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「号线」を含む例文一覧
該当件数 : 328件
在垂直同步信号 20的定时处,存储在 CPU写入寄存器 R(401)中的读出结束行和用于由读出行计数器执行的向上计数的步长值被复制并且存储在 VD同步寄存器 R(408)中,并且通过信号线 416被输入到读出行计数器 151。
VD同期レジスタR(408)は、垂直同期信号20のタイミングにてCPU書き込みレジスタR(401)の読み出し終了行、読み出し行カウンタのカウントアップのステップ値をコピーし保持すると共に信号線416により読み出し行カウンタ151に入力する。 - 中国語 特許翻訳例文集
这里,由于选择脉冲 SEL被施加至选择晶体管 147的栅电极,表示浮置扩散区 145(其释放信号电荷 S1)的电压 (下文中称作复位电平 R2)的像素信号从放大晶体管 148输出至垂直信号线 155。
ここで、選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加されているので、信号電荷S1が排出された浮遊拡散領域145の電圧(以下、リセットレベルR2と称する)を示す画素信号が、増幅トランジスタ148から垂直信号線155に出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集
因此,不需要对由垂直信号线 VSL传送的像素信号进行控制的复位信号控制电路或决定像素信号的阈值的旁路电路等,所以在相当程度上抑制电路布局面积的这一点上,对微细化有利。
そのため、垂直信号線VSLより転送される画素信号を制御するリセット信号制御回路や画素信号の閾値を決定するバイアス回路等が不要となるので、回路レイアウト面積の増加をかなり抑えられる点で、微細化に対して有利である。 - 中国語 特許翻訳例文集
但是,此时,在入射了极强光的情况下 (b),即使在复位电平检测期间中,垂直信号线 VSL的复位信号也会下降,结果有时在复位电平检测期间结束时为止 (时刻 t7位置 )比较器 8也不会反转。
しかしながら、この際、非常に強力な過大光が入射した場合(b)には、リセットレベル検出期間中もさらに垂直信号線VSLのリセット信号が下降してしまい、結果としてリセットレベル検出期間終了時まで(時刻t7まで)にコンパレータ8が反転しない場合がある。 - 中国語 特許翻訳例文集
如图所示,例如在时刻 t4时,通常时 (a),复位信号几乎不会下降,但是在入射极强光的情况下 (b),在被行选择的单位像素的复位 Tr导通而读取像素信号时,垂直信号线的复位信号下降。
図示するように、例えば、時刻t4の際、通常時(a)では、リセット信号の下降はほとんどないが、非常に強力な過大光が入射した場合(b)では、行選択された単位画素のリセットTrがオンして画素信号を読み出す際に垂直信号線のリセット信号が下降してしまう。 - 中国語 特許翻訳例文集
如上所述,比较例 1、2的结构及其控制动作均在入射了极强光的情况下 (b),对复位电平取得时的垂直信号线 VSL的电位进行监视,在将像素信号进行模数变换之前进行信号控制。
上記のように、比較例1,2に係る構成およびその制御動作は、いずれも非常に強力な過大光が入射された場合(b)、リセットレベル取得時の垂直信号線VSLの電位をモニターし、画素信号をAD変換する前に信号制御を行う。 - 中国語 特許翻訳例文集
不管是否具有额外信息,任何表示的信号线实际上都可包括可沿多个方向行进的一个或多个信号,并且可以用任何合适类型的信号方案来实现,例如用差分对、光纤线和 /或单端线实现的数字或模拟线路。
追加情報の有無に関わらず、表現されたあらゆる信号線は、実際には複数の方向へ流れる1つ以上の信号を含んでよく、例えば差動ペア、光ファイバ線、および/またはシングルエンド線で実装されたデジタル線またはアナログ線等のあらゆる好適な種類の信号スキームで実装されてよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
