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「体管」を含む例文一覧

該当件数 : 378件

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晶体管

トランジスター． - 白水社中国語辞典

晶体管收音机

トランジスターラジオ． - 白水社中国語辞典

PMOS晶体管 PT311的源极和 PMOS晶体管 PT312的源极连接至电源电势 VDD。

PMOSトランジスタPT311のソースおよびPMOSトランジスタPT312のソースが電源電位VDDに接続されている。 - 中国語特許翻訳例文集

应注意，负载晶体管 614是权利要求中描述的负载晶体管的示例。

なお、負荷トランジスタ614は、特許請求の範囲に記載の負荷トランジスタの一例である。 - 中国語特許翻訳例文集

本发明涉及一种电动移动体、管理设备和驱动管理方法。

本発明は、電動移動体、管理装置、及び駆動管理方法に関する。 - 中国語特許翻訳例文集

请注意身体管理啊。

体調管理は、気をつけてくださいね。 - 中国語会話例文集

也请注意身体管理。

体調管理にも気をつけてください。 - 中国語会話例文集

图 40是实施例 3中记录 BD盘全体管理信息及 Title信息的文件构成图。

【図40】図40は、実施の形態3における、BDディスク全体管理情報およびTitle情報を記録するファイルの構成図である。 - 中国語特許翻訳例文集

PMOS晶体管 PT311的漏极连接至 NMOS晶体管 NT311的漏极，并且连接点构成节点ND311。

PMOSトランジスタPT311のドレインがNMOSトランジスタNT311のドレインに接続され、その接続点によりノードND311が形成されている。 - 中国語特許翻訳例文集

PMOS晶体管 PT312的漏极连接至 NMOS晶体管 NT312的漏极，并且连接点构成放大器 310的输出节点 ND312。

PMOSトランジスタPT312のドレインがNMOSトランジスタNT312のドレインに接続され、その接続点によりアンプ310の出力ノードND312が形成されている。 - 中国語特許翻訳例文集

应注意，寄生电容器 629形成在第二负载晶体管栅极线 622与第二负载晶体管 624的漏极端子之间。

なお、寄生容量629は、第2負荷トランジスタゲート線622と第2負荷トランジスタ624のドレイン端子との間に形成される。 - 中国語特許翻訳例文集

应注意，第二负载晶体管 624是权利要求中描述的第二负载晶体管的示例。

なお、第2負荷トランジスタ624は、特許請求の範囲に記載の第2の負荷トランジスタの一例である。 - 中国語特許翻訳例文集

第二负载晶体管 624的源极端子示出第二负载晶体管 624的源极端子的电势改变。

第2負荷トランジスタ624ソース端子には、第2負荷トランジスタ624のソース単位の電位変動が示されている。 - 中国語特許翻訳例文集

重置晶体管 54的源极和放大晶体管 55的源极连接到预定电源电压 VDD。

リセットトランジスタ54のソース、および、増幅トランジスタ55のソースは、所定の電源電圧VDDに接続されている。 - 中国語特許翻訳例文集

在图 4a中，行选择晶体管 112置于输出晶体管 102与输出导线之间。

図4aで、行選択トランジスタ112は、出力トランジスタ102と出力線との間に配置されている。 - 中国語特許翻訳例文集

例如，选择晶体管 25的漏极连接到放大晶体管 24的源极，并且其源极连接到垂直信号线 122。

選択トランジスタ25は、例えば、ドレインが増幅トランジスタ24のソースに、ソースが垂直信号線122にそれぞれ接続されている。 - 中国語特許翻訳例文集

在一个实施例中，开关 82包含两个晶体管。

一実施形態では、スイッチ82は2つのトランジスタで構成されている。 - 中国語特許翻訳例文集

图 2中的共享像素单元 41包括光电二极管 (PD0和 PD1)51-1和 51-2、传送晶体管(M0和 M1)52-1和 52-2，浮置扩散 (FD)53、重置晶体管 (M2)54、放大晶体管 (M3)55、以及选择晶体管 (M4)56。

図2の共有画素ユニット41は、フォトダイオード（PD0，PD1）51−1，51−2、転送トランジスタ（M0，M1）52−1，52−2、フローティングディフュージョン（FD）53、リセットトランジスタ（M2）54、増幅トランジスタ（M3）55、および選択トランジスタ（M4）56から構成される。 - 中国語特許翻訳例文集

