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「半導体」を含む例文一覧
該当件数 : 407件
在各个半导体基底上以阵列布置像素 DPX和感测电路。
そして、画素DPXとセンス回路121は各々の半導体基板上にアレイ状に配置される。 - 中国語 特許翻訳例文集
例如，作为内置存储器，可以采用半导体存储器或者硬盘；
たとえば、内蔵メモリとして、半導体メモリまたはハードディスクを採用することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集
闪烁器部4也可在半导体基板 3上由蒸镀而设置。
シンチレータ部4は、半導体基板3上に蒸着により設けられていてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
闪烁器部 4也可在半导体基板 3上由蒸镀而设置。
シンチレータ部4は、半導体基板3上に蒸着により設けられていてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
在特定实施例中，微环 1302包括本征半导体。
いくつかの実施形態では、マイクロリング1302は真性半導体から構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集
记录介质 1012包括例如半导体存储器，并且是可拆装的。
記録媒体1012は、半導体メモリ等を含んで構成され、着脱が可能である。 - 中国語 特許翻訳例文集
接下来，将描述表面发射半导体激光器 128A的操作原理。
次に、面発光型半導体レーザ128Aの動作原理について説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集
注意，作为发光单元121，可以采用边沿发射半导体激光器。
なお、発光部121としては、端面発光型の半導体レーザでも良い。 - 中国語 特許翻訳例文集
在绝缘膜 15上方、各个栅极 2上形成岛状的半导体有源层 8。
絶縁膜15上のゲート電極2上には、半導体活性層8が島状に形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
在各半导体层21上形成各自的上部电极22。
各半導体層21上には、それぞれ個別に上部電極22が形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
在绝缘膜 15上方的各栅极 2上形成岛形的半导体有源层 8。
絶縁膜15上のゲート電極2上には、半導体活性層8が島状に形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
这些技术常常被实现在固态 (solid state)半导体器件中。
これらの技術は多くの場合固体半導体デバイスで実現される。 - 中国語 特許翻訳例文集
常规上，下面的技术是众所周知的半导体芯片的引线接合方法。
従来、半導体チップのワイヤボンディング方法として次のような技術が知られている。 - 中国語 特許翻訳例文集
此外，描述了一种半导体集成电路装置，其中内置半导体芯片通过引线接合连接到导线。 在该装置中，半导体芯片安装在具有用于改变半导体芯片的连接焊盘的连接路径的信号线的布线板处。
また、内蔵された半導体チップとリードをワイヤボンディングにより接続する構造の半導体集積回路装置において、半導体チップの接続用パッドの接続経路を変更するための信号線を有する配線板上に半導体チップを搭載することが記載されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
光接收元件 33和放大器 34的半导体芯片与图 3所示的相同。
図10に示す受光素子33と増幅器34の半導体チップは、図3と同じである。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 1示出根据本发明的一个实施例的半导体器件的示例。
【図1】本実施の形態に係る半導体装置の一例を説明する図。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 2示出根据本发明的一个实施例的半导体器件的示例。
【図2】本実施の形態に係る半導体装置の一例を説明する図。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 3示出根据本发明的一个实施例的半导体器件的示例。
【図3】本実施の形態に係る半導体装置の一例を説明する図。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 10示出根据本发明的一个实施例的半导体器件的比较器的示例。
【図10】本実施の形態に係る半導体装置の一例を説明する図。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 15示出根据本发明的一个实施例的半导体器件的示例。
【図15】本実施の形態に係る半導体装置の一例を説明する図。 - 中国語 特許翻訳例文集
泄漏电流的量是半导体检测器中的温度的强函数；
漏れ電流の量は、半導体検出器では温度の強い関数である。 - 中国語 特許翻訳例文集