与其他的输入端子(+)一起,向每一比较部件252的两个端子之一的输入端子(+)提供由基准信号产生部件 27产生的基准信号 SLP_ADC。 其两个端子中的另一个输入端子(-)连接到以垂直列排列的垂直信号线 19中相关联的一个,并向输入端子 (-)提供来自像素阵列部件 10的像素信号电压 Vx。
比較部252の一方の入力端子(+)は、他の比較部252の入力端子(+)と共通に、参照信号生成部27で生成される参照信号SLP_ADC が入力され、他方の入力端子(−)には、それぞれ対応する垂直列の垂直信号線19が接続され、画素アレイ部10からの画素信号電圧Vxが個々に入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集
在许多总线路由方案中,可以将信号线路表征为具有略为一致的临近的相邻路径间尺度和间隔,并且因而如图 1所示的,正向串扰效应是积累性的并且在两条线路 103和 105的并行路由长度上增长。
多くのバス配策方式では、信号線を、幾分は一貫した経路寸法と近傍経路間間隔とを有するものと特徴付けることができ、したがって図1により示すように順方向クロストーク影響は加算的であり、2本の線103と105の並列配策の長さ全体にわたって徐々に高まる。 - 中国語 特許翻訳例文集
如附图标记 443所示的,随后可以使用这一寄存器来控制各个电容电路的可变电容和可编程输出阻抗 (仅为图 4中的最下部信号线路 415示出了这一控制,其中对于最近邻路径,驱动器与可编程输出阻抗 /可调电容组合的组合由标记为“C”的框表示 )。
参照符号443により示されるように、このとき、このレジスタは各容量回路の可変容量およびプログラム可能出力インピーダンスを制御するために使用されてよい(この制御は図4の一番下の信号線415に対してだけ示される。ここではドライバ/プログラム可能出力インピーダンス/調整可能容量の組み合わせが最近傍経路の「C」ラベル付き箱により表される)。 - 中国語 特許翻訳例文集
例如,在数据通信电路 31遵照 LVDS(Low Voltage Differential Signal)标准来发送 1个时钟信号和 4个数据信号的情况下,由于时钟信号的频率比数据信号的频率低,所以优选电压调整部 207与传输时钟信号的信号线对连接。
例えば、データ通信回路31がLVDS(Low Voltage Differential Signal)規格に準拠して1本のクロック信号と4本のデータ信号とを送信する場合、クロック信号の周波数はデータ信号の周波数よりも低いので、電圧調整部207は、クロック信号が伝送される信号線対に接続されることが好ましい。 - 中国語 特許翻訳例文集
然而,一旦在任何一个子载波上提供了两个导频符号,线性预测滤波器就可以如上所述地操作以通过在由先前的分散导频提供的信道的先前样本之间进行线性内插来预测该子载波位置处下一信道样本的值。
しかしながら、一度、2つのパイロットシンボルが任意のサブキャリアから提供されると、線形予測フィルタは、以前の分散パイロットによって提供されるチャネルの以前のサンプル間での、線形外挿により、上述のように、サブキャリア位置において、次のチャネルサンプルの値を予測することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集
在像素阵列区域 11中的每一像素行,即相对于像素行一一对应地布置列电路 16,对从由垂直扫描电路 12通过垂直扫描选定的读出行中的各个像素 20经过垂直信号线 11输出的信号执行规定的信号处理,并且在信号处理之后临时地保持像素信号。
カラム回路16は、画素アレイ部11の例えば画素列ごとに、即ち画素列に対して1対1の対応関係をもって配置され、垂直走査回路12による垂直走査によって選択された読み出し行の各画素20から垂直信号線111を通して出力される信号に対して所定の信号処理を行うとともに、信号処理後の画素信号を一時的に保持する。 - 中国語 特許翻訳例文集
此外,描述了一种半导体集成电路装置,其中内置半导体芯片通过引线接合连接到导线。 在该装置中,半导体芯片安装在具有用于改变半导体芯片的连接焊盘的连接路径的信号线的布线板处。
また、内蔵された半導体チップとリードをワイヤボンディングにより接続する構造の半導体集積回路装置において、半導体チップの接続用パッドの接続経路を変更するための信号線を有する配線板上に半導体チップを搭載することが記載されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
