「体管」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

选择晶体管 41的漏极经由相应的节点 N41连接到相应的中间保持单元2(中间保持单元 2的节点 N32)，并且各自的源极耦接到放大电路 42的输入节点。

各選択トランジスタ41のドレイン電極は、対応するノードN41を介してそれぞれ別の中間保持手段2（中間保持手段2のノードN32）に接続されており、ソース電極はすべてショートされ増幅回路42の入力端に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生电容器 629包括在第二负载晶体管 624的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和第二参考电流线 602之间形成的布线间电容器。

寄生容量629は、第2負荷トランジスタ624のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と第2基準電流線602との間に形成される配線間容量からなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

当输入信号为高逻辑电平时，第一 FET611将起作用并且将输出 605耦合到三个pMOSFET 617、619和621的公共节点613(并根据是否使用了额外的晶体管段而潜在地耦合到其他 nMOSFET)。

入力信号が高論理レベルの場合、第1のFET611はアクティブになり、出力605を3つのpMOSFET617、619、621（および追加トランジスタ部が使用されるかどうかに依存して可能性として他のnMOSFET）の共通ノード613に接続するだろう。 - 中国語 特許翻訳例文集

在信号电荷被读出到浮动扩散部 FD1、FD1′中之后，如果水平控制线 L3、L4的复位线成为高电平，则复位晶体管 2、2′导通，将读出到浮动扩散部 FD1、FD1′中的信号电荷排出。

フローティングディフージョンFD1、FD1´に信号電荷が読み出された後、水平制御線L3、L4のリセット線がハイレベルになると、リセットトランジスタ2、2´がオンし、フローティングディフージョンFD1、FD1´に読み出された信号電荷が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，通过将用于垂直信号线Vsig1a、Vsig1b的配线H1分别连接在放大晶体管4、4′的源极侧的扩散层 DF1上，能够使浮动扩散部 FD1、FD1′与垂直信号线 Vsig1b、Vsig1a之间的距离分别变大。

また、垂直信号線Vsig1a、Vsig1bに用いられている配線H1をアンプトランジスタ4、4´のソース側の拡散層DF1にそれぞれ接続することにより、フローティングディフージョンFD1、FD1´と垂直信号線Vsig1b、Vsig1aとの間の距離をそれぞれ大きくすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 7的配置中，这是通过将电容器 220作为稳压器 348的分路元件来达成的，其中稳压器 248与 OP amp 254和分路晶体管252一起调节与环路 22耦合的端子上的压降。

図7の機器構成においては、このことは、コンデンサ220を、ループ22に接続する端子をはさむ電圧降下を調整する調整器248のための分路素子として、オペアンプ254及び分路トランジスタ252と併せて配置することによって達成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

也就是说，当在步骤 S34确定，当从 FD 53的重置起在短曝光时间中传送晶体管 52-1导通时、VSL 57的电压电平不改变时，处理跳过步骤 S35，并且进行到步骤 S36。

すなわち、ステップS34において、FD53がリセットされてから、短い露光時間で転送トランジスタ52−1がオンされたときに、VSL57における電圧レベルが変化していないと判定された場合、処理はステップS35をスキップし、ステップS36に進む。 - 中国語 特許翻訳例文集

也就是说，当在步骤 S34(图 7的时序图中的时间 T7)确定，当从 FD 53的重置起的短曝光时间中传送晶体管 52-1导通时、VSL 57的电压电平急剧下降时，处理进行到步骤S35。

すなわち、ステップS34（図7のタイムチャートの時刻T7）において、FD53がリセットされてから、短い露光時間で転送トランジスタ52−1がオンされたときに、VSL57における電圧レベルが急激に変化したと判定された場合、処理はステップS35に進む。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，在信号电压 VP1从“VTT”降低为“VTT-Vα”、信号电压 VN1从“VTT-Vα”上升为“VTT”的情况下，由于伴随着信号电压 VN1的上升，电压缓和晶体管 202p的电导增加，所以可以加快信号电压 VP1的降低速度。

