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「衬」を含む例文一覧

該当件数 : 135



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他穿着宽松鲜艳的美版衫来参加派对。

彼はゆったりしたと鮮やかな色のアフリカ産のシャツを着てパーティーに来た。 - 中国語会話例文集

通过对艰苦环境的描写,反出主人公的坚强性格。

厳しい環境を描写することによって,主人公の粘り強い性格を際立たせる. - 白水社 中国語辞典

满山松柏在白雪映[之]下,显得更加苍翠。

山いっぱいの松やコノテガシワの木は,白雪に引き立てられていっそう青々と見える. - 白水社 中国語辞典

构件 11a面对图像拾取单元12,图像读取支撑板 11b(以后描述 )夹在它们之间,并且背构件 11a布置在从图像拾取单元 12发射的光的光轴上。

裏当て部材11aは、後述の画像読取支持板11bを挟んで撮像ユニット12と対向しており、撮像ユニット12から出射される光の光軸上に配置されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

组件 100包括二维光电元件 110矩阵形式的辐射源,所述光电元件布置在底 102上并以垂直于该底的方向发射射线。

照明組立体100は、光電子要素110の2次元行列の形状の放射源を有し、それは基板102の上に配置され、そして放射を基板に垂直な方向に放射する。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此,当介质 P被图像拾取单元 12扫描时,背构件 11a的一部分与介质 P一起被扫描。

このため、裏当て部材11aは、撮像ユニット12による媒体Pのスキャン時には、一部が媒体Pとともにスキャンされる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在本实施例中,图像读取支撑板 11b布置在成像辊 113a、成像辊 113b和背构件 11a上方。

実施の形態では、画像読取支持板11bは、撮像用ローラ113a、撮像用ローラ113b、および、裏当て部材11aに対して、上方に配置されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

(在图 4A的侧视图中仅示出这些元件中的一个。)元件 70在平行于底的方向上发射射线。

(図4ではその光電要素の1つしか見えていない。)光電子要素70は基盤と平行な方向に放射を放出する。 - 中国語 特許翻訳例文集

只要你把这身连衣裙换成衣长裈,谁也看不出你是女的。

あなたがそのワンピースをシャツとズボンに替えさえすれば,誰もあなたが女であるとは見抜けない. - 白水社 中国語辞典

应标承包海盐衫总厂的生产、经营与管理。

入札募集の条件を受け入れて海塩ワイシャツ本社工場の生産・経営と管理を引き受ける. - 白水社 中国語辞典


在其他实施例中,可以通过在微环 1302的半导体底内部形成 n型半导体区域 1306并且在包围微环 1302外面的半导体底中形成 p型半导体区域 1308和 1310来反转这些掺杂剂。

他の実施形態では、マイクロリング1302の内側の半導体基板にn型半導体領域1306を形成し、マイクロリング1302の外側を囲む半導体基板にp型半導体領域1308及び1310を形成することによってドーパントを逆にすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在液晶显示面板 2中,例如由 VA(垂直排列 )模式液晶或 TN(扭曲向列 )模式液晶构成的液晶层被夹置在 TFT底和相对底之间。 液晶显示面板 2包括整体设置为矩阵形式的多个像素 20。

この液晶表示パネル2は、例えばVA(Vertical Alignment)モードやTN(Twisted Nematic)モードの液晶よりなる液晶層をTFT基板および対向基板で挟み込んだものであり、全体としてマトリクス状に配列された複数の画素20を含んでいる。 - 中国語 特許翻訳例文集

20.根据权利要求 18所述的方法,其中所述辐射源包括发光元件的一个矩阵,所述发光元件被布置在底上,并被配置为在与所述底垂直的方向上发射射线。

20. 前記放射源は、光放出要素の行列からなり、前記光放出要素は、基板上に配置され、そして前記放射を前記基板に垂直な方向に放出する、ことを特徴とする請求項18に記載の方法。 - 中国語 特許翻訳例文集

p型半导体区域 1306可以在微环 1302的半导体底内部形成,并且 n型半导体区域 1308和1310可以在包围微环 1302的外面的半导体底中和波导 1304的相对侧上形成。

p型半導体領域1306を、マイクロリング1302の内側の半導体基板で(または、該半導体基板に)形成することができ、n型半導体領域1308及び1310を、マイクリング1032の外側を囲む半導体基板であって導波路1304の反対側にある半導体基板で(または、該半導体基板に)形成することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

复杂且强大的软件工具可用于将逻辑级设计转换成准备在半导体底上蚀刻并形成的半导体电路设计。

論理レベルの設計を、半導体基板上でエッチングされ形成される準備ができている半導体回路設計に変換するために、複雑かつ強力なソフトウェアツールが利用可能である。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 12示出了设置在底 1206上且依照本发明实施例配置的微环谐振器 1202和相邻脊形波导 1204的一部分的等距视图。

