「トランジスター利得」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

グランド側の2つのNMOSトランジスタ26，28ではNMOSトランジスタ26のゲート端子にn列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dnが入力され、また、NMOSトランジスタ28のゲート端子にn＋1列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dn＋1が入力される。

在电路接地端侧的 2个 NMOS晶体管 26、28处，NMOS晶体管 26的栅极端子被输入第 n列的寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn，另外，NMOS晶体管 28的栅极端子被输入第 n+1列的寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn+1。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセットトランジスタ54のソース、および、増幅トランジスタ55のソースは、所定の電源電圧VDDに接続されている。

重置晶体管 54的源极和放大晶体管 55的源极连接到预定电源电压 VDD。 - 中国語 特許翻訳例文集

PMOSトランジスタPT312のドレインがNMOSトランジスタNT312のドレインに接続され、その接続点によりアンプ310の出力ノードND312が形成されている。

PMOS晶体管 PT312的漏极连接至 NMOS晶体管 NT312的漏极，并且连接点构成放大器 310的输出节点 ND312。 - 中国語 特許翻訳例文集

入力部510は一つのトランジスター（第4のトランジスターTr4）を備え、第4のトランジスターTr4の入力端子及び制御端子は第1の入力端子IN1と共通に接続（ダイオード接続）され、出力端子はQ接点（以下、第1のノードともいう）に接続されている。

输入部分 510包括一个晶体管 (第四晶体管 Tr4)，第四晶体管 Tr4的输入端和控制端被共同连接 (二极管连接 )到第一输入端 IN1，输出端连接到节点 Q(以下，称为第一节点 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、補助トランジスタ105のゲート−ドレイン間電圧は“VTT”よりも低い“VTT−Vth”になる。

例如，辅助晶体管 105的栅极—漏极间电压成为比“VTT”低的“VTT-Vth”。 - 中国語 特許翻訳例文集

この例では、1行読み出し期間における垂直信号線（VSL1）501、第2負荷トランジスタゲート線622、第2負荷トランジスタ624のソース端子および負荷トランジスタゲート線612における電位変動が示されている。

在该示例中，示出了在一行读出时段期间垂直信号线 (VSL1)501、第二负载晶体管栅极线622、第二负载晶体管624的源极端子、以及负载晶体管栅极线612的电势中的改变。 - 中国語 特許翻訳例文集

各リセットトランジスタ113Cのゲート電極が共通のリセット線118Cに接続されている。

各个复位晶体管 113C的栅极电极连接到公共复位线 118C。 - 中国語 特許翻訳例文集

図2の共有画素ユニット41は、フォトダイオード（PD0，PD1）51−1，51−2、転送トランジスタ（M0，M1）52−1，52−2、フローティングディフュージョン（FD）53、リセットトランジスタ（M2）54、増幅トランジスタ（M3）55、および選択トランジスタ（M4）56から構成される。

图 2中的共享像素单元 41包括光电二极管 (PD0和 PD1)51-1和 51-2、传送晶体管(M0和 M1)52-1和 52-2，浮置扩散 (FD)53、重置晶体管 (M2)54、放大晶体管 (M3)55、以及选择晶体管 (M4)56。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、MOSトランジスタ221と定電流源225とで構成されるソースフォロワの出力はVRSである。

此时，包含 MOS晶体管 221和恒流源 225的源跟随器的输出为 VRS。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、転送トランジスタ412は、そのゲート端子が電荷転送線331および332に接続され、そのドレイン端子がフローティングディフュージョンFDを介してリセットトランジスタ413のソース端子と増幅トランジスタ414のゲート端子とに接続される。

此外，传输晶体管 412使其栅极端子连接到电荷传输线 331和 332，并且经由浮动扩散 FD使其漏极端子连接到复位晶体管 413的源极端子和放大晶体管 414的栅极端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

PMOSトランジスタPT311のドレインがNMOSトランジスタNT311のドレインに接続され、その接続点によりノードND311が形成されている。

PMOS晶体管 PT311的漏极连接至 NMOS晶体管 NT311的漏极，并且连接点构成节点ND311。 - 中国語 特許翻訳例文集

グランド側のNMOSトランジスタ26のゲート端子にn列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dnが入力される。