向模式切换晶体管 204供给脉冲“PSAVE”。

PSAVEはモード切替用のトランジスタ204に供給されるパルスである。 - 中国語特許翻訳例文集

图15E和 16E是所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs的波形。

図15（E）及び図16（E）は、駆動トランジスタN2のソース電位Vsの波形である。 - 中国語特許翻訳例文集

所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs由 Vofs_L-Vth给出。

また、駆動トランジスタN2のソース電位Vsは、Vofs_L−Vthで与えられる。 - 中国語特許翻訳例文集

在单位像素2a中，放大晶体管 23的漏极端子经由地址晶体管 24与电源 26连接，源极端子经由垂直信号线 VSL以及开关晶体管 14与电流源 15连接，因此，放大晶体管 23构成源极跟踪器电路。

単位画素2aでは、増幅トランジスタ23のドレイン端子がアドレストランジスタ24を介して電源26が接続され、ソース端子が垂直信号線VSLおよびスイッチトランジスタ14を介して電流源15が接続されるので、増幅トランジスタ23は、ソースフォロワ回路を構成する。 - 中国語特許翻訳例文集

假定在本实施例中，除驱动晶体管 Td1和负荷晶体管 Ts1以外的晶体管作为随着连接至栅极的控制线接通和断开而接通和断开的开关作用。

本実施形態において、駆動トランジスタTd1および負荷トランジスタTs1以外のトランジスタは、スイッチとして働き、ゲートに接続されている制御線のオンで導通し、オフで遮断することとする。 - 中国語特許翻訳例文集

在该示例中，示出了在一行读出时段期间垂直信号线 (VSL1)501、第二负载晶体管栅极线622、第二负载晶体管624的源极端子、以及负载晶体管栅极线612的电势中的改变。

この例では、1行読み出し期間における垂直信号線（VSL1）501、第2負荷トランジスタゲート線622、第2負荷トランジスタ624のソース端子および負荷トランジスタゲート線612における電位変動が示されている。 - 中国語特許翻訳例文集

在包含 MOS晶体管 41～ 45的差分输入级中，MOS晶体管 42用作非反相输入端子，而 MOS晶体管 43用作反相输入端子。

MOSトランジスタ41〜45からなる差動入力段のMOSトランジスタ42は非反転入力端子、MOSトランジスタ43は反転入力端子として機能する。 - 中国語特許翻訳例文集

在包含 MOS晶体管 61～ 65的差分输入级中，MOS晶体管 62用作非反相输入端子，而 MOS晶体管 63用作反相输入端子。

MOSトランジスタ61〜65からなる差動入力段のMOSトランジスタ62は非反転入力端子、MOSトランジスタ63は反転入力端子として機能する。 - 中国語特許翻訳例文集

公共的控制端 47与 NMOS晶体管 52的栅极端子直接连接，经由反相器 53与 PMOS晶体管 50的栅极端子连接，连还接到 PMOS晶体管 54、55的各栅极端子。

共通の制御端47は、NMOSトランジスタ52のゲート端子に直接接続され、インバータ53を介してPMOSトランジスタ50のゲート端子に接続され、また、PMOSトランジスタ54，55の各ゲート端子に接続されている。 - 中国語特許翻訳例文集

控制端 47与 NMOS晶体管 52的栅极端子直接连接，经由反相器 53与 PMOS晶体管 50的栅极端子连接，还与 PMOS晶体管 54、55的各栅极端子连接。

制御端47は、NMOSトランジスタ52のゲート端子に直接接続され、インバータ53を介してPMOSトランジスタ50のゲート端子に接続され、また、PMOSトランジスタ54，55の各ゲート端子に接続されている。 - 中国語特許翻訳例文集

此外，传输晶体管 412使其栅极端子连接到电荷传输线 331和 332，并且经由浮动扩散 FD使其漏极端子连接到复位晶体管 413的源极端子和放大晶体管 414的栅极端子。

