「導体」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

所有剩余的半导体 (即，半导体芯片 203B_2)从准备好注入锁定的一个半导体芯片 203B_1接收恢复的载波信号，并且基于恢复的载波信号执行同步检测。

この残りの全て（図では半導体チップ203B_2）は、注入同期に対応した1つの半導体チップ203B_1から再生搬送信号を受け取り、この再生搬送信号を元に同期検波する。 - 中国語 特許翻訳例文集

另一方面，半导体芯片 203B_2接收半导体芯片 203B_1上通过注入锁定恢复的恢复的载波信号，并且混频器 8402使用恢复的载波信号解调接收信号 Sin_2。

一方、半導体チップ203B_2は、半導体チップ203B_1において注入同期方式で再生された再生搬送信号を受け取り、周波数混合部8402は、その再生搬送信号を使って受信信号Sin_2を復調する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在一个外壳内的信号传输的情况下，应当考虑半导体芯片 103A和 103B以及半导体芯片 203A、203B_1和 203B_2安装在相同板上。

1つの筐体内での信号伝送の場合は、たとえば、同一基板上に半導体チップ103A，103Bと半導体チップ203A，203B_1，203B_2が搭載されているものと考えればよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

在采用第一实施例的配置的部分，在半导体芯片 103B和半导体芯片 203B_1和 203B_2之间，载波频率 f2用于执行通过毫米波信号传输路径 9_2的毫米波段的广播通信。

第1実施形態の構成が採用される部分では、搬送周波数f2を用いて、半導体チップ103Bと半導体チップ203B_1，203B_2間でミリ波信号伝送路9_2を介してミリ波帯で同報通信が行なわれる。 - 中国語 特許翻訳例文集

所有剩余的半导体芯片 (即，半导体芯片 203A和 203B_2)从准备好注入锁定的半导体芯片 203B_1接收恢复的载波信号，并且基于恢复的载波信号执行同步检测。

この残りの全て（図では半導体チップ203A，203B_2）は、注入同期に対応した1つの半導体チップ203B_1から再生搬送信号を受け取り、この再生搬送信号を元に同期検波する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在采用第一实施例的配置的部分，使用不等于载波频率 f1的载波频率 f2，在半导体芯片 103B和 203B_1和 203B_2之间通过毫米波信号传输路径 9_2在毫米波段中执行广播通信。

第1実施形態の構成が採用される部分では、搬送周波数f2（≠f1）を用いて、半導体チップ103Bと半導体チップ203B_1，203B_2間でミリ波信号伝送路9_2を介してミリ波帯で同報通信が行なわれる。 - 中国語 特許翻訳例文集

一旦半导体电路的设计完成，标准电子格式（例如，Opus、GDSII等）的结果设计就可以被传送到半导体制作工具或“fab”以便进行制作。

半導体回路の設計が完了すると、それにより得られる標準電子フォーマット（例えば、Opus、GDSII、等）の設計が、製造のために半導体製造施設又は“fab”へ送信される。 - 中国語 特許翻訳例文集

专利文献 1公开了次级光波导层 (secondary optical waveguide layer)、具有从一种到另一种进行切换的多种振荡模式的半导体激光器，以及光程切换结构 (其中，切换从半导体激光器发射的光束的光程 )。

特許文献1では、二次元光導波路層と、発振モードを切り替えられる半導体レーザと、半導体レーザからの出射光の光路を切り替える光路交換構造体を有する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在表面发射半导体激光器 128A中，上部黑反射镜 (DBR镜 )128c、有源层 128d、下部黑反射镜 (DBR镜 )128e和 n型半导体衬底 129f层叠在 p型电极 128a与 n型电极 128b之间。

面発光型半導体レーザ128Aは、p型電極128aとn型電極128bの間に、上方ブラック反射ミラー（DBRミラー）128cと、活性層128dと、下方ブラック反射ミラー（DBRミラー）128eと、n型半導体基板129fが積層される。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，在吸取用于驱动半导体激光器的电流的驱动单元 121a中，例如，如果首先仅开启半导体激光器且无意地将电流提供到其，则可能出现击穿。

