「半導体」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

半导体等的电子零部件

半導体などの電子部品 - 中国語会話例文集

半导体等电子零部件

半導体等電子部品 - 中国語会話例文集

半导体产业的分化

半導体業界の分化 - 中国語会話例文集

第一半导体基底 SUB1和第二半导体基底 SUB2层叠。

そして、第1の半導体基板SUB1と第2の半導体基板SUB2は積層される。 - 中国語 特許翻訳例文集

感测电路部分 120形成在不同于第一半导体基底 SUB 1的第二半导体基底 SUB2上。

センス回路部120は、第1の半導体基板SUB1と異なる第2の半導体基板SUB2に形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

GaAs、AsGaAs、 InGaAs和 InGaAsP为化合物半导体的示例。

GaAs、AsGaAs、InGaAs、及びInGaAsPは、化合物半導体の例である。 - 中国語 特許翻訳例文集

存储器 6例如可以是半导体存储器。

メモリ6は、例えば、半導体メモリである。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，半导体基底 10是硅基底。

半導体基板10は、例えばシリコン基板からなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

两个半导体之间的异质结

2つの半導体の間のヘテロジャンクション - 中国語会話例文集

说明电子空穴和半导体的关系

空孔と半導体の関係を説明する - 中国語会話例文集

p型半导体区域 1306可以在微环 1302的半导体衬底内部形成，并且 n型半导体区域 1308和1310可以在包围微环 1302的外面的半导体衬底中和波导 1304的相对侧上形成。

p型半導体領域1306を、マイクロリング1302の内側の半導体基板で（または、該半導体基板に）形成することができ、n型半導体領域1308及び1310を、マイクリング1032の外側を囲む半導体基板であって導波路1304の反対側にある半導体基板で（または、該半導体基板に）形成することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

典型地，从传输侧的半导体芯片 103B和接收侧的半导体芯片 203B_1形成第一通信对，并且从传输侧的半导体芯片 103B和接收侧的半导体芯片 203B_2形成第二通信对。 因此，从传输侧的半导体芯片 103B到接收侧的半导体芯片 203B_1和 203B_2执行广播或同时通信。

典型的には、送信側の半導体チップ103Bと受信側の半導体チップ203B_1で1つ目の通信対が形成され、同じ送信側の半導体チップ103Bと別の受信側の半導体チップ203B_2で2つ目の通信対が形成され、1つの送信側の半導体チップ103Bから2つの受信側の半導体チップ203B_1，203B_2に同報（一斉）通信を行なうものである。 - 中国語 特許翻訳例文集

在半导体基底 SUB2A上层叠的不同半导体基底 SUB2B上以阵列布置电路块 200。

一方、回路ブロック200は半導体基板SUB2Aに積層された異なる半導体基板SUB2Bにアレイ状に敷き詰められて形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

固体摄像装置1A在平板状的基材 2粘贴着半导体基板 3，在半导体基板 3上设有闪烁器部 4。

固体撮像装置1Aは、平板状の基材2に半導体基板3が貼り付けられ、半導体基板3の上にシンチレータ部4が設けられている。 - 中国語 特許翻訳例文集

这也导致半导体芯片 103B和 203B_1之间或半导体芯片 103B和 203B_2之间的传播信道的设计上的自由度的增加。

このことは、半導体チップ103B，203B_1間や半導体チップ103B，203B_2間の伝搬チャネルの設計の自由度を増すことにも繋がる。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，本发明的另一方面的半导体装置，在半导体基板上形成有上述接收电路。

また、本発明の他の側面による半導体装置は、上記受信回路が半導体基板上に形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

本发明涉及一种接收电路及在半导体基板上形成有接收电路的半导体装置。

本発明は、受信回路及び受信回路を半導体基板上に形成した半導体装置に関する。 - 中国語 特許翻訳例文集

构成为，将记录在半导体存储卡中的数据经由半导体存储卡 I/F读出。

半導体メモリーカードに記録されたデータは半導体メモリーカードI/Fを介して読み出すように構成すればよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

代替直接在板102上安装半导体芯片103，通过在插入板上安装半导体芯片103并利用树脂 (例如环氧树脂 )将半导体芯片 103压模 (mold)而形成的半导体封装可以安装在板 102上。

