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「陷」を含む例文一覧

該当件数 : 382



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图 7是辅助说明图 6的缺陷检测处理中共享像素单元的操作的时序图。

【図7】図6の欠検出処理における共有画素ユニットの動作を説明するタイムチャートである。 - 中国語 特許翻訳例文集

地址存储部分 28存储缺陷像素的地址,该地址从检测部分 27提供。

アドレス記憶部28は、揮発性のメモリとして構成され、検出部27から供給された欠画素のアドレスを記憶する。 - 中国語 特許翻訳例文集

以下将参照图 6的流程图和图 7的时序图描述 PD短时间缺陷检测处理。

ここで、図6のフローチャートおよび図7のタイムチャートを参照して、PD短時間欠検出処理について説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且,通过进一步闭合盖 11,如图 6(b)所示第 1锁定销 91进入形成在第 1锁定杆 81上的凹陷部 122。

そして、カバー11を更に閉じていくことで、図6(b)に示すように、第1ロックレバー81に形成されている凹部122に第1ロックピン91が入り込む。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且,由于利用第 1螺旋弹簧 74作用施力,因此第 1锁定销 91不会从凹陷部 122中拔出。

また、第1コイルバネ74による付勢力が働いているため、第1ロックピン91が凹部122から抜けることもない。 - 中国語 特許翻訳例文集

如此,本文所描述的实施例旨在解决传统方案的这些缺陷中的许多。

このため、本明細書で説明する実施形態は、これらの従来のアプローチの不完全性の多くに対処することを目的とする。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二构件 45容纳在第二壳体 30的凹陷 32内,并被沿着第二壳体 30的纵向方向的第二联接轴 42枢转地支撑。

第2部材45は、第2筐体30の窪み32に収容され、第2筐体30の長手方向に沿う第2連結軸42に軸支される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在抽头点和开放抽头端点产生反射,这产生了适当频率的‘陷波’图案。

タップ点および開放タップの端部で反射が起こり、適正な周波数における「ノッチ」パターンの原因となる。 - 中国語 特許翻訳例文集

位于装置主体 1a中的图像读取装置4与图像形成部 5之间的凹陷空间成为出纸储存部 7。

装置本体1aのうち画像読取装置4と画像形成部5との間にある凹みスペースは排紙貯留部7になっている。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 4是对本发明实施方式 1所涉及的图像读取装置的缺陷像素进行说明的像素列的俯视图。

【図4】この発明の実施の形態1による画像読取装置の欠画素を説明する画素列の平面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集


图 8是对本发明的实施方式 2所涉及的图像读取装置的缺陷像素再修正电路部进行说明的框图。

【図8】この発明の実施の形態2による画像読取装置の欠画素再補正回路部を説明するブロック図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此缺陷像素再修正电路部 17不使用从白修正部 15发送来的对应于被确定的像素位置的像素信号。

したがって欠画素再補正回路部17は特定された画素位置に対応する白補正部15から送られてきた画素信号は使用しない。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 4是对本发明实施方式 1所涉及的图像读取装置的缺陷像素进行说明的像素列的俯视图。

図4は、この発明の実施の形態1による画像読取装置の欠画素を説明する画素列の平面図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 4中,就 R列像素中第 i个像素 (以下称为Ri)有缺陷时进行说明。

図4において、R列画素のうちi番目の画素(以下Riと称する)に欠があるときについて説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如,若利用与缺陷像素 Ri相邻的像素 Ri-1和 Ri+1的输出平均值则可以通过以下的式子得到暂定的推定值 VR′ i。

例えば、欠画素Riに隣接する画素Ri−1及びRi+1の出力平均値を用いると暫定的な推定値VR'iは以下の式で得られる。 - 中国語 特許翻訳例文集

可以把这些比值看作将对缺陷像素 Ri的暂定推算单元应用于 G列和 B列时的误差率的实测值。

これらの比は欠画素Riに対する暫定推定手段をG列およびB列に適用した場合の誤差率の実測値とみなすことができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

