「電力トランジスタ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3側の3つのNMOSトランジスタ30，33，35の各ゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が共通に入力される。

基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3侧的 3个 NMOS晶体管 30、33、35的各栅极端子被公共输入来自列选择电路 5a的列选择信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

この動作で注目すべきなのは、最大値検出期間204では、最大値検出用NMOSトランジスタ116を流れるソース電流によって出力線141が充電される点である。

注意，在该操作中，在最大值检测周期 204期间，输出线 141通过流过最大值检测 NMOS晶体管 116的拉电流 (source current)被充电。 - 中国語 特許翻訳例文集

M個のスイッチトランジスタ12の各ドレイン端子はバイアス電圧生成回路5の出力端子に並列に接続され、各ゲート端子はタイミング制御回路10が制御する電圧制御線13に並列に接続されている。

M个开关晶体管 12的各漏极端子并联地连接在偏压生成电路 5的输出端子上，各栅极端子并联地连接在定时控制电路 10所控制的电压控制线 13上。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生容量629は、第2負荷トランジスタ624のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と第2基準電流線602との間に形成される配線間容量からなる。

寄生电容器 629包括在第二负载晶体管 624的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和第二参考电流线 602之间形成的布线间电容器。 - 中国語 特許翻訳例文集

最大値検出用NMOSトランジスタ116のドレイン端子は電源VDDに接続され、ソース端子は差動アンプ115の反転入力端子および最大値検出用スイッチ117と接続される。

最大值检测NMOS晶体管 116的漏极端子与电源 VDD连接。 最大值检测 NMOS晶体管 116的源极端子与差分放大器 115的反相输入端子连接并且与最大值检测开关 117连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、毎秒30フレームであれば1／30秒、毎秒60フレームであれば1／60秒といった基準となる露光時間Tsで飽和電子数Qsに達する入射光強度を仮定し、転送トランジスタ22の制御電極に電圧Vtrgを供給するタイミングTiにおける、蓄積電子数Neiを見積もる。

例如，当入射光强度被假定为在该入射光强度下电子数量在标准的曝光时间 Ts内 (诸如，当 30帧 /秒时 1/30秒，当 60帧 /秒时 1/60秒 )达到饱和电子数量Qs，则当电压 Vtrg被供应到转移晶体管 22的控制电极时的定时 Ti的存储电子的数量 Nei被估计。 - 中国語 特許翻訳例文集

用語メモリは、ランダムアクセスメモリ（RAM）、読み出し専用メモリ（ROM）、不揮発性ランダムアクセスメモリ（NVRAM）、プログラマブル読取専用メモリ（PROM）、消去可能プログラマブル読取専用メモリ（EPROM）、電気的消去可能PROM（EEPROM）、フラッシュメモリ、磁気または光学のデータストレージ、レジスタなどのような様々なタイプのプロセッサ可読媒体を指すことができる。

术语存储器可以指代各种处理器可读介质，例如，随机存取存储器 (RAM)、只读存储器 (ROM)、非易失性随机存取存储器 (NVRAM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦可编程只读存储器 (EPROM)、电可擦 PROM(EEPROM)、闪存存储器、磁性或光学数据存储设备、寄存器等。 - 中国語 特許翻訳例文集

プリズム255は、組合せプリズムの半透明鏡表面コーティングによって作られた半透明鏡によって、受信された光またはIR信号をフォトトランジスタまたはダイオード12Aの表面に向けて偏向させ、さらに、伝送LED13Aの表面からの、可視スペクトルまたはIR信号の範囲内の伝送光を通過させる。

棱镜 255经由由组合棱镜的半透明反射镜表面涂层所构建的半透明反射镜将所接收到的光或 IR信号偏转到光电晶体管或二极管 12A的表面，并使来自发射 LED 13A表面的可见光谱或 IR信号内的透射光穿过。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準信号読出し期間終了後、時刻t3では、電荷転送線331を介して、行走査回路300から転送トランジスタ412に転送パルス330が供給される。

