「トランジスター利得」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

【図9】本発明のここに例示する実施形態により、ユーザ装置に対して、ここに例示する別の方法の操作と、ここに例示するコンピュータプログラムインストラクションの実行の結果とを示す論理フロー図である。

图 9是根据本发明的示例性实施例对于用户设备说明另一示意性方法的操作以及示例性计算机程序指令的执行结果的逻辑流程图。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、このような長期的な電位低下は、設定トランジスタ611から負荷トランジスタゲート線612へのチャンネルリーク電流によって抑制されると考えられる。

然而，这样的长期下降有可能被从设置晶体管 611到负载晶体管栅极线 612的沟道漏电流抑制。 - 中国語 特許翻訳例文集

このような場合、上述したようにファミリーツリー（FT）の構成を複製して、複数のトランスコードの実行を定型処理として指示することができるようにすることにより、ユーザは、容易にトランスコードの作業を指示することができる。

在这样的情况下，如上所述，能够复制家谱树 (FT)的结构并指示多个转码的执行作为定型处理，由此用户能够容易地指示转码的操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

この状態から、ユーザがトランスコードの実行を指示すると、計画した通りにトランスコードが実行され、実際にクリップ482乃至クリップ487（のファイル）が生成される。

当从该状态用户指示执行转码时，按照计划来执行转码，实际上被生成剪辑 482至剪辑 487(的文件 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、選択トランジスタTr4のソースを列信号線VSLと接続しないことで、増幅トランジスタTr3から列信号線VSLへ誤って信号が出力されないようにしている。

选择晶体管Tr4的源极不连接到列信号线VSL，以防止来自放大晶体管Tr3的信号错误地输出到列信号线 VSL。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧線Vref側のNMOSトランジスタ30ゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が入力される。

基准电压线Vref侧的 NMOS晶体管 30的栅极端子被输入来自列选择电路 5a的列选择信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

図6に示されるように、リモートクライアント103−1は、ユーザがマルチフォーマットトランスコーダ101を制御するためのGUIを表示する機能であるクライアントGUI（Client GUI）411−1と、マルチフォーマットトランスコーダ101との通信機能であるSOAPインタフェース（SOAP i/f）412−1を有している。

如图 6所示，远程客户端 103-1具有用于显示用户控制多格式转码器 101的 GUI功能的客户端 (Client GUI)411-1，以及起到与多格式转码器 101进行通信作用的 SOAP接口 (SOAP i/f)412-1。 - 中国語 特許翻訳例文集

逆相内部ノード／Dは、「差動増幅回路の一方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ54を介してデータ線に接続され、正相内部ノードDは、「差動増幅回路の他方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ55を介して基準電圧線Vrefに接続されている。

反相内部节点 /D作为“差动放大电路的一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 54与数据线连接，正相内部节点 D作为“差动放大电路的另一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 55与基准电压线 Vref连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

制御信号線21側のNMOSトランジスタ40のゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が入力される。

控制信号线 21侧的 NMOS晶体管 40的栅极端子被输入来自列选择电路 5a的列选择信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

トランシーバ10は、数多くの電気コンポーネント、光コンポーネント及び光エレクトロニクスコンポーネントを動作可能な態様で支持するプリント回路基板PCBを有する。

收发机 10包括可操作地支持数个电、光和光电组件的印刷电路板 PCB。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1の入力トランジスタ201のゲートに第1の共通出力線2からの信号が入力される。

信号从第一共用输出线2被输入到第一输入晶体管 201的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集

FD22は転送された信号電荷を電圧信号に変換して増幅トランジスタTr3のゲートに出力する。

传送的信号电荷在浮置扩散 22处被转换为电压信号，并输出到放大晶体管 Tr3的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、各画素ブロック160Cの複数の画素の転送トランジスタのソースまたはドレインが共通の出力信号線131に接続されている。

每个像素块 160C的多个像素的传送晶体管的源极或漏极连接到公共输出信号线 131。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加されているので、信号電荷S1が排出された浮遊拡散領域145の電圧（以下、リセットレベルR2と称する）を示す画素信号が、増幅トランジスタ148から垂直信号線155に出力される。

这里，由于选择脉冲 SEL被施加至选择晶体管 147的栅电极，表示浮置扩散区 145(其释放信号电荷 S1)的电压 (下文中称作复位电平 R2)的像素信号从放大晶体管 148输出至垂直信号线 155。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号電圧VP1が“VTT−Vα”であり、信号電圧VN1が“VTT”である場合、供給ノードN201pの電圧（電圧緩和トランジスタ202pのソース電圧）は、“VTT−Vth”に設定され、供給ノードN201nの電圧（電圧緩和トランジスタ202nのソース電圧）は、“VTT−Vα−Vth”に設定される。