また、転送トランジスタ412は、そのゲート端子が電荷転送線331および332に接続され、そのドレイン端子がフローティングディフュージョンFDを介してリセットトランジスタ413のソース端子と増幅トランジスタ414のゲート端子とに接続される。 - 中国語特許翻訳例文集

设置晶体管 611是被适配为基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号、在连接到负载晶体管 614的栅极端子的负载晶体管栅极线 612和参考电流线 601之间出现接触和不出现接触间进行切换的开关。

設定トランジスタ611は、タイミング制御回路200から供給される維持制御信号に基づいて、負荷トランジスタ614のゲート端子に接続された負荷トランジスタゲート線612と、基準電流線601と間の接触の有無を切り替えるスイッチである。 - 中国語特許翻訳例文集

第二设置晶体管 621是被适配为基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号、在连接到第二负载晶体管 624的栅极端子的第二负载晶体管栅极线 622和参考电流线 601之间出现接触和不出现接触间进行切换的开关。

第2設定トランジスタ621は、タイミング制御回路200から供給された維持制御信号に基づいて、第2負荷トランジスタ624のゲート端子に接続された負荷トランジスタゲート線622と、基準電流線601と間の接触の有無を切り替えるスイッチである。 - 中国語特許翻訳例文集

输入部分 510包括一个晶体管 (第四晶体管 Tr4)，第四晶体管 Tr4的输入端和控制端被共同连接 (二极管连接 )到第一输入端 IN1，输出端连接到节点 Q(以下，称为第一节点 )。

入力部510は一つのトランジスター（第4のトランジスターTr4）を備え、第4のトランジスターTr4の入力端子及び制御端子は第1の入力端子IN1と共通に接続（ダイオード接続）され、出力端子はQ接点（以下、第1のノードともいう）に接続されている。 - 中国語特許翻訳例文集

第三晶体管 Tr3的控制端连接到上拉驱动器 511的第七晶体管 Tr7的输出端，通过第二输入端 IN2向第二晶体管 Tr2的控制端输入下一级的栅极电压。

第3のトランジスターTr3の制御端子はプルアップ駆動部511の第7のトランジスターTr7の出力端子に接続され、第2のトランジスターTr2の制御端子には第2の入力端子IN2を介して次段のステージのゲート電圧が入力される。 - 中国語特許翻訳例文集

当被连接到垂直信号线的全部像素的选择晶体管 25被关断时 (当选择晶体管处于低电平时 )，用于对开关负载晶体管 31进行开关的开关脉冲 LOAD被激活 (例如，电源电压 Vdd)。

垂直信号線122に接続された全ての画素の選択トランジスタ25をオフした状態（選択パルスSELが低レベルの状態）で、負荷トランジスタ31をスイッチング駆動するスイッチングパルスLOADをアクティブ（例えば、電源電圧Vdd）とする。 - 中国語特許翻訳例文集

在地址晶体管 24被行选择后导通时，放大晶体管 23的漏极端子与电源 26连接，且在开关晶体管 14导通后电流源 15经由垂直信号线 VSL与源极端子连接时，构成源极跟踪器电路。

増幅トランジスタ23は、アドレストランジスタ24が行選択されてオンしドレイン端子が電源26に接続され、かつスイッチトランジスタ14がオンして電流源15が垂直信号線VSLを介してソース端子に接続されたときにソースフォロワ回路を構成する。 - 中国語特許翻訳例文集

在电路接地端侧的 2个 NMOS晶体管 26、28处，NMOS晶体管 26的栅极端子被输入第 n列的寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn，另外，NMOS晶体管 28的栅极端子被输入第 n+1列的寄存器电路 17所保持的 1位数据 Reg.Data Dn+1。

グランド側の2つのNMOSトランジスタ26，28ではNMOSトランジスタ26のゲート端子にn列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dnが入力され、また、NMOSトランジスタ28のゲート端子にn＋1列目のレジスタ回路17が保持する1ビットデータReg．Data Dn＋1が入力される。 - 中国語特許翻訳例文集

基准电压驱动电路 19a中，在列选择信号被输出而处于高电平的期间，驱动基准电压线 Vref1的 NMOS晶体管 30、驱动基准电压线 Vref2的 NMOS晶体管 33、驱动基准电压线 Vref3的 NMOS晶体管 35都导通。