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「リード」を含む例文一覧

該当件数 : 224



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すなわち、この場合には、行単位ユニットLU<n>は、行選択信号RLSEL<n>がHであっても、隣接行へのキャー信号RL_C<n>はLであるので、n+2行目の行選択信号RLSEL<n+2>はLとな選択されない。

即,在以上情况下,即使当读取行选择信号 RLSEL<n>为 H时,因为到邻近行的进位信号 RL_C<n>为 L,行单元 LU<n>也使第“n+2”行的读取行选择信号 RLSEL<n+2>为 L,并且不选择该信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、ラッチRL<n>は、行選択信号RLSEL<n>がHであ、アレスデコー信号ADDR_DEC<n>がLである場合、隣接行へのキャー信号RL_C<n>をHで出力する。

当读取行选择信号 RLSEL<n>为 H以及地址解码信号 ADDR_DEC<n>为 L时,读取锁存器 RL<n>输出到邻近行的进位信号 RL_C<n>。 - 中国語 特許翻訳例文集

この状態で、アレス信号ADDRに最下位アレス(ADDR_Lとする)を出力してラッチセット信号RLSETをHにし、最下位アレスのラッチRL<ADDR_L>をセットする。

在这种状态下,将最低地址 (ADDR_L)输出到地址信号 ADDR,以使读取锁存器设置信号 RLSET为 H,来设置最低地址的读取锁存器 RL<addr_l>。 - 中国語 特許翻訳例文集

ラッチLTC41は最上位ラッチRLHとして機能し、ラッチLTC42はラッチRLとして機能し、ラッチLTC43は最上位シャッターラッチSLHとして機能し、ラッチLTC44はシャッターラッチSLとして機能する。

锁存器 LTC41用作最高读取锁存器 RL_H,锁存器 LTC42用作读取锁存器 RL,锁存器 LTC43用作最高快门锁存器 SL_H,而锁存器 LTC44用作快门锁存器 SL。 - 中国語 特許翻訳例文集

n行目に配置された行単位ユニットLU<n>Bは、n行目が行として選択状態であるか否かを示すラッチRL<n>と、n行目がシャッター行として選択状態であるか否かを示すシャッターラッチSL<n>を有する。

安排在第“n”行中的行单元 LU<n>B包括: 读取锁存器 RL<n>,其指示第“n”行是否作为读取行处于被选状态; - 中国語 特許翻訳例文集

図14の例では、ラッチRL、シャッターラッチSL、最上位ラッチRL_Hおよび最上位シャッターラッチSL_Hは、SRラッチによ構成されている。

在图 14的示例中,由 SR锁存器构成读取锁存器 RL、快门锁存器 SL、最高读取锁存器 RL_H和最高快门锁存器 SL_H。 - 中国語 特許翻訳例文集

ラッチRL<n>がセットされていて、最上位ラッチRL_Hがセットされている時、行単位ユニットLU<n>Bはキャー信号RL_C<n>をHで出力する。

当设置了读取锁存器 RL<n>并重置了最高读取锁存器 RL_H时,行单元 LU<n>B输出处于 H电平的进位信号 RL_C<n>。 - 中国語 特許翻訳例文集

そこで、最下位アレス信号ADDR_Lにn+9を、最上位アレス信号ADDR_Hにn+11を出力してRLSETをHにし、ラッチRL<n+9>と最上位ラッチRL_H<n+11>をセットする。

于是,将“n+9”输出到最低地址信号 ADDR_L,而将“n+11”输出到最高地址信号ADDR_H,以使 RLSET为 H,并设置读取锁存器 RL<n+9>和最高读取锁存器 RL_H<n+11>。 - 中国語 特許翻訳例文集

従来の画像読取装置は、プラテンガラス261上にローラ対232によって原稿Dを送込み、排出ローラ対233によってプラテンガラス261上からその原稿Dを排出するようになっている。

在常规图像读取装置中,文稿 D通过读取辊对 232而供给到台板玻璃 261上,且文稿通过读取排出辊对 233而从台板玻璃 261排出。 - 中国語 特許翻訳例文集

原稿Dがローラ対32を抜ける瞬間には、原稿Dの後端をローラ対32が押し込むようになって原稿Dの後端側に速度変動が生じ、原稿Dの速度が安定しづらくなる。

在文稿 D经过读取辊对 32的时刻,读取辊对 32将文稿 D的尾边缘推入,使得文稿D的尾边缘侧的速度产生波动,从而使得文稿 D的速度很难稳定。 - 中国語 特許翻訳例文集


