「管」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

在波长跟踪器中，通常使用光电二极管将光 WDM信号转换成电信号。

波長トラッカ中で、光WDM信号は通常、フォトダイオードを使用して電気信号に変換される。 - 中国語 特許翻訳例文集

光抽头的信号由光检测器102(诸如，光电二极管、PIN检测器等 )转换成电信号。

タップされた光信号は、フォトダイオードやPIN検出器などの光検出器102によって電気信号に変換される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在示例性实施方式中，可以针对这一目的使用相对低速 (～ 1MHz)的光电二极管。

例示的な一実施形態では、比較的低速の（1MHzまでの）フォトダイオードをこの目的に使用することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

尽管已经参考示例实施例描述了本发明，这种描述不应该按照限制的方式来解释。

本発明が例示的な実施例を参照して記載されたが、本記載は限定的な意味で解釈されることを意図するものではない。 - 中国語 特許翻訳例文集

3.如权利要求 2所述的滑动、旋转安装单元，其特征在于，所述安装轴为管状。

3. 前記取付軸はパイプ状であることを特徴とする請求項2に記載の摺動・回転取付ユニット。 - 中国語 特許翻訳例文集

换言之，监管器实现虚拟机 (VM)以向访客软件提供服务。

言い換えれば、ハイパーバイザは、仮想マシン（VM：virtual machine）を実現して、ゲスト・ソフトウェアへサービスを提供する。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 2为表示第 1实施方式的传感器的低灵敏度光电二极管的色别特性的一个例子的图；

【図2】第1の実施形態のセンサの低感度のフォトダイオードの色別の特性の一例を示す図。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 4为表示第 2实施方式的传感器的低灵敏度光电二极管的色别特性的一个例子的图；

【図4】第2の実施形態のセンサの低感度のフォトダイオードの色別の特性の一例を示す図。 - 中国語 特許翻訳例文集

电压 VM比向栅极供给以关断 PMOS晶体管的电压的绝对值小。

ここで、VMはPMOSトランジスタのオフのためにゲートに供給される電圧の絶対値よりも小さい電圧である。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号从第一共用输出线2被输入到第一输入晶体管 201的栅极。

第1の入力トランジスタ201のゲートに第1の共通出力線2からの信号が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

负载晶体管 503供给用于使得运算放大器 4操作的电流 (即，偏压电流 )。

負荷トランジスタ503は演算増幅器を動作させるための電流（バイアス電流）を供給するためのものである。 - 中国語 特許翻訳例文集

尽管未示出，图 18中的记录系统 250的输出部分 61可以被记录控制部分 291和记录部分 292替代。

なお、図示は省略するが、図18の受信システム250の出力部61の代わりに記録制御部291および記録部292が設けられるようにしてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

应注意尽管很少见，但是不同的哈希值序列可能开始于相同的哈希值。

まれではあるが、異なるハッシュ値シーケンスが、同じハッシュ値から開始する可能性があることは注記されるべきである。 - 中国語 特許翻訳例文集

10.一种信息记录装置的信息记录方法，该信息记录装置经由网络与终端装置进行通信且能够容纳多个存储装置，该信息记录方法的特征在于，具备如下步骤： 利用标识符对上述存储装置进行管理；

10. ネットワークを介して端末装置と情報を通信する、複数の記憶装置を格納可能な情報記録装置における情報記録方法であって、前記記憶装置を識別子によって管理するステップと、管理された前記記憶装置の前記識別子と前記記憶装置に記憶される内容とを関連付けて、前記記憶装置毎に記憶される前記内容を管理するステップとを具備することを特徴とする情報記録方法。 - 中国語 特許翻訳例文集

将参考上面图 15A至 15E和图 16A至 16E说明所述驱动晶体管 N2的驱动时序和电位状态的变化。

なお、その駆動タイミングと駆動トランジスタN2の電位状態の変化は、前述した図15及び図16を参考に説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集

此时，所述写控制线 WSL处于 L电平，且所述采样晶体管 N1被控制为处于关断状态。

このとき、書込制御線WSLはLレベルであり、サンプリングトランジスタN1はオフ状態に制御されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

