「电极」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

A是电极面积。

Aは電極面積である。 - 中国語会話例文集

请不要触摸电极的部分。

電極部には触らない。 - 中国語会話例文集

这个电极是正的。

この電極はプラスである． - 白水社 中国語辞典

请扔掉多余电极棒的库存。

余った電極棒の在庫を廃棄してください。 - 中国語会話例文集

在电极上贴上凝胶纸，然后穿在身上。

電極にジェルシートを貼り身体に装着します。 - 中国語会話例文集

TFT30与像素电极 9a电气连接，本实施例的液晶装置 100动作时，对像素电极 9a进行开关控制。

TFT30は、画素電極9aに電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置100の動作時に画素電極9aをスイッチング制御する。 - 中国語 特許翻訳例文集

n+层 21A和 p+层 21C起到接触层的作用，并且分别将下部电极 11和上部电极 22与 i层 21B电连接。

n＋層21A及びp＋層21Cは、コンタクト層として機能し、下部電極11及び後述する上部電極22とi層21Bをと電気的に接続する。 - 中国語 特許翻訳例文集

n+层 21A和 p+层 21C起到接触层的作用，并且分别将下部电极 11和上部电极 22电连接到 i层 21B。

n＋層21A及びp＋層21Cは、コンタクト層として機能し、下部電極11及び後述する上部電極22とi層21Bをと電気的に接続する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 12中，示出了将被供应到转移晶体管 22的控制电极的供应电极的时序的另一个实例。

図12に、転送トランジスタ22の制御電極へ供給する電圧の供給タイミングについてのさらに別の例を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，Vπ表示双电极 MZ调制器 14的半波长电压。

なお、Vπは、2電極MZ変調器14の半波長電圧を示している。 - 中国語 特許翻訳例文集

第一 CCD 142的栅电极 171A(图 3)连接至 CCD1线 152。

第1CCD142のゲート電極171A（図3）は、CCD1配線152に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二 CCD 143的栅电极 173A(图 3)连接至 CCD2线 153。

第2CCD143のゲート電極173A（図3）は、CCD2配線153に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

蓄积电容 70的一方电极与像素电极 9a并列地电气连接到 TFT30的漏极，另一方电极为了成为恒定电位，与电位固定的电容线 300电气连接。

蓄積容量70の一方の電極は、画素電極9aと並列してTFT30のドレインに電気的に接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線300に電気的に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二开关元件 TR2的输入电极连接到电压信号线 Vss，控制电极连接到第二扫描开始信号线 STVP2，输出电极连接到栅极线 G1至 Gn+1。

第2のスイッチング素子TR2の入力電極は電圧信号線Vssに接続され、制御電極は第2のスキャン開始信号線STVP2に接続され、出力電極はゲート線G1〜Gn＋1に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，就该结构而言，如图 3B所明示的那样，能够将邻接的 (连续的 )两个传输电极，例如 B1电极 311、B2电极 312的正下方的信道作为一个元件，即一个图像信号记录元件考虑。

なお、この構成においては、図3（b）から明らかなように、隣接（連続）する2つの転送電極、例えばB1電極311とB2電極312の直下のチャンネルを一つの素子、すなわち、一つの画像信号記録要素として考えることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

漏光修正用像素 24的溢出栅极电极 (OFG)被设计成常开的。

漏れ込み光補正用画素24のオーバーフローゲート（OFG）は常にオン状態となるように設計される。 - 中国語 特許翻訳例文集

各个复位晶体管 113C的栅极电极连接到公共复位线 118C。

各リセットトランジスタ113Cのゲート電極が共通のリセット線118Cに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

电容器 C311的第二电极连接至用于斜坡信号 RAMP的输入端子 TRAMP。

そして、キャパシタC311の第2電極がランプ信号RAMPの入力端子TRAMPに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

电容器 C312的第二电极连接至用于模拟信号 VSL的输入端子 TVSL。

そして、キャパシタC312の第2電極がアナログ信号VSLの入力端子TVSLに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