図12は、本発明の実施形態にしたがって構成された、基板1206上に配置されたマイクロリング共振器1202、及び隣接するリッジ導波路1204の一部の等角図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 4是图像传感器的一部分的剖面图,所述图像传感器包括形成于该图像传感器的 p型底上的 n阱中的、图 2的 PMOS像素电路;

【図4】当該イメージセンサのp型基板上のnウエル内に形成された図2のpMOS画素回路を有するイメージセンサの一部の断面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

然而在 MZI 431的情况下,因为存在两个输出端口,之前描述为辐射到底中的光现在基本上耦合到可选的输出端口 433a-b中。

しかし、MZI431の場合では、2つの出力ポートがあるので、基板中に放射していくものとして以前に説明した光はここでは実質的に互い違いの出力ポート433a−bに結合する。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外,在固态图像拾取元件 1A中,在底 18的前表面或后表面上形成参照图 1描述的、且连接到控制 I/O 14A的各电极 (未示出 )。

また、固体撮像素子1Aでは、基板18の表面または裏面に、図1で説明した制御I/O14Aと接続される図示しない電極が形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在表面发射半导体激光器 128A中,上部黑反射镜 (DBR镜 )128c、有源层 128d、下部黑反射镜 (DBR镜 )128e和 n型半导体底 129f层叠在 p型电极 128a与 n型电极 128b之间。

面発光型半導体レーザ128Aは、p型電極128aとn型電極128bの間に、上方ブラック反射ミラー(DBRミラー)128cと、活性層128dと、下方ブラック反射ミラー(DBRミラー)128eと、n型半導体基板129fが積層される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在一些实施例中,当芯片上耦合将发射路径的输出中继到接收路径 (例如,经由集成电路的底 )时,甚至不使用专用环回路径。

いくつかの実施形態では、オンチップ結合が送信経路の出力を受信経路に例えば集積回路の基板を介して中継する場合、専用のループバック経路さえも使用されない。 - 中国語 特許翻訳例文集

构件 11a沿主扫描方向的宽度被设置成宽于图像读取设备 1可扫描的介质 P的宽度,该介质 P沿介质 P的主扫描方向具有最宽宽度。

また、裏当て部材11aの主走査方向の幅は、画像読取装置1によりスキャンを行うことができる媒体Pのうち、最も主走査方向の幅が広い媒体Pの幅よりも長い幅に設定されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

模块 32包括一行边缘发射光电元件 70,诸如激光二极管,它们形成在底 72诸如硅晶片上。

照明モジュール32はレーザダイオードのような1行の端部放出型光電子要素70を有し、それはシリコンウェハのような基板72上に形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

可以使用传统的光刻或其他技术在透明窗口或底的下表面上直接地制造镜条 140。

ミラーストリップ140は、従来のリソグラフィまたは他の技法を使用して透明ウィンドウまたは基板の下部表面上に直接製作されることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

如果两个子束之间的相对相移是 180度,那么子束在光学合束器 104处“相消”干涉,使得光不会耦合到输出波导150中,而是辐射到波导回路 102的底中,结果是实质上没有光从波导 150输出。

2つのサブビーム間の相対位相シフトが180度の場合には、(2つの)サブビームは、光が出力導波路150に結合せずに導波回路102の基板中に放射していくように光コンバイナ140で「減殺的に」干渉し、実質的に光は導波路150から出力されないことになる。 - 中国語 特許翻訳例文集

如果两个子束之间的相对相移是 0度,那么子束在光学合束器 140处“相长”干涉,使得光耦合到输出波导 150中,并且基本上不会辐射到波导回路 102的底中,结果是从波导 150输出最大光强度。

2つのサブビーム間の相対位相シフトが0度の場合には、(2つの)サブビームは、光が出力導波路150に結合して導波回路102の基板中に放射しないように光コンバイナ140で「増長的に」干渉し、最大光強度が導波路150から出力されることになる。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 6A为表示图 5的 CMOS图像传感器的高灵敏度模式下的像素的动作定时的时序图,图 6B为表示复位动作时的半导体底内的电势 (potential)电位和读出动作时的电势电位的一个例子的图;

【図6】図5のCMOSイメージセンサの高感度モードにおける画素の動作タイミング、リセット動作時における半導体基板内のポテンシャル電位および読み出し動作時のポテンシャル電位の一例を示す図。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 7A为表示图 5的 CMOS图像传感器的低灵敏度模式下的像素的动作定时的时序图,图 7B为表示复位动作时的半导体底内的电势电位和读出动作时的电势电位的一个例子的图;

【図7】図5のCMOSイメージセンサの低感度モードにおける画素の動作タイミング、リセット動作時における半導体基板内のポテンシャル電位および読み出し動作時のポテンシャル電位の一例を示す図。 - 中国語 特許翻訳例文集

数字静态相机 1可以通过利用从信号处理单元 24获得的拍摄影像数据在 P型硅底 33上显示影像,来显示作为当前正在拍摄的影像的所谓直通影像。

また、デジタルスチルカメラ1は、上記信号処理部24にて得られる撮像画像データを利用して表示部33に画像表示を実行させることで、現在撮像中の画像である、いわゆるスルー画を表示させることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