また、例えば、半導体レーザの駆動のために電流を吸い込むタイプの駆動部121aにおいては、半導体レーザだけに先に電源が入ることで、意図しない電流が流れると、破損する可能性がある。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，术语“CMOS”中的短语“金属氧化物半导体”传统上可以表示在氧化物材料上形成金属栅极的场效应晶体管的物理结构，其形成于半导体上。

例えば、「CMOS」に含まれる「金属酸化物半導体」という用語は、従来は、半導体に形成される酸化物材料に金属ゲートが形成された電界効果トランジスタの物理構造のことを示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

由于对于每一个来说，在控制其他模块这一点上是共通的，因此例如可以作为同一模块，并在半导体设备上组装在同一个半导体芯片内。

いずれも他のブロックを制御する点では共通しているので、例えば同じブロックとし半導体デバイス上で同じ半導体チップに組入れられて良い。 - 中国語 特許翻訳例文集

在源极 9和漏极 13这两者与半导体有源层 8之间形成例如掺有杂质的非晶硅等的掺有杂质的半导体层 (附图中未示出 )。

このソース電極9及びドレイン電極13と半導体活性層8との間には不純物添加アモルファスシリコン等による不純物添加半導体層（不図示）が形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在源极 9以及漏极13这两者和各半导体有源层 8之间形成例如掺有杂质的非晶硅等的掺有杂质的半导体层(附图中未示出 )。

このソース電極9及びドレイン電極13と半導体活性層8との間には不純物添加アモルファスシリコン等による不純物添加半導体層（不図示）が形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

第一通信设备 100提供有准备好用于毫米波波导发送的半导体芯片 103。 第二通信设备 200提供有准备好用于毫米波波导接收的半导体芯片 203。

第1通信装置100にはミリ波帯送信に対応した半導体チップ103が設けられ、第2通信装置200にはミリ波帯受信に対応した半導体チップ203が設けられている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在仿真中，首先从幅度特性测量数据获得发送芯片 (发送侧的半导体芯片 103)和接收芯片 (接收侧的半导体芯片 203)的频率特性。

シミュレーションにおいては、先ず、送信チップ（送信側の半導体チップ103）と受信チップ（受信側の半導体チップ203）のそれぞれについて、振幅特性の測定データから周波数特性を求める。 - 中国語 特許翻訳例文集

导电图案 87a～ 87d的一端连接到连接器 85的电极 (图11中没有示出 )，导电图案 87a～ 87d的另一端连接到连接器 86的电极。

導体パターン87a〜87dの一端はコネクタ85の電極（図示せず）と接続され、導体パターン87a〜87dの他端はコネクタ86の内部の電極と接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

(1)包含在公开密钥信息中的半导体存储器固有的识别信息与预先存储在半导体存储卡中的固有的识别号码是否一致的检查

具体的には、（1） 公開鍵情報に含まれる半導体メモリー固有の識別情報と半導体メモリーカードに予め記憶されている固有の識別番号とが一致するかどうかのチェック - 中国語 特許翻訳例文集

此外，预先记录在半导体存储卡中的半导体存储卡的固有的识别码优选的是采用保存在隐秘性较高的记录区域中那样的结构。

また半導体メモリーカードに予め記録されている半導体メモリーカードの固有の識別子は秘匿性の高い記録領域に格納するような構成を採用するのが望ましい。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，向记录在半导体存储卡的第 1记录区域中的分发数据的访问不一定需要经由半导体存储卡具有的控制电路访问。

また、半導体メモリーカードの第1の記録領域に記録された配信データへのアクセスは半導体メモリーカードが有する制御回路を介してアクセスする必要は必ずしもない。 - 中国語 特許翻訳例文集

第一实施例的固体摄像装置 31具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。

第1実施の形態に係る固体撮像装置31は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二实施例的固体摄像装置 61具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。

第2実施の形態に係る固体撮像装置61は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。 - 中国語 特許翻訳例文集

第三实施例的固体摄像装置 63具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。

第3実施の形態に係る固体撮像装置63は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。 - 中国語 特許翻訳例文集

这里，因为两组使用相同的载波频率 f2的载波信号，在传输侧的多个半导体芯片103中，只有一个 (在图 12中，只有半导体芯片 103B)具有准备好载波信号的生成的配置，而所有剩余的半导体芯片 (在图 12中，半导体芯片 103A)从准备好载波信号的生成的半导体芯片 103B接收载波信号，并且基于接收的载波信号执行频率转换，即，上转换。