図6のように、上流プラテンローラ24、下流プラテンローラ25は、ローラ対32と排紙ローラ対33の間かつ、流し読み用のプラテンガラス161に対向した位置に配設されていてある。

如图 6中所示,上游台板辊 24和下游台板辊 25布置在读取辊对 32和读取排出辊对 33之间,并处在朝向供给 -读取台板玻璃 161的位置处。 - 中国語 特許翻訳例文集

次に、変性インピーダンス要素は、ミキサコア610の入力線601および602にそれぞれ結合される変性インピーダンス要素605および606や、ミキサコア611の入力線603および604にそれぞれ結合される変性インピーダンス要素607および608な、ミキサコア610および611の各々の入力線に結合される。

接下来,退化阻抗元件耦合到混频器核心 610及 611中的每一者的输入引线,例如退化阻抗元件 605及 606分别耦合到混频器核心 610的输入引线 601及 602,且退化阻抗元件 607及 608分别耦合到混频器核心 611的输入引线 603及 604。 - 中国語 特許翻訳例文集

代替案として、メモ910は、EEPROM(電気的消去可能プログラマブルオンーメモ(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory))、EPROM(電気的プログラマブルオンーメモ(Electrical Programmable Read Only Memory))、ROM(オンーメモ(Read Only Memory))、ASIC(特定用途向け集積回路)、磁気ディスク、光ディスク、それらの組合せ、当技術分野においてよく知られている他のものな他の回路タイプから成ることができる。

作为替代,存储器 910可由其它电路类型构成,例如 EEPROM(电可擦可编程只读存储器 )、EPROM(电可编程只读存储器 )、ROM(只读存储器 )、ASIC(专用集成电路 )、磁盘、光盘、其组合,以及此项技术中众所周知的其它电路类型。 - 中国語 特許翻訳例文集

この構成の実施形態では、プロセッサ12とFMトランシーバASIC22との間で必要とされるデータ線は、よ少ない。

在此配置实施例中,在处理器 12与 FM收发器 ASIC 22之间需要较少的数据引线。 - 中国語 特許翻訳例文集

・ソロモンコー(Reed-Solomon codes)は、通信システムにおける誤および消去修正のための良く知られたコーである。

Reed-Solomon码是用于通信系统中的纠删错的公知代码。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図72】L/Rモーでの3D映像再生におけるバッファへのデータ蓄積量の変化を説明する図である。

图 72是用于说明 L/R模式下的 3D影像再现中向读取缓冲器存储的数据存储量的变化的说明图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図78】2D/3D再生装置の3D映像再生に必要なバッファのサイズを削減するためのデータ配置方法を説明する図である。

图 78是说明用于减小 2D/3D再现装置的 3D影像再现中所需的读取缓冲器的大小的数据配置方法的图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図88】バッファを1つで構成する場合の2D/3D再生装置の構成を説明する図である。

图 88是用于说明用 1个读取缓冲器来构成读取缓冲器时的 2D/3D再现装置的结构的图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図89】バッファを1つで構成する場合のシステムターゲットデコーダの構成を説明する図である。

图 89是用于说明用 1个读取缓冲器来构成读取缓冲器时的系统目标解码器的结构的图。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図92】バッファを1つに構成する場合のAVストーム内のソースパケットのATSの構成を示す図である。

图 92是示出用 1个读取缓冲器来构成读取缓冲器时的 AV流内的源包的 ATS的结构的图。 - 中国語 特許翻訳例文集

メモ読出部301は、生成されたアレスに基づいてRAM106へ要求トランザクションを発行する。

存储器读出单元 301基于生成的地址,向 RAM 106发出读取请求事项。 - 中国語 特許翻訳例文集

オンメモ(ROM)180は、マイクロプロセッサ120及び印刷エンジン140の動作を制御するファームウェアを保持している。

只读存储器 (ROM)180保存对微处理器 120和打印机引擎 140的操作进行控制的固件。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図1】2行を「加算」し、半分の行を「間引き」した場合の、シャッター行アレスの一例を示す図である。

