「ゲート電圧」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

ゲートアレイ45は、整列センサー39、媒体端センサー47及び媒体幅センサー55から入力されるアナログ電圧を量子化してデジタルデータとし、CPU40に出力する。

门阵列 45对从校准传感器 39、介质端传感器 47以及介质宽度传感器 55输入的模拟电压进行量化而作为数字数据，并输出给 CPU40。 - 中国語 特許翻訳例文集

ゲートアレイ45は、整列センサー39、媒体端センサー47及び媒体幅センサー55から入力されるアナログ電圧を量子化してデジタルデータとし、CPU40に出力する。

门阵列 45对从调整传感器 39、介质端传感器 47以及介质宽度传感器 55输入的模拟电压进行量化，使之成为数字数据，并输出到 CPU40。 - 中国語 特許翻訳例文集

ゲートアレイ45は、検出値処理部として機能し、第1スキャナー111及び第2スキャナー112から供給されたアナログ電圧を量子化して、画素毎のデジタルデータを並べたデータとしてCPU40に出力する。

门阵列 45作为检测值处理部发挥作用，对从第一扫描器 111以及第二扫描器 112供给的模拟电压进行量化，并将其作为排列了每个像素的数字数据的数据，输出到 CPU40。 - 中国語 特許翻訳例文集

読み出しゲート42に電圧を印加したままでCCDメモリ30及び垂直CCD50における転送動作を順次行えば、次の信号電荷も同様にそのまま垂直CCD50に順次転送される。

随着 CCD存储器30和垂直 CCD50的传输动作的依次实行，如果始终向读出门 42施加电压，则也能够将下一个的信号电荷保持原样地向垂直 CCD50传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、ドレインゲート40に印加する電圧をこれらの中間の値とし、所定の量を越えた分の信号電荷だけをドレイン40に転送することも可能である。

但是，也能够对漏极门 40施加电压这些值的一些中间值的电压，以至于仅将超过了所定的量的份的信号电荷向漏极 41转送传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2のスイッチング素子TR2の入力電極は電圧信号線Vssに接続され、制御電極は第2のスキャン開始信号線STVP2に接続され、出力電極はゲート線G1〜Gn＋1に接続されている。

第二开关元件 TR2的输入电极连接到电压信号线 Vss，控制电极连接到第二扫描开始信号线 STVP2，输出电极连接到栅极线 G1至 Gn+1。 - 中国語 特許翻訳例文集

続いて、後者の手法、即ち選択トランジスタ25をオフするときにゲートに負電圧を与える具体的な実施例について以下に説明する。

接着，下面将详细描述后一种方法即当选择晶体管 25被关断时将负电压施加到栅极的实施例。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセットトランジスタ22は、ドレイン端子が電源（電圧VDD）26に接続され、ソース端子がFD25に接続され、ゲート端子がリセット線RESETに接続されている。

复位晶体管 22的漏极端子与电源 (电压 VDD)26连接，源极端子与 FD25连接，栅极端子与复位线 RESET连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

アドレストランジスタ24は、ドレイン端子が電源（電圧VDD）26に接続され、ソース端子が増幅トランジスタ23のドレイン端子に接続され、ゲート端子がアドレス線ADDRESSに接続されている。

地址晶体管 24的漏极端子与电源 (电压 VDD)26连接，源极端子与放大晶体管 23的漏极端子连接，栅极端子与地址线 ADDRESS连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3側の3つのNMOSトランジスタ30，33，35の各ゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が共通に入力される。

基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3侧的 3个 NMOS晶体管 30、33、35的各栅极端子被公共输入来自列选择电路 5a的列选择信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

供給電圧制御回路13は、垂直走査回路12で選択走査された行を駆動するアドレス信号ADRを入力とし、電圧供給回路14から供給される複数の第1制御電圧、例えば4つの電圧Vtrg1，Vtrg2，Vtrg3，Vtrg4（Vtrg1＞Vtrg2＞Vtrg3＞Vtrg4）のうちの1つを、タイミング発生回路15から供給されるタイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3を基に選択して単位画素20内の転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。

供应电压控制电路 13利用地址信号 ADR作为输入，其驱动由垂直扫描电路 12选定和扫描的行，并且通过基于从时序发生器电路 15供应的时序信号 PTRG1、PTRG2、PTRG3选定电压，向单元像素 20中的转移晶体管 22的栅电极供应从电压供应电路 14供应的多个第一控制电压中的一个电压，所述多个第一控制电压例如为四个电压 Vtrg1、Vtrg2、Vtrg3和Vtrg4(Vtrg1＞ Vtrg2＞ Vtrg3＞ Vtrg4)。 - 中国語 特許翻訳例文集

回路ブロック134は、アドレス信号ADRとNOR回路135の出力信号とを2入力とするAND回路1341、アドレス信号ADRを一方の（否定）入力とし、AND回路1341の出力信号を他方の入力とするOR回路1342、レベルシフタ1343およびNチャネルの駆動トランジスタ1344により構成され、接地電圧よりも低い電圧Vtrg4を選択して転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。