ここで、両方の組で同一周波数f2の搬送信号を使用するため、複数ある送信側の半導体チップ103は、その中の1つのみ（図では半導体チップ103B）が搬送信号生成に対応した構成を持っているが、残りの全て（図では半導体チップ103A）は、搬送信号生成に対応していない。 - 中国語 特許翻訳例文集

因为由各组使用相互同步的载波信号，尽管它们具有相互不同的载波频率 f1和f2，所以传输侧的多个半导体芯片 103中只有一个 (在图 13到 15B中，半导体芯片 103B)具有准备好载波信号的生成的配置。 然而，所有剩余的半导体芯片 (在图 13到 15B中，半导体芯片 103A)没有准备好载波信号的生成。

各組でそれぞれ異なる周波数f1，f2ではあるが同期した搬送信号を使用するため、複数ある送信側の半導体チップ103は、その中の1つのみ（図では半導体チップ103B）が搬送信号生成に対応した構成を持っているが、残りの全て（図では半導体チップ103A）は、搬送信号生成に対応していない。 - 中国語 特許翻訳例文集

根据本实施例的固态成像器件 1以单芯片器件 (提供在同一半导体衬底上 )的形式构成，其中在单晶硅或其他半导体区域中使用与半导体集成电路制造技术相同的技术而集成地形成驱动控制部件 7的各个组件 (如水平和垂直扫描部件 12和 14)与像素阵列部件 10。

水平走査部12や垂直走査部14などの駆動制御部7の各要素は、画素アレイ部10とともに、半導体集積回路製造技術と同様の技術を用いて単結晶シリコンなどの半導体領域に一体的に形成されたいわゆる1チップもの（同一の半導体基板上に設けられているもの）として、本実施形態の固体撮像装置1が構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

电子装置101A具有能够进行毫米波波段通信的半导体芯片103以及安装在板102上的传输线耦合部分 108。

電子機器101Aは、基板102上に、ミリ波帯通信可能な半導体チップ103と伝送路結合部108が搭載されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

存储卡 201A在板 202的一个表面上具有包括信号产生部分 207(毫米波信号转换部分 )的半导体芯片 203。

メモリカード201Aは、基板202の一方の面上に信号生成部207（ミリ波信号変換部）を具備する半導体チップ203を有する。 - 中国語 特許翻訳例文集

半导体芯片 203配备有毫米波发送和接收端子 232，用于耦合到毫米波信号传输线 9(介质传输线 9A)。

半導体チップ203には、ミリ波信号伝送路9（誘電体伝送路9A）と結合するためのミリ波送受信端子232が設けられている。 - 中国語 特許翻訳例文集

半导体芯片 103配备有用于耦合到毫米波信号传输线 9(介质传输线 9A)的毫米波发送和接收端子 132。

半導体チップ103には、ミリ波信号伝送路9（誘電体伝送路9A）と結合するためのミリ波送受信端子132が設けられている。 - 中国語 特許翻訳例文集

驱动器 410被用来驱动可移除介质，例如，磁盘、光盘、磁光盘或半导体存储器。

ドライブ410は、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク、又は半導体メモリなどのリムーバブルメディア411を駆動する。 - 中国語 特許翻訳例文集

光接收区域 54的 n型半导体区域 34与溢出沟道机构 40的溢出漏极区域 38连接。

そして、受光領域54のn型半導体領域34とオーバーフロードレイン領域40のオーバーフロードレイン領域38とが接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

为此，对于在硬盘或半导体存储器等记录介质上记录的情况也同样有用。

そのため、ハードディスクや半導体メモリなどの記録メディア上に記録する場合にも同様に有用である。 - 中国語 特許翻訳例文集

半导体 RET电路 809是进行 DC线路捕捉操作所需的电路，其在 SOC 101的控制下使用 DCLIM信号工作。

半導体RET回路809は、直流の回線捕捉を行うための回路であり、DCLIM信号を用いたSOC101による制御に応じて動作する。 - 中国語 特許翻訳例文集

举几个例子，存储装置 42可以是半导体存储器、磁存储器、或光存储器。

記憶装置42は、幾つかの例を挙げるなら、半導体メモリ、磁気メモリ、又は、光学メモリであってもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

