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「信号線」を含む例文一覧

該当件数 : 311



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しかしながら、この際、非常に強力な過大光が入射された場合(b)では、リセットレベル検出期間(2)中もさらに垂直信号線VSLのリセット信号の電圧が下降し続けるため、リセットレベル検出期間(2)の終了時(時刻t7)までにコンパレータ8が反転しないおそれがある。

但是,此时,在被入射极强光的情况下 (b),在复位电平检测期间 (2),垂直信号线VSL的复位信号的电压继续下降,所以在复位电平检测期间 (2)结束时 (时刻 t7)之前,比较器 8有可能不反转。 - 中国語 特許翻訳例文集

後述する比較例では、ある時間に入るクロック数をカウントして画素信号をデジタル変換するCMOSセンサにおいて、非常に強力な過大光が入射した場合、リセット信号が下降しない様に垂直信号線の電位をアナログ的に制御する方法で画素信号をAD変換する前に信号制御を行っている。

在后述的比较例中,在将进入到某时间的时钟数进行计数来将像素信号进行数字变换的 CMOS传感器中,在入射了极强光的情况下,在通过将垂直信号线的电位以复位信号不会降低的方式进行模拟控制的方法中,在对像素信号进行模数变换之前进行信号控制。 - 中国語 特許翻訳例文集

ところで、非常に強力な過大光が入射した場合、行選択された単位画素のリセットTr.がオンして画素信号を読み出す際に垂直信号線VSLのリセット信号が下降してしまい、これによって、リセット信号と画素(PD)信号の差分で作られる画素信号成分が小さくなり、映像的に黒く沈んだ模様が発生してしまう問題が発生する。

在此,在入射了极强光的情况下,在使行选择的单位像素的复位 Tr导通而读取了像素信号时,垂直信号线 VSL的复位信号下降,由此,由复位信号和像素 (PD)信号的差分制作的像素信号成分变小,发生影像变暗黑的情形的问题。 - 中国語 特許翻訳例文集

上記のように、比較例1の構成およびその制御動作は、非常に強力な過大光が入射した場合(b)、アナログ的にリセット信号が下降しない様にリセット信号制御回路106が垂直信号線VSLの電位を制御する点で、上記実施形態および変形例と相違する。

如上所述,比较例 1的结构及其控制动作,在入射了非常过大的光的情况下 (b),复位信号控制电路 106将垂直信号线 VSL的电位控制成使得复位信号不会模拟地下降,在这一点上,不同于上述实施方式和变形例。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、この場合、垂直信号線VSLより転送される画素信号を制御する制御回路や、その制御回路へ入力される画素信号の閾値を決定するバイアス回路105、或いは信号制御用コンパレータ113等が必要となり、回路レイアウト面積が増加してしまう点で不利である。

但是,在该情况下,需要对由垂直信号线 VSL传送的像素信号进行控制的控制电路、决定向该控制电路输入的像素信号的阈值的旁路电路 105或者信号控制用比较器 113等,在电路布局面积增加这一点上不利。 - 中国語 特許翻訳例文集

尚、図1及び図2に示したTFTアレイ基板10上には、上述したデータ駆動回路101、走査駆動回路104等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータに供給するサンプリング回路、複数のデータに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置100の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

另外,在图 1及图 2所示的 TFT阵列基板 10上,添加上述数据线驱动电路 101,扫描线驱动电路 104等的驱动电路,也形成对图像信号线上的图像信号进行采样并供给数据线的采样电路,对多个数据线先于图像信号分别供给规定电压电平的预充电信号的预充电电路,用于检查制造途中、负载时的该液晶装置 100的品质,缺陷等的检查电路等。 - 中国語 特許翻訳例文集

8データバスの場合には14個のこのような回路を使用することができ、16データバスの場合には30個のこのような回路を使用することができ、「N」データバスの場合には「2N−2」個の容量結合回路を使用することができる(すなわち、データバスの中央の各信号線はその2つの最近傍と容量結合されるが、409などの端のは、図4の部品427と428などからのようにただ1つの最近傍からだけの結合を受ける)。

在十六线数据总线的情况中,可以使用三十个这样的电路; 而在“N”线数据总线的情况中,可以使用“2N-2”个电容耦合电路(即,在数据总线中部的各个信号线路与其两个最近邻电容耦合,但是在末端的线路,比如线路 409,将仅从一个最近邻,比如从图 4中的组件 427和 428接收耦合 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、重要なことに、上に提示された原理は、受信機位置に基づき各信号線ペア間に発生する遠端クロストークの自動較正を可能にする。 したがって、差動ペアがねじられるかどうかは重要でない、すなわち、送信機はクロストークを最良に相殺する容量値を単純に測定しこれらの値をロードし、そして各信号経路上に信号を送信する際に必要に応じてこれらの値を使用することができる。

