「並列ロード」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

図8の例では、スレーブ装置（例えばメモリ装置）は通常、そのバスのすべての線（例えば、図4により導入された例に関し、並列データバスのすべての線）全体にわたる通信に応答するが、構成モードは、メモリ装置が、その様々なスライサのそれぞれが受けるクロストークの測定を支援できるように設定される。

在图 8的示例中，在从设备 (例如，存储器设备 )通常响应于跨其总线的所有线路(例如，相对于图 4介绍的示例的平行数据总线的所有线路 )的通信的同时，配置模式被设置用以使得存储器设备能够协助测量由其各个限幅器所体验到的串扰。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1並列共振回路26aは、第1接点a1とGND間に接続された1つの第1PINダイオード28aと、第1接点a1と第1制御端子Tc1間に接続された第1インダクタ30aと、第1制御端子Tc1とGND間に接続された第1キャパシタCaとを有する。

第一并联谐振电路26a包括连接在第一接点a1和GND之间的第一PIN二极管28a、连接在第一接点 a1和第一控制端子 Tc1之间的第一电感器 30a、以及连接在第一控制端子Tc1和 GND之间的第一电容器 Ca。 - 中国語 特許翻訳例文集

第2並列共振回路26bは、第2接点a2とGND間に接続された1つの第2PINダイオード28bと、第2接点a2と第2制御端子Tc2間に接続された第2インダクタ30bと、第2制御端子Tc2とGND間に接続された第2キャパシタCbとを有する。

第二并联谐振电路26b包括连接在第二接点a2和GND之间的第二PIN二极管28b、连接在第二接点 a2和第二控制端子 Tc2之间的第二电感器 30b、以及连接在第二控制端子Tc2和 GND之间的第二电容器 Cb。 - 中国語 特許翻訳例文集

第4並列共振回路26dは、第4接点a4とGND間に接続された1つの第4PINダイオード28dと、第4接点a4と第2制御端子Tc2間に接続された第4インダクタ30dと、第2制御端子Tc2とGND間に接続された第4キャパシタCdとを有する。

第四并联谐振电路26d包括连接在第四接点a4和GND之间的第四PIN二极管28d、连接在第四接点 a4和第二控制端子 Tc2之间的第四电感器 30d、以及连接在第二控制端子Tc2和 GND之间的第四电容器 Cd。 - 中国語 特許翻訳例文集

第3並列共振回路26cは、第3接点a3とGND間に接続された1つの第3PINダイオード28cと、第3接点a3と第1制御端子Tc1間に接続された第3インダクタ30cと、第1制御端子Tc1とGND間に接続された第3キャパシタCcとを有する。

第三并联谐振电路26c包括连接在第三接点a3和GND之间的第三PIN二极管28c、连接在第三接点 a3和第一控制端子 Tc1之间的第三电感器 30c、以及连接在第一控制端子Tc1和 GND之间的第三电容器 Cc。 - 中国語 特許翻訳例文集

図1に示す画素回路構成の単位画素20が行列状に配置されてなるCMOSイメージセンサ10では、一般的に、図4（A）に示すように、期間t1で転送パルスTRGおよびリセットパルスRSTが共に“H”レベルになることによってフォトダイオード21およびFD部26をリセットし、期間t2で受光した光を電子に光電変換し、フォトダイオード21に蓄積する。

在 CMOS图像传感器 10(其中，包括图 1所示的像素电路配置的单元像素 20以矩阵形式排列 )中，一般如图 4A所示，在时段“t1”通过使得转移脉冲 TRG和复位脉冲 RST都为“H”电平，复位光电二极管 21和 FD区 26，在时段“t2”所接收的光被光电转换为存储在光电二极管 21中的电子。 - 中国語 特許翻訳例文集

理論上は、単一チャネルのI／Oブロック702をより多くのDUTのI／Oブロック704、706、708、710に連結することで、信号のファンアウト／ファンインを任意の数の信号経路分（例えば4つ、若しくは8つ、若しくはその他任意の数の信号経路）のみ増加させ、‘378号出願に記載された並列試験回路を拡張することができる。しかし実際には、単一の並列試験回路700のファンアウト／ファンインを増加させると、信号精度とDUTの分離を維持することがより困難となる。例えば、より多くのDUTのI／Oブロック704、706、708、710を単一のチャネルI／Oブロック702に連結すると、類似した信号伝播特性同士を異なる信号ルート間で維持しながら、DUTのI／Oブロック704、706、708、710とチャネルI／Oブロック702との間の信号のルート設定を行うことがより困難となる。