半導体チップ103を直接に基板102上に搭載するのではなく、インターポーザ基板上に半導体チップ103を搭載し、半導体チップ103を樹脂（たとえばエポキシ樹脂など）でモールドした半導体パッケージを基板102上に搭載するようにしてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

半导体芯片 103连接到传输线耦合部分 108。

半導体チップ103は伝送路結合部108と接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如也可以是闪存等半导体存储器。

例えば、フラッシュメモリ等の半導体メモリでもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

半导体 RET(返回 )电路 809连接到充电滤波器 808。

課金フィルタ808には、半導体RET回路809が接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

像素阵列部分 110例如形成在第一半导体基底 SUB1上。

この画素アレイ部110は、たとえば第1の半導体基板SUB1に形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在其他实施例中，可以通过在微环 1302的半导体衬底内部形成 n型半导体区域 1306并且在包围微环 1302外面的半导体衬底中形成 p型半导体区域 1308和 1310来反转这些掺杂剂。

他の実施形態では、マイクロリング1302の内側の半導体基板にn型半導体領域1306を形成し、マイクロリング1302の外側を囲む半導体基板にp型半導体領域1308及び1310を形成することによってドーパントを逆にすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

半导体芯片 103不能直接安装在板 102上，但是可以形成为半导体封装，其中半导体芯片 103安装在插座板上并使用如环氧树脂的树脂制模，并如此安装在板 102上。

半導体チップ103を直接に基板102上に搭載するのではなく、インターポーザ基板上に半導体チップ103を搭載し、半導体チップ103を樹脂（たとえばエポキシ樹脂など）でモールドした半導体パッケージを基板102上に搭載するようにしてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

半导体芯片 103连接到传输路径耦合器 108。

半導体チップ103は伝送路結合部108と接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 12中，包括其中在半导体芯片 103A和半导体芯片203A之间执行1:1信号传输的组以及与第一实施例的配置对应的、在半导体芯片103B和半导体芯片 203B_1和 203B_2之间执行 1:2信号传输的另一组。

図では、半導体チップ103Aと半導体チップ203Aの間で1対1の信号伝送を行なう組と、半導体チップ103Bと半導体チップ203B_1，203B_2の間で1対2の信号伝送を行なう組（第2実施形態の構成）が存在している。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 13到 15B所示的第三实施例的示例包括在半导体芯片 103A和半导体芯片203A之间执行1:1信号传输的组以及具有第一实施例的配置的、在半导体芯片103B和半导体芯片 203B_1和 203B_2之间执行 1:2信号传输的另一组。

図では、半導体チップ103Aと半導体チップ203Aの間で1対1の信号伝送を行なう組と、半導体チップ103Bと半導体チップ203B_1，203B_2の間で1対2の信号伝送を行なう組（第1実施形態の構成）が存在している。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，记录介质 37以 HD或半导体存储器构造。

記録媒体37は、例えば、HDや、半導体メモリで構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

半导体芯片 103连接到发送线耦合部分 108。

半導体チップ103は伝送路結合部108と接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

存储部分 250例如包括 HDD和半导体存储器。

記憶部250は、例えば、HDDや半導体メモリによって構成されるものである。 - 中国語 特許翻訳例文集

存储部分 350例如包括 HDD和半导体存储器。

記憶部350は、例えば、HDDや半導体メモリによって構成されるものである。 - 中国語 特許翻訳例文集

存储部分 450例如包括 HDD和半导体存储器。

記憶部450は、例えば、HDDや半導体メモリによって構成されるものである。 - 中国語 特許翻訳例文集

该存储体 42可以是半导体、光或磁存储器。

記憶装置42は、半導体、光学又は磁気メモリであってもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

该存储体 42可以是半导体存储器、光学存储器或者磁存储器。

記憶装置42は、半導体、光学又は磁気メモリであってもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

(半导体存储卡记录装置及再生装置的实施方式 )