在信号电压 VP1为“VTT-Vα”、信号电压 VN1为“VTT”的情况下，供给节点 N201p的电压 (电压缓和晶体管 202p的源极电压 )被设定为“VTT-Vth”，供给节点 N201n的电压(电压缓和晶体管 202n的源极电压 )被设定为“VTT-Vα-Vth”。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、図2において、負荷トランジスタ31のゲートに図5に示すスイッチングパルスLOADを印加することで、負荷トランジスタ31にスイッチ素子としての役割を持たせる。

更具体地说，在图 4中，图 7所示的开关脉冲 LOAD被提供到负载晶体管 31的栅极，这使负载晶体管 31充当开关元件。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明のこの態様は、UEまたはMSCサーバがDevIDを保護するときに採用されるのと同じ技法を使用するが、レジストラ（S−CSCF）により実施される。

本发明的此方面使用在 UE或 MSC服务器保护 DevID时采用的，但由注册器 (S-CSCF)执行的相同技术。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、メッセージ認証器314は、メッセージの再読み取りの試みがオリジナルのスクランブリング情報（例えば、最初の読み取り試みに利用されたのと同じスクランブリング情報）によってうまくいけば、署名情報の変化以外の理由でメッセージがうまく読み取られなかったと確認することができる。

此外，消息检验器 314能够确认： - 中国語 特許翻訳例文集

M個のスイッチトランジスタ14の各ゲート端子はタイミング制御回路10が制御する電流制御線16に並列に接続されている。

M个开关晶体管 14的各栅极端子并联地连接在定时控制电路 10所控制的电流控制线 16上。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図6】本発明のここに例示する実施形態により、図2Aに示すネットワークアクセスノード（eNB）に対して、ここに例示する方法の操作と、ここに例示するコンピュータプログラムインストラクションの実行の結果とを示す論理フロー図である。

图 6是根据本发明的示例性实施例对于图 2A中所示的网络接入节点 (eNB)说明示意性方法的操作以及示例性计算机程序指令的执行结果的逻辑流程图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図8】本発明のここに例示する実施形態により、ネットワークアクセスノード（eNB）に対して、ここに例示する別の方法の操作と、ここに例示するコンピュータプログラムインストラクションの実行の結果とを示す論理フロー図である。

图 8是根据本发明的示例性实施例对于网络接入节点 (eNB)说明另一示意性方法的操作以及示例性计算机程序指令的执行结果的逻辑流程图。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように構成することにより、入力ノードN103の電圧が補助トランジスタ105のゲート電圧を超えないように入力ノードN103の電圧を制限できるので、レシーバ103の耐圧破壊を確実に防止できる。

通过如此构成，可以按照输入节点 N103的电压不超过辅助晶体管 105的栅极电压的方式来限制输入节点 N103的电压，因此能够可靠地防止接收器103的耐压破坏。 - 中国語 特許翻訳例文集

読み出しトランジスタ21は、ゲート端子に接続される読み出し線READの電圧によりオン・オフ制御される。

读出晶体管 21通过与栅极端子连接的读出线 READ的电压来进行导通 /截止控制。 - 中国語 特許翻訳例文集

命令変換器259Pのトランシーバとも呼ばれる組合せ両方向TX−RXドライバ／受信機33Aおよび32Aは、調光器回路6M−2のLED13Aおよびフォトダイオード12Aに相当するLED13Aおよびフォトトランジスタまたはダイオード12Aを介してプロトコルを送り、また受信する。

命令转换器 259P的组合双向 TX-RX驱动器 /接收器 33A和 32A（也称为收发器）经由与调光器电路 6M-2的 LED 13A和光电二极管 12A互易的 LED 13A和光电晶体管或二极管 12A来馈送和接收协议。 - 中国語 特許翻訳例文集

特許文献1には、第1および第2のnMOSトランジスタから構成されたオープンドレイン型出力回路が開示されている。

专利文献 1中公开了一种由第一及第二 nMOS晶体管构成的开放 (open)漏极型输出电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

転送トランジスタ（以下転送Trと呼ぶ）302a〜302c はフォトダイオードに蓄積された光信号電荷をフローティングディフフュージョンに転送し、フォトダオード（以下、PD）303a〜303cは光電変換素子である。

传送晶体管 (下文中简称为传送 Tr)302a至 302c将累积在 PD303a至 PD 303c上的光信号电荷传送到浮动扩散 (下文中简称为 FD)304a至 304c，并且 PD 303a至 PD 303c是光电转换元件。 - 中国語 特許翻訳例文集

遮断の指示を有するRDI、例えば、RDI＝1を受信するとすぐ、ルート1は、選択装置ブリッジが保護トランスポートエンティティに接続して、リーフの保護経路上でトラフィックを転送するための指示をルート2に提供し、一方、選択装置ブリッジは、作動トランスポートエンティティに対する接続を維持することになる。