从白修正部 15输出的 RGB三个系列的图像信号通过缺陷像素再修正电路部 170的缺陷像素运算电路,根据再修正 ROM170a的缺陷像素位置数据,对位于缺陷像素数据相邻或周围位置的像素位置数据,利用暂定推算单元 1和暂定推算单元 2进行运算处理,将三个系列的 RGB图像信号作为一列的逐列输出信号 (SIG)输出到系统主体等。

白補正部15から出力された3系列のRGB画像信号は、欠画素再補正回路部170の欠画素演算回路で再補正ROM170aの欠画素位置データにより欠画素データに隣接又は周辺に位置する画素位置データを欠画素演算回路で暫定推定手段1及び暫定推定手段2を用いて演算処理し、1ラインの順次出力信号(SIG)として3系列のRGB画像信号をシステム本体などに送出する。 - 中国語 特許翻訳例文集

缺陷像素再修正电路部 170基于地址选择电路的像素位置数据进行运算处理。

画素再補正回路部170は、アドレス選択回路の画素位置データに基づき演算処理する。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此,能够降低由前灯 98及刹车灯 99的点亮引起的、在合成图像的重复部分所产生的缺陷。

このため、ヘッドライト98及びブレーキランプ99の点灯に起因して合成画像の重複部分に生じる不具合を低減できる。 - 中国語 特許翻訳例文集

然后,通过光刻和蚀刻在芯部件的预定位置处形成凹陷部分,并且,Al被嵌入其中,从而形成光阻挡部件 106(图 7C)。

次に、フォトリソグラフィ、エッチングによりコア部の所定位置に凹部を形成し、Alを埋め込み、遮光部106を形成する(図7(c))。 - 中国語 特許翻訳例文集

若当前政府不谋求根本性刺激经济的手段的话,是无法消除陷入超级通货膨胀的危机的。

現政府が何か抜本的な経済再生手段を講じない限り、ハイパーインフレーションへるリスクは否めない。 - 中国語会話例文集

我公司因发现了所经营的商品的缺陷,所以在报纸上登出了不良商品的通知。

我が社が取り扱っている商品に欠が見つかったため、欠商品のお知らせを新聞に掲載した。 - 中国語会話例文集

因为预计今年的冬天会有比往年更甚的大雪,所以当局认为屋顶塌陷的事情会急剧增多。

今冬は例年以上の豪雪が予想されるので、当局は屋根の没が急激に増えると見ている。 - 中国語会話例文集

可以说是由于没有检查出系统构造上的缺陷而造成了这次的故障。

システムの構造上の欠とチェックの見落としが重なり招かれた障害であると言えます。 - 中国語会話例文集

因为前期盈余但由于经营恶化本期陷入亏损,所以我们申请了根据欠損金繰戻的還付。

我々は、前期は黒字だったが、経営悪化で当期赤字にったので、欠損金の繰戻による還付の請求をした。 - 中国語会話例文集

如图 7所示,上述那样形成的卡定固定构件 24设有覆盖凹陷部 23的帽构件 25,为了使被第 1卡定片 24a、第 2卡定片 24b固定的传动带端缘部 18Z不突出到侧方外部而覆盖凹陷部。

このように形成された係止固定部材24には図7に示すように凹部23を覆うカバー部材25が設けられ、第1第2係止片24a、24bで止着されたベルト端縁部18Zが側方外部に突出しないように凹部を覆っている。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 10是示出根据本实施例的缺陷检测和校正电路的配置的第二例子的图,且也是示出将排除最大和最小值的六个像素的平均值设置为具有不同颜色的像素的平均值的缺陷检测和校正电路的图;

【図10】本実施形態に係る欠検出補正回路の第2の構成例を示す図であって、異色隣接画素の平均値を、最大値、最小値を除いた6画素平均とする欠検出補正回路を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