同时，所述有机 EL器件 OLED的两个电极之间的电压被减小到阈值电压 Vth(oled)。

同時に、有機EL素子OLEDの両電極間の電圧も、閾値電圧Vth(oled)まで低下する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在各半导体层21上形成各自的上部电极22。

各半導体層21上には、それぞれ個別に上部電極22が形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

即，放射线检测线 120电连接到下部电极 11。

すなわち、放射線検出用配線120は、下部電極11に電気的に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，接合焊盘 38a～ 38d能直接连接到连接器75的电极。

あるいは、ボンディングパッド38a〜38dとコネクタ75の電極を直接接続しても良い。 - 中国語 特許翻訳例文集

转移栅极 144的栅电极 144A(图 3)连接至转移线 154。

転送ゲート144のゲート電極144A（図3）は転送配線154に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，停止将选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147的栅电极。

また、選択トランジスタ147のゲート電極への選択パルスSELの印加が停止される。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，在双电极 MZ调制器 14中，设置了第一信号输入端子、第二信号输入端子以及 DC偏置施加端子，分别与相位调制器 14a、相位调制器 14b以及电极 14c连接。

また、2電極MZ変調器14には、第1信号入力端子、第2信号入力端子およびDCバイアス印加端子が設けられており、それぞれ位相変調器14a、位相変調器14bおよび電極14cと接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

如上所述，根据实施方式 1，DC偏置控制单元控制针对双电极 MZ调制器的 DC偏置，以使从双电极 MZ调制器输出的光多值信号的平均功率成为最大。

以上のように、実施の形態1によれば、DCバイアス制御手段は、2電極MZ変調器から出力された光多値信号の平均パワーが最大となるように、2電極MZ変調器に対するDCバイアスを制御する。 - 中国語 特許翻訳例文集

溢出栅极电极 (OFG)43相当于第二复位栅极电极，而溢出漏极区域 38相当于复位漏极区域。

オーバーフローゲート電極（OFG）43は、第2リセットゲート電極に相当し、オーバーフローどれ印領域38は、リセットドレイン領域に相当する。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 6所示，人体通信系统包括人体通信MAC H/W 1、人体通信物理层调制解调器 (FS-CDMA)2、人体通信 IF 3、信号电极 4和地电极 5。

図6に示すように、人体通信システムは、人体通信MACのH／W1、人体通信物理階層モデム（FS−CDMA）2、人体通信IF3、信号電極4と接地電極5で構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在 TFT阵列基板 10中的液晶层 50一侧的表面，即像素电极 9a上，取向膜 16以覆盖像素电极 9a的方式形成。

TFTアレイ基板10における液晶層50の面する側の表面、即ち画素電極9a上には、配向膜16が画素電極9aを覆うように形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

经由像素电极 9a，写入作为电光物质一例的液晶的规定电平的图像信号 S1、S2、...、Sn，与形成于对向基板的对向电极之间保持一定期间。

画素電極9aを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、・・・、Snは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。 - 中国語 特許翻訳例文集

移相器 464具有与波导回路 102的电极 132类似动作的电极 (图4中未明确示出 )，并且可以通过控制信号 106来驱动。

位相シフタ464は導波回路102の電極132と同様に挙動する電極（図4には明記しない）を有し、制御信号106によって駆動されることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在表面发射半导体激光器 128A中，上部黑反射镜 (DBR镜 )128c、有源层 128d、下部黑反射镜 (DBR镜 )128e和 n型半导体衬底 129f层叠在 p型电极 128a与 n型电极 128b之间。

面発光型半導体レーザ128Aは、p型電極128aとn型電極128bの間に、上方ブラック反射ミラー（DBRミラー）128cと、活性層128dと、下方ブラック反射ミラー（DBRミラー）128eと、n型半導体基板129fが積層される。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，如果在条线上的各个传输电极上施加传输脉冲，则在另一方的线的各个传输电极上也施加该传输脉冲。