在接收到具有断开指示的 RDI时，例如， RDI＝ 1，则根 1向根 2提供关于在叶的保护路径上转发业务的指示，并且选择器桥接器连接到保护传输实体，同时选择器桥接器将保留针对工作传输实体的连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

この負荷電流15と増幅トランジスタAMPTrとでソースホロワ回路を構成し、画素信号を読み出す。

由该负荷电流 15和放大晶体管 Amp Tr.构成源极跟随电路，读取像素信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

特定利用者に対しては、バナーページに表示する内容を変更して出力することができるので、バナーページから重要な情報が他の利用者に読取られてしまうことを防ぐことができる。

对于特定的利用者，可以变更在标题页中显示的内容并输出，因此可以防止其他利用者从标题页读取重要的信息。 - 中国語 特許翻訳例文集

キューイング機能76（又は個別のキューイング機能76A、76B、76C）は、トラフィックが適切なリンクに配置されることを可能にするため、転送機能からのトラフィックを保持する。

排队功能 76（或单独排队功能 76A、76B、76C）保持来自转送功能的业务以使得业务能够被置于适当的链路上。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1実施例では、画素20内の選択トランジスタ25をオフときに、そのゲート電圧を当該選択トランジスタ25が形成されているウェルの電圧よりもオフ側、本例では負電圧に設定することを特徴としている。

第一实施例的特征在于，当像素 20的选择晶体管 25被关断时，其栅极电压被设为一电压也就是负电压，该电压距关断侧比距其中形成了选择晶体管 25的阱的电压更近。 - 中国語 特許翻訳例文集

蓄積時間中は、光電変換素子21で電気信号に変換された信号が、ソースフォロワ回路の入力トランジスタ23のソース電極より増幅されて出力されている。

在积累期间中，在源极跟随器电路中的输入晶体管 23的源极处将光电转换元件 21中转换的电信号放大，并从那里输出。 - 中国語 特許翻訳例文集

回路ブロック134は、アドレス信号ADRとNOR回路135の出力信号とを2入力とするAND回路1341、アドレス信号ADRを一方の（否定）入力とし、AND回路1341の出力信号を他方の入力とするOR回路1342、レベルシフタ1343およびNチャネルの駆動トランジスタ1344により構成され、接地電圧よりも低い電圧Vtrg4を選択して転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。

电路块 134包括采用地址信号 ADR和 NOR电路 135的输出作为两个输入的 AND电路 1341，采用地址信号 ADR作为一个 (负 )输入并且采用 AND电路的输出信号作为另一个输入的 OR电路 1342，电平相移器 1343以及 N-沟道驱动晶体管 1344，其选定电压 Vtrg4(所述电压 Vtrg4低地电压 )并且将其供应到转移晶体管 22的栅电极。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3において、垂直走査回路300は画素配列から特定の読み出し行を選択し、リセットトランジスタ（以下リセットTrと呼ぶ）301a〜301cはフォトダイオードに蓄積された光信号電荷をリセットする。

参考图 3，垂直扫描电路300从像素矩阵中选择特定的读出行，并且复位晶体管(下文中称为复位Tr)301a至 301c使累积在光电二极管 (下文中称为 PD)303a至 303c上的光信号电荷复位。 - 中国語 特許翻訳例文集

差動アンプ115の非反転入力端子は画素101の出力端子からの信号を受けるように構成されており、その出力端子は最大値検出用NMOSトランジスタ116のゲート端子と接続されている。

差分放大器 115被配置为使得从像素 101输出的信号被输入到差分放大器 115的非反相输入端子。 差分放大器 115的输出端子与最大值检测 NMOS晶体管 116的栅极端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

差動アンプ118の非反転入力端子は画素101の出力端子からの信号を受けるように構成されており、その出力端子は最小値検出用PMOSトランジスタ119のゲート端子と接続されている。

差分放大器 118被配置为使得从像素 101输出的信号被输入到差分放大器 118的非反相输入端子。 差分放大器 118的输出端子与最小值检测 PMOS晶体管 119的栅极端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

これは、トラフィックが各中間ノードにより処理される必要を排除することによって、他のホップ毎のリンクをからトラフィックを維持する。

这通过消除对由每个中间节点来处理业务的需要来保持业务远离其它逐跳链路。 - 中国語 特許翻訳例文集

フォトダイオードPDは光信号を電気信号に変換する光電変換を行い、そのアノードは接地電源GNDに接続され、カソードは読み出しトランジスタREADTrの電流経路の一端に接続される。

光电二极管 PD进行将光信号变换为电信号的光电变换，其正极连接在接地电压GND上，负极连接在读取晶体管 READTr的电流路径的一端。 - 中国語 特許翻訳例文集

