容器 C191A-n的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-n的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、画像形成装置10側では、トラブルメッセージを表示する（図6AのステップS21）と、画像モニタリング装置20側のディスプレイ28上に表示されたトラブル画面70の操作パネルアイコン50若しくは画像形成装置10の操作部17を通じて、トラブルシミュレーションの実行が指示されたか否かを判別する（図6AのステップS22）。

此外，在图像形成装置 10侧，当显示故障消息时 (图 6A的步骤 S21)，判别是否通过在图像监控装置 20侧的显示器 28上显示的故障画面 70的操作面板图标 50或图像形成装置 10的操作部 17，指示了故障模拟的执行 (图 6A的步骤 S22)。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、画像形成装置10側では、トラブルメッセージを表示する（図14AのステップS41）と、画像モニタリング装置20側のディスプレイ28上に表示されたトラブル画面70の操作パネルアイコン50若しくは画像形成装置10の操作部17を通じて、トラブルシミュレーションの実行が指示されたか否かを判別する（図14AのステップS42）。

此外，在图像形成装置 10侧，当显示故障消息时 (图 14A的步骤 S41)，判别是否通过在图像监控装置 20侧的显示器 28上显示的故障画面 70的操作面板图标 50或图像形成装置 10的操作部 17，指示了故障模拟的执行 (图 14A的步骤 S42)。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、画像形成装置10側では、トラブルメッセージを表示する（図14AのステップS41）と、画像モニタリング装置20側のディスプレイ28上に表示されたトラブル画面70の操作パネルアイコン50若しくは画像形成装置10の操作部17を通じて、トラブルシミュレーションの実行が指示されたか否かを判別する（図14AのステップS42）。

此外，在图像形成装置 10侧，当显示故障消息 (图 14A的步骤 S41)时，判别是否通过在图像监控装置 20侧的显示器 28上显示的故障画面 70的操作面板图标 50或图像形成装置 10的操作部 17，指示了故障模拟的执行 (图 14A的步骤 S42)。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、メッセージ認証器314は、メッセージの再読み取りの試みがオリジナルのスクランブリング情報（例えば、最初の読み取り試みに利用されたのと同じスクランブリング情報）によってうまくいけば、署名情報の変化以外の理由でメッセージがうまく読み取られなかったと確認することができる。

此外，消息检验器 314能够确认： - 中国語 特許翻訳例文集

また、垂直信号線Vsig1a、Vsig1bに用いられている配線H1をアンプトランジスタ4、4´のソース側の拡散層DF1にそれぞれ接続することにより、フローティングディフージョンFD1、FD1´と垂直信号線Vsig1b、Vsig1aとの間の距離をそれぞれ大きくすることができる。

此外，通过将用于垂直信号线Vsig1a、Vsig1b的配线H1分别连接在放大晶体管4、4′的源极侧的扩散层 DF1上，能够使浮动扩散部 FD1、FD1′与垂直信号线 Vsig1b、Vsig1a之间的距离分别变大。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、画像モニタリング装置20側では、インターフェイス23を介して画像形成装置10からのトラブル発生信号（ジャムトラブルコードと、画像形成装置10側のディスプレイ15上に表示されたトラブル画面60の画像データとが含まれている。）を受信すると、通常画面の画像データの受信ではなく（図11BのステップP31でNo）、トラブル発生信号を受信したと判別して（図11BのステップP32でYes）、前述した図14Bのフローチャートで示すトラブル処理を開始し、ディスプレイコントローラ25が、CPU22の指示に基づいて、画像モニタリング装置20側のディスプレイ28上にトラブルメッセージ（アイコン50付きのトラブル画面70）を表示する（図14BのステップP40）。

另一方面，在图像监控装置 20侧，当经由接口 23接收到来自图像形成装置 10的故障发生信号 (包含：卡纸故障码、和在图像形成装置 10侧的显示器 15上显示的故障画面60的图像数据。)时，判别为不是通常画面的图像数据的接收 (在图 11B的步骤 P31“否”)，而接收到故障发生信号 (在图 11B的步骤 P32为“是”)，开始上述的图 14B的流程图所示的故障处理，显示控制器 25基于 CPU22的指示，在图像监控装置 20侧的显示器 28上显示故障消息 (带有图标 50的故障画面 70)(图 14B的步骤 P40)。 - 中国語 特許翻訳例文集

このメモリは、追加のデータを伝送するための1または複数のトーンをランダムに選択することと、トーンのスペクトルにわたってプライマリ・データを符号化することと、ランダムに選択された1または複数のトーンにおける追加のデータを符号化し、ランダムに選択された1または複数のトーンを、しきい値を超えるように人為的に高めることと、その後、ランダムに選択され、人為的に高められた1または複数のトーンを含むトーンのスペクトルを送信することとに関連する命令群を保持する。

在音调谱上将主要数据进行编码； 将在所述一个或多个随机选择的音调上的所述附加数据进行编码并人为地将所述一个或多个随机选择的音调进行提升以超过门限； - 中国語 特許翻訳例文集