例えば、信号電圧VP1が“VTT”から“VTT−Vα”に低下し、信号電圧VN1が“VTT−Vα”から“VTT”に上昇する場合、信号電圧VN1の上昇に伴って電圧緩和トランジスタ202pのコンダクタンスが増加するので、信号電圧VP1の低下速度を速めることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在这个实施例中，与图 6B的实施例相比较，当使能 reset_b信号时，即当斜坡正被中止或放电时，PMOS晶体管 M6的增加将悬空节点 fnode下拉到接地。

図6Bの実施形態と比較して、この実施形態では、PMOSトランジスタM6が加えられており、これにより、reset＿b信号がイネーブル状態になる、すなわちランプが中断する又は開放されると、浮いているノードfnodeがグランドレベルに引き下げられる。 - 中国語 特許翻訳例文集

这导致由 MOS晶体管 5或 7引起的电压降对于从输出端子 POUT或BOUT输出的信号的影响减小。

このため、共通出力線8または9の電位は差動増幅回路4または6の仮想接地により差動増幅回路の非反転入力端子と等しくなり、出力端子POUTまたはBOUTから出力される信号からは、MOSトランジスタ5または7で生じる電圧降下の影響が低減される。 - 中国語 特許翻訳例文集

电路块 134具有通过 NOR电路 135的操作而独立于其它电路块 131、132和 133操作的电路配置，以便供应低于地电压的电压 (例如 -0.1V)，作为用于关断转移晶体管 22的电压。

この回路ブロック134では、転送トランジスタ22をオフするための電圧として、接地電圧よりも低い電圧、例えば−1．0Vを供給するために、NOR回路135の作用により他の回路ブロック131，132，133とは排他的に動作する回路構成となっている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在将被供应到转移晶体管 22的栅电极的电压为 Vtrg1、Vtrg2、Vtrg3和 Vtrg4的情形中，当通过地址信号 ADR选定行时，根据时序信号 PTRG1、PTRG2和 PTRG3，对应于各个时序信号的电压Vtrg1、Vtrg2和 Vtrg3被供应，而电压 Vtrg4被供应到其它行。

転送トランジスタ22のゲート電極に供給する電圧をVtrg1，Vtrg2，Vtrg3，Vtrg4とした場合において、アドレス信号ADRによって行が選択された際に、タイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3によって、それぞれに対応する電圧Vtrg1，Vtrg2，Vtrg3を供給し、それ以外は電圧Vtrg4を供給する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在上面的实施例中，解释了其中本发明应用于 CMOS图像传感器 (其中，包括选择晶体管 25的单元像素 20(参考图 1)以矩阵形式布置 )的情形，但是本发明不限于该应用。

なお、上記実施形態では、選択トランジスタ25を含む単位画素20（図1参照）が行列状に配置されてなるCMOSイメージセンサに適用した場合について説明したが、本発明はこの適用例に限られるものではない。 - 中国語 特許翻訳例文集

在中间转移之前，在时段 T2，中间电压 (对应于图 4B中的电压 Vtrg1)被施加到转移晶体管 22的控制电极，并且在具有大量入射光的像素中产生的信号电子被部分地转移到 FD区 26。

中間読み出しの前に、期間T2で中間電圧（図4の電圧Vtrg1に相当）を転送トランジスタ22の制御電極に印加し、入射光量の大きい画素で発生した信号電荷を部分的にFD部26へ転送する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 T3，与时段 T2的相同或者不同的中间电压被施加到转移晶体管 22的控制电极，并且在具有大量入射光的像素中产生的信号电荷再次被部分转移到 FD区 26。

期間T3で転送トランジスタ22の制御電極に期間T2と同じ、あるいは異なる中間電圧を印加することにより、再び入射光量の大きい画素で発生した信号電荷を部分的にFD部26へ転送する。 - 中国語 特許翻訳例文集

