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「电极」を含む例文一覧

該当件数 : 132



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具体地,在时间t19,复位脉冲RST被施加至复位晶体管146的栅电极,浮置扩散区145被复位,并从浮置扩散区 145中释放信号电荷 S1。

具体的には、時刻t19において、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から信号電荷S1が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体地,在时间t22,复位脉冲RST被施加至复位晶体管146的栅电极,浮置扩散区145复位,且从浮置扩散区 145释放信号电荷 S2。

具体的には、時刻t22において、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から信号電荷S2が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

结果,通过由于反射或衍射而导致的光入射在栅电极 173A的下部而产生的电荷泄露到存储部 174,可以减少由于加入到信号电荷 S1而产生的噪声的量。

その結果、例えば、反射や回折などでゲート電極173Aの下部に光が入射することにより発生した電荷が、メモリ部174に漏れ込み、信号電荷S1に加算されることによるノイズ量を低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

这里,此时,选择脉冲 SEL施加至目标行的单元像素 131的选择晶体管 147栅电极的状态持续到步骤 S55。

なお、このとき、注目行の単位画素131の選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加され、その状態がステップS55まで継続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外,此时,选择脉冲 SEL施加至目标行的单元像素 131的选择晶体管 147的栅电极的状态持续到步骤 S62。

また、このとき、注目行の単位画素131の選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加され、その状態がステップS62まで継続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此,通过由于 (例如 )反射或衍射而入射在栅电极 173A的下部上的光产生的电荷泄露到存储部 174中,可以减少由于加入到信号电荷 S1中而导致的噪声的量。

その結果、例えば、反射や回折などでゲート電極173Aの下部に光が入射することにより発生した電荷が、メモリ部174に漏れ込み、信号電荷S1に加算されることによるノイズ量を低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 1中,该多值光发送器具备 2个 D/A转换器 11a、11b(第一、第二 D/A转换器 )、2个电气放大器12a、12b、光源13、双电极MZ调制器14(DDMZM)、光抽头耦合器(optical tap coupler)15、光输出功率监视器 16(功率监视单元 )、振荡器 17、DC偏置控制部 18以及加法器 19。

図1において、この多値光送信器は、2つのD/Aコンバータ11a、11b(第1、第2D/Aコンバータ)、2つの電気増幅器12a、12b、光源13、2電極MZ変調器14(DDMZM)、光タップカプラ15、光出力パワーモニタ16(パワーモニタ手段)、発振器17、DCバイアス制御部18および加算器19を備えている。 - 中国語 特許翻訳例文集

电极 MZ调制器 14通过来自电气放大器 12a、12b的第一驱动电信号 V1(t)以及第二驱动电信号 V2(t)对相位调制器 14a、14b进行驱动,对来自光源 13的连续 (CW:Continuous-wave)光进行调制,输出调制光信号。

2電極MZ変調器14は、電気増幅器12a、12bからの第1駆動電気信号V1(t)および第2駆動電気信号V2(t)で位相変調器14a、14bを駆動して、光源13からの連続(CW:Continuous−wave)光を変調し、変調光信号を出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

从原点到信号点的距离变短等价于使光多值信号的平均功率变小,所以通过对来自双电极 MZ调制器 14的光多值信号的平均功率进行检测,可以检测从 DC偏置的最佳值的偏离。

原点から信号点までの距離が短くなることは、光多値信号の平均パワーが小さくなることと等価なので、2電極MZ変調器14からの光多値信号の平均パワーを検出することにより、DCバイアスの最適値からのずれを検出することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

通过信号电极 4输入的接收信号通过噪声去除滤波器 32以便去除当经由发送器 /接收器开关 31将接收信号发送通过人体时生成的噪声,并且随后被放大器 33放大到具有期望幅度的信号。

信号電極4により入力された受信信号は、送信/受信スイッチ31を経て、人体内伝送時に付加された雑音を除去するための雑音除去フィルタ32を経た後、増幅器33により所望の大きさの信号に増幅される。 - 中国語 特許翻訳例文集


在该对透明电极之间没有施加电压的情况下,液晶层的液晶分子扭转 90度。 因而,从切换液晶 203发出的光依据该扭转而传播,并且其偏振方向旋转 90度。

スイッチ液晶203は、その表裏に1対の透明電極(不図示)を備え、透明電極間に電圧が印加されていない状態では、液晶層の液晶分子が90°ツイストしているため、スイッチ液晶203から出射された光は、ツイストに応じて伝播する偏光方向が90°回転する。 - 中国語 特許翻訳例文集