电路接地端侧的 NMOS晶体管 26的栅极端子被输入第 n列寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn。 - 中国語 特許翻訳例文集

第3のトランジスターTr3の制御端子はプルアップ駆動部511の第7のトランジスターTr7の出力端子に接続され、第2のトランジスターTr2の制御端子には第2の入力端子IN2を介して次段のステージのゲート電圧が入力される。

第三晶体管 Tr3的控制端连接到上拉驱动器 511的第七晶体管 Tr7的输出端，通过第二输入端 IN2向第二晶体管 Tr2的控制端输入下一级的栅极电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

電源側に直列配置されるPMOSトランジスタ60，61およびPMOSトランジスタ66，67において、電源64にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ60，66のうち、PMOSトランジスタ60のゲート端子には、n＋1列目のレジスタデータDn＋1が直接入力され、PMOSトランジスタ66のゲート端子には、n＋1列目のレジスタデータDn＋1を論理反転したデータ（／Dn＋1）とn列目のレジスタデータDnを論理反転したデータ（／Dn）とがNAND回路70を介して入力される。

在配置于电源侧的 PMOS晶体管 60、61和 PMOS晶体管 66、67中，在源极端子连接到电源 64的 PMOS晶体管 60、66中 PMOS晶体管 60的栅极端子被直接输入第 n+1列的寄存器数据 Dn+1，PMOS晶体管 66的栅极端子经由 NAND电路 70被输入对第 n+1列寄存器数据Dn+1进行逻辑反转后的数据 (/Dn+1)和对第 n列寄存器数据 Dn进行逻辑反转后的数据 (/Dn)。 - 中国語 特許翻訳例文集

単位画素2aでは、増幅トランジスタ23のドレイン端子がアドレストランジスタ24を介して電源26が接続され、ソース端子が垂直信号線VSLおよびスイッチトランジスタ14を介して電流源15が接続されるので、増幅トランジスタ23は、ソースフォロワ回路を構成する。

在单位像素2a中，放大晶体管 23的漏极端子经由地址晶体管 24与电源 26连接，源极端子经由垂直信号线 VSL以及开关晶体管 14与电流源 15连接，因此，放大晶体管 23构成源极跟踪器电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

PチャネルMOSトランジスタ22のゲートには、差動入力信号の他方の信号IN2が入力される。

差分输入信号的另一个信号 IN2进入 P沟道 MOS晶体管 22的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集

PチャネルMOSトランジスタ21のゲートには、差動入力信号の一方の信号IN1が入力される。

差分输入信号的一个信号 IN1进入 P沟道 MOS晶体管 21的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集

負荷MOSトランジスタ105は垂直出力線毎に設けられ、ゲートが共通に接続されている。

负载 MOS晶体管 105是对于各个垂直输出线 102设置的。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、PMOSトランジスタ60，66のドレイン端子にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ61，67の各ゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。

另外，源极端子连接到 PMOS晶体管 60、66的漏极端子的 PMOS晶体管 61、67的各栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

負荷MOSトランジスタ51−1〜51−nは画素読み出し時のソースフォロワの電流源として機能する。

当像素被读出时，负载 MOS晶体管 51-1至 51-n用作源极跟随器的电流源。 - 中国語 特許翻訳例文集

負荷MOSトランジスタ151−1〜151−nは画素読み出し時のソースフォロワの電流源として機能する。

当像素被读出时，负载 MOS晶体管 151-1至 151-n用作源极跟随器的电流源。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧線Vref1を駆動するPMOSトランジスタ75，76のうち、電源77にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ75のゲート端子は、グランドに接続され、PMOSトランジスタ75のドレイン端子と基準電圧線Vref1との間に介在するPMOSトランジスタ76のゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。

驱动基准电压线 Vref1的 PMOS晶体管 75、76中源极端子连接到电源 77的 PMOS晶体管 75的栅极端子与电路接地端连接，处于 PMOS晶体管 75的漏极端子与基准电压线Vref1之间的 PMOS晶体管 76的栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