操作实例 4是其中顺序地多次执行通过中间转移完成的信号读出的实例，并且通过从低级开始施加多个电压到转移晶体管 22的控制电极，可以获得对应于各个电压的补偿量的补充信号。

動作例4は、中間転送による信号の読み出しを続けて複数回実行する動作例となっており、複数の電圧を低い電圧から順に転送トランジスタ22の制御電極に印加することにより、それぞれの電圧に対応した補正量の補正信号を得ることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

被执行以在时段 (10)期间向低灵敏度模式转换的操作的特征在于，在时段 (14)中从缓冲放大器 202输出的信号 -S3包含由于 MOS晶体管 115在累积操作期间进入导通状态而出现的噪声。

期間（10）から低感度モードに移行する動作で特徴的なのは、期間（14）にバッファアンプ202から出力される信号−S3には、蓄積動作中にMOSトランジスタ115を導通させたことによるノイズが含まれる。 - 中国語 特許翻訳例文集

IR接收器 32、光电晶体管或光电二极管 12、IR驱动器 33和 IR发射器或 LED 13是众所周知的电路和装置，其通常在不同 IC或分立封装中可获得、与 IR通滤波器和 /或低通滤波器包封在一起。

IR受信機32、フォトトランジスタまたはフォトダイオード12、IRドライバ33およびIR送信機またはLED13は、よく知られている回路およびデバイスであり、IR通過フィルタおよび／または低域通過フィルタと共にカプセル化された様々なICまたは個別パッケージで一般に入手することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

命令转换器 259P的组合双向 TX-RX驱动器 /接收器 33A和 32A（也称为收发器）经由与调光器电路 6M-2的 LED 13A和光电二极管 12A互易的 LED 13A和光电晶体管或二极管 12A来馈送和接收协议。

命令変換器259Pのトランシーバとも呼ばれる組合せ両方向TX−RXドライバ／受信機33Aおよび32Aは、調光器回路6M−2のLED13Aおよびフォトダイオード12Aに相当するLED13Aおよびフォトトランジスタまたはダイオード12Aを介してプロトコルを送り、また受信する。 - 中国語 特許翻訳例文集

M个开关晶体管 12的各漏极端子并联地连接在偏压生成电路 5的输出端子上，各栅极端子并联地连接在定时控制电路 10所控制的电压控制线 13上。

M個のスイッチトランジスタ12の各ドレイン端子はバイアス電圧生成回路5の出力端子に並列に接続され、各ゲート端子はタイミング制御回路10が制御する電圧制御線13に並列に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

由于 NMOS晶体管 41始终是导通的，因此进行控制信号线 21的放电，在控制信号线 21的电位下降且通过了逻辑匹配电路 48的阈值的定时，如图 7(3)所示，控制端 47显现出控制信号。

NMOSトランジスタ41は常時オンしているので、制御信号線21の放電が行われ、制御信号線21の電位が低下し論理整合回路48の閾値を過ぎるタイミングで、図7（3）に示すように、制御端47に制御信号が現れる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在步骤 S62中，采用类似于步骤 S55的处理，单元像素 131的目标行使浮置扩散区145复位，释放当前帧的信号电荷 S1，并停止选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147的栅电极。

ステップS62において、注目行の単位画素131は、ステップS55と同様の処理により、浮遊拡散領域145をリセットし、現在のフレームの信号電荷S1を排出し、選択トランジスタ147のゲート電極への選択パルスSELの印加を停止する。 - 中国語 特許翻訳例文集

如上所述，在第三遮光像素 930和第四遮光像素 940中，由于可以将栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L设置为大，因此与在感光像素 110中相比，在第三遮光像素 930和第四遮光像素 940中，可以更多地降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声。

このように、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940においては、ゲート幅（チャネル幅）Wとゲート長（チャネル長）Lを大きくとることができるので、感光画素110に比べて、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940の駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，只要可以增大栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L，就可以根据驱动晶体管 Td1的布局，颠倒栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L增大的方向 (水平方向和垂直方向 )的组合。