而且,在偏振的方向取决于是否向透明电极施加电压而改变的情况下以及在偏振方向不改变的情况下,当外部光穿过切换液晶 203时,外部光保持随机偏振状态并且不改变为特定偏振状态。

また、スイッチ液晶203を透過する際にも、透明電極への電圧の有無に応じて偏光方向が変化した場合、変化しない場合のいずれにおいても、ランダム偏光のままの状態であり、特定の偏光状態とはならない。 - 中国語 特許翻訳例文集

像素电极 9a与 TFT30的漏极电气连接,使开关元件即 TFT30在一定期间闭合其开关,从而将从数据线 6a供给的图像信号 S1、S2、...、Sn在规定的定时写入。

画素電極9aは、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線6aから供給される画像信号S1、S2、・・・、Snが所定のタイミングで書き込まれる。 - 中国語 特許翻訳例文集

当信号 PTN1、PTN2和 PGR在时间 T2处被切换到高电平时,单位像素 100的输出端子与差分放大器电路 4的非反相输入端子电连接,并且,差分放大器电路 4的输出端子与箝位电容器的电极之一连接。

時刻T2に信号PTN1、PTN2、PGRがハイレベルになると、単位画素100の出力端子が差動増幅回路4の非反転入力端子と電気的に接続されるとともに、差動増幅回路4の出力端子がクランプ容量の一方の端子と接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在将被供应到转移晶体管 22的栅电极的电压为 Vtrg1、Vtrg2、Vtrg3和 Vtrg4的情形中,当通过地址信号 ADR选定行时,根据时序信号 PTRG1、PTRG2和 PTRG3,对应于各个时序信号的电压Vtrg1、Vtrg2和 Vtrg3被供应,而电压 Vtrg4被供应到其它行。

転送トランジスタ22のゲート電極に供給する電圧をVtrg1,Vtrg2,Vtrg3,Vtrg4とした場合において、アドレス信号ADRによって行が選択された際に、タイミング信号PTRG1,PTRG2,PTRG3によって、それぞれに対応する電圧Vtrg1,Vtrg2,Vtrg3を供給し、それ以外は電圧Vtrg4を供給する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在中间转移之前,在时段 T2,中间电压 (对应于图 4B中的电压 Vtrg1)被施加到转移晶体管 22的控制电极,并且在具有大量入射光的像素中产生的信号电子被部分地转移到 FD区 26。

中間読み出しの前に、期間T2で中間電圧(図4の電圧Vtrg1に相当)を転送トランジスタ22の制御電極に印加し、入射光量の大きい画素で発生した信号電荷を部分的にFD部26へ転送する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 T3,与时段 T2的相同或者不同的中间电压被施加到转移晶体管 22的控制电极,并且在具有大量入射光的像素中产生的信号电荷再次被部分转移到 FD区 26。

期間T3で転送トランジスタ22の制御電極に期間T2と同じ、あるいは異なる中間電圧を印加することにより、再び入射光量の大きい画素で発生した信号電荷を部分的にFD部26へ転送する。 - 中国語 特許翻訳例文集

操作实例 4是其中顺序地多次执行通过中间转移完成的信号读出的实例,并且通过从低级开始施加多个电压到转移晶体管 22的控制电极,可以获得对应于各个电压的补偿量的补充信号。

動作例4は、中間転送による信号の読み出しを続けて複数回実行する動作例となっており、複数の電圧を低い電圧から順に転送トランジスタ22の制御電極に印加することにより、それぞれの電圧に対応した補正量の補正信号を得ることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

这里,由于选择脉冲 SEL被施加至选择晶体管 147的栅电极,表示浮置扩散区 145(其释放信号电荷 S1)的电压 (下文中称作复位电平 R2)的像素信号从放大晶体管 148输出至垂直信号线 155。

ここで、選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加されているので、信号電荷S1が排出された浮遊拡散領域145の電圧(以下、リセットレベルR2と称する)を示す画素信号が、増幅トランジスタ148から垂直信号線155に出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在步骤 S62中,采用类似于步骤 S55的处理,单元像素 131的目标行使浮置扩散区145复位,释放当前帧的信号电荷 S1,并停止选择脉冲 SEL施加至选择晶体管 147的栅电极

ステップS62において、注目行の単位画素131は、ステップS55と同様の処理により、浮遊拡散領域145をリセットし、現在のフレームの信号電荷S1を排出し、選択トランジスタ147のゲート電極への選択パルスSELの印加を停止する。 - 中国語 特許翻訳例文集

本发明是为了解决上述那样的课题而完成的,其目的在于得到一种多值光发送器,在执行使用了双电极 MZ调制器的多值调制 (特别是 4值以上 )的情况下,通过对 DC偏置进行稳定化控制,可以使光传送信号质量稳定化。