然而,重要的是,上文所示的原理允许基于接收器位置对发生于各个信号线路对之间的远端串扰的自动校准,并且因此,差分对是否被蜷曲并不重要,即,发送器可以简单地测量并加载最佳地消除串扰的电容值,并且酌情在各个信号路径上的传输信号中使用这些值。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプルホールド信号変換回路群4aは、列毎の垂直信号線9と1対1で配置される10ビット出力のADC16と、各列において対応するADC16が出力する10ビットデータを保持する10個の1ビットレジスタ回路(Bit No.0 Reg.〜Bit No.9 Reg.)17と、各2列において各行方向に並ぶ2個の1ビットレジスタ回路毎に列方向に配置される10個のデータ転送回路(Bit No.0 データ転送回路〜Bit No.9 データ転送回路)18aとを備えている。

采样保持信号转换电路组 4a具有与每列的垂直信号线 9一对一配置的 10位输出的 ADC16、在各列保持由对应的 ADC16输出的 10位数据的 10个 1位寄存器电路 (Bit No.0Reg.~ Bit No.9Reg.)17、按各 2列中并列于各行方向的 2个 1位寄存器电路来配置于列方向的 10个数据传输电路 (BitNo.0数据传输电路~ Bit No.9数据传输电路 )18a。 - 中国語 特許翻訳例文集

そのため、比較例1では、リセット信号制御回路106が配置され、画素アレイ102で取得した画素信号をコンパレータ108によって参照信号と比較する直前にリセット信号制御回路106を入れ、バイアス回路105から生成したある閾値電圧を信号制御回路106へ供給し、垂直信号線VSLから送られてくる画素リセット信号の電位を、あるタイミングで信号補正している。

因此,在比较例 1中,配置复位信号控制电路 106,利用比较器 108在将由像素阵列 102取得的像素信号和参照信号进行比较之前,放入复位信号控制电路 106,并将由旁路电路 105生成的某个阈值电压向信号控制电路 106供给,在某个定时,对从垂直信号线 VSL发送来的像素复位信号的电位进行信号校正。 - 中国語 特許翻訳例文集


1A・・・固体撮像素子、10A・・・画素部、11A・・・A/D変換部、12A・・・光通信部、13A・・・タイミングジェネレータ、14A・・・制御I/O、15A・・・DC−DC部、16A・・・制御部、17・・・バス、2A・・・光学装置、20A・・・レンズ部、21・・・ハウジング、3A・・・信号処理装置、30A・・・光通信部、31A・・・制御I/O、32A・・・操作部、33A・・・読み出し制御部、34A・・・信号処理部、35A・・・データ保持部、36A・・・表示部、37A・・・電源、38A・・・電源制御部、4A・・・信号処理システム、100・・・画素、101・・・画素アレイ、102・・・垂直走査回路、103・・・水平走査回路、104・・・カラムCDS回路、105・・・列信号線、106・・・フォトダイオード、107・・・FDアンプ、108・・・行選択トランジスタ、109・・・行選択、110・・・電荷検出部、111・・・リセットトランジスタ、112・・・増幅トランジスタ、113・・・リセット、114・・・行読み出し、120・・・シリアルインタフェース、120A・・・パラレル/シリアル変換部、121、121S,121CL・・・発光部、122A,122B・・・配、123・・・配、124・・・エンコード部、125・・・データスクランブル部、126・・・パラレル/シリアル変換部、128A・・・面発光型半導体レーザ、130H,130AD,130OP・・・配、300S,300CL・・・光受信部、301A・・・シリアル/パラレル変換部、302・・・光受信部、303・・・シリアル/パラレル変換部、304・・・デスクランブル部、305・・・デコード部、306・・・受光部、307・・・パラレルインタフェース、401A・・・カメラシステム、402A・・・レンズユニット、403A・・・カメラ本体部、404・・・シャッタ、405・・・AE/AF検出部、406・・・ストロボ、407・・・ストロボ制御部

1A固态图像拾取元件,10A像素单元,11AA/D转换器,12A光通信单元,13A时序发生器,14A控制 I/O,15A DC-DC单元,16A控制器,17总线,2A光学设备,20A透镜单元,21外壳,3A信号处理设备,30A光通信单元,31A控制 I/O,32A操作单元,33A读取控制器,34A信号处理器,35A数据存储单元,36A显示单元,37A电源,38A电源控制器,4A信号处理系统,100像素,101像素阵列,102垂直扫描电路,103水平扫描电路,104列 CDS电路,105列信号线,106光电二极管,107FD放大器,108行选择晶体管,109行选择线,110电荷检测器,111复位晶体管,112放大晶体管,113复位线,114行读取线,120串行接口,120A并 /串转换器,121 121S 121CL发光单元,122A 122B线,123线,124编码单元,125数据加扰单元,126并/串转换器,128A表面发射半导体激光器,130H 130AD130OP线,300S 300CL光接收单元,301A串 /并转换器,302光接收单元,303串 /并转换器,304解扰单元,305解码单元,306光接收单元,307并行接口,401A相机系统,402A透镜单元,403A相机机身单元,404快门,405AE/AF检测器,406电子闪光,407电子闪光控制器 - 中国語 特許翻訳例文集

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