「源极」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

PMOS晶体管 PT311的源极和 PMOS晶体管 PT312的源极连接至电源电势 VDD。

PMOSトランジスタPT311のソースおよびPMOSトランジスタPT312のソースが電源電位VDDに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二负载晶体管 624的源极端子示出第二负载晶体管 624的源极端子的电势改变。

第2負荷トランジスタ624ソース端子には、第2負荷トランジスタ624のソース単位の電位変動が示されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

重置晶体管 54的源极和放大晶体管 55的源极连接到预定电源电压 VDD。

リセットトランジスタ54のソース、および、増幅トランジスタ55のソースは、所定の電源電圧VDDに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，选择晶体管 25的漏极连接到放大晶体管 24的源极，并且其源极连接到垂直信号线 122。

選択トランジスタ25は、例えば、ドレインが増幅トランジスタ24のソースに、ソースが垂直信号線122にそれぞれ接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

图15E和 16E是所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs的波形。

図15（E）及び図16（E）は、駆動トランジスタN2のソース電位Vsの波形である。 - 中国語 特許翻訳例文集

所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs由 Vofs_L-Vth给出。

また、駆動トランジスタN2のソース電位Vsは、Vofs_L−Vthで与えられる。 - 中国語 特許翻訳例文集

源极 9连接到信号线 3(参见图 2)。

ソース電極9は信号配線3に接続されている（図2参照。）。 - 中国語 特許翻訳例文集

数据控制信号包括源极启动脉冲SSP、源极采样时钟 SSC、源极输出使能信号 SOE、极性控制信号 POL等。

データ制御信号はソーススタートパルス(Source、Start Pulse、SSP)、ソースサンプリングクロック(Source Sampling Clock、SSC)、ソース出力イネーブル信号(Source Output Enable、SOE)、極性制御信号POLなどを含む。 - 中国語 特許翻訳例文集

像素哑选择晶体管 118的源极连接至垂直信号线 116。

画素ダミー選択トランジスタ118のソースが垂直信号線116に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

选择晶体管 Tr15的源极侧与垂直信号线 9连接。

選択トランジスタTr15は、そのソース側が垂直信号線9に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 10中分别以标记 G、S及 D来说明MOSFET的栅极、源极及漏极。

MOSFETのゲート、ソースおよびドレインは、図10にそれぞれラベルG，SおよびDで示されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

被供给图像信号的数据线 6a与 TFT30的源极电气连接。

画像信号が供給されるデータ線6aは、TFT30のソースに電気的に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

源极输出使能信号 SOE控制数据驱动电路的输出时序。

ソース出力イネーブル信号SOEはデータ駆動回路の出力タイミングを制御する。 - 中国語 特許翻訳例文集

当像素被读出时，负载 MOS晶体管 51-1至 51-n用作源极跟随器的电流源。

負荷MOSトランジスタ51−1〜51−nは画素読み出し時のソースフォロワの電流源として機能する。 - 中国語 特許翻訳例文集

当像素被读出时，负载 MOS晶体管 151-1至 151-n用作源极跟随器的电流源。

負荷MOSトランジスタ151−1〜151−nは画素読み出し時のソースフォロワの電流源として機能する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在上述层中形成源极 9和漏极 13。

これらの上層には、ソース電極9、及びドレイン電極13が形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

因为这里海水和河水交汇，鱼类资源极为丰富。

ここは潮の流れと川の流れが合流しているので，魚類資源が極めて豊富である． - 白水社 中国語辞典

在积累期间中，在源极跟随器电路中的输入晶体管 23的源极处将光电转换元件 21中转换的电信号放大，并从那里输出。

蓄積時間中は、光電変換素子21で電気信号に変換された信号が、ソースフォロワ回路の入力トランジスタ23のソース電極より増幅されて出力されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