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、2電極MZ変調器を用いた多値変調(特に、4値以上)を実行する場合に、DCバイアスを安定化制御することにより、光伝送信号品質を安定化させることができる多値光送信器を得ることを目的とする。 - 中国語 特許翻訳例文集

电气放大器 12a、12b将来自 D/A转换器 11a、11b的第一多值信号以及第二多值信号分别放大至光调制中所需的电压振幅,生成第一驱动电信号 V1(t)以及第二驱动电信号 V2(t),输出到双电极 MZ调制器 14的第一信号输入端子以及第二信号输入端子。

電気増幅器12a、12bは、D/Aコンバータ11a、11bからの第1多値信号および第2多値信号を、それぞれ光変調に必要な電圧振幅まで増幅し、第1駆動電気信号V1(t)および第2駆動電気信号V2(t)を生成して、2電極MZ変調器14の第1信号入力端子および第2信号入力端子に出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在执行 QPSK的情况下,进行 D/A转换器 11a、11b的设定,使得作为第一以及第二驱动电信号 (V1(t),V2(t)),得 到 (3/4×Vπ,-1/4×Vπ)、(1/4×Vπ,-3/4×Vπ)、(5/4×Vπ,1/4×Vπ)、(-1/4×Vπ,-5/4×Vπ)这 4组的电压,从而作为双电极 MZ调制器 14的输出可得到 QPSK的信号。

QPSKを実行する場合、第1および第2駆動電気信号(V1(t),V2(t))として、(3/4×Vπ,−1/4×Vπ)、(1/4×Vπ,−3/4×Vπ)、(5/4×Vπ,1/4×Vπ)、(−1/4×Vπ,−5/4×Vπ)の4組の電圧が得られるように、D/Aコンバータ11a、11bの設定を行うことにより、2電極MZ変調器14の出力としてQPSKの信号を得ることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

此处,在通过 DC偏置控制部 18进行的反馈控制中,对 DC偏置进行控制,以使包含在监视信号中的抖动频率分量成为最小值,从而可以使使用双电极 MZ调制器 14来执行 4值驱动的 (利用 4值的多值信号的 )QPSK的情况下的 DC偏置稳定化。

ここで、DCバイアス制御部18によるフィードバック制御において、モニタ信号に含まれるディザ周波数成分が最小値となるようにDCバイアスを制御することにより、2電極MZ変調器14を用いて4値駆動の(4値の多値信号による)QPSKを実行する場合のDCバイアスを安定化させることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

因而,当在该对透明电极之间没有施加电压时,从图像显示设备 100发出的光通过偏光板 204发送,因为从 -1/4波长板 202输出的垂直偏振光依据液晶分子的扭转而传播,所以其偏振方向被旋转 90度,并且其被改变为水平偏振光。

このため、透明電極間に電圧が印加されていない場合、画像表示装置100から出力された光については、−1/4波長板202から出力された縦偏光の光は、液晶のツイストに応じて伝播する偏光方向が90°回転して横方向の偏光となるため、偏光板204を透過する。 - 中国語 特許翻訳例文集

电路块 134包括采用地址信号 ADR和 NOR电路 135的输出作为两个输入的 AND电路 1341,采用地址信号 ADR作为一个 (负 )输入并且采用 AND电路的输出信号作为另一个输入的 OR电路 1342,电平相移器 1343以及 N-沟道驱动晶体管 1344,其选定电压 Vtrg4(所述电压 Vtrg4低地电压 )并且将其供应到转移晶体管 22的栅电极

回路ブロック134は、アドレス信号ADRとNOR回路135の出力信号とを2入力とするAND回路1341、アドレス信号ADRを一方の(否定)入力とし、AND回路1341の出力信号を他方の入力とするOR回路1342、レベルシフタ1343およびNチャネルの駆動トランジスタ1344により構成され、接地電圧よりも低い電圧Vtrg4を選択して転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如,当入射光强度被假定为在该入射光强度下电子数量在标准的曝光时间 Ts内 (诸如,当 30帧 /秒时 1/30秒,当 60帧 /秒时 1/60秒 )达到饱和电子数量Qs,则当电压 Vtrg被供应到转移晶体管 22的控制电极时的定时 Ti的存储电子的数量 Nei被估计。

例えば、毎秒30フレームであれば1/30秒、毎秒60フレームであれば1/60秒といった基準となる露光時間Tsで飽和電子数Qsに達する入射光強度を仮定し、転送トランジスタ22の制御電極に電圧Vtrgを供給するタイミングTiにおける、蓄積電子数Neiを見積もる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在其他实施例中,除了控制在照亮周期和黑周期之间进行循环的控制器 380以外,可以将电极与显示像素合并以确保至少某些显示像素是透明,以在收集光时间段期间允许光通过图像传感器。

