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「リｰド」を含む例文一覧
該当件数 : 224件
ラッチリセット信号LATCHRSTがHになると、行選択回路内の全てのリードラッチRLおよびシャッターラッチSL1、SL2がリセットされ、全ての行が非選択状態となる。
当使锁存器重置信号 LATCHRST为 H时，重置行选择电路中的所有读取锁存器 RL和快门锁存器 SL1、SL2，并且使所有行处于未被选状态。
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また、図13の例では、リードアドレス、読み出しフレームのシャッターアドレス、次フレームのシャッターアドレスの準にアドレスのセットを行ったが、この順番は入れ替えても良い。
在图 13的示例中，按照正在读取帧的读取地址、快门地址和下一帧的快门地址的次序设置地址，然而，可以改变这种次序。 - 中国語 特許翻訳例文集
ANDゲートAG41の第1入力端子が最上位アドレスデコード信号ADDR＿DEC＿H＜n＞の供給ラインに接続され、第2入力端子がリードラッチセット信号RLSETの供給ラインに接続されている。
AND门 AG41的第一输入端被连接到最高地址解码信号 ADDR_DEC_H<n>的供应线，而第二输入端被连接到读取锁存器设置信号 RLSET的供应线。 - 中国語 特許翻訳例文集
ANDゲートAG42の第1入力端子が最下位アドレスデコード信号ADDR＿DEC＿L＜n＞の供給ラインに接続され、第2入力端子がリードラッチセット信号RLSETの供給ラインに接続されている。
AND门 AG42的第一输入端被连接到最低地址解码信号 ADDR_DEC_L<n>的供应线，而第二输入端被连接到读取锁存器信号 RLSET的供应线。 - 中国語 特許翻訳例文集
ラッチLTC42の出力端子QはANDゲートAG47の第2入力端子に接続され、また、その出力端子からリード行選択信号RLSEL＜n＞が出力される。
锁存器 LTC42的输出端 Q被连接到 AND门 AG47的第二输入端，并从输出端 Q输出读取行选择信号 RLSEL<n>。 - 中国語 特許翻訳例文集
本行選択回路130Bには、センサコントローラ150Bから、ラッチリセット信号LATCHRSTと、リードラッチセット信号RLSETと、シャッターラッチセット信号SLSETおよび複数行ラッチセット信号SETALLが入力される。
将锁存器重置信号 LATCHRST、读取锁存器设置信号 RLSET、快门锁存器设置信号SLSET和多行锁存器设置信号 SETALL从传感器控制器 150B输入到行选择电路 130B。 - 中国語 特許翻訳例文集
n行目の行単位ユニットLU＜n＞Bに、リード行選択信号RLSEL＜n＞、シャッター行選択信号SLSEL＜n＞と、隣接行へのキャリー信号RL＿C＜n＞、SL＿C＜n＞を出力する。
第“n”行的行单元 LU<n>B输出读取行选择信号 RLSEL<n>、快门行选择信号SLSEL<n>和到邻近行的进位信号 RL_C<n>、SL_C<n>。 - 中国語 特許翻訳例文集
本第3の実施形態の行選択回路130Bは、最上位アドレスを記録するラッチを設けることで、リードラッチおよびシャッターラッチに、連続するアドレスを複数回書き込むことができる。
通过提供记录最高地址的锁存器，行选择电路 130B可以在读取锁存器和快门锁存器中多次写入连续地址。 - 中国語 特許翻訳例文集
図16の例では、リードアドレス、読み出しフレームのシャッターアドレス、次フレームのシャッターアドレスの準にアドレスのセットを行ったが、この順番は入れ替えても良い。
在图 16的示例中，按照正在读取帧的读取地址、快门地址和下一帧的快门地址的次序设置地址，然而，可以改变这种次序。 - 中国語 特許翻訳例文集