图 1是示出在“相加”两行并且“稀疏”一半行时、读取和快门行的地址的示例的视图; - 中国語 特許翻訳例文集

たとえば、時刻t5では、行アレス“n+9”と“n+11”を同時に行RDRとして選択し、加算して読み出している。

例如,在时刻“t5”,同时选择行地址“n+9”和“n+11”作为读取行 RDR,并将它们相加以便读取。 - 中国語 特許翻訳例文集

本タイミング制御回路14は、行選択信号RLSEL<n>と選択タイミング制御信号RSELが共にHになると制御線SEL<n>をHにする。

当使读取行选择信号 RLSEL<n>和选择定时控制信号 RSEL均为 H时,定时控制电路 140使控制线 SEL<n>为 H。 - 中国語 特許翻訳例文集

行選択回路130、はアレス信号に対応する行の行選択信号RLSELおよびシャッター行選択信号SLSELをHにしている。

行选择电路 130使与地址信号的行对应的读取行选择信号 RLSEL和快门行选择信号 SLSEL为 H。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、行と、読み出しフレームまたは次フレームのシャッター行のアレスを共通の信号にすることができる。

即,使正在读取帧的读取行和快门行或下一帧的快门行的地址为公用信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

ラッチLTC31はラッチRLとして機能し、ラッチLTC32はシャッターラッチSL1として機能し、ラッチLTC33はシャッターラッチSL2として機能する。

锁存器 LTC31用作读取锁存器 RL,锁存器 LTC32用作快门锁存器 SL1,而锁存器LTC33用作快门锁存器 SL2。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、行選択回路130Aは、タイミング制御回路140に対して、行選択信号RLSELおよびシャッター行選択信号SLSELを出力する。

行选择电路 130A还将读取行选择信号 RLSEL和快门行选择信号 SLSEL输出到定时控制电路 140。 - 中国語 特許翻訳例文集

次にアレス信号ADDRに最上位アレス(ADDR_Hとする)を出力してラッチセット信号RLSETをHにする。

接下来,将最高地址 (ADDR_H)输出到地址信号 ADDR,以使读取锁存器设置信号RLSET为 H。 - 中国語 特許翻訳例文集

次にレス、読み出しフレームのシャッターアレス、次フレームのシャッターアレスを行選択回路130Aにセットする。

接下来,在行选择电路 130A中设置正在读取帧的读取地址、快门地址以及下一帧的快门地址。 - 中国語 特許翻訳例文集

そこで、レスを書き込む際は、先にアレス信号ADDRにn+9を出力してRLSETをHにし、RL<n+9>をセットする。

当写入读取地址时,首先将“n+9”输出到地址信号 ADDR以使 RLSET为 H,并设置 RL<n+9>。 - 中国語 特許翻訳例文集

レスがセットされた後、選択タイミング制御信号RSEL、RRST、RTRを適宜Hにすることで、読み出し動作を行うことができる。

在设置了读取地址之后,适当地使选择定时控制信号 RSEL、RRST和 RTR为 H,从而进行读取操作。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、行選択回路130Bは、タイミング制御回路140に対して、行選択信号RLSELおよびシャッター行選択信号SLSELを出力する。

行选择电路 130B输出读取行选择信号 RLSEL和快门行选择信号 SLSEL到定时控制电路 140。 - 中国語 特許翻訳例文集

次に、レス、読み出しフレームのシャッターアレス、次フレームのシャッターアレスを行選択回路130Bにセットする。

接下来,在行选择电路 130B中设置正在读取期间的帧的读取地址、快门地址和下一帧的快门地址。 - 中国語 特許翻訳例文集

実際には、・ソロモン符号(reed−solomon code)が、マルチ次元バーコー画像510のバーコーを生成するために用いられる。

在实践中,理德所罗门 (Reed-Solomon)码可以用于产生多维条形码影像 510的条形码。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、デコーダ412は、ビタビおよび/またはソロモン処理を実行して、出力データ420を提供してもよい。

举例来说,解码器 412可执行维特比 (Viterbi)和 /或里德 -所罗门(Reed-Solomon)处理以提供输出数据 420。 - 中国語 特許翻訳例文集

機械読取可能媒体は、事例として、RAM(ランダムアクセスメモ)、フラッシュメモ、ROM(オンーメモ)、PROM(プログラム可能オンーメモ)、EPROM(消去可能プログラム可能オンーメモ)、EEPROM(電気的消去可能プログラム可能オンーメモ)、レジスタ、磁気ディスク、光ディスク、ハーライブ、または他の何らかの適した記憶媒体、あるいはこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。