待ち状態304にある間、もし所定の期間内にユーザがハード／ソフトキーの押下または音声コマンドの発行などによりイベントをトリガすると、デバイスは、エンローリーとして構成される、つまりエンローリーとしての役割を果たし、エンローリー発見段階（状態）306に入り、レジストラを求めてスキャンする。

在等待状态 304中，如果在预定的时间段内，用户例如通过按压硬 /软键或发出语音命令触发事件，则该装置被配置为加入者 (即，采用加入者的角色 )并进入扫描登记者的加入者发现阶段(状态 )306。 - 中国語 特許翻訳例文集

画素100は、光を電気（信号電荷）に変換するフォトダイオード（PD）106と、電気信号を増幅するFDアンプ107と、行選択スイッチを構成する行選択トランジスタ（Tr）108を備える。

光电二极管 (PD)106，其将光转换为电力 (信号电荷 )； FD放大器 107，其放大电信号； - 中国語 特許翻訳例文集

【図7】本発明のここに例示する実施形態により、図2A及び2Bに示すユーザ装置に対して、ここに例示する方法の操作と、ここに例示するコンピュータプログラムインストラクションの実行の結果とを示す論理フロー図である。

图 7是根据本发明的示例性实施例对于图 2A和图 2B中所示的用户设备说明示意性方法的操作以及示例性计算机程序指令的执行结果的逻辑流程图。 - 中国語 特許翻訳例文集

リセットトランジスタ22は、ドレイン端子が電源（電圧VDD）26に接続され、ソース端子がFD25に接続され、ゲート端子がリセット線RESETに接続されている。

复位晶体管 22的漏极端子与电源 (电压 VDD)26连接，源极端子与 FD25连接，栅极端子与复位线 RESET连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、取引コンポーネント1615は、2地点間（PTP）短距離動作モードの中でシグナリングおよびトラフィックを伝達するために、電磁（EM）スペクトルの赤外（IR）部分内で1つまたは複数の無線信号を送るように通信プラットフォーム1604を設定することができる。

例如，事务组件 1615可以设置通信平台 1604，使其在电磁 (EM)频谱的红外 (IR)部分中传递无线信号，以在点对点 (PTP)短距离操作模式内传送信令和业务量。 - 中国語 特許翻訳例文集

本実施例においても、最大値または最小値検出期間における共通出力線605の充放電は、最大値検出用NMOSトランジスタ116を流れるソース電流または最小値検出用PMOSトランジスタ119を流れるシンク電流によって行われる。

同样，在本实施例中，通过流过最大值检测 NMOS晶体管 116的拉电流或流过最小值检测 PMOS晶体管 119的灌电流来执行最大值检测周期或最小值检测周期中共用输出线605的充放电。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、時刻t19において、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から信号電荷S1が排出される。

具体地，在时间t19，复位脉冲RST被施加至复位晶体管146的栅电极，浮置扩散区145被复位，并从浮置扩散区 145中释放信号电荷 S1。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体的には、時刻t22において、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から信号電荷S2が排出される。

具体地，在时间t22，复位脉冲RST被施加至复位晶体管146的栅电极，浮置扩散区145复位，且从浮置扩散区 145释放信号电荷 S2。 - 中国語 特許翻訳例文集

MOSトランジスタ221は定電流源225とともにソースフォロワ回路を構成し、その出力はフィードバックスイッチ227の他方の端子と接続される。

MOS晶体管 221和恒流源 225包含于源跟随器电路中，并且，源跟随器电路的输出端子与反馈开关 227的另一端子连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、「CMOS」に含まれる「金属酸化物半導体」という用語は、従来は、半導体に形成される酸化物材料に金属ゲートが形成された電界効果トランジスタの物理構造のことを示す。

例如，术语“CMOS”中的短语“金属氧化物半导体”传统上可以表示在氧化物材料上形成金属栅极的场效应晶体管的物理结构，其形成于半导体上。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、垂直信号線Vsig1a、Vsig1bに用いられている配線H1をアンプトランジスタ4、4´のソース側の拡散層DF1にそれぞれ接続することにより、フローティングディフージョンFD1、FD1´と垂直信号線Vsig1b、Vsig1aとの間の距離をそれぞれ大きくすることができる。

此外，通过将用于垂直信号线Vsig1a、Vsig1b的配线H1分别连接在放大晶体管4、4′的源极侧的扩散层 DF1上，能够使浮动扩散部 FD1、FD1′与垂直信号线 Vsig1b、Vsig1a之间的距离分别变大。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生容量619は、負荷トランジスタ614のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と基準電流線601との間に形成される配線間容量からなる。

寄生电容器 619包括在负载晶体管 614的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和参考电流线 601之间形成的布线间电容器。 - 中国語 特許翻訳例文集