根据本实施例的固态成像器件 1以单芯片器件 (提供在同一半导体底上 )的形式构成,其中在单晶硅或其他半导体区域中使用与半导体集成电路制造技术相同的技术而集成地形成驱动控制部件 7的各个组件 (如水平和垂直扫描部件 12和 14)与像素阵列部件 10。

水平走査部12や垂直走査部14などの駆動制御部7の各要素は、画素アレイ部10とともに、半導体集積回路製造技術と同様の技術を用いて単結晶シリコンなどの半導体領域に一体的に形成されたいわゆる1チップもの(同一の半導体基板上に設けられているもの)として、本実施形態の固体撮像装置1が構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

以具有与像素阵列部件 10分离的驱动控制部件 7和列 AD转换部件 26的模块形式示出了成像装置 8。 然而,不必说,如关于所述器件 1描述的那样,可以使用具有在相同的半导体底上与像素阵列部件 10集成地形成的驱动控制部件 7和列 AD转换部件 26的固态成像器件 1。

なお、このような撮像装置8は、駆動制御部7およびカラムAD変換部26を、画素アレイ部10と別体にしてモジュール状のもので示しているが、固体撮像装置1について述べたように、これらが画素アレイ部10と同一の半導体基板上に一体的に形成されたワンチップものの固体撮像装置1を利用してもよいのは言うまでもない。 - 中国語 特許翻訳例文集

成像传感器 122布置在反射光的光轴上,该反射光是由背构件 11a或由传送辊 11传送的介质 P反射的来自光源 121的光,并且当在光源 121正在照明的状态下沿传送方向由传送辊 11传送介质 P时,成像传感器 122扫描读取区域,该读取区域是在其中包括介质 P的整个区域的区域。

撮像センサ122は、裏当て部材11aあるいは搬送ローラ11により搬送されている媒体Pで反射した光源121からの光である反射光の光軸上に配置されており、光源121の点灯状態で、搬送ローラ11により媒体Pが搬送方向に搬送されることで、媒体Pの全領域を内部に含む領域である読取領域を走査する。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 3所示,根据该实施例的固态成像装置 10包括半导体底 (芯片 )11上的像素阵列 12、垂直驱动电路 13、列电路组 14、水平驱动电路 15、垂直信号线 16、输出电路 17、控制单元 18,以及负电压发生电路 19。

図1に示すように、本実施形態に係る固体撮像装置10は、半導体基板(チップ)11上に、画素アレイ部12、垂直駆動回路13、カラム回路群14、水平駆動回路15、水平信号線16、出力回路17、制御回路18および負電圧生成回路19などが搭載されたシステム構成となっている。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此,当沿传送方向向着成像位置由传送辊 11传送介质 P时,换句话说,当执行介质 P的扫描时,因为反射光 (该反射光是由介质 P或背构件 11a反射的来自光源121的光)入射在成像传感器122的各个成像元件上,因此用于对应于读取区域的每一次曝光的捕获的图像信号从成像传感器 122的各个成像元件被输出。

したがって、搬送ローラ11により媒体Pが撮像位置へ向けて搬送方向に搬送されている場合、言い換えれば、媒体Pのスキャンを実行中の場合、撮像センサ122の各撮像素子には、媒体Pあるいは裏当て部材11aで反射した光源121からの光である反射光が入射されるので、撮像センサ122の各撮像素子からは読取領域に対応した露光ごとの撮像画像信号が出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

当介质检测传感器 16检测介质 P时 (在步骤S5为否 ),控制装置 19返回到步骤 S4以继续通过传送辊 11的介质 P的传送和通过图像拾取单元 12的介质 P的成像。 当确定介质检测传感器 16不再检测介质 P时 (在步骤 S5为是 ),控制装置 19等待直到已经过去预定时间段,该预定时间段从介质检测传感器 16不再检测介质 P(在步骤 S6为否 )的时间点直到通过图像拾取单元 12的介质 P的成像已经完成之后图像拾取单元 12已经拾取用于至少一个扫描的仅仅背构件 11a的图像。

制御装置19は、媒体検出センサ16が媒体Pを検出している間は(ステップS5否定)、ステップS4に戻って、搬送ローラ11による媒体Pの搬送および撮像ユニット12による媒体Pの撮像を行い続け、媒体検出センサ16が媒体Pを検出しなくなったと判断すると(ステップS5肯定)、媒体検出センサ16が媒体Pを検出しなくなってから、撮像ユニット12による媒体Pの撮像後において、撮像ユニット12が裏当て部材11aのみを少なくとも一走査分撮像し終わるまでの一定時間が経過するのを待ち(ステップS6否定)、この一定時間が経過すると(ステップS6肯定)、読取領域に対応した複数のラインデータに基づいて、撮像画像データを生成する(ステップS7)。 - 中国語 特許翻訳例文集

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