「もりあ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

図2Aは、比較例の信号伝送システム1Zに適用されるメモリカード201Zの概要を説明する図である。

图 4A到图 4C是有助于说明应用于根据比较示例的信号传输系统 1Z的存储卡 201Z的概要的图。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、メモリカード201Bは、図10（1）に示すように、第1例のミリ波伝送構造と同様のものである。

具体地说，如图 13A所示，存储卡 201B类似于根据第一示例的毫米波传输结构。 - 中国語 特許翻訳例文集

メモリカード201Jの構造例（平面透視および断面透視）が図13（1）に示されているが、第1例と全く同じである。

在图 16A中示出了存储卡 201J的结构示例 (平面透视图和截面透视图 )，其与第一示例中的完全相同。 - 中国語 特許翻訳例文集

スロット構造4K（開口部192）にメモリカード201Kを挿入した際に、基板102上のアンテナ236と対向する位置にアンテナ136を固定配置する。

当存储卡 201K插入槽结构 4K(开口部分 192)时，将天线 136固定地放置在使得与板 102上的天线 236相对的位置。 - 中国語 特許翻訳例文集

メモリカード201Lの構造例（平面透視および断面透視）が図15（1）に示されているが、第1例と全く同じである。

在图 18A中示出了存储卡 201L的结构示例 (平面透视图和截面透视图 )，其与第一示例中的完全相同。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2および3の間の相互参照によって示されているようにメモリ104、108および／または110には幅広いアレイの金融データが記憶され得る。

大量金融数据可存储在存储器 104、108和 /或 110中，如图 2与 3之间的交叉参考所说明。 - 中国語 特許翻訳例文集

記憶装置10は、典型的にRAMとして実装され、特別な適用のために、不揮発性記憶装置（NVRAM、フラッシュメモリ、FeRAM、MRAM、PCRAM）も可能である。

存储器 10通常被实施为 RAM，针对特定的应用，非易失性存储器 (NVRAM、快闪存储器、FeRAM、MRAM、PCRAM)也是可能的。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図7】図4に示した受信機におけるFECデータ構造を含むキャッシュ・メモリの一部分の説明図である。