他の実施形態では、コントローラ380が、照明サイクルとブラック・サイクルとの間でサイクルすることを指令するのではなく、光を集めている期間中に光が画像センサへ通り抜けることができるようにするために、表示画素のうちの少なくともいくつかが透明であることを保証するために、電極が表示画素と結合されてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

3a...扫描线,6a...数据线,9a...像素电极,10...TFT阵列基板,10a...图像显示区域,20...对向基板,30...TFT,50...液晶层,100...液晶装置,101...数据线驱动电路,102...外部电路连接端子,104...扫描线驱动电路,210...图像信号分析电路,211...图像信号分析部,212...光源辉度控制信号生成部,213...图像校正信号生成部,220...灯驱动电路,221...光源辉度控制部,230...视频处理电路,231...图像信号校正部,500...超高压水银灯。

3a…走査線、6a…データ線、9a…画素電極、10…TFTアレイ基板、10a…画像表示領域、20…対向基板、30…TFT、50…液晶層、100…液晶装置、101…データ線駆動回路、102…外部回路接続端子、104…走査線駆動回路、210…映像信号解析回路、211…映像信号解析部、212…光源輝度制御信号生成部、213…映像補正信号生成部、220…ランプ駆動回路、221…光源輝度制御部、230…ビデオ処理回路、231…映像信号補正部、500…超高圧水銀ランプ - 中国語 特許翻訳例文集

供应电压控制电路 13利用地址信号 ADR作为输入,其驱动由垂直扫描电路 12选定和扫描的行,并且通过基于从时序发生器电路 15供应的时序信号 PTRG1、PTRG2、PTRG3选定电压,向单元像素 20中的转移晶体管 22的栅电极供应从电压供应电路 14供应的多个第一控制电压中的一个电压,所述多个第一控制电压例如为四个电压 Vtrg1、Vtrg2、Vtrg3和Vtrg4(Vtrg1> Vtrg2> Vtrg3> Vtrg4)。

供給電圧制御回路13は、垂直走査回路12で選択走査された行を駆動するアドレス信号ADRを入力とし、電圧供給回路14から供給される複数の第1制御電圧、例えば4つの電圧Vtrg1,Vtrg2,Vtrg3,Vtrg4(Vtrg1>Vtrg2>Vtrg3>Vtrg4)のうちの1つを、タイミング発生回路15から供給されるタイミング信号PTRG1,PTRG2,PTRG3を基に選択して単位画素20内の転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。 - 中国語 特許翻訳例文集

像素电路具有如下配置,其中,复位电压 Vrst被选择性地从垂直信号线 111供应,因此,复位晶体管 23被连接在 FD区 26(放大晶体管 24的栅电极 )和垂直信号线 111之间,并且复位电压 Vrst通过开关晶体管 27被选择性地供应到垂直信号线 111,所示开关晶体管 27通过开关脉冲 SW导通。

この画素回路では、リセット電圧Vrstを垂直信号線111から選択的に供給する構成となっているために、リセットトランジスタ23がFD部26(増幅トランジスタ24のゲート電極)と垂直信号線111との間に接続されるとともに、垂直信号線111にはスイッチパルスSWでオン状態となるスイッチトランジスタ27を介して選択的にリセット電圧Vrstが供給されることになる。 - 中国語 特許翻訳例文集

如上所述,在以往使用通电加热类型的形状记忆致动器的照相机模块中,响应速度由于形状记忆致动器的散热速度而受到限制,另外,由于在形状记忆致动器与通电用的电极的连接部中通电时的膨胀率差较大,所以有在连接部中产生接触不良的问题,但根据本发明的摄像装置,通过将上述导电性的金属引脚压入到贯通上述致动器的槽结构中,而进行金属引脚与形状记忆致动器的电接触,进而能够将上述致动器固定到上述框体上。

以上に述べたように、本発明に係る撮像装置によれば、従来通電加熱タイプの形状記憶アクチュエータを用いたカメラモジュールにおいて、応答速度は形状記憶アクチュエータの放熱速度により律則され、また形状記憶アクチュエータと通電用の電極との接続部では通電時の膨張率差が大きく、接続部で接触不良となる課題があったが、前記導電性の金属ピンを前記アクチュエータの貫通する溝構造に圧入することにより金属ピンと形状記憶アクチュエータとの電気的な接触を行い、さらに前記アクチュエータを前記筐体に固定できる。 - 中国語 特許翻訳例文集

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