「半导体芯片」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

典型地，从传输侧的半导体芯片 103B和接收侧的半导体芯片 203B_1形成第一通信对，并且从传输侧的半导体芯片 103B和接收侧的半导体芯片 203B_2形成第二通信对。 因此，从传输侧的半导体芯片 103B到接收侧的半导体芯片 203B_1和 203B_2执行广播或同时通信。

典型的には、送信側の半導体チップ103Bと受信側の半導体チップ203B_1で1つ目の通信対が形成され、同じ送信側の半導体チップ103Bと別の受信側の半導体チップ203B_2で2つ目の通信対が形成され、1つの送信側の半導体チップ103Bから2つの受信側の半導体チップ203B_1，203B_2に同報（一斉）通信を行なうものである。 - 中国語 特許翻訳例文集

这也导致半导体芯片 103B和 203B_1之间或半导体芯片 103B和 203B_2之间的传播信道的设计上的自由度的增加。

このことは、半導体チップ103B，203B_1間や半導体チップ103B，203B_2間の伝搬チャネルの設計の自由度を増すことにも繋がる。 - 中国語 特許翻訳例文集

半导体芯片 103连接到传输线耦合部分 108。

半導体チップ103は伝送路結合部108と接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

半导体芯片 103连接到传输路径耦合器 108。

半導体チップ103は伝送路結合部108と接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

只有接收侧的多个半导体芯片 203B中的一个 (在图 11中，只有半导体芯片203B_1)具有准备好注入锁定的配置。 然而，所有剩余的半导体芯片 (在图 11中，半导体芯片 203B_2)没有准备好用于注入锁定。

複数ある受信側の半導体チップ203Bは、その中の1つのみ（図では半導体チップ203B_1）が注入同期に対応した構成を持っているが、残りの全て（図では半導体チップ203B_2）は、注入同期に対応していない。 - 中国語 特許翻訳例文集

因为外壳 190B中的半导体芯片 103B和外壳 290B中的半导体芯片 203B具有指定的 (典型地为固定的 )安排位置，半导体芯片 103B和半导体芯片 203B的位置关系以及它们之间的传输信道的环境条件 (如例如反射条件 )可以预先指定。

筐体190B内の半導体チップ103Bと筐体290B内の半導体チップ203Bは、配設位置が特定（典型的には固定）されたものとなるので、両者の位置関係や両者間の伝送チャネルの環境条件（たとえば反射条件など）を予め特定できる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 12中，包括其中在半导体芯片 103A和半导体芯片203A之间执行1:1信号传输的组以及与第一实施例的配置对应的、在半导体芯片103B和半导体芯片 203B_1和 203B_2之间执行 1:2信号传输的另一组。

図では、半導体チップ103Aと半導体チップ203Aの間で1対1の信号伝送を行なう組と、半導体チップ103Bと半導体チップ203B_1，203B_2の間で1対2の信号伝送を行なう組（第2実施形態の構成）が存在している。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 13到 15B所示的第三实施例的示例包括在半导体芯片 103A和半导体芯片203A之间执行1:1信号传输的组以及具有第一实施例的配置的、在半导体芯片103B和半导体芯片 203B_1和 203B_2之间执行 1:2信号传输的另一组。

図では、半導体チップ103Aと半導体チップ203Aの間で1対1の信号伝送を行なう組と、半導体チップ103Bと半導体チップ203B_1，203B_2の間で1対2の信号伝送を行なう組（第1実施形態の構成）が存在している。 - 中国語 特許翻訳例文集

在接收侧的多个半导体芯片 203中只有一个 (在图中，只有半导体芯片 203_1)具有准备好注入锁定的配置。 然而，所有剩余的半导体芯片 (在图中，半导体芯片 203A和203B_2)没有准备注入锁定。

また、複数ある受信側の半導体チップ203は、その中の1つのみ（図では半導体チップ203B_1）が注入同期に対応した構成を持っているが、残りの全て（図では半導体チップ203A，203B_2）は、注入同期に対応していない。 - 中国語 特許翻訳例文集