当初始化时刻到来时，所述写控制线 WSL被控制为处于 H电平，且所述采样晶体管 N1被切换为导通状态。

初期化タイミングが到来すると、書込制御線WSLはHレベルに制御され、サンプリングトランジスタN1はオン状態に切り替わる。 - 中国語 特許翻訳例文集

与所述采样晶体管 N1的导通操作同步地将所述初始化电位 Vofs_H施加给信号线 DTL。

また、このサンプリングトランジスタN1のオン動作に同期して、信号線DTLには初期化電位Vofs_Hが印加される。 - 中国語 特許翻訳例文集

与所述栅极电位 Vg的电位变化所关联，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs也减小(图 15E，图 16E)。

また、このゲート電位Vgの電位変化に連動して、駆動トランジスタN2のソース電位Vsも押し下げられる（図15（E）、図16（E））。 - 中国語 特許翻訳例文集

在开始时刻，甚至当考虑变动时，所述驱动晶体管 N2的栅 /源极之间的电压 Vgs也比所述阈值电压 Vth更宽。

この開始時点において、駆動トランジスタN2のゲート・ソース間電圧Vgsは、バラツキを考慮しても閾値電圧Vthより広くなっている。 - 中国語 特許翻訳例文集

随着所述操作的开始，所述驱动晶体管 N2的栅极电位 Vg被增加到所述信号电位Vsig(图 15D，图 16D)。

この動作の開始に伴い、駆動トランジスタN2のゲート電位Vgは、信号電位Vsigに上昇する（図15（D）、図16（D））。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，栅 /源极之间的电压 Vgs随着所述驱动晶体管N2的迁移率μ的增加而减小。

結果的に、移動度μが大きい駆動トランジスタN2ほどゲート・ソース間電圧Vgsが小さくなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

尽管在上述图 5或图 7所示的字幕转换处理中仅提供 1个声音信息 V的阈值，但是可提供多个阈值。

また、上述した図5や図7の字幕変換処理では、音量情報Vの閾値が1つだけ設けられたが、複数設けられるようにしてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

顺便提及，尽管上述一系列处理可用硬件执行，不过另一方面可用软件执行。

ところで、上述した一連の処理は、ハードウェアにより実行することもできるし、ソフトウェアにより実行することもできる。 - 中国語 特許翻訳例文集

尽管已经描述了本发明的实施方案，但是本发明的技术范围不限于上述实施方案。

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。 - 中国語 特許翻訳例文集

尽管未示出，但是组成扬声器组 350的扬声器连接到音频输出端子 319a到 319f。

なお、図示は省略しているが、オーディオ出力端子319a〜319fには、スピーカ群350を構成する各スピーカが接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

尽管图 3展示每子帧一个 MAC包，但每一子帧可包括一个以上 MAC包。

図3は、サブフレームあたり1つのMACパケットを示しているが、各サブフレームは、2つ以上のMACパケットを含んでもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

尽管图 2对于每一子帧展示一个 MAC包，但每一子帧可包括一个以上 MAC包。

図2は、サブフレーム当たり1つのMACパケットを示しているが、各サブフレームは、1つより多いMACパケットを含んでいてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

尽管讨论了特定实现，但是应当理解这仅是为了说明目的。

特定の実施について説明するが、これは例示のみを目的として行なわれることを理解されたい。 - 中国語 特許翻訳例文集

一旦阈值数目的成员已被转移到新集群，控制和处理就可由新集群接管。

閾値数のメンバが新しいクラスタに移動すると、新しいクラスタが制御及び処理を引き継ぐことができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

一旦阈值数目的成员已被转移到新集群，新集群就可接管控制和处理。

閾値数のメンバが新しいクラスタへ移されると、新しいクラスタが制御及び処理を引き継ぐことができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

复位元件 Ta0、Ta1由公共控制线 G_Reset控制，并且被安排用于在曝光之前复位光敏二极管PD0、PD1。

リセット素子Ta0、Ta1は、共通制御ラインG＿Resetによって制御され、露光より前にフォトダイオードPD0、PD1をリセットするために配置される。 - 中国語 特許翻訳例文集

专利文献 1中公开了一种由第一及第二 nMOS晶体管构成的开放 (open)漏极型输出电路。

特許文献1には、第1および第2のnMOSトランジスタから構成されたオープンドレイン型出力回路が開示されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在信号电压 V1为“VTT”的情况下，供给节点 N101的电压 (电压缓和晶体管 102的源极电压 )被设定为“VTT-Vth”。