（半導体メモリカード記録装置及び再生装置の実施形態） - 中国語 特許翻訳例文集

外延技术是制造半导体不可或缺的技术。

エピタキシーは半導体の製作に不可欠な技術となっている。 - 中国語会話例文集

然而，所有剩余的半导体芯片 (在图中，半导体芯片 203A和203B_2)没有准备注入锁定。

また、複数ある受信側の半導体チップ203は、その中の1つのみ（図では半導体チップ203B_1）が注入同期に対応した構成を持っているが、残りの全て（図では半導体チップ203A，203B_2）は、注入同期に対応していない。 - 中国語 特許翻訳例文集

更详细地讲，如果在再生装置的插槽 (未图示 )中插入半导体存储卡，则经由半导体存储卡 I/F将再生装置与半导体存储卡电气地连接。

より詳細には、再生装置のスロット（図示せず）に半導体メモリーカードが挿入されると、半導体メモリーカードI/Fを経由して再生装置と半導体メモリーカードが電気的に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

描述了一种容纳有多个半导体芯片的多芯片系统中的半导体器件，其中接合焊盘设置在装载到第一半导体芯片的第二半导体芯片的一侧附近，并且半导体芯片的接合焊盘通过引线直接连接。

複数の半導体チップを収納したマルチチップ方式の半導体装置において、第1の半導体チップに搭載される第2の半導体チップの一辺の近傍にボンディングパッドを設け、それらの半導体チップのボンディングパッドを直接ワイヤで接続することが記載されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

当由此形成半导体芯片 103时，通过将输入信号经历并 -串转换以及将结果发送到半导体芯片 203一侧，并将从半导体芯片 203一侧接收到的信号经历串 -并转换，减少了作为毫米波转换对象的信号的数量。

このように半導体チップ103を構成すると、入力信号をパラレルシリアル変換して半導体チップ203側へ伝送し、また半導体チップ203側からの受信信号をシリアルパラレル変換することにより、ミリ波変換対象の信号数が削減される。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 8所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部 (FD)37、以及溢出沟道机构 40。

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 9所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部(FD)37、以及溢出沟道机构 40。

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在以上述方式配置半导体芯片 103的情况下，输入信号经历并行到串行转换，并且得到的串行信号传输到半导体芯片 203。 同时，来自半导体芯片 203侧的接收信号经历串行到并行转换。

このように半導体チップ103を構成すると、入力信号をパラレルシリアル変換して半導体チップ203側へ伝送し、また半導体チップ203側からの受信信号をシリアルパラレル変換することにより、ミリ波変換対象の信号数が削減される。 - 中国語 特許翻訳例文集

只有接收侧的多个半导体芯片 203B中的一个 (在图 11中，只有半导体芯片203B_1)具有准备好注入锁定的配置。 然而，所有剩余的半导体芯片 (在图 11中，半导体芯片 203B_2)没有准备好用于注入锁定。

複数ある受信側の半導体チップ203Bは、その中の1つのみ（図では半導体チップ203B_1）が注入同期に対応した構成を持っているが、残りの全て（図では半導体チップ203B_2）は、注入同期に対応していない。 - 中国語 特許翻訳例文集

在接收侧的多个半导体芯片 203中只有一个 (在图中，只有半导体芯片 203_1)具有准备好注入锁定的配置。 然而，所有剩余的半导体芯片 (在图中，半导体芯片 203A和203B_2)没有准备注入锁定。

また、複数ある受信側の半導体チップ203は、その中の1つのみ（図では半導体チップ203B_1）が注入同期に対応した構成を持っているが、残りの全て（図では半導体チップ203A，203B_2）は、注入同期に対応していない。 - 中国語 特許翻訳例文集

该 P型半导体区域 35也用作抑制暗电流的区域。

このp型半導体領域35は、暗電流を抑制する領域ともなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

从基板与遮光膜 46之间漏出的漏光信号；

半導体（Si）基板と遮光膜46の層間より漏れ込む光による漏れ信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

光接收区域 54可以被配置成不具有在其内形成的 P型半导体区域 35。

受光領域54において、p型半導体領域35をも形成しない構成とすることもできる。 - 中国語 特許翻訳例文集

SDAA 104是网络控制单元的示例，其是半导体 NCU(网络控制单元 )。

SDAA104は、網制御手段の一例であって、半導体NCU（ネットワーク制御ユニット）である。 - 中国語 特許翻訳例文集