「ゲート電圧」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

走査駆動部400は、液晶表示パネル300のゲート線に接続され、ゲートオン電圧Vonとゲートオフ電圧Voffとの組み合わせからなるゲート電圧をゲート線に印加する。

扫描驱动器 450与显示面板 300的栅极线连接，并对栅极线施加由导通电压 Von和截止电压 Voff组成的栅极电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、この場合、電圧緩和トランジスタ102のドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”であるので、電圧緩和トランジスタ102の端子間電圧（ゲート−ドレイン間電圧，ゲート−ソース間電圧，およびソース−ドレイン間電圧）を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，该情况下，由于电压缓和晶体管 102的漏极电压及栅极电压为“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 102的端子间电压 (栅极—漏极间电压、栅极—源极间电压以及源极—漏极间电压 )比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

或いは、画面の下部ghに位置するゲート線にのみゲートオン電圧Vonを印加してもよい。

另外，可将栅极导通电压 Von施加到仅位于屏幕的下部 gh的栅极线。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステージSRから出力されたゲート電圧はゲート線G1〜Gnを介して伝達される。

通过栅极线 G1至 Gn传输在级 SR中输出的栅极电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

ゲート駆動部500は、信号制御部600からのゲート制御信号CONT1に基づき、ゲートオン電圧Vonをゲート線G1〜Gnに印加し、該ゲート線G1〜Gnに接続されたスイッチング素子Trswをターンオンさせる。

栅极驱动器 500根据来自信号控制器 600的栅极控制信号 CONT1将栅极导通电压Von施加到栅极线 G1至 Gn，并导通分别连接到栅极线 G1至 Gn的开关元件 Trsw。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、電圧緩和トランジスタ202pのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT−Vα”，“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202pの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，由于电压缓和晶体管 202p的漏极电压及栅极电压分别为“VTT-Vα”、“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、電圧緩和トランジスタ202nのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT”，“VTT−Vα”になるので、電圧緩和トランジスタ202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

同样，由于电压缓和晶体管 202n的漏极电压及栅极电压分别为“VTT”、“VTT-Vα”，所以可以使电压缓和晶体管 202n的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、電圧緩和トランジスタ202p，202nのドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202p，202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，由于电压缓和晶体管 202p、202n的漏极电压及栅极电压为“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p、202n的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

ゲート駆動部500が独立したICチップとして構成される場合、ゲートICチップから複数のゲート線へ同時にゲートオン電圧を印加してもよい。

当用独立 IC芯片形成栅极驱动器 500时，可将栅极导通电压从栅极 IC芯片同时施加到多条栅极导线。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1を参照すると、表示パネル100に点線で示した矢印方向は、ゲート線にゲートオン電圧が印加される順序を示す。

参照图 1，显示面板 100中显示的箭头方向表示将栅极导通电压施加到多条栅极线的顺序。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、ゲート制御信号CONT1は、ゲートオン電圧Vonの持続時間を限定する出力イネーブル信号を更に含む。

栅极控制信号 CONT1还可包括用于定义栅极导通电压 Von的持续时间的输出使能信号 OE。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、補助トランジスタ105のゲート−ドレイン間電圧は“VTT”よりも低い“VTT−Vth”になる。

例如，辅助晶体管 105的栅极—漏极间电压成为比“VTT”低的“VTT-Vth”。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、ドレインゲート40に電圧を印加した場合には、最終転送段32がリセットされる。

因此，如在漏极门 40施加有电压，则会将最终传输段 32复位。 - 中国語 特許翻訳例文集

電圧調整部207は、複数の信号線対のうちいずれか1つに対応し、その対応する信号線対にそれぞれ接続される信号ノードNP1，NN1の電圧（信号電圧VP1，VN1）の中間電圧を制御電圧VMとして電圧緩和トランジスタ203p，203p，…のゲートおよび電圧緩和トランジスタ203n，203n，…のゲートに供給する。

电压调整部 207对应于多个信号线对中的任意一个，将与该对应的信号线对分别连接的信号节点 NP1、NN1的电压 (信号电压 VP1、VN1)的中间电压作为控制电压 VM，向电压缓和晶体管 202p、202p、…的栅极及电压缓和晶体管 202n、202n、…的栅极供给。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、VMはPMOSトランジスタのオフのためにゲートに供給される電圧の絶対値よりも小さい電圧である。