机器可读媒体可包括 (举例来说 )RAM(随机存取存储器 )、快闪存储器、ROM(只读存储器 )、PROM(可编程只读存储器 )、EPROM(可擦除可编程只读存储器 )、EEPROM(电可擦除可编程只读存储器 )、寄存器、磁盘、光盘、硬盘驱动器,或任何其它合适的存储媒体,或其任何组合。 - 中国語 特許翻訳例文集

HTTP要求又は応答の接続ヘッダ値を「クローズ」に変更することによ、接続をブオフすることもできる。

连接也可通过将 HTTP请求或响应的连接头部值改变为“关闭”来放掉。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図3】1X2共有ピクセル構造のピクセルアレイからデータがアウトされる過程を示す。

图 3是说明根据示范性实施例的、从具有 1×2共用像素 (shared pixel)结构的像素阵列中读出数据的过程的图; - 中国語 特許翻訳例文集

【図5】1X2共有ピクセル構造のピクセルアレイからデータがアウトされる過程を示すフローチャートである。

图 5是根据示范性实施例的、从具有 1×2共用像素结构的像素阵列读出数据的过程的流程图; - 中国語 特許翻訳例文集

【図6】1X4共有ピクセル構造のピクセルアレイからデータがアウトされる過程を示す。

图 6是说明根据示范性实施例的、从具有 1×4共用像素结构的像素阵列读出数据的过程的图; - 中国語 特許翻訳例文集

【図7】1X4共有ピクセル構造のピクセルアレイからデータがアウトされる過程を示すフローチャートである。

图 7是根据示范性实施例的、从具有 1×4共用像素结构的像素阵列读出数据的过程的流程图; - 中国語 特許翻訳例文集

【図8】2X2共有ピクセル構造のピクセルアレイからデータがアウトされる過程を示す。

图 8是说明根据示范性实施例的、从具有 2×2共用像素结构的像素阵列读出数据的过程的图; - 中国語 特許翻訳例文集

コンピュータ読取可能媒体は、例によれば、RAM(ランダム・アクセス・メモ)、フラッシュ・メモ、ROM(・オンー・メモ)、PROM(プログラマブル・・オンー・メモ)、EPROM(消去可能プログラマブル・・オンー・メモ)、EEPROM(電気的消去可能プログラマブル・・オンー・メモ)、レジスタ、磁気ディスク、光ディスク、ハーライブ、またはその他任意の適切な記憶媒体、あるいはこれら任意の組み合わせを含みうる。

作为实例,计算机可读媒体可包括 RAM(随机存取存储器 )、快闪存储器、ROM(只读存储器 )、PROM(可编程只读存储器 )、EPROM(可擦除可编程只读存储器 )、EEPROM(电可擦除可编程只读存储器 )、寄存器、磁盘、光盘、硬盘驱动器或任何其它适合的存储媒体,或其任何组合。 - 中国語 特許翻訳例文集

オプションとして、ヘッダ130は、MACサブヘッダ152(HCSを含む)、および、MACサブヘッダ152から生成された−ソロモンパティビット156を含んでよい。

可选地,报头 130可以包括 MAC子报头 152(包括 HCS)以及由 MAC子报头 152生成的里德所罗门奇偶校验位 156。 - 中国語 特許翻訳例文集

RFIDタグ250は、入力端230の電気コンタクト254A及び254Bにつながる電気252A及び252Bを支持する基板251を有する。

RFID标签 250包括支持电导线 252A、252B的基板 251,所述电导线 252A、252B引向输入端 230处的电触点 254A和 254B。 - 中国語 特許翻訳例文集

ハウジング620は、電気252A及び252BとRFーダー300に電気的に接続されたメモユニット610を収める。

外壳 620包括电连接于电导线 252A、252B和 RF读取器 300的存储器单元 610。 - 中国語 特許翻訳例文集

・受信者14はまた、以下の機能によ、電子レターを容易かつ迅速にスキャン、レビュー、、及び管理することができる。

●收信方 14还发现,由于具有下列特性,扫描、查看、读取和管理电子信件将会更为容易和快捷: - 中国語 特許翻訳例文集

また、図3に示すように、上流プラテンローラ24及び下流プラテンローラ25は、モータ53によ駆動されている。

而且,如图 3中所示,上游台板辊 24和下游台板辊 25由读取马达 53来驱动。 - 中国語 特許翻訳例文集

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