つまり、リモートクライアント103は、上述したトランスコードの変換体系（その中に含まれる各クリップの素性）を表すファミリーツリー（FT）等をモニタに表示する等して、ユーザに提示する。

即，远程客户端 103通过将表示上述的转码的转换体系 (包含在其中的各剪辑的来历 )的家谱树 (FT)等显示在监视器上等来向用户进行提示。 - 中国語 特許翻訳例文集

増幅トランジスタ23は、アドレストランジスタ24が行選択されてオンしドレイン端子が電源26に接続され、かつスイッチトランジスタ14がオンして電流源15が垂直信号線VSLを介してソース端子に接続されたときにソースフォロワ回路を構成する。

在地址晶体管 24被行选择后导通时，放大晶体管 23的漏极端子与电源 26连接，且在开关晶体管 14导通后电流源 15经由垂直信号线 VSL与源极端子连接时，构成源极跟踪器电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

全てのリセットトランジスタ200のゲートは、画素210の各行内で互いに接続されている。

所有复位晶体管 200的栅极在每一像素 210行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

全てのリセットトランジスタ300のゲートは、画素310の各行内で互いに接続されている。

所有复位晶体管 300的栅极在每一像素 310行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

全てのリセットトランジスタ100のゲートは、画素110の各行内で互いに接続されている。

所有复位晶体管 100的栅极在每一像素110行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

全てのリセットトランジスタ101のゲートは、画素110の各行内で互いに接続されている。

所有复位晶体管 101的栅极在每一像素 110行内连接在一起。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2設定トランジスタ621は、タイミング制御回路200から供給された維持制御信号に基づいて、第2負荷トランジスタ624のゲート端子に接続された負荷トランジスタゲート線622と、基準電流線601と間の接触の有無を切り替えるスイッチである。

第二设置晶体管 621是被适配为基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号、在连接到第二负载晶体管 624的栅极端子的第二负载晶体管栅极线 622和参考电流线 601之间出现接触和不出现接触间进行切换的开关。 - 中国語 特許翻訳例文集

設定トランジスタ611は、タイミング制御回路200から供給される維持制御信号に基づいて、負荷トランジスタ614のゲート端子に接続された負荷トランジスタゲート線612と、基準電流線601と間の接触の有無を切り替えるスイッチである。

设置晶体管 611是被适配为基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号、在连接到负载晶体管 614的栅极端子的负载晶体管栅极线 612和参考电流线 601之间出现接触和不出现接触间进行切换的开关。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、この場合、電圧緩和トランジスタ102のドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”であるので、電圧緩和トランジスタ102の端子間電圧（ゲート−ドレイン間電圧，ゲート−ソース間電圧，およびソース−ドレイン間電圧）を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，该情况下，由于电压缓和晶体管 102的漏极电压及栅极电压为“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 102的端子间电压 (栅极—漏极间电压、栅极—源极间电压以及源极—漏极间电压 )比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、NMOSトランジスタNT311のゲートにより第1の信号入力端子が形成され、NMOSトランジスタNT312のゲートにより第2の信号入力端子が形成される。

NMOS晶体管 NT311的栅极构成第一信号输入端子，而 NMOS晶体管 NT312的栅极构成第二信号输入端子。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、基準電圧線Vref3を駆動するNMOSトランジスタ78，79のうち、基準電圧線Vref3にドレイン端子が接続されるNMOSトランジスタ78のゲート端子には、列選択信号が入力され、NMOSトランジスタ78のソース端子とグランドとの間に介在するNMOSトランジスタ79のゲート端子は、電源77に接続されている。

另外，驱动基准电压线 Vref3的 NMOS晶体管 78、79中漏极端子与基准电压线Vref3连接的 NMOS晶体管 78的栅极端子被输入列选择信号，处于 NMOS晶体管 78的源极端子与电路接地端之间的 NMOS晶体管 79的栅极端子与电源 77连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

データ線10側の2つのNMOSトランジスタ25，27の各ゲート端子には列選択回路5aからの列選択信号が共通に入力される。

在数据线 10侧的 2个 NMOS晶体管 25、27的各栅极端子公共被输入来自列选择电路 5a的列选择信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素ダミー選択トランジスタ118のゲートが垂直走査部120により供給される選択パルスDSELの供給ラインに接続されている。