さらに、本実施形態においては、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくするためであれば、駆動トランジスタTd1のレイアウトによっては、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする方向（水平方向あるいは垂直方向）の組み合わせが逆になってもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该操作具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在第三 OB区域 63、第四 OB区域 64、第五 OB区域 65和第六 OB区域 66中排列第一遮光像素 910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。

ここで、第3のOB領域63、第4のOB領域64、第5のOB領域65および第6のOB領域66に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在第三 OB区域 63、第四 OB区域 64和第七OB区域 67中排列第一遮光像素 910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。

ここで、第3のOB領域63、第4のOB領域64および第7のOB領域67に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在第五 OB区域 65、第六 OB区域 66和第八 OB区域 68中排列第一遮光像素910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。

ここで、第5のOB領域65、第6のOB領域66および第8のOB領域68に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在 OB区域 610、620和 621中排列第一遮光像素 910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。

ここで、OB領域610、620および621に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在 OB区域630、640、650、651、652、660、661和662中排列第一遮光像素910、第二遮光像素920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。

ここで、OB領域630、640、650、651、652、660、661、および662に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在第三 OB区域 63、第四 OB区域 64、第九 OB区域 69和第十 OB区域 70中排列第一遮光像素 910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。

ここで、第3のOB領域63、第4のOB領域64、第9のOB領域69および第10のOB領域70に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在第八 OB区域 68、第九 OB区域 69和第十OB区域 70中排列第一遮光像素 910、第二遮光像素 920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。

ここで、第8のOB領域68、第9のOB領域69および第10のOB領域70に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

可以通过使第八 OB区域 68以与第一实施例中的 HOB区域相同的方式工作、并且在第九 OB区域 69和第十 OB区域 70中排列遮光像素从而满足本实施例中针对 VOB区域的条件 (3)和 (4)，来更多地降低由第十 OB区域 70中的驱动晶体管 Td1所生成的噪声。

第8のOB領域68は、第1の実施形態のHOB領域と同じように動作させ、第9のOB領域69および第10のOB領域70は、本実施形態のVOB領域の条件（3）および（4）となるように遮光画素を配列させることで、第10のOB領域70の駆動トランジスタTd1が発生するノイズの方をより低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果，而与在 OB区域 630、640、690、691、692、700、701和702中排列第一遮光像素910、第二遮光像素920、第三遮光像素 930还是第四遮光像素 940无关。

ここで、OB領域630、640、690、691、692、700、701、および702に対しては、第1の遮光画素910、第2の遮光画素920、第3の遮光画素930および第4の遮光画素940のどの遮光画素を配列させても、感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、第1から第3の実施形態から明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

在这种情况下，可以通过对第一 HOB区域和第二 HOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件进行设置，从而满足第二 HOB区域中的 W＞第一 HOB区域中的 W＞有效像素区域中的 W1、并且第二 HOB区域中的 L＞第一 HOB区域中的 L＞有效像素区域中的 L1，来更多地降低由第二 HOB区域中的驱动晶体管 Td1所生成的噪声。

この時は、第1のHOB領域および第2のHOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を、第2のHOB領域のW＞第1のHOB領域のW＞有効画素領域のW1、かつ、第2のHOB領域のL＞第1のHOB領域のL＞有効画素領域のL1とすることで、第2のHOB領域の駆動トランジスタTd1が発生するノイズの方をより低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，可以通过对第一 VOB区域和第二 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件进行设置，从而满足第一 VOB区域中的 W＞第二 VOB区域中的W＞有效像素区域中的 W1、并且第一 VOB区域中的 L＞第二 VOB区域中的 L＞有效像素区域中的 L1，来更多地降低由第一 VOB区域中的驱动晶体管 Td1所生成的噪声。