これにより、一方のラインの各電極に転送パルスを印加すれば、他方のラインの各電極にもこの転送パルスが印加される。 - 中国語 特許翻訳例文集

导电图案 87a～ 87d的一端连接到连接器 85的电极 (图11中没有示出 )，导电图案 87a～ 87d的另一端连接到连接器 86的电极。

導体パターン87a〜87dの一端はコネクタ85の電極（図示せず）と接続され、導体パターン87a〜87dの他端はコネクタ86の内部の電極と接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，在以下的实施方式中，以使用双电极 MZ调制器来执行 4值驱动的 QPSK的情况为例子来说明。

なお、以下の実施の形態では、2電極MZ変調器を用いて4値駆動のQPSKを実行する場合を例に挙げて説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，在上述实施方式 1中，举出使用双电极 MZ调制器来执行 4值驱动的 QPSK的情况为例子进行了说明。

なお、上記実施の形態1では、2電極MZ変調器を用いて4値駆動のQPSKを実行する場合を例に挙げて説明した。 - 中国語 特許翻訳例文集

读栅极电极 42也利用贯穿遮光膜 46的接触通道 52与所需布线 49连接。

読み出し電極42も、遮光膜46を貫通するコンタクトビア52を介して所要の配線49に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

尽管未图示，但溢出栅极电极 43也利用贯穿遮光膜 46的接触通道 52与所需布线 49连接。

図示しないが、オーバーフローゲート電極43も、遮光膜46を貫通するコンタクトビア52を介して所要の配線49に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，在此情况下，应该通过基板或另一布线 49来使传输栅极电极 41按照期望接地。

さらに、この場合転送ゲート電極41は、基板あるいは他の配線49により接地されているのが望ましい。 - 中国語 特許翻訳例文集

当粘附不同芯片时，经由电极焊盘的高精度直接连接遇到类似困难。

異なるチップを貼り合わせる場合も、電極パッドを介した高精度の直接接続には同様の困難が発生する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在半导体基底 SUB2E上形成感测电路 121E，并且感测电路 121E在输入电极部分122接收来自像素 DPXE的输出信号。

一方、センス回路121Eは半導体基板SUB2E上に形成されており、画素DPXからの出力信号を入力電極部122で受ける。 - 中国語 特許翻訳例文集

如上面结合图 11和图 12所述，数字像素 DPXE首先输出复位电平到输出电极部分119。

デジタル画素DPXEは、図11および図12に関連付けて説明したのと同様に、まず出力電極部119にリセットレベルを出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

液晶显示面板 134包括液晶层、经过该液晶层的相对透明电极以及滤色器。

液晶表示パネル134は、液晶層、液晶層を挟んで対向する透明電極、カラーフィルタ等から構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

液晶显示面板 134包括液晶层、彼此面对并且夹着液晶层的透明电极、滤色器等。

液晶表示パネル134は、液晶層、液晶層を挟んで対向する透明電極、カラーフィルタ等から構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

NMOS晶体管NT311的栅极连接至电容器C311的第一电极，避过且连接点构成节点ND313。

NMOSトランジスタNT311のゲートがキャパシタC311の第1電極に接続され、その接続点によりノードND313が形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

NMOS晶体管 NT312的栅极连接至电容器 C312的第一电极，并且连接点构成节点ND314。

NMOSトランジスタNT312のゲートがキャパシタC312の第1電極に接続され、その接続点によりノードND314が形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 2B所示的结构中，例如当照相机 100移动时，电极 1063与此时的加速度对应地发生弯曲。

図2（b）に示すような構成において、例えばカメラ100が移動する等すると、その際の加速度に応じて電極1063が撓む。 - 中国語 特許翻訳例文集

向 MZI臂 130a的电极 132施加控制信号 106，在该 MZI臂的材料中产生电场。

制御信号106はMZIアーム130aの電極132に印加され、それによってそのMZIアームの材料に電界が発生する。 - 中国語 特許翻訳例文集

MOS晶体管 5的主电极中的另一个与共用输出线 8和差分放大器电路 4的反相输入端子连接。

MOSトランジスタ5の他方の主電極は、共通出力線8および差動増幅回路4の反転入力端子と接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集