接着,对与缺陷像素 Ri在副扫描方向处于不同像素列上、且与 Ri在主扫描方向上处于相同位置的像素 Gi和 Bi,以与缺陷像素 Ri所实施的方法相同的方法求出像素 Gi和像素 Bi的暂定推算值。

次に、欠画素Riとは副走査方向に異なる画素列上にあり、かつRiと主走査方向で同じ位置にある画素GiおよびBiに対して、欠画素Riで行ったものと同一手段で画素Gi及び画素Biの暫定推定値を求める。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如,作为用于再修正的数学式,利用上述ηGi和ηBi的平均值,缺陷像素再修正电路部 17将以下所示的暂定推算单元 1和暂定推算单元 2相乘作为对缺陷像素 Ri进行修正后 (数据替换后 )的输出值。

例えば、再補正に用いる数式として、上記ηGiおよびηBiの平均値を用いて以下に示す暫定推定手段1と暫定推定手段2とを乗算して欠画素Riに対する補正後(データ置き換え後)の出力値とする。 - 中国語 特許翻訳例文集

即,虽然像素检测电路 16使 A/D转换部 13的输出产生分支后,不通过黑修正部 14和白修正部 15输出到像素修正电路部 17、170,但是在缺陷像素是 ON(饱和输出或 GND输出 )的输出还是 OFF(GND输出或饱和输出 )的输出不明确的情况下,由于即使是通过了黑修正部 14和白修正部 15的被黑白修正后的输出,也可以通过精细地设定缺陷像素的阈值范围与缺陷像素的判定相对应,所以也可以将像素检测电路 16和像素修正电路部 17、170组合起来。

すなわち、画素検出回路16は、A/D変換部13の出力から分岐させて、黒補正部14及び白補正部15を介さないで画素補正回路部17、170に出力するようにしたが、欠画素がON(飽和出力又はGND出力)/OFF(GND出力又は飽和出力)的な出力であることが明らかな場合は、黒補正部14及び白補正部15を介した白黒補正された出力であっても欠画素の閾値範囲を細かく設定することにより欠画素の判定に対応できるので画素検出回路16を画素補正回路部17、170に組み込んでも良い。 - 中国語 特許翻訳例文集

通过将根据第一到第五示例的毫米波传输结构应用于用以固定到槽结构 4K的凹陷形状配置298K(在存储卡 201K中提供所述凹陷形状配置 298K),结合存储卡 201K的固定,通过毫米波信号传输线 9,可以实现准备用于毫米波段中的高速和高容量的数据通信。

メモリカード201Kに設けられたスロット構造4Aとの固定用の凹形状構成298Kに第1例〜第5例のミリ波伝送構造に適用して、メモリカードKの固定と併せて、ミリ波信号伝送路9によりミリ波帯での高速・大容量対応のデータ通信を行なえるようになる。 - 中国語 特許翻訳例文集

当在从时间 T6到时间 T7的时段期间 VSL 57的电压电平的改变因此大于预定阈值时,检测部分 27在步骤 S15为地址存储部分 28提供指示设为缺陷检测的目标的像素 (光电二极管 51-1)的位置的地址作为缺陷像素的地址,并且使得地址存储部分 28存储该地址。

このように、時刻T6乃至T7の期間の、VSL57における電圧レベルの変化が所定の閾値より大きい場合、ステップS15において、検出部27は、欠検出対象となっている画素(フォトダイオード51−1)の位置を示すアドレスを、欠画素のアドレスとして、アドレス記憶部28に供給し、記憶させる。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外,实施方式 1中利用了相对缺陷像素在读取宽度方向上相邻的两侧的受光部数据,但是,也可以考虑位于缺陷像素相反侧的相邻像素而向两侧的受光部数据中添加加权后的系数以用于暂定推算单元 1和暂定推算单元 2。