また、第1のVOB領域および第2のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を、第1のVOB領域のW＞第2のVOB領域のW＞有効画素領域のW1、かつ、第1のVOB領域のL＞第2のVOB領域のL＞有効画素領域のL1とすることで、第1のVOB領域の駆動トランジスタTd1が発生するノイズの方をより低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，可以通过对第四 VOB区域和第五 VOB区域中的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L的条件进行设置、从而满足第五 VOB区域中的 W＞第四 VOB区域中的 W＞有效像素区域中的 W1并且第五 VOB区域中的L＞第四 VOB区域中的 L＞有效像素区域中的 L1，来更多地降低由第五 VOB区域中的驱动晶体管 Td1所生成的噪声。

また、第4のVOB領域および第5のVOB領域のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lの条件を、第5のVOB領域のW＞第4のVOB領域のW＞有効画素領域のW1、かつ、第5のVOB領域のL＞第4のVOB領域のL＞有効画素領域のL1とすることで、第5のVOB領域の駆動トランジスタTd1が発生するノイズの方をより低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，在上述实施方式中，对在以休眠模式工作的期间通过节能控制部 11b检测纸张盒23a被取下和被安装的例子进行了说明，但是也可以在以通常模式工作的期间例如通过使用晶体管进行控制，使得由引擎控制部 11a来检测。

また、上記の実施の形態においては、スリープモードで作動している間に、省エネ制御部11bにより用紙カセット23aの取り外しおよび取り付けを検知する例について説明したが、通常モードで作動している間には、例えばトランジスタを用いることにより、エンジン制御部11aにて検知するように制御してよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

网络设备或服务器 308和 /或存储设备 310和 /或数据源 312可存在于通信网络 300上，通信网络 300具有提供团体管理能力和 /或蜂窝电信服务所需的任何其他网络组件。

ネットワークデバイスまたはサーバ308及び／またはストレージデバイス310及び／またはデータソース312は、コミュニティ管理機能及び／またはセルラテレコミュニケーションサービスを提供することが望まれるいずれの他のネットワークコンポーネントを備え通信ネットワーク300上に存在することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，当入射光强度被假定为在该入射光强度下电子数量在标准的曝光时间 Ts内 (诸如，当 30帧 /秒时 1/30秒，当 60帧 /秒时 1/60秒 )达到饱和电子数量Qs，则当电压 Vtrg被供应到转移晶体管 22的控制电极时的定时 Ti的存储电子的数量 Nei被估计。

例えば、毎秒30フレームであれば1／30秒、毎秒60フレームであれば1／60秒といった基準となる露光時間Tsで飽和電子数Qsに達する入射光強度を仮定し、転送トランジスタ22の制御電極に電圧Vtrgを供給するタイミングTiにおける、蓄積電子数Neiを見積もる。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此 CPU可以基于过零定时、所连接的移动器 1或 2、和经由 IR光电晶体管或光电二极管12通过 IR远程控制接收器 32馈送到 CPU 30的所接收到的命令开启或关断或者给定调光器电平来生成触发脉冲 T1或 T2。

したがって、CPUは、ゼロ交差のタイミング、接続されたトラベラ1または2、およびIRフォトトランジスタまたはフォトダイオード12を介しIR遠隔制御受信機32を通してCPU30に供給される受信命令オンまたはオフおよび所定の調光器レベルに基づいて、トリガパルスT1またはT2を生成することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

该缓冲器是众所周知的缓冲放大器，诸如晶体管或IC，然而依赖于CPU 30的I/O端口的电平和电流容量，可能不需要和不使用缓冲器 220和 221，在该情况下从 CPU 30直接馈送触发脉冲 T1和 T2至三端双向可控硅开关元件 223和 224触发输入端。

バッファは、トランジスタまたはICなどのよく知られているバッファ増幅器であるが、CPU30のI／Oポートのレベルおよび電流容量に依存して、バッファ220および221が必要とされず使用されないことがあり、その場合には、トリガパルスT1およびT2は、CPU30から直接トライアック223および224のトリガ入力に供給される。 - 中国語 特許翻訳例文集