メモリ1025は、リードオンリーメモリ(read-only memory)および／またはランダムアクセスメモリ(random-access memory)（RAMおよびROM）、EEPROM、フラッシュカード、あるいはそのようなプラットフォームに共通の任意のメモリから成っていることができる。
存储器 1025可包含只读和 /或随机存取存储器 (RAM及 ROM)、EEPROM、快闪卡或这些平台所共有的任何存储器。 - 中国語 特許翻訳例文集
メモリ1125は、リードオンリーメモリおよび／またはランダムアクセスメモリ（RAMおよびROM）、EEPROM、フラッシュカード、あるいはそのようなプラットフォームに共通の任意のメモリから成っていることができる。
存储器 1125可包含只读和 /或随机存取存储器 (RAM及 ROM)、EEPROM、快闪卡或这些平台共有的任何存储器。 - 中国語 特許翻訳例文集
システム・メモリー130は、リード・オンリ・メモリー（ROM）131およびランダム・アクセス・メモリー（RAM）132のような、揮発性および／または不揮発性メモリーの形態としたコンピューター記憶媒体を含む。
系统存储器 130包括易失性和 /或非易失性存储器形式的计算机存储介质，如只读存储器(ROM)131和随机存取存储器 (RAM)132。 - 中国語 特許翻訳例文集
限定ではなく一例として、不揮発性メモリは、リードオンリーメモリ（ROM）、プログラマブルROM（PROM）、電気的プログラマブルROM（EPROM）、電気的消去可能なPRROM（EEPROM）、またはフラッシュメモリを含むことができる。
作为举例说明而非限制，非易失性存储器可以包括只读存储器 (ROM)、可编程 ROM(PROM)、电可编程 ROM(EPROM)、电可擦除 PROM(EEPROM)或闪存。 - 中国語 特許翻訳例文集
当該格納媒体は、これらに限定されないが、フロッピー（登録商標）ディスク、光ディスク、コンパクトディスクリードオンリーメモリ（CD−ROM）、コンパクトディスクリライタブル（CD−RW）、および、光磁気ディスク等の任意の種類のディスク、リードオンリーメモリ（ROM）等の半導体デバイス、ダイナミックランダムアクセスメモリ（DRAM）等のランダムアクセスメモリ（RAM）、スタティックランダムアクセスメモリ（SRAM）、消去可能プログラム可能リードオンリーメモリ（EPROM）、フラッシュメモリ、電気的消去可能プログラム可能リードオンリーメモリ（EEPROM）、磁気カードあるいは光カード、または、電子的に命令を格納するのに適した任意のその他の種類の媒体を含むとしてよい。
该存储介质可以包括但不限于任何类型的盘 (包括软盘、光盘、压缩盘只读存储器 (CD-ROM)、压缩盘可重写 (CD-RW)、以及磁光盘 )、半导体器件 (例如，只读存储器 (ROM)，诸如动态随机存取存储器 (DRAM)、静态随机存取存储器 (SRAM)这样的随机存取存储器 (RAM)，可擦可编程只读存储器 (EPROM)，闪存，电可擦可编程只读存储器 (EEPROM))、磁卡或光卡、或者适用于存储电子指令的任何其他类型的媒介。 - 中国語 特許翻訳例文集
任意に、接続を積極的にドレインすることにより、すなわち「ブリードオフ」することにより、古いクラスタのメンバから既存の接続をドレインし終えるのに必要な時間を削減することができる。
可选地，将现有连接从老集群的成员排除所需的时间可通过主动地排除或“放掉(bleeding off)”该连接来减少。 - 中国語 特許翻訳例文集
ヘッダ130は、PHYヘッダ140、MACヘッダ144（ヘッダー・チェック・シーケンス（HCS）を含む）、および、MACヘッダ144から生成されたリード−ソロモンパリティビット148を含む。
报头 130包括 PHY报头 140、MAC报头 144(包括报头检验序列 (HCS))以及从 MAC报头 144生成的里德所罗门奇偶校验位 148。 - 中国語 特許翻訳例文集
一実施形態例において、携帯型試験装置600は、RFリーダー300を備え、入力端230の電気コンタクト254A及び254Bにつながる電気リード252A及び252Bも有する。