在接在参考信号读出时段的结束之后的时刻 t3，经由电荷传输线 331将传输脉冲330从行扫描电路 300提供到传输晶体管 412。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、ステップS34（図7のタイムチャートの時刻T7）において、FD53がリセットされてから、短い露光時間で転送トランジスタ52−1がオンされたときに、VSL57における電圧レベルが急激に変化したと判定された場合、処理はステップS35に進む。

也就是说，当在步骤 S34(图 7的时序图中的时间 T7)确定，当从 FD 53的重置起的短曝光时间中传送晶体管 52-1导通时、VSL 57的电压电平急剧下降时，处理进行到步骤S35。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1のデバイス210の第1の入力211は、pチャネル電界トランジスタ（pチャネルFET）214のゲートのような第1のスイッチング要素の制御端子に連結される。

第一装置 210的第一输入 211耦合到第一切换元件的控制端子，例如 p沟道场效晶体管 (p沟道 FET)214的栅极。 - 中国語 特許翻訳例文集

ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリ（RAM）、フラッシュメモリ、読み取り専用メモリ（ROM）、電気的にプログラム可能なROM（EPROM）、電気的に消去可能でプログラム可能なROM（EEPROM）、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、CD−ROM、または当該技術で周知の任意の他の形態の記憶媒体の中に存在することもできる。

软件模块可驻存在随机存取存储器 (RAM)、快闪存储器、只读存储器 (ROM)、电可编程 ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、寄存器、硬磁盘、可装卸磁盘、CD-ROM或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。 - 中国語 特許翻訳例文集

そのため、図4に示すように、基準信号読み出し期間、最大値検出期間、最小値検出期間の順に動作を行うことで、出力線141の充放電を、負荷抵抗ではなく、トランジスタ116を流れるソース電流または119を流れるシンク電流によって行うことができる。

因此，如图 4所示，当以基准信号读取周期、最大值检测周期和最小值检测周期的次序执行操作时，不是通过负载电阻器而是通过流过晶体管 116的拉电流或流过晶体管 119的灌电流来对于输出线 141进行充放电。 - 中国語 特許翻訳例文集

バッファは、トランジスタまたはICなどのよく知られているバッファ増幅器であるが、CPU30のI／Oポートのレベルおよび電流容量に依存して、バッファ220および221が必要とされず使用されないことがあり、その場合には、トリガパルスT1およびT2は、CPU30から直接トライアック223および224のトリガ入力に供給される。

该缓冲器是众所周知的缓冲放大器，诸如晶体管或IC，然而依赖于CPU 30的I/O端口的电平和电流容量，可能不需要和不使用缓冲器 220和 221，在该情况下从 CPU 30直接馈送触发脉冲 T1和 T2至三端双向可控硅开关元件 223和 224触发输入端。 - 中国語 特許翻訳例文集

供給電圧制御回路13は、垂直走査回路12で選択走査された行を駆動するアドレス信号ADRを入力とし、電圧供給回路14から供給される複数の第1制御電圧、例えば4つの電圧Vtrg1，Vtrg2，Vtrg3，Vtrg4（Vtrg1＞Vtrg2＞Vtrg3＞Vtrg4）のうちの1つを、タイミング発生回路15から供給されるタイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3を基に選択して単位画素20内の転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。

供应电压控制电路 13利用地址信号 ADR作为输入，其驱动由垂直扫描电路 12选定和扫描的行，并且通过基于从时序发生器电路 15供应的时序信号 PTRG1、PTRG2、PTRG3选定电压，向单元像素 20中的转移晶体管 22的栅电极供应从电压供应电路 14供应的多个第一控制电压中的一个电压，所述多个第一控制电压例如为四个电压 Vtrg1、Vtrg2、Vtrg3和Vtrg4(Vtrg1＞ Vtrg2＞ Vtrg3＞ Vtrg4)。 - 中国語 特許翻訳例文集

ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリ（RAM）、フラッシュメモリ、読取り専用メモリ（ROM）、電気的プログラマブルROM（EPROM）、電気的消去可能なプログラマブルROM（EEPROM）、レジスタ、ハードディスク、取外し可能ディスク、CD−ROM、または当技術分野で知られている任意の他の形態の記憶媒体内に存在してもよい。

软件模块可驻留于随机存取存储器 (RAM)、快闪存储器、只读存储器 (ROM)、电可编程 ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、寄存器、硬盘、可装卸磁盘、CD-ROM或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、ステップS34において、FD53がリセットされてから、短い露光時間で転送トランジスタ52−1がオンされたときに、VSL57における電圧レベルが変化していないと判定された場合、処理はステップS35をスキップし、ステップS36に進む。

也就是说，当在步骤 S34确定，当从 FD 53的重置起在短曝光时间中传送晶体管 52-1导通时、VSL 57的电压电平不改变时，处理跳过步骤 S35，并且进行到步骤 S36。 - 中国語 特許翻訳例文集

ソフトウェアモジュール、ランダムアクセスメモリ（RAM）、フラッシュメモリ、読み出し専用メモリ、電子的プログラマバルROM（EPROM）、電子的消去可能プログラマブルROM（EEPROM）、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、CD−ROM、あるいは当技術分野において知られている記憶媒体のいずれの他の形態、において存在することができる。

软件模块可以位于随机存取存储器 (RAM)、闪存、只读存储器 (ROM)、电可编程 ROM(EPROM)、电可擦写 PROM(EEPROM)、寄存器、硬盘、移动磁盘、CD-ROM或者本领域已知的任何其它形式的存储介质中。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、省電力モードからの復帰の際に、ウィザード形式の設定画面Sを表示する設定であれば、表示制御部10は、ログイン後、ウィザード形式での設定完了の旨の入力（一覧画面の実行開始キーK5の押下やスタートキー14の押下等）があるまでの時間を計時する。

例如，当从省电模式回归时，如果是显示向导形式的设定画面 S的设定，则显示控制部 10对登录后直到具有意为向导形式的设定完成的输入 (一览画面的执行开始键 K5的按下或开始键 14的押下等 )为止的时间进行计时。 - 中国語 特許翻訳例文集

機械によって読み取り可能な媒体は、例として、RAM（ランダムアクセスメモリ）、フラッシュメモリ、ROM（読み取り専用メモリ）、PROM（プログラマブル読み取り専用メモリ）、EPROM（消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ）、EEPROM（電気的消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ）、レジスタ、磁気ディスク、光学ディスク、ハードドライブ、又はあらゆるその他の適切な記憶媒体、又はそれらの組み合わせを含むことができる。

作为示例，机器可读介质可以包括 RAM(随机存取存储器 )、闪存、ROM(只读存储器 )、PROM(可编程只读存储器 )、EPROM(可擦式可编程只读存储器 )、EEPROM(电可擦式可编程只读存储器 )、寄存器、磁盘、光盘、硬盘驱动器、或者其他任何合适的存储介质、或其任何组合。 - 中国語 特許翻訳例文集

ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリ（RAM）、フラッシュメモリ、読取り専用メモリ（ROM）、プログラマブル読取り専用メモリ（PROM）、消去可能プログラマブル読取り専用メモリ（EPROM）、電気消去可能プログラマブル読取り専用メモリ（EEPROM）、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、コンパクトディスク読取り専用メモリ（CD−ROM）、または当技術で知られている記憶媒体の他の任意の形式に存在し得る。

软件模块可驻存于随机存取存储器(RAM)、快闪存储器、只读存储器 (ROM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦除可编程只读存储器 (EPROM)、电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)、寄存器、硬盘、可装卸盘、紧密光盘只读存储器(CD-ROM)，或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。 - 中国語 特許翻訳例文集

機械可読媒体は、例として、RAM（ランダムアクセスメモリ）、フラッシュメモリ、ROM（読み取り専用メモリ）、PROM（プログラム可能な読み取り専用メモリ）、EPROM（消去可能・プログラム可能な読み取り専用メモリ）、EEPROM（電気的に消去可能・プログラム可能な読み取り専用メモリ）、レジスタ、磁気ディスク、光ディスク、ハードドライブ、または任意の他の適切な記憶媒体、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。