然而，实际上，随着单个并行测试电路 700的扇出 /扇入增多，变得难以维持信号完整性和DUT隔离。 例如，随着更多的 DUT I/O块 704、706、708、710被耦合到单个通道 I/O块 702，变得更加难以在 DUT I/O块 704、706、708、710和通道 I/O块 702之间路由信CN 10201748913 AA 说 明 书 2/6页号以使得在不同的信号路由之间维持类似的信号传播特性。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、画素アレイ2の中の選択された1行のN個の画素2aが出力する光量に応じた画素信号（電圧信号）が各列の垂直信号線9を伝播してサンプルホールド信号変換回路群4に入力される。

即，与像素阵列 2中被选择的 1行的 N个像素 2a所输出的光量对应的像素信号 (电压信号 )在各列的垂直信号线 9中传播，被输入到采样保持信号转换电路组 4。 - 中国語 特許翻訳例文集

プリンター本体11は、図3に示すように、記録媒体Sを搬送する媒体搬送機構（搬送部）100と、この媒体搬送機構100で搬送される記録媒体Sの先端が突き当てられて当該記録媒体Sを整列させる整列機構28と、小切手に設けられたMICR情報の読み取りや、通帳に設けられた磁気ストライプに対して磁気情報の読み取り又は書き込みを行う磁気ヘッド34を備えた磁気データ読書部29と、この磁気データ読書部29の磁気ヘッド34がMICR情報の読み取りを含む磁気情報処理の実行時に、記録媒体Sの浮き上がりを抑制すべく、記録媒体Sを上から押える媒体押え部30と、を有している。

磁数据读写部 29，其具有磁头 34，该磁头 34进行在支票上设置的 MICR信息的读取或相对于在存折上设置的磁条进行磁信息的读取或写入； 介质按压部 30，在执行包括该磁数据读写部 29的磁头 34所进行的 MICR信息的读取在内的磁信息处理时，为了抑制记录介质 S上浮，该介质按压部 30从上方按压记录介质 S。 - 中国語 特許翻訳例文集

プリンター本体11は、図3に示すように、記録媒体Sを搬送する媒体搬送機構（搬送部）100と、この媒体搬送機構100で搬送される記録媒体Sの先端が突き当てられて当該記録媒体Sを整列させる整列機構28と、小切手に設けられたMICR情報の読み取りや、通帳に設けられた磁気ストライプに対して磁気情報の読み取り又は書き込みを行う磁気ヘッド34を備えた磁気データ読書部29と、この磁気データ読書部29の磁気ヘッド34がMICR情報の読み取りを含む磁気情報処理の実行時に、記録媒体Sの浮き上がりを抑制すべく、記録媒体Sを上から押える媒体押え部30と、を有している。

磁性数据读写部 29，其具有磁性头部 34，该磁性头部 34进行设置在支票上的 MICR信息的读取、对设置在存折上的磁条进行磁性信息的读取或写入； 以及介质按压部 30，其在该磁性数据读写部 29的磁性头部 34执行包括 MICR信息在内的读取在内的磁性信息处理时，为抑制记录介质 S的浮起，从上方按压记录介质 S。 - 中国語 特許翻訳例文集

再度図1を参照すると、図1は図3に示す伝送路網を如何に使用して、試験システム102（例えば回路試験装置）の単一の試験チャネルを、‘378号出願で開示された並列試験回路106、108のうちの2つにファンアウトすることができるか（そして最終的に複数のDUTのI／O116にファンアウトできるか）を示している。伝送路網104上でのデータフローの所望の方向に依存して、1）送信／受信ユニット110、112、114の各々を送信モード又は受信モードに動的に置くように、さらに2）各送信／受信ユニット110、112、114のアクティブな終端処理を動的に有効及び無効にするように、図3及び図4で示すような制御システムを構成することができる。

现返回参考图 1，图 1图示出图 3所示的传输线路网络可以如何用来将测试系统102(例如，电路测试器 )的单个测试通道扇出到’ 378申请中所公开的两个并行测试电路 106、108(并且最终扇出到多个 DUT I/O116)。 根据传输线路网络 104上数据流的希望方向，诸如图 3和 4中公开的控制系统之类的控制系统可被配置为： - 中国語 特許翻訳例文集