在一示例性实施例中，便携式测试设备 600包括 RF读取器 300并还包括通向输入端 230处的电触点 254A、254B的电导线 252A、252B。 - 中国語 特許翻訳例文集
プラテンガラス161とリード排出従動ローラ16との間には、図2に示すように、プラテンガラス161から原稿Dをすくい上げるように案内するジャンプ台162を配設してある。
如图 2中所示，在台板玻璃 161和读取排出从动辊 16之间布置有用于引导文稿 D的跳起柱 162，以便将文稿从台板玻璃 161铲起来。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、上述の隙間G1が上述の隙間G2より小さくなるように配設したことで、原稿Dがリードローラ対32を抜ける時に生じる振動の影響による読取画像の乱れが少なくなることが実験で確認された。
通过试验已经证明，其中间隙 G1小于间隙 G2的布置可以减小当文稿 D经过读取辊对 32时由于振动影响而引起的读取图像失真。 - 中国語 特許翻訳例文集
なお、リードローラ対32のニップ部は、上流プラテンローラ24が原稿Dに接触する部分よりもプラテンガラス161から離れたところに位置している。
与上游台板辊 24与文稿 D发生接触的位置相比，读取辊对 32的辊隙部分设置在更远离台板玻璃 161的位置处。 - 中国語 特許翻訳例文集
さらに、リード排紙ローラ対33のニップ部は、下流プラテンローラ25が原稿Dに接触する部分よりもプラテンガラス161から離れたところに位置している。
与下游台板辊 25与文稿 D发生接触的位置相比，读取排出辊对 33的辊隙部分位于更远离台板玻璃 161的位置处。 - 中国語 特許翻訳例文集
なお、本実施形態において、上流回動アーム26と下流回動アーム27の回動中心をいずれもリードローラ22の軸としているが、他に軸を設けてその軸を回転中心としてもよい。
在本示例实施例中，上游旋转臂 26和下游旋转臂 27均绕读取辊 22的轴旋转，不过，也可以使得它们绕其它轴旋转。 - 中国語 特許翻訳例文集
第1サブコマンド領域および第2サブコマンド領域には、リードコマンドおよびライトコマンドを細分化したサブコマンドが格納される。
在第 1子命令区域及第 2子命令区域存储有将读取命令及写入命令细分化的子命令。 - 中国語 特許翻訳例文集
リードコマンドを細分化したサブコマンドは、例えば、連続して複数のアドレスからデータを読み出すコマンド、および、複数のモジュールから同時にデータを読み出すコマンドである。
例如，读取命令被细分化的子命令是连续从多个地址读出数据的命令、及从多个模块同时读出数据的命令。 - 中国語 特許翻訳例文集
例えば、試験制御部130は、特定の第2試験モジュール124からデータを読み出したい場合には、シングルリード命令に対応するサブコマンド0x01を第2コマンド領域に格納する。
例如，测试控制部 130在想从确定的第 2测试模块 124读出数据时，在第 2命令区域存储对应于单一读出命令的子命令 0x01。 - 中国語 特許翻訳例文集
試験制御部130は、複数の第2試験モジュール124からデータを同時に読み出したい場合には、マルチリード命令に対応するサブコマンド0x02を第2コマンド領域に格納する。
测试控制部 130在想从多个第 2测试模块 124同时读出数据时，在第2命令区域存储对应于多个读出命令的子命令 0x02。 - 中国語 特許翻訳例文集
プログラマブルロジックは、リードオンリメモリ、コンピュータメモリ、ディスク、又は他の記憶媒体のような媒体で一時的又は永続的に保持することができる。 全ての係る実施の形態は、本発明の範囲に含まれることが意図される。
所有这样的实施例都意图落入本发明的范围内。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図8】本発明の様々な実施形態に従って可変的にスケール調整されるデコーダの処理を備えるリード・チャネル回路を有する受信機を含む通信システムを示す図である。