备选地，图像传感器可以是互补金属氧化物半导体 (CMOS)传感器。
代替として、画像センサは、相補型金属酸化物半導体（CMOS）センサでもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
例如，记录介质 10是使用半导体存储器的所谓的存储卡。
記録媒体10は、例えば半導体メモリーを用いたいわゆるメモリーカードである。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 1为图示根据本发明一个实施方式的半导体器件的配置的示意图；
【図1】本発明の実施形態の半導体装置の構成を表わす図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 1为图示根据本发明一个实施方式的半导体器件的配置的示意图。
図1は、本発明の実施形態の半導体装置の構成を表わす図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
对半导体存储卡再生装置的再生次序进行说明。
半導体メモリーカード再生装置の再生手順について説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集
此外，作为记录目标的半导体存储器而以 SD存储卡为例进行说明。
また記録先の半導体メモリーとしてSDメモリーカードを例に説明をする。 - 中国語 特許翻訳例文集
存储单元 130可以例如是诸如 HDD或半导体存储器等存储设备。
記憶部130は、例えば、HDDや半導体メモリなどの記憶装置によって構成されるものである。 - 中国語 特許翻訳例文集
数据存储单元 230可以是诸如 HDD或半导体存储器等存储设备。
データ記憶部230は、例えば、HDDや半導体メモリなどの記憶装置によって構成されるものである。 - 中国語 特許翻訳例文集
例如，存储单元 250由诸如 HDD和半导体存储器的存储装置构成。
記憶部250は、例えば、HDDや半導体メモリなどの記憶装置によって構成されるものである。 - 中国語 特許翻訳例文集
例如，存储单元 350由诸如 HDD和半导体存储器的存储装置构成。
記憶部350は、例えば、HDDや半導体メモリなどの記憶装置によって構成されるものである。 - 中国語 特許翻訳例文集
在从半导体零件中取出特定的金属资源这项技术上取得了专利。
半導体部品から特定の金属資源を取り出す技術で特許を取得しています。 - 中国語会話例文集
电子装置 101A具有能够进行毫米波波段通信的半导体芯片 103。 存储卡 201A也具有能够进行毫米波波段通信的半导体芯片 203。
電子機器101Aにはミリ波帯通信可能な半導体チップ103が設けられ、メモリカード201Aにもミリ波帯通信可能な半導体チップ203が設けられている。 - 中国語 特許翻訳例文集
电子装置 101Z具有能够经由布线进行信号传输的半导体芯片 103Z。 存储卡 201Z也具有能够经由布线进行信号传输的半导体芯片 203Z。
電子機器101Zには電気配線を介して信号伝送可能な半導体チップ103Zが設けられ、メモリカード201Zにも電気配線を介して信号伝送可能な半導体チップ203Zが設けられている。 - 中国語 特許翻訳例文集
复杂且强大的软件工具可用于将逻辑级设计转换成准备在半导体衬底上蚀刻并形成的半导体电路设计。
論理レベルの設計を、半導体基板上でエッチングされ形成される準備ができている半導体回路設計に変換するために、複雑かつ強力なソフトウェアツールが利用可能である。 - 中国語 特許翻訳例文集
一旦已完成半导体电路的设计，就可以将结果得到的设计以标准化电子格式 (例如 Opus、GDSII等等 )传输到半导体制造设施或“工厂 (fab)”以便制造。
半導体回路の設計が完了すると、結果として得られる（Opus、GDSIIなどの）標準化された電子フォーマットの形の設計を製造のために半導体加工施設すなわち「fab」へ送ることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集
例如，以这样的方式执行层叠，使得在第一半导体基底 SUB 1上形成的多个数字像素 DPX一对一地面对在第二半导体基底 SUB2上形成的多个感测电路 121。
たとえば第1の半導体基板SUB1に形成された複数の画素DPXと第2の半導体基板SUB2に形成された複数のセンス回路121がそれぞれ1対1で対向するように積層される。 - 中国語 特許翻訳例文集
再者，也可为如下构成： 信号读出部 20、A/D转换部 30及控制部 40A的各个并不集成化在集成化有受光部 10A的半导体基板 3中，而集成化在与其不同的半导体基板中。
なお、信号読出部20，AD変換部30および制御部40Aのそれぞれは、受光部10Aが集積化される半導体基板3に集積化せず、これとは別の半導体基板に集積化する構成でもあってよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
再者，也可为如下构成： 信号读出部 20、 A/D转换部 30及控制部 40A的各个并不集成化在集成化有受光部 10A的半导体基板 3中，而集成化在与其不同的半导体基板中。