即，放大晶体管 23仅源极端子与浮动状态的垂直信号线 VSL连接，不进行源极跟踪器电路的动作。

つまり、増幅トランジスタ23は、ソース端子がフローティング状態の垂直信号線VSLに接続されているだけであるので、ソースフォロワ回路の動作を行わない。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，用于垂直信号线 Vsig11a的配线 H11经由通孔 B2连接在放大晶体管 14的源极侧的扩散层 DF2上，用于垂直信号线 Vsig11b的配线 H11经由通孔 B2连接在放大晶体管 14′的源极侧的扩散层 DF2上，用于垂直信号线 Vsig11c的配线 H11经由通孔 B2连接在放大晶体管 14″的源极侧的扩散层 DF2上。

そして、垂直信号線Vsig11aに用いられている配線H11は、ビアB2を介してアンプトランジスタ14のソース側の拡散層DF2に接続され、垂直信号線Vsig11bに用いられている配線H11は、ビアB2を介してアンプトランジスタ14´のソース側の拡散層DF2に接続され、垂直信号線Vsig11cに用いられている配線H11は、ビアB2を介してアンプトランジスタ14´´のソース側の拡散層DF2に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如接收部 150具有多个图像数据输入端子，当其中特定的图像数据输入端子被选择为投影图像的源极端子时，如果向该源极端子输入图像数据，则显示部 160中表示向源极端子的图像数据的输入状态的 LED(输入状态 LED)点亮成绿色。

例えば、受信部150が複数の画像データ入力端子を有しており、そのうちの特定の画像データ入力端子が投射画像のソース端子として選択されている場合、当該ソース端子に画像データが入力していれば、表示部160におけるソース端子への画像データの入力状態を示すLED（入力ステータスLED）が緑色に点灯する。 - 中国語 特許翻訳例文集

参考图 6，没有示出除了光电转换元件 D1、FD电容器 C1、各个晶体管的栅极、源极和漏极、以及内部连线以外的组件。

図6においては、光電変換素子D1、FD容量C1、各トランジスタのゲート、ソース、ドレインおよび配線以外は省略している。 - 中国語 特許翻訳例文集

每个像素块 160C的多个像素的传送晶体管的源极或漏极连接到公共输出信号线 131。

そして、各画素ブロック160Cの複数の画素の転送トランジスタのソースまたはドレインが共通の出力信号線131に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

2.如权利要求 1所述的固态成像设备，其中所述像素包括源极跟随器电路。

2. 前記画素は、ソースフォロワ回路を含むことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，负载晶体管 614使其漏极端子连接到垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502，并且使其源极端子接地。

また、負荷トランジスタ614は、そのドレイン端子が垂直信号線（VSL1または2）501または502に接続され、そのソース端子が接地される。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，参考晶体管 690使其源极端子接地，并且使其栅极端子和漏极端子连接到参考电流线 610。

また、基準トランジスタ690は、そのソース端子が接地され、かつ、そのゲート端子およびドレイン端子が基準電流線601に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

与所述栅极电位 Vg的电位变化所关联，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs也减小(图 15E，图 16E)。

また、このゲート電位Vgの電位変化に連動して、駆動トランジスタN2のソース電位Vsも押し下げられる（図15（E）、図16（E））。 - 中国語 特許翻訳例文集

在开始时刻，甚至当考虑变动时，所述驱动晶体管 N2的栅 /源极之间的电压 Vgs也比所述阈值电压 Vth更宽。

この開始時点において、駆動トランジスタN2のゲート・ソース間電圧Vgsは、バラツキを考慮しても閾値電圧Vthより広くなっている。 - 中国語 特許翻訳例文集

所述有机 EL器件 OLED的熄灭状态被维持直到所述源极电位 Vs超过所述有机 EL器件 OLED的阈值电压 Vth(oled)。

なお、ソース電位Vsが、有機EL素子OLEDの閾値電圧Vth(oled)を越えるまでは、有機EL素子OLEDの消灯状態が維持される。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，栅 /源极之间的电压 Vgs随着所述驱动晶体管N2的迁移率μ的增加而减小。