图 8示出了包括具有读取信道电路的接收器的通信系统，该读取信道电路具有根据本发明的不同实施例的可变定标解码器处理。 - 中国語 特許翻訳例文集
図7を見ると、記憶システム700が、本発明の様々な実施形態に従って動的なデコーダ・スケーリングを含んだリード・チャネル710を含んでいる。
转到图 7，示出了包括读取信道 710的存储系统 700，该读取信道 710包括根据本发明的各种实施例的动态解码器定标。 - 中国語 特許翻訳例文集
リード・チャネル710には、図2または図4に関連して上述したものと同様の、動的スケーリングを含んだデコーダ回路を含むデータ処理コーデックが含まれるが、これに限定されない。
读取信道710可以包括但不限于，与上文就图2或图4描述的包括具有动态定标的解码器电路的数据处理编解码器相似的数据处理编解码器。 - 中国語 特許翻訳例文集
次に、リード・チャネル・モジュール710が、受け取られたアナログ信号を復号してデジタル化し、ディスク・プラッタ778にもともと書き込まれた情報を再現する。
依次地，读取信道模块 710对接收到的模拟信号进行解码和数字化，以重建原始写入盘片 778的信息。 - 中国語 特許翻訳例文集
図8を見ると、通信システム891が、本発明の異なる実施形態に従って可変的にスケール調整されるデコーダの処理を備えるリード・チャネル回路を有する受信機895を含んでいる。
转到图 8，示出了包括具有读取信道电路的接收器 895的通信系统 891，该读取信道电路具有根据本发明的不同实施例的可变定标解码器处理。 - 中国語 特許翻訳例文集
CRSMは、これらに限定されないが、ランダムアクセスメモリ（RAM）、リードオンリーメモリ（ROM）、電気的消去可能ROM（EEPROM）、フラッシュメモリ又は他の固体状態メモリ技術、コンパクトディスク・リードオンリーメモリ（CD−ROM）、デジタル多用途ディスク（DVD）又はその他の光ディスク記憶装置、磁気ディスク記憶装置、又はその他の磁気記憶デバイス、若しくはコンピューティングデバイスがアクセス可能な所望の情報を格納するのに使用可能なその他の媒体を含む。
CRSM可包括但不限于随机存取存储器 (RAM)、只读存储器 (ROM)、电可擦可编程只读存储器(EEPROM)、闪速存储器或其它固态存储器技术，压缩光盘只读存储器 (CD-ROM)、数字多功能盘 (DVD)或其它光盘存储装置，磁盘存储装置或其它磁存储装置，或者能够用于存储预期信息并且可由计算装置访问的任何其它介质。 CN 10215846505 A - 中国語 特許翻訳例文集
ネットワーク構成要素600は、補助記憶装置604、リードオンリメモリ（ROM）606、ランダムアクセスメモリ（RAM）608を含むメモリ装置、入力／出力（I／O）装置610、および、ネットワーク接続装置612と通信する（中央処理ユニットまたはCPUと呼ぶ）プロセッサ602を含む。
网络组件 600包含一个处理器602(通常称为中央处理器或 CPU)，该处理器与一些存储设备进行通信，如二级存储器 604、只读存储器 (ROM)606、随机存取存储器 (RAM)608、输入 /输出 (I/O)设备 610以及网络连接设备 612。 - 中国語 特許翻訳例文集
この場合、サブシステムは、ネットワークのこの部分にコンテンツを複写し、複数の自律的メモリ装置102が分散型サブシステム10内でリードオンリコンテンツに対して並列オペレーションを遂行できるようにする。
在这样情况下，子系统可以复制在网络的部分中的内容以使得多个自主存储器装置 102可以在分布式子系统 10内执行对只读内容的并行操作。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図18】（a）は、2D再生モードでの動作中、図17に示されているリード・バッファ1721に蓄積されるデータ量DAの変化を示すグラフである。 （b）は、再生対象のエクステント・ブロック1810と2D再生モードでの再生経路1820との間の対応関係を示す模式図である。