また、実施の形態1では欠画素に対して読み取り幅方向に隣接する両側の受光部データを用いるようにしたが、両側の受光部データには、欠画素と反対側にある隣接画素を考慮して重み付けした係数を付加して暫定推定手段1及び暫定推定手段2に用いても良い。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外,实施方式 2中虽然设有地址选择电路,但是也可以由 CPU直接向缺陷像素运算电路发出扩张像素位置范围的地址扩张指示后用软件进行处理,以此来代替地址选择电路,也可以将列延迟计时器电路预先设置在缺陷像素运算电路或其他的信号处理电路部分的区域中。

なお、実施の形態2では、アドレス選択回路を設けたが、アドレス選択回路に替えてCPUから欠画素演算回路に直接、画素位置範囲を拡張するアドレス拡張指示を与えてソフトウェアで処理しても良く、ライン遅延タイマー回路は、あらかじめ欠画素演算回路やその他の信号処理回路部分の領域に設けても良い。 - 中国語 特許翻訳例文集

在这种情况下,如图 4B所示,电子装置 101Z的外壳 190具有凸出形状配置 198Z(突起 ),并且如图 4A所示,存储卡 201Z的外壳 290具有凹陷形状配置 298Z(空腔 )。

ここでは、図2A(2)に示すように、電子機器101Zの筺体190に凸形状構成198Z(出っ張り)を設け、図2A(1)に示すように、メモリカード201Zの筐体290に凹形状構成298Z(窪み)を設けている。 - 中国語 特許翻訳例文集

也就是说,如图 4C所示,当将存储卡 201Z插入外壳 190中时,将凸出形状配置 198Z放置在与凹陷形状配置 298Z的位置对应的部分。

つまり、図2A(3)に示すように、筺体190において、メモリカード201Zの挿入時に、凹形状構成298Zの位置に対応する部分に凸形状構成198Zが設けられている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在这种情况下,如图 12B所示,电子装置 101A的外壳 190具有圆柱形凸出形状配置 198A(突起 ),并且如图 12A所示,存储卡 201A的外壳 290具有圆柱形凹陷形状配置 298A(空腔 )。

ここでは、図9(2)に示すように、電子機器101Aの筺体190に円筒状の凸形状構成198A(出っ張り)を設け、図9(1)に示すように、メモリカード201Aの筐体290に円筒状の凹形状構成298A(窪み)を設けている。 - 中国語 特許翻訳例文集

即,如图12C所示,当将存储卡 201A插入外壳 190时,将凸出形状配置 198A放置在与凹陷形状配置298A的位置对应的部分。

つまり、図9(3)に示すように、筺体190において、メモリカード201Aの挿入時に、凹形状構成298Aの位置に対応する部分に凸形状構成198Aが設けられている。 - 中国語 特許翻訳例文集

凹陷形状配置 298A将存储卡 201A固定到槽结构 4A,并执行用于毫米波传输到槽结构 4A的介质传输线9A的耦合的对准。

凹形状構成298Aは、スロット構造4Aに対するメモリカード201Aの固定を行なうとともに、スロット構造4Aが具備する誘電体伝送路9Aとのミリ波伝送の結合に対する位置合せを行なう。 - 中国語 特許翻訳例文集

外壳190具有凸出形状配置198A,其被形成为使得当将存储卡201A插入开口部分192时,在与凹陷形状配置 298A的位置对应的部分中组成介质传输线 9A。

筺体190には、メモリカード201Aが開口部192に挿入されたときに、凹形状構成298Aの位置に対応する部分に、誘電体伝送路9Aを構成するように凸形状構成198Aが形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

通过在外壳 190的一位置 (该位置对应于凹陷形状配置 298B)处提供圆柱形突起来形成凸出形状配置 198B(自由空间传输线 9B)就足够了。

凸形状構成198B(自由空間伝送路9B)は、筺体190の凹形状構成298Bと対応する位置に円筒状の出っ張りを設けることで形成すればよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