結果的に、移動度μが大きい駆動トランジスタN2ほどゲート・ソース間電圧Vgsが小さくなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在信号电压 V1为“VTT”的情况下，供给节点 N101的电压 (电压缓和晶体管 102的源极电压 )被设定为“VTT-Vth”。

信号電圧V1が“VTT”である場合、供給ノードN101の電圧（電圧緩和トランジスタ102のソース電圧）は、“VTT−Vth”に設定される。 - 中国語 特許翻訳例文集

该情况下，供给节点 N201p、N201n的电压(电压缓和晶体管 202p、202n的源极电压 )被设定为“VTT-Vth”。

この場合、供給ノードN201p，N201nの電圧（電圧緩和トランジスタ202p，202nのソース電圧）は、“VTT−Vth”に設定される。 - 中国語 特許翻訳例文集

形成有源极 9和漏极 13的布线层还具有形成在其中的信号线 3。

このソース電極9及びドレイン電極13が形成された配線層には、ソース電極9、ドレイン電極13とともに、信号配線3が形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

形成源极 9和漏极 13的布线层中还形成有信号线 3。

このソース電極9及びドレイン電極13が形成された配線層には、ソース電極9、ドレイン電極13とともに、信号配線3が形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

放大晶体管 23的源极端子与垂直信号线 VSL连接，栅极端子与 FD25连接。

増幅トランジスタ23は、ソース端子が垂直信号線VSLに接続され、ゲート端子がFD25に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

由该负荷电流 15和放大晶体管 Amp Tr.构成源极跟随电路，读取像素信号。

この負荷電流15と増幅トランジスタAMPTrとでソースホロワ回路を構成し、画素信号を読み出す。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，垂直选择晶体管 40使其漏极连接到放大晶体管 42的源极，使其源极连接到像素线 51，且使其栅极 (具体地，称为垂直选择栅极 SELV)连接到垂直选择线 58。

垂直選択用トランジスタ40は、一例として、ドレインが増幅用トランジスタ42のソースに、ソースが画素線51にそれぞれ接続され、ゲート（特に垂直選択ゲートSELVという）が垂直選択線58に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，用于垂直信号线 Vsig1a的配线 H1经由通孔 B1连接在放大晶体管 4的源极侧的扩散层 DF1上，用于垂直信号线 Vsig1b的配线 H1经由通孔 B1连接在放大晶体管 4′的源极侧的扩散层 DF1上。

そして、垂直信号線Vsig1aに用いられている配線H1は、ビアB1を介してアンプトランジスタ4のソース側の拡散層DF1に接続され、垂直信号線Vsig1bに用いられている配線H1は、ビアB1を介してアンプトランジスタ4´のソース側の拡散層DF1に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

而且，该情况下，由于电压缓和晶体管 102的漏极电压及栅极电压为“VTT”，所以可以使电压缓和晶体管 102的端子间电压 (栅极—漏极间电压、栅极—源极间电压以及源极—漏极间电压 )比“VTT”低。

また、この場合、電圧緩和トランジスタ102のドレイン電圧およびゲート電圧は“VTT”であるので、電圧緩和トランジスタ102の端子間電圧（ゲート−ドレイン間電圧，ゲート−ソース間電圧，およびソース−ドレイン間電圧）を“VTT”よりも低くすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在信号电压 VP1为“VTT-Vα”、信号电压 VN1为“VTT”的情况下，供给节点 N201p的电压 (电压缓和晶体管 202p的源极电压 )被设定为“VTT-Vth”，供给节点 N201n的电压(电压缓和晶体管 202n的源极电压 )被设定为“VTT-Vα-Vth”。

信号電圧VP1が“VTT−Vα”であり、信号電圧VN1が“VTT”である場合、供給ノードN201pの電圧（電圧緩和トランジスタ202pのソース電圧）は、“VTT−Vth”に設定され、供給ノードN201nの電圧（電圧緩和トランジスタ202nのソース電圧）は、“VTT−Vα−Vth”に設定される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在地址晶体管 24被行选择后导通时，放大晶体管 23的漏极端子与电源 26连接，且在开关晶体管 14导通后电流源 15经由垂直信号线 VSL与源极端子连接时，构成源极跟踪器电路。