电压 VM比向栅极供给以关断 PMOS晶体管的电压的绝对值小。 - 中国語 特許翻訳例文集

この開始時点において、駆動トランジスタN2のゲート・ソース間電圧Vgsは、バラツキを考慮しても閾値電圧Vthより広くなっている。

在开始时刻，甚至当考虑变动时，所述驱动晶体管 N2的栅 /源极之间的电压 Vgs也比所述阈值电压 Vth更宽。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、他のステージ（SR1〜SRn）から出力されたゲート電圧は、ゲート線を介して伝達され、画素にデータ電圧が印加されて画像を表示するが、ダミーステージSRn＋1はゲート線に接続されないか、或いはゲート線に接続されたとしても画像を表示しないダミー画素（図示せず）のゲート線に接続されて画像を表示するのに使用されない。

例如，在通过栅极线发送从不同的级 SR1至 SRn输出的栅极电压时，将数据电压施加到像素，以显示图像，然而，伪级 SRn+1没有连接到栅极线，即使伪级 SRn+1连接到栅极线，也将伪级SRn+1连接到不显示图像的伪像素 (未显示 )的栅极线，从而伪级 SRn+1不用于显示图像。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように構成することにより、供給ノードN101の電圧が補助トランジスタ105のゲート電圧を超えないように供給ノードN101の電圧を制限できる。

通过如此构成，可以按照供给节点 N101的电压不超过辅助晶体管 105的栅极电压的方式来限制供给节点 N101的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように構成することにより、入力ノードN103の電圧が補助トランジスタ105のゲート電圧を超えないように入力ノードN103の電圧を制限できるので、レシーバ103の耐圧破壊を確実に防止できる。

通过如此构成，可以按照输入节点 N103的电压不超过辅助晶体管 105的栅极电压的方式来限制输入节点 N103的电压，因此能够可靠地防止接收器103的耐压破坏。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように構成することにより、供給ノードN201p，N201nの電圧が補助トランジスタ205p，205nのゲート電圧を超えないように供給ノードN201p，N201nの電圧を制限できる。

通过如此构成，可以按照供给节点 N201p、N201n的电压不超过辅助晶体管 205p、205n的栅极电压的方式来限制供给节点 N201p、N201n的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

保持容量613は、負荷電流を一定に維持するために、負荷トランジスタ614のゲート電圧を一定に保持するためのキャパシタである。

保持电容器 613维持负载晶体管 614的栅极电压恒定，以便维持负载电流恒定。 - 中国語 特許翻訳例文集

結果的に、移動度μが大きい駆動トランジスタN2ほどゲート・ソース間電圧Vgsが小さくなる。

因此，栅 /源极之间的电压 Vgs随着所述驱动晶体管N2的迁移率μ的增加而减小。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、ゲートドライバ52およびデータドライバ51から出力される各画素20への駆動電圧によって表示駆動動作がなされる。

通过将驱动电压从栅极驱动器 52和数据驱动器 51输出到每个像素 20，来执行显示驱动操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

この場合、この所定の値は、ブルーミング防止ゲート94に印加する電圧の設定によって調節することが可能である。

该情况下，通过设定在模糊抑制门 94的施加的电压，能够调节该预定的值。 - 中国語 特許翻訳例文集

FD22は転送された信号電荷を電圧信号に変換して増幅トランジスタTr3のゲートに出力する。

传送的信号电荷在浮置扩散 22处被转换为电压信号，并输出到放大晶体管 Tr3的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集

読み出しトランジスタ21は、ゲート端子に接続される読み出し線READの電圧によりオン・オフ制御される。

读出晶体管 21通过与栅极端子连接的读出线 READ的电压来进行导通 /截止控制。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧線Vref側のNMOSトランジスタ30ゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が入力される。

基准电压线Vref侧的 NMOS晶体管 30的栅极端子被输入来自列选择电路 5a的列选择信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3及び図4を参照すると、液晶分子を殆ど横たわる状態にするイメージデータを入力する方法としては、表示パネル100の複数のゲート線にゲートオン電圧Vonを印加し、複数のデータ線に共通電圧Vcomを印加する方法がある。

参照图 3和图 4，在输入图像数据以使液晶分子呈卧式的方法中，将栅极导通电压Von施加到显示面板 100的多条栅极线，并且向多条数据线施加公共电压 Vcom。 - 中国語 特許翻訳例文集

この信号電荷は、入力ゲート21に電圧が印加される（入力ゲート21がオンされる）と、CCDメモリ30における転送方向の始点となる転送段である入力転送段31に入力する。