图 7是图 4中所示接收器的包括 FEC数据结构的高速缓冲存储器的一部分的图形例示； - 中国語 特許翻訳例文集

なお、第1露光EXP1が選択された場合にはテスト後にメモリをクリアせず、それで階調度を増加させても良い。

要注意的是，当选择第一曝光 EXP1时，测试之后可以增加存储器的灰度，而不是清除存储器。 - 中国語 特許翻訳例文集

あるいはメモリ154Aは別途第3の半導体基板を用いて、センス回路の下側にさらに積層して設置しても良い。

可替代地，存储器 154A可以被层叠地布置在感测电路之下的第三半导体基底上。 - 中国語 特許翻訳例文集

次に、基準署名ジェネレータ158は、署名アナライザ132によって後で取り出すために基準署名をメモリ134に記憶してもよい。

然后基准签名生成器 158可以将基准签名存储在存储器 134中，以用于签名分析器 132随后的检索。 - 中国語 特許翻訳例文集

キャッシュ310は、さらに詳細に後述されるように、任意のタイプの記憶媒体やメモリであってもよい。

该高速缓冲存储器310可以是任何类型的存储介质或存储器，并且在下面将对其作进一步详细地描述。 - 中国語 特許翻訳例文集

読み取り不能なメッセージは904で、キャッシュやメモリなどの記憶媒体に保有可能である。

在 904处，将无法读取的消息保存在诸如存储器或高速缓冲存储器之类的存储介质中。 - 中国語 特許翻訳例文集

それぞれのプロセッサ1390および1350は、プログラムコードおよびデータを記憶するメモリユニット（図示せず）と関連付けられることが可能である。

处理器 1390和 1350都可与用于存储程序代码和数据的存储器单元 (未示出 )相关联。 - 中国語 特許翻訳例文集

図8は、メモリ7に格納された主画像および副画像をエンコードし記録する動作を示した図である。

图 8是示出对存储在存储器 7的主图像以及副图像进行编码并进行记录工作的图。 - 中国語 特許翻訳例文集

ダイレクトメモリアクセス手段160は、複数個のDMA入力データ114を受け取った後、DMA完了115を生成し、次いで、補間開始182を生成する。

直接内存访问单元 160在接收到多个 DMA输入数据 114后，生成 DMA完成 115，接着生成插值开始 182。 - 中国語 特許翻訳例文集

ダイレクトメモリアクセス手段560は、複数個のDMA入力データ514を受け取った後、DMA完了515を生成し、次いで、補間開始582を生成する。

直接内存访问单元 560在接收到多个 DMA输入数据 514后，生成 DMA完成 515，接着生成插值开始 582。 - 中国語 特許翻訳例文集

記憶領域140は、プロセッサ100内の任意の種類のメモリまたは格納部材の記憶領域であってよい。

存储区 140可以是处理器 100内的任何类型的存储器或存储元件的存储区。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、記憶領域140は、半導体ヒューズ技術で実装されるプログラム可能な読み取り専用メモリであってよい。

例如，存储区 140可以是通过半导体熔丝技术 (semiconductor fuse technology)所实现的可编程只读存储器。 - 中国語 特許翻訳例文集

鍵生成ロジック400は、不揮発性メモリから入力値と、第1および第2のカウント値とをフェッチあるいは受信することができる。

密钥生成逻辑 400可从非易失性存储器取回或接收输入值以及第一和第二计数值。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3は、本発明による自律的メモリ装置102の一実施形態の機能的ブロック図である。

图 3示出了根据本发明的用于自主存储器装置 102的功能块的一个实施方式。 - 中国語 特許翻訳例文集

尚、メモリ17は、CPU16が各種処理を実行する際に一時的なデータなどを記憶するためのものである。

此外，存储器 17用于在 CPU16执行各种处理时存储暂时性的数据等。 - 中国語 特許翻訳例文集

尚、メモリ26は、CPU25が各種処理を実行する際に一時的なデータなどを記憶するためのものである。

此外，存储器 26用于在 CPU25执行各种处理时存储暂时性的数据等。 - 中国語 特許翻訳例文集

メモリ23は、CPU24が各種の処理を実行する際に作業領域として使用するRAM等の記憶装置である。

存储器 23是像由 CPU24在执行多种操作时作为工作区使用的 RAM这样的存储器设备。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、メモリは、装置またはコンポーネントの内部にもしくは外部にあり、または取外し可能もしくは固定式とすることができる。

此外，存储器可以位于装置或组件的内部或外部，或者是可移动的或固定的。 - 中国語 特許翻訳例文集

RAM203は、一時的に記憶すべきデータを記憶したり、CPU201のワークメモリとして使用したりする記憶手段である。

所述 RAM 203是用于存储需要临时存储的数据的存储器，并被用作 CPU 201的工作存储器。 - 中国語 特許翻訳例文集

RAM203は、一時的に記憶すべきデータを記憶したり、CPU201のワークメモリとして使用したりする記憶手段である。

所述 RAM 203是用于存储需要临时存储的数据的存储器，并被用作 CPU 201的 I作存储器。 - 中国語 特許翻訳例文集

図4（A）は、前記RAM24（又はフラッシュメモリで構成したROM23）に記憶されるウィンドウ制御テーブル24Aの一例を示す図である。

图 4是表示存储在所述 RAM24(或者由闪存构成的 ROM23)中的窗口控制表 24A的一例的图。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、CPU31が実行するプログラムを記憶する記憶媒体は、ROMに限定されず、HDD（ハードディスク）やフラッシュメモリなどであってもよい。

存储由 CPU 31执行的程序的存储介质不限于 ROM，也可以是硬盘驱动器 (HDD)或闪存。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで使用するタイル分割用ラインバッファ125のメモリサイズは、主走査方向における複数のラインのバッファサイズである。

这里使用的分块行缓冲器 125的存储器大小是主扫描方向上的多个行的缓冲器大小。 - 中国語 特許翻訳例文集

アバタ選択論理テーブル601は、表示すべき適切なアバタを判断するコンピューティングデバイスのメモリに記憶できる。

化身选择逻辑表 601可存储在计算装置的存储器中，其确定要显示的适当化身。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、記憶部130は、不揮発性メモリ、磁気ディスク、光ディスク、およびMO（Magneto Optical）ディスクなどの記憶媒体であってもよい。