机器可读媒体可包括 (例如 )RAM(随机存取存储器 )、快闪存储器、ROM(只读存储器 )、PROM(可编程只读存储器 )、EPROM(可擦除可编程只读存储器 )、EEPROM(电可擦除可编程只读存储器 )、寄存器、磁盘、光盘、硬盘驱动器或任何其它合适存储媒体，或其任一组合。 - 中国語 特許翻訳例文集

プリズムを介した両方向通信は、受信専用状態または伝送専用状態を可能にする単信通信で行われるので、受信信号の一部が送信機13Aの表面に到達しまたは伝送光の漏れがフォトトランジスタ12Aの表面に到達する、送信機13Aから受信機12Aまたはその逆に受信機12Aから送信機13Aへの光信号のクロストークまたは漏れは、重要でなく取るに足らないものになる。

因为在实现只接收状态或只发射状态的单工通信中实施经由棱镜的双向通信，从发射器 13A到接收器 12A的光信号的串扰或泄露或者从接收器12A到发射器 13A的光信号的串扰或泄露（其中，所接收信号的一部分到达发射器 13A的表面或者所发射光信号的泄露到达光电晶体管 12A表面）变得不重要和微不足道。 - 中国語 特許翻訳例文集

対照的に、下図では、例示するように、8個のうちの3個のトーン（例えば、トーン3A、6A、8A）が、ランダムに選択され、追加の「ピギーバックされた」データを伝送するように強められているので、これらのトーンは、環境的にもたらされた変動、および／または、自然に発生する増幅を考慮して、残っているしきい値を超えるように設計または人為的に強められている。

相反，如在下面的图中所示，8个音调中有 3个音调 (例如，音调 3A、6A和 8A)已经被随机选择或确定出携带附加的“搭载的”数据，正因如此，已经将这些音调修改或人为地提升至超过现有的门限，以将可能自然出现的环境诱发改变和 /或放大考虑在内。 - 中国語 特許翻訳例文集

しかしながら、光電変換素子D1の垂直方向の面積を削減し、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくするためであれば、駆動トランジスタTd1のレイアウトによっては、光電変換素子D1の面積を水平および垂直に削減する方向と、ゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lを大きくする方向（水平方向あるいは垂直方向）の組み合わせが逆になってもよい。

然而，只要缩减光电转换元件 D1在垂直方向上的面积以增大栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L，就可以根据驱动晶体管 Td1的布局，颠倒光电转换元件 D1的面积水平地或垂直地缩减的方向、以及栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L增大的方向 (水平方向或垂直方向 )的组合。 - 中国語 特許翻訳例文集

機械読取可能媒体は、事例として、RAM（ランダムアクセスメモリ）、フラッシュメモリ、ROM（リードオンリーメモリ）、PROM（プログラム可能リードオンリーメモリ）、EPROM（消去可能プログラム可能リードオンリーメモリ）、EEPROM（電気的消去可能プログラム可能リードオンリーメモリ）、レジスタ、磁気ディスク、光ディスク、ハードドライブ、または他の何らかの適した記憶媒体、あるいはこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。

机器可读媒体可包括 (举例来说 )RAM(随机存取存储器 )、快闪存储器、ROM(只读存储器 )、PROM(可编程只读存储器 )、EPROM(可擦除可编程只读存储器 )、EEPROM(电可擦除可编程只读存储器 )、寄存器、磁盘、光盘、硬盘驱动器，或任何其它合适的存储媒体，或其任何组合。 - 中国語 特許翻訳例文集

コンピュータ読取可能媒体は、例によれば、RAM（ランダム・アクセス・メモリ）、フラッシュ・メモリ、ROM（リード・オンリー・メモリ）、PROM（プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）、EPROM（消去可能プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）、EEPROM（電気的消去可能プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）、レジスタ、磁気ディスク、光ディスク、ハード・ドライブ、またはその他任意の適切な記憶媒体、あるいはこれら任意の組み合わせを含みうる。