一旦在输入门 21施加有电压 (输入门 21接通 )，就将该信号电荷向作为 CCD存储器 30中传输方向的始点的传输段的输入传输段输入。 - 中国語 特許翻訳例文集

最終転送段32は、ドレインゲート40に接続され、最終転送段32まで転送された信号電荷は、ドレインゲート40に電圧が印加されるとドレイン41に転送される。

最终传输段 32，与漏极门 40连接，一旦在漏极门 40施加有电压，就将已传输至最终传输段 32的信号电荷向漏极 41传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、図11を参照すると、水平に配列された複数のゲート線に上から下へ向かってゲートオン電圧が印加される場合、画面の下部にのみホワイトイメージを入力する。

例如，参照图 11，栅极导通电压被施加到从上到下水平布置的多条栅极线，白图像被输入到屏幕的下部。 - 中国語 特許翻訳例文集

ゲート制御信号CONT1は、走査開始を指令するスキャン開始信号と、ゲートオン電圧Vonの出力周期を制御する少なくとも一つのクロック信号と、を含む。

栅极控制信号 CONT1包括用于命令开始扫描的扫描开始信号 STV和用于控制栅极导通电压 Von的输出周期的至少一个时钟信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

タイミング発生回路（TG）15は、供給電圧制御回路13が転送トランジスタ22のゲート電極に制御電圧を供給する際のタイミングを決めるタイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3（図2参照）を発生する。

时序发生器 (TG)15生成时序信号 PTRG1、PTRG2、PTRG3(参考图 2)，用于确定供应电压控制电路 13向转移晶体管 22的栅电极供应控制电压的定时。 - 中国語 特許翻訳例文集

電圧入力端子Vinにはゲートオフ電圧が印加され、リセット端子REは最終段に位置するダミーステージSRn＋1の伝達信号出力端子CRoutに接続されている。

将栅极截止电压施加到电压输入端 Vin，并且将重置端 RE连接到通常最后布置的伪级 SRn+1的传输信号输出端 CRout。 - 中国語 特許翻訳例文集

転送トランジスタ22のゲート電極に供給する電圧をVtrg1，Vtrg2，Vtrg3，Vtrg4とした場合において、アドレス信号ADRによって行が選択された際に、タイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3によって、それぞれに対応する電圧Vtrg1，Vtrg2，Vtrg3を供給し、それ以外は電圧Vtrg4を供給する。

在将被供应到转移晶体管 22的栅电极的电压为 Vtrg1、Vtrg2、Vtrg3和 Vtrg4的情形中，当通过地址信号 ADR选定行时，根据时序信号 PTRG1、PTRG2和 PTRG3，对应于各个时序信号的电压Vtrg1、Vtrg2和 Vtrg3被供应，而电压 Vtrg4被供应到其它行。 - 中国語 特許翻訳例文集

各ステージSR1〜SRn＋1は、2つの入力端子IN1、IN2と、2つのクロック入力端子CK1、CK2と、ゲートオフ電圧に相当する低電圧（Vss）が印加される電圧入力端子Vinと、リセット端子REと、出力端子OUT及び伝達信号出力端子CRoutを備える。

SR1至SRn+1中的每一级均包括两个输入端 IN1和 IN2、两个时钟端 CK1和 CK2、接收与栅极截止电压相应的低电压 Vss的电压输入端 Vin、重置端 RE、输出端 OUT以及传输信号输出端 CRout。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施例では、画素20内の選択トランジスタ25をオフときに、そのゲート電圧を当該選択トランジスタ25が形成されているウェルの電圧よりもオフ側、本例では負電圧に設定することを特徴としている。

第一实施例的特征在于，当像素 20的选择晶体管 25被关断时，其栅极电压被设为一电压也就是负电压，该电压距关断侧比距其中形成了选择晶体管 25的阱的电压更近。 - 中国語 特許翻訳例文集

最初の信号電荷が出力転送段33まで転送されたら、次に読み出しゲート42に所定の電圧を印加する（読み出しゲート42をオンする）ことにより、出力転送段33にある信号電荷は、垂直CCD50に注入される。

一旦将最初的信号电荷传输至输出传输段 33，就可接着通过将预定的电压施加于读出门 42(将读出门 42接通 )而将存在于输出传输段 33的信号电荷向垂直 CCD50注入。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、入射光が強いとき（B）は、光電変換された電子量が多いために、転送ゲート32に制御電圧Vtrgを印加することで、フォトダイオード31の蓄積電子は、転送ゲート32の下のポテンシャルを超えて垂直CCD33へ部分的に転送される。