尽管外壳 190和 290插入在天线 136和 236之间,但是凸出形状配置 198B和凹陷形状配置 298B的部分的材料均为介质,因此对于毫米波传输不产生很大影响。

アンテナ136,236の間に筺体190,290を挟むが、凸形状構成198Bおよび凹形状構成298Bの部分の素材がともに誘電体であるのでミリ波の伝送に大きな影響を与えるものではない。 - 中国語 特許翻訳例文集

当凸出形状配置 198B的部分 (该部分对应于凹陷形状配置 298B)的厚度大约与外壳 190的其他部分的厚度相同时,如图 13A到 13C中的虚线所示的那样,可以更加确保地减小影响。

図中に点線で示すように、凸形状構成198Bの凹形状構成298Bと対応する部分の厚さを筺体190のその他の部分の厚さと同程度にすれば、その影響をより確実に小さくできる。 - 中国語 特許翻訳例文集

凹陷形状配置 298E_2a将存储卡201E_2固定到槽结构 4E_2,并执行用于到槽结构 4E_2的介质传输线 9A_1的毫米波传输的耦合的对准。

凹形状構成298E_2a は、スロット構造4E_2に対するメモリカード201E_2の固定を行なうとともに、スロット構造4E_2が具備する誘電体伝送路9A_1とのミリ波伝送の結合に対する位置合せを行なう。 - 中国語 特許翻訳例文集

凹陷形状配置 298E_2b将存储卡201E_2固定到槽结构 4E_2,并执行用于到槽结构 4E_2的介质传输线 9A_2的毫米波传输的耦合的对准。

凹形状構成298E_2b は、スロット構造4E_2に対するメモリカード201E_2の固定を行なうとともに、スロット構造4E_2が具備する誘電体伝送路9A_2とのミリ波伝送の結合に対する位置合せを行なう。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如,将进行如下情况的描述: 在凹陷形状配置 298J的位置中放置存储卡 201J一侧的天线 236,而在凸出形状配置 198J的位置中不放置电子装置 101J一侧的天线 136。

たとえば、メモリカード201J側のアンテナ236は凹形状構成298Jの位置に配置されるが、電子機器101J側のアンテナ136は凸形状構成198Jの位置に配置されない場合で説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集

外壳 190具有凸出形状配置 198J,形成所述凸出形状配置 198J以便当存储卡201J插入开口部分192中时,在与凹陷形状配置298J对应的部分中构成一部分介质传输线9J。

筺体190には、メモリカード201Aが開口部192に挿入されたときに、凹形状構成298Jの位置に対応する部分に、誘電体伝送路9Jの一部を構成するように凸形状構成198Jが形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外,形成适合于凹陷形状配置 298K的圆柱形凸出形状配置 198K,以便构成圆柱形介质传输线 9K,作为天线 136和 236之间的毫米波信号传输线 9。

また、アンテナ136,236の間には、凹形状構成298Kと嵌合する円筒形の凸形状構成198Kを、ミリ波信号伝送路9として円筒形の誘電体伝送路9Kを構成するように形成する。 - 中国語 特許翻訳例文集

然而,实际上,像素缺陷噪声和 RTS噪声重叠在作为列偏移检测区域的 VOB区域的输出信号上,并且在这些噪声成分的影响下,循环计算值中产生了误差。

しかし実際には、列オフセットの検出領域であるVOBの出力信号には画素欠ノイズやRTSノイズが重畳しており、これらのノイズの影響によって巡回演算値に誤差が発生する。 - 中国語 特許翻訳例文集

假设这些存储器区域是缺陷的,使得当值写入地址 1的存储器区域中时,在地址 3的存储器区域中存储的值重写到预定值。

また、これらの記憶領域においては、図4(A)に示すように、アドレス1の記憶領域に値を書き込んだ場合に、アドレス3の記憶領域に記憶されている値が所定値に書き換わる欠があるものとする。 - 中国語 特許翻訳例文集

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