图 18(a)是表示在 2D再现模式的动作中，在图 17所示的读缓冲器 1721中储存的数据量DA的变化的曲线图，图 18(b)是表示再现对象的区段块 1810与 2D再现模式的再现路径 1820之间的对应关系的示意图。 - 中国語 特許翻訳例文集
【図56】図54に示されているエクステント・ブロック5401−5403から連続して3D映像がシームレスに再生されるとき、各リード・バッファ4421、4422に蓄積されるデータ量DA1、DA2の変化、及びそれらの和DA1＋DA2の変化を示すグラフ群である。
图 56是表示在从图 54所示的区段块 5401-5403连续地无缝地再现 3D影像时，在各个读缓冲器 4421、4422中储存的数据量 DA1、 DA2的变化、以及这些数据量之和DA1+DA2的变化的曲线图组。 - 中国語 特許翻訳例文集
以上のように本実施形態1では、図4のように周囲2画素のオーバーラップ部では、2×2の矩形（小ブロック）において左上の画素（代表画素）だけを読み出すようにアドレス制御部302のリードアドレスを生成する。
如上所述，在第一实施例中，如图 4所示，在包括位于外周的两个像素的重叠部分中，通过地址控制器 302仅读取位于各个 2×2矩阵 (小块 )的左上方的像素 (代表像素 )来生成要读取的地址。 - 中国語 特許翻訳例文集
変性インピーダンス要素605、606、607および608は、図に示されるように、ミキサコア610および611の内部に、あるいはそれぞれそれらの入力経路601a、602a、603aおよび604aに沿って外部に（図示されず）のいずれかで、入力リード線601、602、603および604にそれぞれ結合されることができる。
退化阻抗元件 605、606、607及 608可分别在混频器核心 610及 611内部 (如图所示 )或分别在外部 (未图示 )沿其输入路径 601a、602a、603a及 604a耦合到输入引线 601、602、603及 604。 - 中国語 特許翻訳例文集
システム制御部10は、プロセッサ（CPU）11、ランダムアクセスメモリ（RAM）12、リードオンリーメモリ（ROM）13、不揮発性メモリ14、画像処理部15、ネットワークインターフェース16、ページメモリ17、ハードディスクドライブ（HDD）18、およびタイマ19などを有する。
系统控制部 10包括处理器 (CPU)11、随机访问存储器 (RAM)12、只读存储器(ROM)13、非易失性存储器14、图像处理部15、网络接口16、页面存储器17、硬盘驱动器 (HDD)18以及计时器 19等。 - 中国語 特許翻訳例文集
システム制御部10は、プロセッサ（CPU）11、ランダムアクセスメモリ（RAM）12、リードオンリーメモリ（ROM）13、不揮発性メモリ14、画像処理部15、ネットワークインターフェース16、ページメモリ17、ハードディスクドライブ（HDD）18、およびタイマ19などを有する。
系统控制部 10具有处理器 (CPU)11、随机存取存储器 (RAM)12、只读存储器 (ROM)13、非易失性存储器 14、图像处理部 15、网络接口 16、页存储器 17、硬盘驱动器(HDD)18及定时器 19等。 - 中国語 特許翻訳例文集
行選択回路130は、アドレスデコーダ120からのアドレス信号ADDRに従い、信号の読み出しを行うリード行と、光電変換素子PDに蓄積された電荷をはき捨ててリセットするシャッター行の行アドレスの行選択信号RLSEL，SLSELを出力する。
行选择电路 130输出根据来自地址解码器 120的地址信号 ADDR从其中读取信号的读取行以及从其中清除并重置累积在光电转换元件 PD中的电荷的快门行的行地址的行选择信号 RLSEL、SLSEL。 - 中国語 特許翻訳例文集
図中の白丸で示した行はリード行RDRを、黒丸で示した行は次フレームのシャッターNFSTRの行を示し、ハッチングを付した丸で示した行は読み出しシャッターRFSTRの行を表し、それぞれ図7に示した動作が行われる。