例如，存储单元 130可以是存储介质，诸如非易失性存储器、磁盘、光盘和 MO(磁光 )盘。 - 中国語 特許翻訳例文集

まず、ステップS201において、制御部は再生対象とする画像ファイルを記憶部あるいは外部メモリから読み出す。

首先，在步骤 S201，控制器 117从存储部分 115或外部存储器 116读取要回放的图像文件。 - 中国語 特許翻訳例文集

一例では、信頼性の高い通信メカニズムは、共有メモリに実装された循環バッファであってよい。

在一个实例中，可靠的通信机制可以是在共享存储器中实现的循环缓冲器。 - 中国語 特許翻訳例文集

メモリ206中の複数の命令は、ここに記述される複数の方法をインプリメントするために実行可能であることができる。

存储器 206中的指令可供执行以实现本文所述的方法。 - 中国語 特許翻訳例文集

記憶媒体306は、ハードドライブ、フラッシュメモリ、光学的記憶デバイスなどを含む、いかなるタイプの記憶デバイスであってもよい。

存储媒体 306可以是任何类型的存储装置，包括硬驱动器、快闪存储器、磁带、光学存储装置等。 - 中国語 特許翻訳例文集

プロセッサ11は、ROM13、不揮発性メモリ14あるいはHDD18に記憶されている制御プログラムを実行することにより各種の処理機能を実現する。

处理器 11通过执行 ROM 13、非易失性存储器 14或 HDD 18中存储的控制程序来实现各种处理功能。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、「判定すること」は、受信（例えば、情報の受信）、アクセス（例えば、メモリ内のデータへのアクセス）等を含むことができる。

同时，“确定”可包括接收 (例如，接收信息 )、访问 (例如，访问存储器中的数据 )等。 - 中国語 特許翻訳例文集

たとえば、既知の障害があるロケーションのデータベースをモバイルデバイス111内のメモリ192に記憶する。

举例来说，可将已知的易出故障位置的数据库存储在移动装置 111内的存储器 192中。 - 中国語 特許翻訳例文集

この情報は、本発明のある実施形態では、スケジューリング許可の形態でメモリ169に記憶される。

在本发明的一些实施例中，所述信息可以以调度许可的形式存储在存储器 169中。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、「判定すること」は、受信（例えば、情報の受信）、アクセス（例えば、メモリ内のデータへのアクセス）等を含むことができる。

另外，“确定”可包括接收 (例如，接收信息 )、访问 (例如，访问存储器中的数据 )等。 - 中国語 特許翻訳例文集

実質的メモリおよび／または処理リソースを有するが、依然としてオーバーレイネットワークでNPとして機能するNPデバイスもある。

一些 NP设备可以具有实质上的存储器和 /或处理资源，但是仍用作覆盖网络上的 NP。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、メモリ404は、図2に示されているプロトコル・スタック202などのプロトコル・スタック408を記憶するように動作可能である。

例如，存储器 404可用于存储协议栈 408，例如图 2中所示的协议栈 202。 - 中国語 特許翻訳例文集

メモリ404はまた、ローカル・ポリシー414を記憶するように動作可能であり、これはノードに動作ポリシーを提供する。

存储器 404还可用于存储本地策略 414，其提供了在该节点处的工作策略。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図6】本発明の第2の実施形態に係る画像合成および参照画像メモリ更新のイメージを示す図である。

图 6是表示本发明的第二实施方式涉及的图像合成及参考图像存储器更新的图像的图。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1の実施形態と異なる点は、参照画像メモリ書込み制御部21(図4)と、外部設定端子20が追加されている点である。

与第一实施方式不同的地方是，增加了参考图像存储器写入控制部 21(图 4)和外部设定端子 20。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図9】図8と類似の別のブロック図であるが、スレーブ装置（メモリ装置など）における方法901の流れを示す。

图 9为另一框图，类似于图 8，但示出在从设备 (比如存储器设备 )中的方法 901的流程。 - 中国語 特許翻訳例文集

ROM即ち読み出し専用メモリ102は、システム起動プログラムの情報等の記憶領域である。

ROM(Read Only Memory，只读存储器 )102是针对与系统引导程序有关的信息等的存储区域。 - 中国語 特許翻訳例文集

アドレス記憶部28は、揮発性のメモリとして構成され、検出部27から供給された欠陥画素のアドレスを記憶する。

地址存储部分 28存储缺陷像素的地址，该地址从检测部分 27提供。 - 中国語 特許翻訳例文集

（3）また、OAMクライアント部27は、各ONU装置1宛のOAM情報を、OAM送信設定メモリ264に設定する（ステップS403）。

(3)此外，OAM客户机单元 27将针对各个 ONU设备 1指定的 OAM信息设定到 OAM传输设定存储器单元 264(步骤 S403)。 - 中国語 特許翻訳例文集