なお、信号読出部20，AD変換部30および制御部40Aのそれぞれは、受光部10Aが集積化される半導体基板3に集積化せず、これとは別の半導体基板に集積化する構成でもあってよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
如图 15A中所示，板 1504可以包括夹在正掺杂的半导体层 1512与负掺杂的半导体层 1514之间的本征层 1510。
図15Aに示すように、スラブ1504を、正にドープされた（positively doped）半導体層1512と負にドープされた半導体層1514との間に挟まれた真性層1510から構成することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集
在第一通信设备 100X中提供可以执行毫米波通信的半导体芯片 103，并且在第二通信设备 200X中也提供可以执行毫米波通信的半导体芯片 203。
第1通信装置100Xにはミリ波帯通信可能な半導体チップ103が設けられ、第2通信装置200Xにもミリ波帯通信可能な半導体チップ203が設けられている。 - 中国語 特許翻訳例文集
在一个外壳内的信号传输的情况下，可以认为半导体芯片 103B和 203B_1和203B_2安装在相同板上。
1つの筐体内での信号伝送の場合は、たとえば、同一基板上に半導体チップ103Bと半導体チップ203B_1，203_2が搭載されているものと考えればよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
所有剩余的半导体 (即，半导体芯片 203B_2)从准备好注入锁定的一个半导体芯片 203B_1接收恢复的载波信号，并且基于恢复的载波信号执行同步检测。
この残りの全て（図では半導体チップ203B_2）は、注入同期に対応した1つの半導体チップ203B_1から再生搬送信号を受け取り、この再生搬送信号を元に同期検波する。 - 中国語 特許翻訳例文集
另一方面，半导体芯片 203B_2接收半导体芯片 203B_1上通过注入锁定恢复的恢复的载波信号，并且混频器 8402使用恢复的载波信号解调接收信号 Sin_2。
一方、半導体チップ203B_2は、半導体チップ203B_1において注入同期方式で再生された再生搬送信号を受け取り、周波数混合部8402は、その再生搬送信号を使って受信信号Sin_2を復調する。 - 中国語 特許翻訳例文集
在一个外壳内的信号传输的情况下，应当考虑半导体芯片 103A和 103B以及半导体芯片 203A、203B_1和 203B_2安装在相同板上。
1つの筐体内での信号伝送の場合は、たとえば、同一基板上に半導体チップ103A，103Bと半導体チップ203A，203B_1，203B_2が搭載されているものと考えればよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
在采用第一实施例的配置的部分，在半导体芯片 103B和半导体芯片 203B_1和 203B_2之间，载波频率 f2用于执行通过毫米波信号传输路径 9_2的毫米波段的广播通信。
第1実施形態の構成が採用される部分では、搬送周波数f2を用いて、半導体チップ103Bと半導体チップ203B_1，203B_2間でミリ波信号伝送路9_2を介してミリ波帯で同報通信が行なわれる。 - 中国語 特許翻訳例文集
所有剩余的半导体芯片 (即，半导体芯片 203A和 203B_2)从准备好注入锁定的半导体芯片 203B_1接收恢复的载波信号，并且基于恢复的载波信号执行同步检测。
この残りの全て（図では半導体チップ203A，203B_2）は、注入同期に対応した1つの半導体チップ203B_1から再生搬送信号を受け取り、この再生搬送信号を元に同期検波する。 - 中国語 特許翻訳例文集
在采用第一实施例的配置的部分，使用不等于载波频率 f1的载波频率 f2，在半导体芯片 103B和 203B_1和 203B_2之间通过毫米波信号传输路径 9_2在毫米波段中执行广播通信。
第1実施形態の構成が採用される部分では、搬送周波数f2（≠f1）を用いて、半導体チップ103Bと半導体チップ203B_1，203B_2間でミリ波信号伝送路9_2を介してミリ波帯で同報通信が行なわれる。 - 中国語 特許翻訳例文集
一旦半导体电路的设计完成，标准电子格式（例如，Opus、GDSII等）的结果设计就可以被传送到半导体制作工具或“fab”以便进行制作。
半導体回路の設計が完了すると、それにより得られる標準電子フォーマット（例えば、Opus、GDSII、等）の設計が、製造のために半導体製造施設又は“fab”へ送信される。 - 中国語 特許翻訳例文集
专利文献 1公开了次级光波导层 (secondary optical waveguide layer)、具有从一种到另一种进行切换的多种振荡模式的半导体激光器，以及光程切换结构 (其中，切换从半导体激光器发射的光束的光程 )。
特許文献1では、二次元光導波路層と、発振モードを切り替えられる半導体レーザと、半導体レーザからの出射光の光路を切り替える光路交換構造体を有する。 - 中国語 特許翻訳例文集
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