作为实例，计算机可读媒体可包括 RAM(随机存取存储器 )、快闪存储器、ROM(只读存储器 )、PROM(可编程只读存储器 )、EPROM(可擦除可编程只读存储器 )、EEPROM(电可擦除可编程只读存储器 )、寄存器、磁盘、光盘、硬盘驱动器或任何其它适合的存储媒体，或其任何组合。 - 中国語 特許翻訳例文集

ICは、本明細書で述べた機能を実行するように設計された汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（DSP）、特定用途向け集積回路（ASIC）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（FPGA）、またはプログラマブル論理デバイス、ディスクリートまたはトランジスタ論理、ディスクリートハードウェア部品、電気部品、光学部品、機械部品、またはその任意の組み合わせを備えて良く、そしてICは、IC内部、IC外部、またはその両方にあるコードまたは命令を実行し得る。

IC可以包括设计为执行本申请所描述功能的通用处理器、数字信号处理器 (DSP)、专用集成电路 (ASIC)、现场可编程门阵列 (FPGA)或其它可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件、电组件、光组件、机械组件或者其任意组合，并且 IC可以执行代码或指令，这些代码或指令位于 IC之内、IC之外或二者中。 - 中国語 特許翻訳例文集

ICは、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（DSP）、特定用途向け集積回路（ASIC）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（FPGA）もしくは他のプログラマブル論理デバイス、個別ゲートもしくはトランジスタ論理、個別ハードウェア構成要素、電子的構成要素、光学的構成要素、機械的構成要素、または本明細書で説明する機能を実行するように設計されたそれらの任意の組合せを備えることができ、ICの内部に、ICの外側に、またはその両方に常駐するコードまたは命令を実行することができる。

IC可包含通用处理器、数字信号处理器 (DSP)、专用集成电路 (ASIC)、现场可编程门阵列 (FPGA)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件、电组件、光学组件、机械组件或其经设计以执行本文所述的功能的任何组合，且可执行驻存于 IC内或 IC外或 IC内及 IC外的代码或指令。 - 中国語 特許翻訳例文集

1A・・・固体撮像素子、10A・・・画素部、11A・・・A／D変換部、12A・・・光通信部、13A・・・タイミングジェネレータ、14A・・・制御I／O、15A・・・DC−DC部、16A・・・制御部、17・・・バス、2A・・・光学装置、20A・・・レンズ部、21・・・ハウジング、3A・・・信号処理装置、30A・・・光通信部、31A・・・制御I／O、32A・・・操作部、33A・・・読み出し制御部、34A・・・信号処理部、35A・・・データ保持部、36A・・・表示部、37A・・・電源、38A・・・電源制御部、4A・・・信号処理システム、100・・・画素、101・・・画素アレイ、102・・・垂直走査回路、103・・・水平走査回路、104・・・カラムCDS回路、105・・・列信号線、106・・・フォトダイオード、107・・・FDアンプ、108・・・行選択トランジスタ、109・・・行選択線、110・・・電荷検出部、111・・・リセットトランジスタ、112・・・増幅トランジスタ、113・・・リセット線、114・・・行読み出し線、120・・・シリアルインタフェース、120A・・・パラレル／シリアル変換部、121、121S，121CL・・・発光部、122A，122B・・・配線、123・・・配線、124・・・エンコード部、125・・・データスクランブル部、126・・・パラレル／シリアル変換部、128A・・・面発光型半導体レーザ、130H，130AD，130OP・・・配線、300S，300CL・・・光受信部、301A・・・シリアル／パラレル変換部、302・・・光受信部、303・・・シリアル／パラレル変換部、304・・・デスクランブル部、305・・・デコード部、306・・・受光部、307・・・パラレルインタフェース、401A・・・カメラシステム、402A・・・レンズユニット、403A・・・カメラ本体部、404・・・シャッタ、405・・・AE／AF検出部、406・・・ストロボ、407・・・ストロボ制御部