半导体芯片 103连接到发送线耦合部分 108。

半導体チップ103は伝送路結合部108と接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

所有剩余的半导体芯片 (即，半导体芯片 203A和 203B_2)从准备好注入锁定的半导体芯片 203B_1接收恢复的载波信号，并且基于恢复的载波信号执行同步检测。

この残りの全て（図では半導体チップ203A，203B_2）は、注入同期に対応した1つの半導体チップ203B_1から再生搬送信号を受け取り、この再生搬送信号を元に同期検波する。 - 中国語 特許翻訳例文集

这里，因为两组使用相同的载波频率 f2的载波信号，在传输侧的多个半导体芯片103中，只有一个 (在图 12中，只有半导体芯片 103B)具有准备好载波信号的生成的配置，而所有剩余的半导体芯片 (在图 12中，半导体芯片 103A)从准备好载波信号的生成的半导体芯片 103B接收载波信号，并且基于接收的载波信号执行频率转换，即，上转换。

ここで、両方の組で同一周波数f2の搬送信号を使用するため、複数ある送信側の半導体チップ103は、その中の1つのみ（図では半導体チップ103B）が搬送信号生成に対応した構成を持っているが、残りの全て（図では半導体チップ103A）は、搬送信号生成に対応していない。 - 中国語 特許翻訳例文集

代替直接在板102上安装半导体芯片103，通过在插入板上安装半导体芯片103并利用树脂 (例如环氧树脂 )将半导体芯片 103压模 (mold)而形成的半导体封装可以安装在板 102上。

半導体チップ103を直接に基板102上に搭載するのではなく、インターポーザ基板上に半導体チップ103を搭載し、半導体チップ103を樹脂（たとえばエポキシ樹脂など）でモールドした半導体パッケージを基板102上に搭載するようにしてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

当由此形成半导体芯片 103时，通过将输入信号经历并 -串转换以及将结果发送到半导体芯片 203一侧，并将从半导体芯片 203一侧接收到的信号经历串 -并转换，减少了作为毫米波转换对象的信号的数量。

このように半導体チップ103を構成すると、入力信号をパラレルシリアル変換して半導体チップ203側へ伝送し、また半導体チップ203側からの受信信号をシリアルパラレル変換することにより、ミリ波変換対象の信号数が削減される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在以上述方式配置半导体芯片 103的情况下，输入信号经历并行到串行转换，并且得到的串行信号传输到半导体芯片 203。 同时，来自半导体芯片 203侧的接收信号经历串行到并行转换。

このように半導体チップ103を構成すると、入力信号をパラレルシリアル変換して半導体チップ203側へ伝送し、また半導体チップ203側からの受信信号をシリアルパラレル変換することにより、ミリ波変換対象の信号数が削減される。 - 中国語 特許翻訳例文集

因为由各组使用相互同步的载波信号，尽管它们具有相互不同的载波频率 f1和f2，所以传输侧的多个半导体芯片 103中只有一个 (在图 13到 15B中，半导体芯片 103B)具有准备好载波信号的生成的配置。 然而，所有剩余的半导体芯片 (在图 13到 15B中，半导体芯片 103A)没有准备好载波信号的生成。

各組でそれぞれ異なる周波数f1，f2ではあるが同期した搬送信号を使用するため、複数ある送信側の半導体チップ103は、その中の1つのみ（図では半導体チップ103B）が搬送信号生成に対応した構成を持っているが、残りの全て（図では半導体チップ103A）は、搬送信号生成に対応していない。 - 中国語 特許翻訳例文集

常规上，下面的技术是众所周知的半导体芯片的引线接合方法。

従来、半導体チップのワイヤボンディング方法として次のような技術が知られている。 - 中国語 特許翻訳例文集

描述了一种容纳有多个半导体芯片的多芯片系统中的半导体器件，其中接合焊盘设置在装载到第一半导体芯片的第二半导体芯片的一侧附近，并且半导体芯片的接合焊盘通过引线直接连接。