増幅トランジスタ23は、アドレストランジスタ24が行選択されてオンしドレイン端子が電源26に接続され、かつスイッチトランジスタ14がオンして電流源15が垂直信号線VSLを介してソース端子に接続されたときにソースフォロワ回路を構成する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在单位像素2a中，放大晶体管 23的漏极端子经由地址晶体管 24与电源 26连接，源极端子经由垂直信号线 VSL以及开关晶体管 14与电流源 15连接，因此，放大晶体管 23构成源极跟踪器电路。

単位画素2aでは、増幅トランジスタ23のドレイン端子がアドレストランジスタ24を介して電源26が接続され、ソース端子が垂直信号線VSLおよびスイッチトランジスタ14を介して電流源15が接続されるので、増幅トランジスタ23は、ソースフォロワ回路を構成する。 - 中国語 特許翻訳例文集

选择晶体管 (下文中称为选择 Tr)305a至 305c选择特定行以使得像素源极跟随器 (称为像素 SF)306a至 306c能够将 FD电位读出到垂直输出线 204a至 204c上。

選択トランジスタ（以下選択Trと呼ぶ）305a〜305cは、特定行を選択して画素ソースフォロアを作動させてFD電位を垂直出力線に読み出す。 - 中国語 特許翻訳例文集

返回参考图 2，负荷晶体管 Ts1分别连接至垂直信号线 101、垂直信号线 102和垂直信号线 103，以使得漏极连接至垂直信号线 101～ 103，并且栅极和源极接地。

図2に戻って、垂直信号線101〜103に接続されている負荷トランジスタTs1は、ドレインがそれぞれ垂直信号線101〜103に接続され、ゲートおよびソースが接地されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

像素哑放大晶体管 117具有连接至电源线 LVDDAMP的漏极、以及连接至像素哑选择晶体管 118的漏极的源极。

画素ダミーアンプトランジスタ117のドレインが電源ラインLVDDAMPに接続され、ソースが画素ダミー選択トランジスタ118のドレインに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

即，源极跟随器电路作为增益几乎为 1的放大电路而工作，并且调制垂直信号线11的电位 Vsl以跟随作为输入节点的 FD节点 7的电位 Vf的变化。

すなわち、ソースファロアー回路はゲインが略1のアンプ回路として動作し、入力ノードであるFDノード7の電位Vfの変化に追随するように、垂直信号線11の電位Vslは変調される。 - 中国語 特許翻訳例文集

最大值检测NMOS晶体管 116的漏极端子与电源 VDD连接。 最大值检测 NMOS晶体管 116的源极端子与差分放大器 115的反相输入端子连接并且与最大值检测开关 117连接。

最大値検出用NMOSトランジスタ116のドレイン端子は電源VDDに接続され、ソース端子は差動アンプ115の反転入力端子および最大値検出用スイッチ117と接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

最小值检测PMOS晶体管 119的漏极端子与电源 VDD连接。 最小值检测 PMOS晶体管 119的源极端子与差分放大器 118的反相输入端子连接，并且还与最小值检测开关 120连接。

最小値検出用PMOSトランジスタ119のドレイン端子は電源VDDと接続され、ソース端子は差動アンプ118の反転入力端子および最小値検出用スイッチ120と接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

4.如权利要求 2所述的固态成像设备，其中所述垂直传送操作包括通过所述源极跟随器电路传送所述信号。

4. 前記垂直転送動作は、前記ソースフォロワ回路による信号の転送を含むことを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。 - 中国語 特許翻訳例文集

复位晶体管 36使其源极连接到浮动扩散 38，且使其漏极连接到复位电源 Vrd(通常也用作模拟电源 Vdd＝ AVDD)。

リセットトランジスタ36は、ソースがフローティングディフュージョン38に、ドレインがリセット電源Vrd（通常はアナログ用の電源Vdd＝AVDD）と共通にする）にそれぞれ接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集