在该附图中，用白点所示的行表示读取行 RDR，用黑点所示的行表示下一帧的快门行 NFSTR，而用带阴影的点所示的行表示正在读取期间的快门行 RFSTR，示出在图 7中的操作将分别进行。 - 中国語 特許翻訳例文集
行選択回路1130は、アドレスデコーダ120からの行アドレス信号をデコードしたアドレスデコード信号に従い、M本のリード行選択信号RLSELおよびM本のシャッター行選択信号SLSELの内いずれか、または全てを選択する。
行选择电路 130根据通过解码来自地址解码器 120的行地址信号获得的地址解码信号，选择 M个读取行选择信号 RLSEL和 M个快门行选择信号 SLSEL中的任意个或全部。 - 中国語 特許翻訳例文集
また、本タイミング制御回路140は、リード行選択信号RLSEL＜n＞と選択タイミング制御信号RRSTが共にHになる、またはシャッター行選択信号SLSEL＜n＞と選択タイミング制御信号SRSTが共にHになると制御線RST＜n＞をHにする。
当使读取行选择信号 RLSEL<n>和选择定时控制信号 RRST均为 H时，或者当使快门行选择信号 SLSEL<n>和选择定时控制信号 SRST均为 H时，定时控制电路 140使控制线RST<n>为 H。 - 中国語 特許翻訳例文集
同様に、本タイミング制御回路140は、リード行選択信号RLSEL＜n＞と選択タイミング制御信号RTRが共にHになる、またはシャッター行選択信号SLSEL＜n＞と選択タイミング制御信号STRが共にHになると制御線TRG＜n＞をHにする。
类似地，当使读取行选择信号 RLSEL<n>和选择定时控制信号 RTR均为 H时，或者当使快门行选择信号 SLSEL<n>和选择定时控制信号 STR均为 H时，定时控制电路 140使控制线 TRG<n>为 H。 - 中国語 特許翻訳例文集
本第2の実施形態の行選択回路130Aは、センサコントローラ150Aからのラッチセット信号LSETおよびリセット信号LATCHRSTと、アドレスデコーダ120からのアドレス信号に従い、リード行とシャッター行の行アドレスをそれぞれ記録する。
根据第二实施例的行选择电路 130A根据锁存器设置信号 LSET和重置信号LATCHRST和来自地址解码器 120的地址信号，记录读取行和快门行的行地址。 - 中国語 特許翻訳例文集
本第3の実施形態の行選択回路130Bは、センサコントローラ150Bからのラッチセット・リセット信号と、アドレスデコーダ120からのアドレス信号に従い、リード行とシャッター行の行アドレスをそれぞれ記録する。
根据第三实施例的行选择电路 130B根据来自传感器控制器 150B的锁存器设置信号和锁存器重置信号以及来自地址解码器 120的地址信号，记录读取行和快门行的地址。 - 中国語 特許翻訳例文集
このように、プラテンガラス161の上方に配置された上流プラテンローラ24に原稿Dを巻きつけることによって、原稿Dの搬送方向上流端部（後端）がリードローラ対32を抜ける際に発生した振動を上流プラテンローラ24で抑えることができる。
这样，通过使文稿 D缠绕在布置于台板玻璃 161上方的上游台板辊 24上，当文稿 D的相对于传送方向的上游端部分 (尾边缘 )经过读取辊对 32时产生的振动可以通过上游台板辊 24来抑制。 - 中国語 特許翻訳例文集
以上のように、プラテンガラス161の上方に配置された上流プラテンローラ24に原稿Dを巻きつけることによって、原稿Dの搬送方向上流端部（後端）がリードローラ対32を抜ける際に発生した振動を上流プラテンローラ24で抑えることができる。
如上所述，通过使得文稿 D缠绕在布置于台板玻璃 161上方的上游台板辊 24，上游台板辊 24可以抑制当文稿 D的相对于传送方向的上游端部分 (尾边缘 )经过读取辊对32时产生的振动。 - 中国語 特許翻訳例文集
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