複数の半導体チップを収納したマルチチップ方式の半導体装置において、第1の半導体チップに搭載される第2の半導体チップの一辺の近傍にボンディングパッドを設け、それらの半導体チップのボンディングパッドを直接ワイヤで接続することが記載されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

光接收元件 33和放大器 34的半导体芯片与图 3所示的相同。

図10に示す受光素子33と増幅器34の半導体チップは、図3と同じである。 - 中国語 特許翻訳例文集

电子装置 101A具有能够进行毫米波波段通信的半导体芯片 103。 存储卡 201A也具有能够进行毫米波波段通信的半导体芯片 203。

電子機器101Aにはミリ波帯通信可能な半導体チップ103が設けられ、メモリカード201Aにもミリ波帯通信可能な半導体チップ203が設けられている。 - 中国語 特許翻訳例文集

电子装置 101Z具有能够经由布线进行信号传输的半导体芯片 103Z。 存储卡 201Z也具有能够经由布线进行信号传输的半导体芯片 203Z。

電子機器101Zには電気配線を介して信号伝送可能な半導体チップ103Zが設けられ、メモリカード201Zにも電気配線を介して信号伝送可能な半導体チップ203Zが設けられている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在第一通信设备 100X中提供可以执行毫米波通信的半导体芯片 103，并且在第二通信设备 200X中也提供可以执行毫米波通信的半导体芯片 203。

第1通信装置100Xにはミリ波帯通信可能な半導体チップ103が設けられ、第2通信装置200Xにもミリ波帯通信可能な半導体チップ203が設けられている。 - 中国語 特許翻訳例文集

所有剩余的半导体 (即，半导体芯片 203B_2)从准备好注入锁定的一个半导体芯片 203B_1接收恢复的载波信号，并且基于恢复的载波信号执行同步检测。

この残りの全て（図では半導体チップ203B_2）は、注入同期に対応した1つの半導体チップ203B_1から再生搬送信号を受け取り、この再生搬送信号を元に同期検波する。 - 中国語 特許翻訳例文集

另一方面，半导体芯片 203B_2接收半导体芯片 203B_1上通过注入锁定恢复的恢复的载波信号，并且混频器 8402使用恢复的载波信号解调接收信号 Sin_2。

一方、半導体チップ203B_2は、半導体チップ203B_1において注入同期方式で再生された再生搬送信号を受け取り、周波数混合部8402は、その再生搬送信号を使って受信信号Sin_2を復調する。 - 中国語 特許翻訳例文集

要注意，因为恢复的载波信号传递到不同芯片，在图 11的实例中，传递到半导体芯片 203B_2侧，依赖于到半导体芯片 203B_2的布线 L2的长度，担心相位延迟的影响。

なお、他のチップ（図の例では半導体チップ203B_2側）へ再生搬送信号を渡すことになるので、その配線L2の長さによっては位相遅延の影響が心配される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在一个外壳内的信号传输的情况下，应当考虑半导体芯片 103A和 103B以及半导体芯片 203A、203B_1和 203B_2安装在相同板上。

1つの筐体内での信号伝送の場合は、たとえば、同一基板上に半導体チップ103A，103Bと半導体チップ203A，203B_1，203B_2が搭載されているものと考えればよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

在采用第一实施例的配置的部分，在半导体芯片 103B和半导体芯片 203B_1和 203B_2之间，载波频率 f2用于执行通过毫米波信号传输路径 9_2的毫米波段的广播通信。

第1実施形態の構成が採用される部分では、搬送周波数f2を用いて、半導体チップ103Bと半導体チップ203B_1，203B_2間でミリ波信号伝送路9_2を介してミリ波帯で同報通信が行なわれる。 - 中国語 特許翻訳例文集

然而，所有剩余的半导体芯片 (在图中，半导体芯片 203A和203B_2)没有准备注入锁定。

また、複数ある受信側の半導体チップ203は、その中の1つのみ（図では半導体チップ203B_1）が注入同期に対応した構成を持っているが、残りの全て（図では半導体チップ203A，203B_2）は、注入同期に対応していない。 - 中国語 特許翻訳例文集