而当入射光强时 (图 34B)，因为已经被光电转换的电子的量大，所以通过向转移栅32施加控制电压Vtrg，光电二极管31中的存储电子超出转移栅 32下的电势，并且被部分转移到垂直 CCD 33。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1スキャナー111及び第2スキャナー112は、記録媒体Sの表面をCISにより光学的に読み取り、CISの検出電圧をCISの画素毎にゲートアレイ45に供給し、ゲートアレイ45は、第1スキャナー111及び第2スキャナー112から供給されたアナログ電圧を量子化してデジタルデータとしCPU40に出力する。

第一扫描器 111及第二扫描器 112利用 CIS光学性地读取记录介质 S的表面，将 CIS的检测电压按 CIS的像素向门阵列 45供给，门阵列 45将从第一扫描器 111及第二扫描器 112供给的模拟电压量子化而作为数字数据向 CPU40输出。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧線Vref1を駆動するPMOSトランジスタ75，76のうち、電源77にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ75のゲート端子は、グランドに接続され、PMOSトランジスタ75のドレイン端子と基準電圧線Vref1との間に介在するPMOSトランジスタ76のゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。

驱动基准电压线 Vref1的 PMOS晶体管 75、76中源极端子连接到电源 77的 PMOS晶体管 75的栅极端子与电路接地端连接，处于 PMOS晶体管 75的漏极端子与基准电压线Vref1之间的 PMOS晶体管 76的栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、基準電圧線Vref3を駆動するNMOSトランジスタ78，79のうち、基準電圧線Vref3にドレイン端子が接続されるNMOSトランジスタ78のゲート端子には、列選択信号が入力され、NMOSトランジスタ78のソース端子とグランドとの間に介在するNMOSトランジスタ79のゲート端子は、電源77に接続されている。

另外，驱动基准电压线 Vref3的 NMOS晶体管 78、79中漏极端子与基准电压线Vref3连接的 NMOS晶体管 78的栅极端子被输入列选择信号，处于 NMOS晶体管 78的源极端子与电路接地端之间的 NMOS晶体管 79的栅极端子与电源 77连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

M個のスイッチトランジスタ12の各ドレイン端子はバイアス電圧生成回路5の出力端子に並列に接続され、各ゲート端子はタイミング制御回路10が制御する電圧制御線13に並列に接続されている。

M个开关晶体管 12的各漏极端子并联地连接在偏压生成电路 5的输出端子上，各栅极端子并联地连接在定时控制电路 10所控制的电压控制线 13上。 - 中国語 特許翻訳例文集

出力転送段33は通常のCCDにおける一つの転送段であるが、出力転送段33には、読み出しゲート42が接続され、読み出しゲート42に所定の電圧が印加された場合（読み出しゲート42がオンされた場合）には、出力転送段33中にある信号電荷は、垂直CCD50に転送される。

输出传输段 33为通常的 CCD中的一个传输段，在输出传输段 33，连接有读出门 42，在读出门 42施加有电压的情况下 (读出门 42已接通的情况下 )下，将输出传输段 33中存在的信号电荷向垂直 CCD50传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−1は、端子bがキャパシタC191A−1の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−1のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-1的端子 b连接至电容器 191A-1的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-1的栅极以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−2は、端子bがキャパシタC191A−2の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−2のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-2的端子 b连接至电容器 191A-2的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-2的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−3は、端子bがキャパシタC191A−3の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−3のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-3的端子 b连接至电容器 C191A-3的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-3的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−nは、端子bがキャパシタC191A−nの一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−nのゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-n的端子 b连接至电容器 C191A-n的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-n的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

この電圧設定回路631は、タイミング制御回路200からの維持制御信号に基づいて、そのドレイン側の基準電流線601とソース側の負荷トランジスタゲート線632との間を接続する。

电压设置电路 631基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号，将在其漏极侧的参考电流线 601和其源极侧的负载晶体管栅极线 632连接到一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

ゲートアレイ45は、整列センサー39、媒体端センサー47及び媒体幅センサー55から入力されるアナログ電圧を量子化してデジタルデータとし、CPU40に出力する。

门阵列 45将从调齐传感器 39、介质端传感器 47及介质宽度传感器 55输入的模拟电压量子化而作为数字数据向 CPU40输出。 - 中国語 特許翻訳例文集