光导线缆端可以粘合或压接（crimp）到自锁定塑料插头（未示出）上，或者以其他方式附接到 LED 13A和到光电晶体管或二极管 12A，如图 7E-7G和图 8A-8F所示，而不用通常使用的光纤线缆的高精确连接器。

ライトガイドケーブル端面は、自動ロック式プラスチックプラグ（図示されず）に貼り付けるか圧着することができ、または違った方法で、一般に使用される光ファイバケーブルの高精度コネクタを使用することなしに、図7E〜7Gおよび8A〜8Fに示されるようにLED13Aおよびフォトトランジスタまたはダイオード12Aに付けることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

棱镜 255经由由组合棱镜的半透明反射镜表面涂层所构建的半透明反射镜将所接收到的光或 IR信号偏转到光电晶体管或二极管 12A的表面，并使来自发射 LED 13A表面的可见光谱或 IR信号内的透射光穿过。

プリズム255は、組合せプリズムの半透明鏡表面コーティングによって作られた半透明鏡によって、受信された光またはIR信号をフォトトランジスタまたはダイオード12Aの表面に向けて偏向させ、さらに、伝送LED13Aの表面からの、可視スペクトルまたはIR信号の範囲内の伝送光を通過させる。 - 中国語 特許翻訳例文集

调光器 6M-2被示出为支持经由双向光导或光纤线 252与控制电路（未示出）的双向通信，经由 TX 13A被馈送确认和状态，被 TX驱动器 33驱动，并通过光电晶体管或二极管 12A以及经由 RX电路 32接收开启 -关断和调光器电平命令。

調光器6M−2は、デュアルライトガイドまたは光ファイバ線252を介した制御回路（図示されず）との両方向通信をサポートし、TXドライバ33によって駆動されるTX13Aを介して確認および状態を供給され、フォトトランジスタまたはダイオード12Aを通してさらにRX回路32Aを介してオンオフおよび調光器レベル命令を受信するように図示されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

这包括通过连同对应的光电二极管或光电晶体管12或 12A和 LED 13或 13A一起提供对应的 TX和 RX电路 32和 33或 32A和 33A来使用单个或两个光纤线缆 252和 /或使用单个或两个光导线缆 252。

この提示は、対応するフォトダイオードまたはフォトトランジスタ12または12AおよびLED13または13Aと共に、対応するTXおよびRX回路32および33または32Aおよび33Aを準備して、単一またはデュアル光ファイバケーブル252を使用することおよび／または単一またはデュアルライトガイドケーブル252を使用すること含む。 - 中国語 特許翻訳例文集

当然，这种单个单向命令转换器将仅具有用于操作设备的 TX电路 33A和 LED 13A，或者仅具有用于接收来自设备的状态或数据的 RX电路 32A和光电二极管或光电晶体管 12A，并且它们通过图 8A中所示的端子连接到其有线网络。

もちろん、そのような単一の一方向命令変換器は、電気器具を操作するためにTX回路33AおよびLED13Aだけを、または電気器具から状態またはデータを受信するためにRX回路32Aおよびフォトダイオードまたはフォトトランジスタ12Aだけを持ち、さらに、図8Aに示された端子を通して有線ネットワークに接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