第一通信设备 100提供有准备好用于毫米波波导发送的半导体芯片 103。 第二通信设备 200提供有准备好用于毫米波波导接收的半导体芯片 203。

第1通信装置100にはミリ波帯送信に対応した半導体チップ103が設けられ、第2通信装置200にはミリ波帯受信に対応した半導体チップ203が設けられている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在仿真中，首先从幅度特性测量数据获得发送芯片 (发送侧的半导体芯片 103)和接收芯片 (接收侧的半导体芯片 203)的频率特性。

シミュレーションにおいては、先ず、送信チップ（送信側の半導体チップ103）と受信チップ（受信側の半導体チップ203）のそれぞれについて、振幅特性の測定データから周波数特性を求める。 - 中国語 特許翻訳例文集

这里，尽管使用载波频率 f2的半导体芯片 203B_2类似于第二实施例中的半导体芯片 203B_2，但是使用载波频率 f1的半导体芯片 203A包括辅助载波信号生成器 8612，并且从准备好注入锁定的半导体芯片 203B_1接收恢复的载波信号。 然后，基于恢复的载波信号，辅助载波信号生成器 8612生成与恢复的载波信号同步的另一频率 (在本示例中，载波频率 f1)的另一恢复的载波信号，然后，半导体芯片 203B_2执行频率转换，即，下转换。

ここで、周波数f2を使用する側の半導体チップ203B_2は第2実施形態と同様であるが、周波数f1を使用する側の半導体チップ203Aは、副搬送信号生成部8612を備えており、注入同期に対応した半導体チップ203B_1から再生搬送信号を受け取り、この再生搬送信号を元に副搬送信号生成部8612にて同期した別の周波数（この例ではf1）の再生搬送信号を生成してから周波数変換（ダウンコンバート）を行なう。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，描述了一种半导体集成电路装置，其中内置半导体芯片通过引线接合连接到导线。 在该装置中，半导体芯片安装在具有用于改变半导体芯片的连接焊盘的连接路径的信号线的布线板处。

また、内蔵された半導体チップとリードをワイヤボンディングにより接続する構造の半導体集積回路装置において、半導体チップの接続用パッドの接続経路を変更するための信号線を有する配線板上に半導体チップを搭載することが記載されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

电子装置101A具有能够进行毫米波波段通信的半导体芯片103以及安装在板102上的传输线耦合部分 108。

電子機器101Aは、基板102上に、ミリ波帯通信可能な半導体チップ103と伝送路結合部108が搭載されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

存储卡 201A在板 202的一个表面上具有包括信号产生部分 207(毫米波信号转换部分 )的半导体芯片 203。

メモリカード201Aは、基板202の一方の面上に信号生成部207（ミリ波信号変換部）を具備する半導体チップ203を有する。 - 中国語 特許翻訳例文集

半导体芯片 203配备有毫米波发送和接收端子 232，用于耦合到毫米波信号传输线 9(介质传输线 9A)。

半導体チップ203には、ミリ波信号伝送路9（誘電体伝送路9A）と結合するためのミリ波送受信端子232が設けられている。 - 中国語 特許翻訳例文集

半导体芯片 103配备有用于耦合到毫米波信号传输线 9(介质传输线 9A)的毫米波发送和接收端子 132。

半導体チップ103には、ミリ波信号伝送路9（誘電体伝送路9A）と結合するためのミリ波送受信端子132が設けられている。 - 中国語 特許翻訳例文集

因为波长短，所以可以分别在半导体芯片 103B和 203B上配置非常小尺寸的用于毫米波的天线 136B和 236B。

ミリ波用のアンテナ136B，236Bは、波長が短いので、超小型のアンテナ素子を半導体チップ103B，203B上に構成することが可能となる。 - 中国語 特許翻訳例文集

简而言之，半导体芯片 103B和 203B_1通过天线 136B和 236B_1之间的毫米波信号传输路径 9_2执行毫米波段的信号传输。

つまり、半導体チップ103B，203B_1は、アンテナ136B，236B_1間のミリ波信号伝送路9_2を介してミリ波帯で信号伝送を行なう。 - 中国語 特許翻訳例文集