如图 3所示,根据该实施例的固态成像装置 10包括半导体衬底 (芯片 )11上的像素阵列 12、垂直驱动电路 13、列电路组 14、水平驱动电路 15、垂直信号线 16、输出电路 17、控制单元 18,以及负电压发生电路 19。
図1に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置10は、半導体基板(チップ)11上に、画素アレイ部12、垂直駆動回路13、カラム回路群14、水平駆動回路15、水平信号線16、出力回路17、制御回路18および負電圧生成回路19などが搭載されたシステム構成となっている。 - 中国語 特許翻訳例文集
此外,尽管未示出,在像素部 111中,关于为行和列形式的像素排列,沿着图的左 /右方向 (像素行上的像素排列方向 )为每一行形成像素驱动线,沿着图的上 /下方向 (像素列上的像素排列方向 )为每一列形成垂直信号线。
また、図示は省略しているが、画素部111には、行列状の画素配列に対して行ごとに画素駆動線が図の左右方向(画素行の画素の配列方向)に沿って形成され、列ごとに垂直信号線が図の上下方向(画素列の画素の配列方向)に沿って形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集
但是,此时,在被入射极强光的情况下 (b),在复位电平检测期间 (2),垂直信号线VSL的复位信号的电压继续下降,所以在复位电平检测期间 (2)结束时 (时刻 t7)之前,比较器 8有可能不反转。
しかしながら、この際、非常に強力な過大光が入射された場合(b)では、リセットレベル検出期間(2)中もさらに垂直信号線VSLのリセット信号の電圧が下降し続けるため、リセットレベル検出期間(2)の終了時(時刻t7)までにコンパレータ8が反転しないおそれがある。 - 中国語 特許翻訳例文集
在后述的比较例中,在将进入到某时间的时钟数进行计数来将像素信号进行数字变换的 CMOS传感器中,在入射了极强光的情况下,在通过将垂直信号线的电位以复位信号不会降低的方式进行模拟控制的方法中,在对像素信号进行模数变换之前进行信号控制。
後述する比較例では、ある時間に入るクロック数をカウントして画素信号をデジタル変換するCMOSセンサにおいて、非常に強力な過大光が入射した場合、リセット信号が下降しない様に垂直信号線の電位をアナログ的に制御する方法で画素信号をAD変換する前に信号制御を行っている。 - 中国語 特許翻訳例文集
在此,在入射了极强光的情况下,在使行选择的单位像素的复位 Tr导通而读取了像素信号时,垂直信号线 VSL的复位信号下降,由此,由复位信号和像素 (PD)信号的差分制作的像素信号成分变小,发生影像变暗黑的情形的问题。
ところで、非常に強力な過大光が入射した場合、行選択された単位画素のリセットTr.がオンして画素信号を読み出す際に垂直信号線VSLのリセット信号が下降してしまい、これによって、リセット信号と画素(PD)信号の差分で作られる画素信号成分が小さくなり、映像的に黒く沈んだ模様が発生してしまう問題が発生する。 - 中国語 特許翻訳例文集
如上所述,比较例 1的结构及其控制动作,在入射了非常过大的光的情况下 (b),复位信号控制电路 106将垂直信号线 VSL的电位控制成使得复位信号不会模拟地下降,在这一点上,不同于上述实施方式和变形例。
上記のように、比較例1の構成およびその制御動作は、非常に強力な過大光が入射した場合(b)、アナログ的にリセット信号が下降しない様にリセット信号制御回路106が垂直信号線VSLの電位を制御する点で、上記実施形態および変形例と相違する。 - 中国語 特許翻訳例文集
但是,在该情况下,需要对由垂直信号线 VSL传送的像素信号进行控制的控制电路、决定向该控制电路输入的像素信号的阈值的旁路电路 105或者信号控制用比较器 113等,在电路布局面积增加这一点上不利。
しかしながら、この場合、垂直信号線VSLより転送される画素信号を制御する制御回路や、その制御回路へ入力される画素信号の閾値を決定するバイアス回路105、或いは信号制御用コンパレータ113等が必要となり、回路レイアウト面積が増加してしまう点で不利である。 - 中国語 特許翻訳例文集