1A・・・固体撮像素子、10A・・・画素部、11A・・・A／D変換部、12A・・・光通信部、13A・・・タイミングジェネレータ、14A・・・制御I／O、15A・・・DC−DC部、16A・・・制御部、17・・・バス、2A・・・光学装置、20A・・・レンズ部、21・・・ハウジング、3A・・・信号処理装置、30A・・・光通信部、31A・・・制御I／O、32A・・・操作部、33A・・・読み出し制御部、34A・・・信号処理部、35A・・・データ保持部、36A・・・表示部、37A・・・電源、38A・・・電源制御部、4A・・・信号処理システム、100・・・画素、101・・・画素アレイ、102・・・垂直走査回路、103・・・水平走査回路、104・・・カラムCDS回路、105・・・列信号線、106・・・フォトダイオード、107・・・FDアンプ、108・・・行選択トランジスタ、109・・・行選択線、110・・・電荷検出部、111・・・リセットトランジスタ、112・・・増幅トランジスタ、113・・・リセット線、114・・・行読み出し線、120・・・シリアルインタフェース、120A・・・パラレル／シリアル変換部、121、121S，121CL・・・発光部、122A，122B・・・配線、123・・・配線、124・・・エンコード部、125・・・データスクランブル部、126・・・パラレル／シリアル変換部、128A・・・面発光型半導体レーザ、130H，130AD，130OP・・・配線、300S，300CL・・・光受信部、301A・・・シリアル／パラレル変換部、302・・・光受信部、303・・・シリアル／パラレル変換部、304・・・デスクランブル部、305・・・デコード部、306・・・受光部、307・・・パラレルインタフェース、401A・・・カメラシステム、402A・・・レンズユニット、403A・・・カメラ本体部、404・・・シャッタ、405・・・AE／AF検出部、406・・・ストロボ、407・・・ストロボ制御部

1A固态图像拾取元件，10A像素单元，11AA/D转换器，12A光通信单元，13A时序发生器，14A控制 I/O，15A DC-DC单元，16A控制器，17总线，2A光学设备，20A透镜单元，21外壳，3A信号处理设备，30A光通信单元，31A控制 I/O，32A操作单元，33A读取控制器，34A信号处理器，35A数据存储单元，36A显示单元，37A电源，38A电源控制器，4A信号处理系统，100像素，101像素阵列，102垂直扫描电路，103水平扫描电路，104列 CDS电路，105列信号线，106光电二极管，107FD放大器，108行选择晶体管，109行选择线，110电荷检测器，111复位晶体管，112放大晶体管，113复位线，114行读取线，120串行接口，120A并 /串转换器，121 121S 121CL发光单元，122A 122B线，123线，124编码单元，125数据加扰单元，126并/串转换器，128A表面发射半导体激光器，130H 130AD130OP线，300S 300CL光接收单元，301A串 /并转换器，302光接收单元，303串 /并转换器，304解扰单元，305解码单元，306光接收单元，307并行接口，401A相机系统，402A透镜单元，403A相机机身单元，404快门，405AE/AF检测器，406电子闪光，407电子闪光控制器 - 中国語 特許翻訳例文集

そこで、実施の形態7として、映像情報を符号化する際に、映像情報への付属情報を同時に符号化する情報記録装置であって、付属情報は、映像情報のピクチャ単位に付与され、1つの付属情報は識別情報（ID）と実情報（データ）から構成され、同一ピクチャ内で同一種類の情報を格納できる前記付属情報を複数記述する場合には、所定の識別情報（ID）を持つ付属情報を記録することを特徴とする情報記録装置、および、当該情報記録装置における記録方法について説明を行う。

因此，在实施例 7将对一种信息记录装置以及该信息记录装置中的记录方法进行说明，该信息记录装置在编码影像信息之时，同时编码影像信息的附属信息，该附属信息被附加于影像信息的各个图片中，一个附属信息包括识别信息(ID)和实际信息(数据)，在描述多个能够存储同一图片内的同一种类的信息的所述附属信息的情况下，记录具有规定的识别信息 (ID)的附属信息。 - 中国語 特許翻訳例文集

以上からこの発明の実施の形態2による画像読取装置によれば、レンズ体9の光軸中心に位置する受光部に対して光軸ラインの中心位置から離れた位置にある受光部列の光電変換された出力値をタイマー回路で遅延させてから演算処理するので実施の形態1で説明したものより、補正の相関程度が高まり、より高精度の画像読取装置を得ることができる。

从以上可知，根据本发明的实施方式 2所涉及的图像读取装置，由于通过计时器电路使处于远离光轴线中心的位置上的受光部列的光电转换后的输出值、相对于位于透镜体 9的光轴中心上的受光部，进行了延迟后再进行运算处理，因此相关度高于在实施方式 1中所说明的图像读取装置，并且可以得到精度更高的图像读取装置。 - 中国語 特許翻訳例文集