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「接收区」を含む例文一覧
該当件数 : 6件
光接收区域 54可以被配置成不具有在其内形成的 P型半导体区域 35。
受光領域54において、p型半導体領域35をも形成しない構成とすることもできる。 - 中国語 特許翻訳例文集
图 4是示出了图 1所示的成像元件上的光接收区域的平面图;
【図4】図1に示した撮像素子上の受光領域を表す平面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集
光接收区域 54的 n型半导体区域 34与溢出沟道机构 40的溢出漏极区域 38连接。
そして、受光領域54のn型半導体領域34とオーバーフロードレイン領域40のオーバーフロードレイン領域38とが接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集
如图 8所示,在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部 (FD)37、以及溢出沟道机构 40。
漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部(FD)37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集
如图 9所示,在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部(FD)37、以及溢出沟道机构 40。
漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部(FD)37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集
在漏光修正用像素 24中,光接收区域 54的 n型半导体区域 34与溢出漏极区域 38连接,从在提供了 n型半导体区域 34与溢出漏极区域 38之间的常导通状态。
一方、漏れ込み光補正用画素24では、受光領域54のn型半導体領域34がオーバーフロードレイン領域38に接続されており、常にn型半導体領域34とオーバーフロードレイン領域38間が導通状態にある。 - 中国語 特許翻訳例文集
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