信号電圧V1が“VTT”である場合、供給ノードN101の電圧（電圧緩和トランジスタ102のソース電圧）は、“VTT−Vth”に設定される。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，图 3所示的数据通信电路 11可以还具备图 2所示的辅助晶体管 105。

なお、図3に示したデータ通信回路11は、図2に示した補助トランジスタ105をさらに備えていても良い。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，图 3所示的数据通信电路 12可以还具备图 2所示的辅助晶体管 106。

なお、図3に示したデータ通信回路12は、図2に示した補助トランジスタ106をさらに備えていても良い。 - 中国語 特許翻訳例文集

该情况下，供给节点 N201p、N201n的电压(电压缓和晶体管 202p、202n的源极电压 )被设定为“VTT-Vth”。

この場合、供給ノードN201p，N201nの電圧（電圧緩和トランジスタ202p，202nのソース電圧）は、“VTT−Vth”に設定される。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，图 7所示的数据通信电路 21可以还具备图 6所示的辅助晶体管 205p、205n。

なお、図7に示したデータ通信回路21は、図6に示した補助トランジスタ205p，205nをさらに備えていても良い。 - 中国語 特許翻訳例文集

晶体管 203的所有传送门控制栅极在每一像素 210行内连接在一起。

トランジスタ203の全てのトランスファゲート制御ゲートは、画素203の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

晶体管 202缓冲浮动扩散部 204与输出列信号导线之间的电压。

トランジスタ202は、フローティング・ディフュージョン204と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。 - 中国語 特許翻訳例文集

晶体管 303的所有传送门控制栅极在每一像素 310行内连接在一起。

トランジスタ303の全てのトランスファゲート制御ゲートは、画素310の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

晶体管 302缓冲浮动扩散部 304与输出列信号导线之间的电压。

トランジスタ302は、フローティング・ディフュージョン304と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。 - 中国語 特許翻訳例文集

晶体管 103的所有传送门控制栅极在每一像素 110行内连接在一起。

全てのトランジスタ103のトランスファゲート制御ゲートは、画素110の各行内で互いに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

晶体管 102缓冲浮动扩散部 104与输出列信号导线之间的电压。

トランジスタ102は、フローティング・ディフュージョン104と出力列信号線との間の電圧をバッファリングする。 - 中国語 特許翻訳例文集

参看图 4，其描绘解码管线的特定说明性实施例并大体将其表示为 400。

図4を参照すると、復号パイプラインの特定の例示的な実施形態が示され、概して400で示される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在特定实施例中，解码管线400为宏块解码管线，其中位流剖析级401适于在第一管线循环期间接收经编码宏块402并将宏块系数数据456输出到内部存储器403，且像素处理级 405适于在下一管线循环期间从内部存储器 403读取宏块系数数据 456并使用宏块系数数据 456产生经重建宏块 492。

特定の一実施形態では、復号パイプライン400はマクロブロック復号パイプラインであり、ビットストリームパーサステージ401は、符号化マクロブロック402を受信し、第1のパイプラインサイクル中にマクロブロック係数データ456を内部メモリ403に出力するように適合され、ピクセルプロセッサステージ405は、内部メモリ403からマクロブロック係数データ456を読み取り、次のパイプラインサイクル中に再構成されたマクロブロック492を生成するためにマクロブロック係数データ456を使用するように適合される。 - 中国語 特許翻訳例文集

发光单元 152a可以是诸如发光二极管或半导体激光器的发光装置。

光出射部152aは、例えば、発光ダイオードや半導体レーザ等の発光デバイスであればよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，光检测单元 152b是诸如光接收二极管的光接收装置，并且根据接收的光的量输出不同的信号。

光検出部152bは、例えば、受光ダイオード等の受光デバイスであり、受光量に応じて異なる信号を出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 6B说明根据本发明的一个实施例的斜坡产生器 (图 2的 203、204、210和 211)的晶体管级实现 610。

図6Bは、本発明の一実施形態に係る、ランプ発生器（図2の203、204、210及び211）のトランジスタレベルでの実装例610を示したものである。 - 中国語 特許翻訳例文集

图6C说明根据本发明的另一个实施例的斜坡产生器(图2的203、204、210和211)的晶体管级实现 620。

図6Cは、本発明の一実施形態に係る、ランプ発生器（図2の203、204、210及び211）のトランジスタレベルでの実装例620を示したものである。 - 中国語 特許翻訳例文集