像素哑选择晶体管118的栅极连接至将由垂直扫描部件120供给的选择脉冲DSEL的供给线。 - 中国語 特許翻訳例文集

データ線10側のNMOSトランジスタ25のゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が入力される。

数据线 10侧的 NMOS晶体管25的栅极端子被输入来自列选择电路 5a的列选择信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

この開始時点において、駆動トランジスタN2のゲート・ソース間電圧Vgsは、バラツキを考慮しても閾値電圧Vthより広くなっている。

在开始时刻，甚至当考虑变动时，所述驱动晶体管 N2的栅 /源极之间的电压 Vgs也比所述阈值电压 Vth更宽。 - 中国語 特許翻訳例文集

第6のトランジスターTr6の制御端子にはリセット端子REを介してダミーステージの伝達信号CRが印加され、第9のトランジスターTr9の制御端子には第2の入力端子IN2を介して次段のステージのゲート電圧が入力される。

第六晶体管 Tr6的控制端通过重置端 RE接收伪级的传输信号 CR，通过第二输入端 IN2向第九晶体管 Tr9的控制端输入下一级的栅极电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、電圧緩和トランジスタ202pのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT−Vα”，“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202pの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，由于电压缓和晶体管 202p的漏极电压及栅极电压分别为“VTT-Vα”、“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ202は、フローティング・ディフュージョン204と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 202缓冲浮动扩散部 204与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ302は、フローティング・ディフュージョン304と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 302缓冲浮动扩散部 304与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランジスタ102は、フローティング・ディフュージョン104と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。

晶体管 102缓冲浮动扩散部 104与输出列信号导线之间的电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

より効率的なロジスティックス管理を行なうため、多くのトラックターミナルが空港の隣に建てられている。

为了实行更有效率的物流管理， 很多货车中转站依机场而建。 - 中国語会話例文集

また、基準トランジスタ690は、そのソース端子が接地され、かつ、そのゲート端子およびドレイン端子が基準電流線601に接続される。

此外，参考晶体管 690使其源极端子接地，并且使其栅极端子和漏极端子连接到参考电流线 610。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6においては、光電変換素子D1、FD容量C1、各トランジスタのゲート、ソース、ドレインおよび配線以外は省略している。

参考图 6，没有示出除了光电转换元件 D1、FD电容器 C1、各个晶体管的栅极、源极和漏极、以及内部连线以外的组件。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、電圧緩和トランジスタ202p，202nのドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”になるので、電圧緩和トランジスタ202p，202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

而且，由于电压缓和晶体管 202p、202n的漏极电压及栅极电压为“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 202p、202n的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

つまり、リモートクライアント103が、以上のようなFT用GUI画像430を表示することにより、ユーザは、例えば、トランスコードに関してあるクリップと関連する所望のクリップを容易に検索し、選択することができる。

即，通过远程客户端 103显示如上所示的用于 FT的 GUI图像 430，用户能够容易地检索并选择例如与涉及转码的剪辑有关的希望的剪辑。 - 中国語 特許翻訳例文集

同様に、電圧緩和トランジスタ202nのドレイン電圧およびゲート電圧は、それぞれ、“VTT”，“VTT−Vα”になるので、電圧緩和トランジスタ202nの端子間電圧を“VTT”よりも低くすることができる。

同样，由于电压缓和晶体管 202n的漏极电压及栅极电压分别为“VTT”、“VTT-Vα”，所以可以使电压缓和晶体管 202n的端子间电压比“VTT”低。 - 中国語 特許翻訳例文集

NMOSトランジスタNT311のゲートがキャパシタC311の第1電極に接続され、その接続点によりノードND313が形成されている。

NMOS晶体管NT311的栅极连接至电容器C311的第一电极，避过且连接点构成节点ND313。 - 中国語 特許翻訳例文集

NMOSトランジスタNT312のゲートがキャパシタC312の第1電極に接続され、その接続点によりノードND314が形成されている。

NMOS晶体管 NT312的栅极连接至电容器 C312的第一电极，并且连接点构成节点ND314。 - 中国語 特許翻訳例文集