另外,在图 1及图 2所示的 TFT阵列基板 10上,添加上述数据线驱动电路 101,扫描线驱动电路 104等的驱动电路,也形成对图像信号线上的图像信号进行采样并供给数据线的采样电路,对多个数据线先于图像信号分别供给规定电压电平的预充电信号的预充电电路,用于检查制造途中、负载时的该液晶装置 100的品质,缺陷等的检查电路等。
尚、図1及び図2に示したTFTアレイ基板10上には、上述したデータ線駆動回路101、走査線駆動回路104等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置100の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集
在十六线数据总线的情况中,可以使用三十个这样的电路; 而在“N”线数据总线的情况中,可以使用“2N-2”个电容耦合电路(即,在数据总线中部的各个信号线路与其两个最近邻电容耦合,但是在末端的线路,比如线路 409,将仅从一个最近邻,比如从图 4中的组件 427和 428接收耦合 )。
8線データバスの場合には14個のこのような回路を使用することができ、16線データバスの場合には30個のこのような回路を使用することができ、「N」線データバスの場合には「2N−2」個の容量結合回路を使用することができる(すなわち、データバスの中央の各信号線はその2つの最近傍線と容量結合されるが、線409などの端の線は、図4の部品427と428などからのようにただ1つの最近傍からだけの結合を受ける)。 - 中国語 特許翻訳例文集
然而,重要的是,上文所示的原理允许基于接收器位置对发生于各个信号线路对之间的远端串扰的自动校准,并且因此,差分对是否被蜷曲并不重要,即,发送器可以简单地测量并加载最佳地消除串扰的电容值,并且酌情在各个信号路径上的传输信号中使用这些值。
しかしながら、重要なことに、上に提示された原理は、受信機位置に基づき各信号線ペア間に発生する遠端クロストークの自動較正を可能にする。 したがって、差動ペアがねじられるかどうかは重要でない、すなわち、送信機はクロストークを最良に相殺する容量値を単純に測定しこれらの値をロードし、そして各信号経路上に信号を送信する際に必要に応じてこれらの値を使用することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集
假设接收部分例如包括接收侧信号耦合部分和接收侧信号生成部分,该接收侧信号耦合部分用于接收经由毫米波信号线发送的毫米波信号,该接收侧信号生成部分用于通过使由接收侧信号耦合部分接收的毫米波信号 (输入信号 )经历信号处理来生成普通电信号 (信号转换部分,用于将毫米波信号转换为发送对象电信号 )。
受信部は、たとえば、ミリ波信号伝送路を介して伝送されてきたミリ波の信号を受信する受信側の信号結合部と、受信側の信号結合部により受信されたミリ波の信号(入力信号)を信号処理して通常の電気信号(伝送対象の信号)を生成する受信側の信号生成部(ミリ波の信号を伝送対象の電気信号に変換する信号変換部)を備えるものとする。 - 中国語 特許翻訳例文集
采样保持信号转换电路组 4a具有与每列的垂直信号线 9一对一配置的 10位输出的 ADC16、在各列保持由对应的 ADC16输出的 10位数据的 10个 1位寄存器电路 (Bit No.0Reg.~ Bit No.9Reg.)17、按各 2列中并列于各行方向的 2个 1位寄存器电路来配置于列方向的 10个数据传输电路 (BitNo.0数据传输电路~ Bit No.9数据传输电路 )18a。
サンプルホールド信号変換回路群4aは、列毎の垂直信号線9と1対1で配置される10ビット出力のADC16と、各列において対応するADC16が出力する10ビットデータを保持する10個の1ビットレジスタ回路(Bit No.0 Reg.〜Bit No.9 Reg.)17と、各2列において各行方向に並ぶ2個の1ビットレジスタ回路毎に列方向に配置される10個のデータ転送回路(Bit No.0 データ転送回路〜Bit No.9 データ転送回路)18aとを備えている。 - 中国語 特許翻訳例文集