選択トランジスタ（以下選択Trと呼ぶ）305a〜305cは、特定行を選択して画素ソースフォロアを作動させてFD電位を垂直出力線に読み出す。

选择晶体管 (下文中称为选择 Tr)305a至 305c选择特定行以使得像素源极跟随器 (称为像素 SF)306a至 306c能够将 FD电位读出到垂直输出线 204a至 204c上。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3に示す各信号は、図2で示した各信号と対応し、ハイレベルであるときに対応するMOSトランジスタが導通状態になり、ローレベルで非導通状態となる。

图 3示出图 2A所示的信号的电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6に示す各信号は、図5で示した各信号と対応し、ハイレベルであるときに対応するMOSトランジスタが導通状態になり、ローレベルで非導通状態となる。

图 6示出图 5所示的信号的电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、画像モニタリング装置20側では、インターフェイス23を介して画像形成装置10からのトラブル発生信号（ジャムトラブルコードと、画像形成装置10側のディスプレイ15上に表示したトラブル画面60の画像データとが含まれている。）を受信すると、通常画面の画像データの受信ではなく（図11BのステップP31でNo）、トラブル発生信号を受信したと判別して（図11BのステップP32でYes）、前述した図6Bのフローチャートに示すトラブル処理を開始し、ディスプレイコントローラ25が、CPU22の指示に基づいて、ディスプレイ28上にトラブルメッセージ（操作パネルアイコン50付きのトラブル画面70）を表示する（図6BのステップP20）。

另一方面，在图像监控装置 20侧，当经由接口 23接收到来自图像形成装置 10的故障发生信号 (包含：卡纸故障码、和在图像形成装置 10侧的显示器 15上显示的故障画面 60的图像数据。)时，判别为不是通常画面的图像数据的接收 (在图 11B的步骤 P31为“否”)，而接收到故障发生信号 (在图 11B的步骤 P32为“是”)，开始上述的图 6B的流程图所示的故障处理，显示控制器 25基于 CPU22的指示，在显示器 28上显示故障消息 (带有操作面板图标 50的故障画面 70)(图 6B的步骤 P20)。 - 中国語 特許翻訳例文集

IR受信機32、フォトトランジスタまたはフォトダイオード12、IRドライバ33およびIR送信機またはLED13は、よく知られている回路およびデバイスであり、IR通過フィルタおよび／または低域通過フィルタと共にカプセル化された様々なICまたは個別パッケージで一般に入手することができる。

IR接收器 32、光电晶体管或光电二极管 12、IR驱动器 33和 IR发射器或 LED 13是众所周知的电路和装置，其通常在不同 IC或分立封装中可获得、与 IR通滤波器和 /或低通滤波器包封在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

ICは、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（DSP）、特定用途向け集積回路（ASIC）、フィールドプログラム可能ゲートアレイ（FPGA）または他のプログラム可能論理デバイス、ディスクリートゲートまたはトランジスタ論理、ディスクリートハードウェアコンポーネント、電気的コンポーネント、光学的コンポーネント、機械的コンポーネント、あるいは、ここで記述した機能を実施するように設計されたこれらの何らかの組み合わせを含んでいてもよく、そして、IC内に、ICの外部に、または双方に存在するコードまたは命令を実行してもよい。

IC可包含通用处理器、数字信号处理器 (DSP)、专用集成电路 (ASIC)、现场可编程门阵列 (FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件、电组件、光学组件、机械组件，或其经设计以执行本文中所描述的功能的任何组合，且可执行驻留于 IC内、IC外或两种情况下的代码或指令。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から不要電荷N0が排出される。

另外，复位晶体管 146的栅电极施加有复位脉冲 RST，浮置扩散区 145被复位，从而从浮置扩散区 145中释放多余电荷N0。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3において、垂直走査回路300は画素配列から特定の読み出し行を選択し、リセットトランジスタ（以下リセットTrと呼ぶ）301a〜301cはフォトダイオードに蓄積された光信号電荷をリセットする。

参考图 3，垂直扫描电路300从像素矩阵中选择特定的读出行，并且复位晶体管(下文中称为复位Tr)301a至 301c使累积在光电二极管 (下文中称为 PD)303a至 303c上的光信号电荷复位。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、ジャムトラブル発生時に表示するシミュレーション情報は、用紙の搬送経路に配されたセンサのオンオフ状態を示すものであってもよい。

例如，在卡纸故障发生时显示的模拟信息，也可以是表示在纸张的搬送路径配置的传感器的接通断开状态的信息。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、図1の水平制御線L3、L4のアドレス線がロウレベルの時、アドレストランジスタ3、3´がオフ状態となりソースフォロワ動作しないため、信号は出力されない。

并且，在图 1的水平控制线 L3、L4的地址线是低电平 (low level)时，地址晶体管 3、3′成为截止 (OFF)状态，源极跟随器不动作，所以不输出信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、時刻t19において、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から信号電荷S1が排出される。

具体地，在时间t19，复位脉冲RST被施加至复位晶体管146的栅电极，浮置扩散区145被复位，并从浮置扩散区 145中释放信号电荷 S1。 - 中国語 特許翻訳例文集