电路块 134包括采用地址信号 ADR和 NOR电路 135的输出作为两个输入的 AND电路 1341，采用地址信号 ADR作为一个 (负 )输入并且采用 AND电路的输出信号作为另一个输入的 OR电路 1342，电平相移器 1343以及 N-沟道驱动晶体管 1344，其选定电压 Vtrg4(所述电压 Vtrg4低地电压 )并且将其供应到转移晶体管 22的栅电极。 - 中国語 特許翻訳例文集

8は各保持手段5からの信号を走査信号7に応じて出力する共通出力線、9はゲート信号φCHRに応じて共通出力線8を電圧VCHRにリセットするリセット手段、10は共通出力線8からの信号を増幅し出力する出力回路である。

公共输出线 8，其用于根据扫描线 7的扫描信号输出来自保持单元 5中的每一个保持单元的信号； 复位单元 9，其用于根据栅极信号 将公共输出线 8复位到电压 VCHR； - 中国語 特許翻訳例文集

第1スキャナー111及び第2スキャナー112は、記録媒体Sの表面をリニアイメージセンサー111A、112A（図6）により光学的に読み取り、リニアイメージセンサー111A、112Aの検出値（電圧）を受光素子110A毎に読み出してゲートアレイ45に供給する。

第一扫描器 111以及第二扫描器 112由线性图像传感器 111A、112A(图 6)光学地读取记录介质 S的表面，按每个受光元件 110A读出线性图像传感器 111A、112A的检测值 (电压 )，并供给到门阵列 45。 - 中国語 特許翻訳例文集

図9を参照すると、表示装置（display device）50は、表示パネル（display panel）100と、バックライトユニット200と、データ駆動部400と、ゲート駆動部500と、イメージ信号処理部（image signal processor）610と、ステレオ制御部（stereo controller）620と、フレーム変換制御部（frame conversion controller）630と、フレームメモリ（frame memory）640と、輝度制御部（luminance controller）210と、階調電圧生成部800などを備える。

参照图 9，显示装置 50包括显示面板 100、背光单元 200、数据驱动器 400、栅极驱动器500、图像信号处理器610、立体控制器620、帧转换控制器630、帧存储器640、亮度控制器 210和灰度电压产生器 800。 - 中国語 特許翻訳例文集

第6のトランジスターTr6の制御端子にはリセット端子REを介してダミーステージの伝達信号CRが印加され、第9のトランジスターTr9の制御端子には第2の入力端子IN2を介して次段のステージのゲート電圧が入力される。

第六晶体管 Tr6的控制端通过重置端 RE接收伪级的传输信号 CR，通过第二输入端 IN2向第九晶体管 Tr9的控制端输入下一级的栅极电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

第3のトランジスターTr3の制御端子はプルアップ駆動部511の第7のトランジスターTr7の出力端子に接続され、第2のトランジスターTr2の制御端子には第2の入力端子IN2を介して次段のステージのゲート電圧が入力される。

第三晶体管 Tr3的控制端连接到上拉驱动器 511的第七晶体管 Tr7的输出端，通过第二输入端 IN2向第二晶体管 Tr2的控制端输入下一级的栅极电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加されているので、信号電荷S1が排出された浮遊拡散領域145の電圧（以下、リセットレベルR2と称する）を示す画素信号が、増幅トランジスタ148から垂直信号線155に出力される。

这里，由于选择脉冲 SEL被施加至选择晶体管 147的栅电极，表示浮置扩散区 145(其释放信号电荷 S1)的电压 (下文中称作复位电平 R2)的像素信号从放大晶体管 148输出至垂直信号线 155。 - 中国語 特許翻訳例文集

電荷蓄積ゲート71への電圧印加を停止し、隣接する入力ゲート72をオンとすることにより、蓄積された信号電荷はCCDメモリ80の入力転送段81に転送される。 CCDメモリ80は、前記の4相駆動とされ、図中のA1〜A4に転送パルスを印加することにより、次の信号電荷が順次入力転送段81に転送され、既に入力転送段81に転送された信号電荷は最終転送段82まで図中の矢印で示された経路で転送される。

通过停止向电荷积蓄门 71施加电压、接通邻接的输入门 72，将积蓄了的信号电荷向 CCD存储器 80的输入传输段 81传输，CCD存储器 80，假设为上述的四相驱动 CCD，通过在图中的 A1至 A4上施加传输脉冲，将下一个的信号电荷向输入传输段 81依次传输，并将已传输至输入传输段 81的信号电荷沿着用图中的箭头显示的途径传输至最终传输段82。 - 中国語 特許翻訳例文集

この画素回路では、リセット電圧Vrstを垂直信号線111から選択的に供給する構成となっているために、リセットトランジスタ23がFD部26（増幅トランジスタ24のゲート電極）と垂直信号線111との間に接続されるとともに、垂直信号線111にはスイッチパルスSWでオン状態となるスイッチトランジスタ27を介して選択的にリセット電圧Vrstが供給されることになる。

像素电路具有如下配置，其中，复位电压 Vrst被选择性地从垂直信号线 111供应，因此，复位晶体管 23被连接在 FD区 26(放大晶体管 24的栅电极 )和垂直信号线 111之间，并且复位电压 Vrst通过开关晶体管 27被选择性地供应到垂直信号线 111，所示开关晶体管 27通过开关脉冲 SW导通。 - 中国語 特許翻訳例文集