如上所述，将各个像素 DPX布置在包括相关联的感测电路 121的支撑电路上的不同半导体基底上。

前述したように、各画素DPXは、対応するセンス回路121を含む支持回路の上に、異なる半導体基板で積層されて形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

可替代地，存储器 154A可以被层叠地布置在感测电路之下的第三半导体基底上。

あるいはメモリ154Aは別途第3の半導体基板を用いて、センス回路の下側にさらに積層して設置しても良い。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 10中的示例中，在半导体基底 SUB2A上以阵列布置多个电路块 200。

図10の例では、複数の回路ブロック200が半導体基板SUB2A上にアレイ状に敷き詰められている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在半导体基底 SUB2E上形成感测电路 121E，并且感测电路 121E在输入电极部分122接收来自像素 DPXE的输出信号。

一方、センス回路121Eは半導体基板SUB2E上に形成されており、画素DPXからの出力信号を入力電極部122で受ける。 - 中国語 特許翻訳例文集

所述介质可以是电、磁、光、电磁、红外线或半导体系统 (或装置或设备 )。

媒体は、電子、磁気、光、電磁、赤外線、または半導体のシステム（あるいは装置またはデバイス）とすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

介质可为电子、磁性、光学、电磁、红外或半导体系统 (或装置或设备 )或传播介质。

メディアは、電子、磁気、光、電磁、赤外線、または半導体のシステム（あるいは装置またはデバイス）、あるいは伝搬メディアとすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，存储区 140可以是通过半导体熔丝技术 (semiconductor fuse technology)所实现的可编程只读存储器。

例えば、記憶領域140は、半導体ヒューズ技術で実装されるプログラム可能な読み取り専用メモリであってよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

板 1504可以包括 p-i-n层 1510、1512和1512，或者单个层，例如单个电介质层或半导体层。

スラブ1504を、p-i-n層1510、1512、及び1514、または、単一の誘電層もしくは単一の半導体層などの単一層から構成することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

板 1504也可以包括 p-i-n层 1510、1512和1512，或者单个层，例如单个电介质层或半导体层。

スラブ1504を、p-i-n層1510、1512、及び1514、または、単一の誘電層もしくは単一の半導体層などの単一層から構成することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

第一通信设备 100X包括板 102、安装在板 102上并且能够执行毫米波段通信的半导体 103、以及安装在板 102上的传输路径耦合器 108。

第1通信装置100Xは、基板102上に、ミリ波帯通信可能な半導体チップ103と伝送路結合部108が搭載されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

因为波长短，所以可以分别在半导体芯片 103B和 203B上配置非常小尺寸的用于毫米波的天线 136B和 236B。

ミリ波用のアンテナ136B，236Bは、波長が短いので、超小型のアンテナ素子を半導体チップ103B，203B上に構成することが可能となる。 - 中国語 特許翻訳例文集

简而言之，半导体芯片 103B和 203B_1通过天线 136B和 236B_1之间的毫米波信号传输路径 9_2执行毫米波段的信号传输。

つまり、半導体チップ103B，203B_1は、アンテナ136B，236B_1間のミリ波信号伝送路9_2を介してミリ波帯で信号伝送を行なう。 - 中国語 特許翻訳例文集

在半导体芯片 103A和 203A之间，载波频率 f2用于执行通过毫米波信号传输路径9_1的毫米波段的信号传输。

半導体チップ103A，203A間では、搬送周波数f2を用いて、ミリ波信号伝送路9_1を介してミリ波帯で信号伝送が行なわれる。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，应明白，本发明适合与所有类型的半导体集成电路 (“IC”)芯片一起使用。

例えば、当然のことながら、本発明は全ての種類の半導体集積回路（IC）チップでの用途に適用可能である。 - 中国語 特許翻訳例文集

LD部 152通过对表面均匀带电的感光体 153照射半导体激光而在感光体 153上形成静电潜像。

LD部152は、表面が一様に帯電された感光体153に半導体レーザを照射することにより感光体153に静電潜像を形成する。 - 中国語 特許翻訳例文集