因此,在比较例 1中,配置复位信号控制电路 106,利用比较器 108在将由像素阵列 102取得的像素信号和参照信号进行比较之前,放入复位信号控制电路 106,并将由旁路电路 105生成的某个阈值电压向信号控制电路 106供给,在某个定时,对从垂直信号线 VSL发送来的像素复位信号的电位进行信号校正。
そのため、比較例1では、リセット信号制御回路106が配置され、画素アレイ102で取得した画素信号をコンパレータ108によって参照信号と比較する直前にリセット信号制御回路106を入れ、バイアス回路105から生成したある閾値電圧を信号制御回路106へ供給し、垂直信号線VSLから送られてくる画素リセット信号の電位を、あるタイミングで信号補正している。 - 中国語 特許翻訳例文集
1A固态图像拾取元件,10A像素单元,11AA/D转换器,12A光通信单元,13A时序发生器,14A控制 I/O,15A DC-DC单元,16A控制器,17总线,2A光学设备,20A透镜单元,21外壳,3A信号处理设备,30A光通信单元,31A控制 I/O,32A操作单元,33A读取控制器,34A信号处理器,35A数据存储单元,36A显示单元,37A电源,38A电源控制器,4A信号处理系统,100像素,101像素阵列,102垂直扫描电路,103水平扫描电路,104列 CDS电路,105列信号线,106光电二极管,107FD放大器,108行选择晶体管,109行选择线,110电荷检测器,111复位晶体管,112放大晶体管,113复位线,114行读取线,120串行接口,120A并 /串转换器,121 121S 121CL发光单元,122A 122B线,123线,124编码单元,125数据加扰单元,126并/串转换器,128A表面发射半导体激光器,130H 130AD130OP线,300S 300CL光接收单元,301A串 /并转换器,302光接收单元,303串 /并转换器,304解扰单元,305解码单元,306光接收单元,307并行接口,401A相机系统,402A透镜单元,403A相机机身单元,404快门,405AE/AF检测器,406电子闪光,407电子闪光控制器
1A・・・固体撮像素子、10A・・・画素部、11A・・・A/D変換部、12A・・・光通信部、13A・・・タイミングジェネレータ、14A・・・制御I/O、15A・・・DC−DC部、16A・・・制御部、17・・・バス、2A・・・光学装置、20A・・・レンズ部、21・・・ハウジング、3A・・・信号処理装置、30A・・・光通信部、31A・・・制御I/O、32A・・・操作部、33A・・・読み出し制御部、34A・・・信号処理部、35A・・・データ保持部、36A・・・表示部、37A・・・電源、38A・・・電源制御部、4A・・・信号処理システム、100・・・画素、101・・・画素アレイ、102・・・垂直走査回路、103・・・水平走査回路、104・・・カラムCDS回路、105・・・列信号線、106・・・フォトダイオード、107・・・FDアンプ、108・・・行選択トランジスタ、109・・・行選択線、110・・・電荷検出部、111・・・リセットトランジスタ、112・・・増幅トランジスタ、113・・・リセット線、114・・・行読み出し線、120・・・シリアルインタフェース、120A・・・パラレル/シリアル変換部、121、121S,121CL・・・発光部、122A,122B・・・配線、123・・・配線、124・・・エンコード部、125・・・データスクランブル部、126・・・パラレル/シリアル変換部、128A・・・面発光型半導体レーザ、130H,130AD,130OP・・・配線、300S,300CL・・・光受信部、301A・・・シリアル/パラレル変換部、302・・・光受信部、303・・・シリアル/パラレル変換部、304・・・デスクランブル部、305・・・デコード部、306・・・受光部、307・・・パラレルインタフェース、401A・・・カメラシステム、402A・・・レンズユニット、403A・・・カメラ本体部、404・・・シャッタ、405・・・AE/AF検出部、406・・・ストロボ、407・・・ストロボ制御部 - 中国語 特許翻訳例文集
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