1A固态图像拾取元件，10A像素单元，11AA/D转换器，12A光通信单元，13A时序发生器，14A控制 I/O，15A DC-DC单元，16A控制器，17总线，2A光学设备，20A透镜单元，21外壳，3A信号处理设备，30A光通信单元，31A控制 I/O，32A操作单元，33A读取控制器，34A信号处理器，35A数据存储单元，36A显示单元，37A电源，38A电源控制器，4A信号处理系统，100像素，101像素阵列，102垂直扫描电路，103水平扫描电路，104列 CDS电路，105列信号线，106光电二极管，107FD放大器，108行选择晶体管，109行选择线，110电荷检测器，111复位晶体管，112放大晶体管，113复位线，114行读取线，120串行接口，120A并 /串转换器，121 121S 121CL发光单元，122A 122B线，123线，124编码单元，125数据加扰单元，126并/串转换器，128A表面发射半导体激光器，130H 130AD130OP线，300S 300CL光接收单元，301A串 /并转换器，302光接收单元，303串 /并转换器，304解扰单元，305解码单元，306光接收单元，307并行接口，401A相机系统，402A透镜单元，403A相机机身单元，404快门，405AE/AF检测器，406电子闪光，407电子闪光控制器

1A・・・固体撮像素子、10A・・・画素部、11A・・・A／D変換部、12A・・・光通信部、13A・・・タイミングジェネレータ、14A・・・制御I／O、15A・・・DC−DC部、16A・・・制御部、17・・・バス、2A・・・光学装置、20A・・・レンズ部、21・・・ハウジング、3A・・・信号処理装置、30A・・・光通信部、31A・・・制御I／O、32A・・・操作部、33A・・・読み出し制御部、34A・・・信号処理部、35A・・・データ保持部、36A・・・表示部、37A・・・電源、38A・・・電源制御部、4A・・・信号処理システム、100・・・画素、101・・・画素アレイ、102・・・垂直走査回路、103・・・水平走査回路、104・・・カラムCDS回路、105・・・列信号線、106・・・フォトダイオード、107・・・FDアンプ、108・・・行選択トランジスタ、109・・・行選択線、110・・・電荷検出部、111・・・リセットトランジスタ、112・・・増幅トランジスタ、113・・・リセット線、114・・・行読み出し線、120・・・シリアルインタフェース、120A・・・パラレル／シリアル変換部、121、121S，121CL・・・発光部、122A，122B・・・配線、123・・・配線、124・・・エンコード部、125・・・データスクランブル部、126・・・パラレル／シリアル変換部、128A・・・面発光型半導体レーザ、130H，130AD，130OP・・・配線、300S，300CL・・・光受信部、301A・・・シリアル／パラレル変換部、302・・・光受信部、303・・・シリアル／パラレル変換部、304・・・デスクランブル部、305・・・デコード部、306・・・受光部、307・・・パラレルインタフェース、401A・・・カメラシステム、402A・・・レンズユニット、403A・・・カメラ本体部、404・・・シャッタ、405・・・AE／AF検出部、406・・・ストロボ、407・・・ストロボ制御部 - 中国語 特許翻訳例文集

然而，只要缩减光电转换元件 D1在垂直方向上的面积以增大栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L，就可以根据驱动晶体管 Td1的布局，颠倒光电转换元件 D1的面积水平地或垂直地缩减的方向、以及栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L增大的方向 (水平方向或垂直方向 )的组合。

しかしながら、光電変換素子D1の垂直方向の面積を削減し、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくするためであれば、駆動トランジスタTd1のレイアウトによっては、光電変換素子D1の面積を水平および垂直に削減する方向と、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする方向（水平方向あるいは垂直方向）の組み合わせが逆になってもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

结合本文献中所揭示的方面而描述的各种说明性逻辑块、模块和电路可用经设计以执行本文所描述的功能的通用处理器、数字信号处理器 (DSP)、专用集成电路 (ASIC)、现场可编程门阵列 (FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合来实施或执行。

本文書において開示される態様に関連して説明される種々の例示的論理ブロック、モジュールおよび回路は、汎用コンピュータ、ディジタル信号プロセッサ（DSP）、特定用途向け集積回路（ASIC）、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（FPGA）または他のプログラム可能論理デバイス、個別ゲートまたはトランジスタ論理、個別ハードウエアコンポーネント、あるいはここで説明された機能を実行するように設計されたこれらの任意の組合せによって実現または実行され得る。 - 中国語 特許翻訳例文集