在半导体芯片 103A和 203A之间，载波频率 f2用于执行通过毫米波信号传输路径9_1的毫米波段的信号传输。

半導体チップ103A，203A間では、搬送周波数f2を用いて、ミリ波信号伝送路9_1を介してミリ波帯で信号伝送が行なわれる。 - 中国語 特許翻訳例文集

准备好用于毫米波波导发送的半导体芯片 103和发送线耦合部分 108安装在第一通信设备 100的板 102上。

第1通信装置100は、基板102上に、ミリ波帯送信に対応した半導体チップ103と伝送路結合部108が搭載されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

半导体芯片 103是系统 LSI(大规模集成电路 )，其中集成 LSI功能部分 104和信号生成部分 107(毫米波信号生成部分 )。

半導体チップ103は、LSI機能部104と信号生成部107（ミリ波信号生成部）を一体化したシステムLSI（Large Scale Integrated Circuit）である。 - 中国語 特許翻訳例文集

准备好用于毫米波波段接收的半导体芯片 203和发送线耦合部分 208安装在第二通信设备 200的板 202上。

第2通信装置200は、基板202上に、ミリ波帯受信に対応した半導体チップ203と伝送路結合部208が搭載されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

半导体芯片 203是系统 LSI，其中集成了 LSI功能部分 204和信号生成部分 207(毫米波信号生成部分 )。

半導体チップ203は、LSI機能部204と信号生成部207（ミリ波信号生成部）を一体化したシステムLSIである。 - 中国語 特許翻訳例文集

存储卡 201B在板 202的一个表面上的具有包括信号生成部分 207的半导体芯片203。

メモリカード201Bは、基板202の一方の面上に信号生成部207を具備する半導体チップ203を有する。 - 中国語 特許翻訳例文集

半导体芯片203提供有用于耦合到毫米波信号发送线9的毫米波发送和接收端子232。

半導体チップ203には、ミリ波信号伝送路9と結合するためのミリ波送受信端子232が設けられている。 - 中国語 特許翻訳例文集

半导体芯片 103提供有用于耦合到毫米波信号发送线 9的毫米波发送和接收端子 132。

半導体チップ103にはミリ波信号伝送路9と結合するためのミリ波送受信端子132が設けられている。 - 中国語 特許翻訳例文集

光接收元件 33和放大器 34的半导体芯片设置在基底部件 32的顶面 (部件布置面 )。

ベース部材32の上面（部品搭載面）32cには受光素子33と増幅器34の半導体チップが搭載されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

天线耦合部分在狭义上是指用于将半导体芯片内的电子电路耦合到芯片内或芯片外放置的天线的部分，而在广义上是指用于半导体芯片到毫米波信号传输线的信号耦合的部分。

アンテナ結合部とは、狭義的には半導体チップ内の電子回路と、チップ内またはチップ外に配置されるアンテナを結合する部分をいい、広義的には、半導体チップとミリ波信号伝送路を信号結合する部分をいう。 - 中国語 特許翻訳例文集

半导体芯片 103不能直接安装在板 102上，但是可以形成为半导体封装，其中半导体芯片 103安装在插座板上并使用如环氧树脂的树脂制模，并如此安装在板 102上。

半導体チップ103を直接に基板102上に搭載するのではなく、インターポーザ基板上に半導体チップ103を搭載し、半導体チップ103を樹脂（たとえばエポキシ樹脂など）でモールドした半導体パッケージを基板102上に搭載するようにしてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

在狭义上，天线耦合单元是耦合半导体芯片中的电子电路和芯片内或外布置的天线的块，并且在广义上，天线耦合单元是信号耦合半导体芯片和毫米波信号传输路径 9的块。

アンテナ結合部とは、狭義的には半導体チップ内の電子回路と、チップ内またはチップ外に配置されるアンテナを結合する部分をいい、広義的には、半導体チップとミリ波信号伝送路9を信号結合する部分をいう。 - 中国語 特許翻訳例文集