1A固态图像拾取元件，10A像素单元，11AA/D转换器，12A光通信单元，13A时序发生器，14A控制 I/O，15A DC-DC单元，16A控制器，17总线，2A光学设备，20A透镜单元，21外壳，3A信号处理设备，30A光通信单元，31A控制 I/O，32A操作单元，33A读取控制器，34A信号处理器，35A数据存储单元，36A显示单元，37A电源，38A电源控制器，4A信号处理系统，100像素，101像素阵列，102垂直扫描电路，103水平扫描电路，104列 CDS电路，105列信号线，106光电二极管，107FD放大器，108行选择晶体管，109行选择线，110电荷检测器，111复位晶体管，112放大晶体管，113复位线，114行读取线，120串行接口，120A并 /串转换器，121 121S 121CL发光单元，122A 122B线，123线，124编码单元，125数据加扰单元，126并/串转换器，128A表面发射半导体激光器，130H 130AD130OP线，300S 300CL光接收单元，301A串 /并转换器，302光接收单元，303串 /并转换器，304解扰单元，305解码单元，306光接收单元，307并行接口，401A相机系统，402A透镜单元，403A相机机身单元，404快门，405AE/AF检测器，406电子闪光，407电子闪光控制器 - 中国語 特許翻訳例文集

機械可読媒体は、例として、RAM（ランダムアクセスメモリ）、フラッシュメモリ、ROM（読み出し専用メモリ）、PROM（プログラマブルな読み出し専用メモリ）、EPROM（消去可能プログラム可能読み出し専用メモリ）、EEPROM（電気的に消去可能なPROM）、レジスタ、磁気ディスク、光ディスク、ハードドライブ、又はその他任意の適切な記憶媒体、或いはそれらの何れの組み合わせを含む様々なメモリ構成要素を含むことができる。

机器可读介质可以包括各种存储器组件，作为示例，包括： RAM(随机存取存储器 )、闪存、ROM(只读存储器 )、PROM(可编程只读存储器 )、EPROM(可擦除可编程只读存储器 )、EEPROM(电可擦可编程只读存储器 )、寄存器、磁盘、光盘、硬盘、或任何其他适当的存储介质、或其任意组合。 - 中国語 特許翻訳例文集

ICは、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（DSP）、特定用途向け集積回路（ASIC）、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（FPGA）もしくは他のプログラマブル論理デバイス、個別ゲートもしくはトランジスタロジック、個別ハードウェア構成要素、電子的構成要素、光学的構成要素、機械的構成要素、または本明細書に記載の機能を実行するように設計されたそれらの任意の組合せを備えることができ、ICの内部に、ICの外側に、またはその両方に常駐するコードまたは命令を実行することができる。

IC包括用于执行本文所述功能的通用处理器、数字信号处理器 (DSP)、专用集成电路 (ASIC)、现场可编程门阵列 (FPGA)或其它可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑、分立硬件组件、电子组件、光学组件、机械组件或者其任意组合，并可以执行存储在 IC内部、IC外部或者两者都有的代码或指令。 - 中国語 特許翻訳例文集

ソフトウェア・モジュールは、ランダム・アクセス・メモリ（RAM）、フラッシュ・メモリ、読込専用メモリ（ROM）、プログラマブル読込専用メモリ（PROM）、消去可能プログラマブル読込専用メモリ（EPROM）、電子消去可能プログラマブル読込専用メモリ（EEPROM）、レジスタ、ハード・ディスク、リムーバブル・ディスク、コンパクト・ディスク読込専用メモリ（CD−ROM）、あるいは当該技術分野において周知のその他任意の形態の記憶媒体に存在しうる。

软件模块可驻留于随机存取存储器(RAM)、快闪存储器、只读存储器 (ROM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦除可编程只读存储器 (EPROM)、电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)、寄存器、硬盘、可装卸式盘、压缩光盘只读存储器 (CD-ROM)或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。 - 中国語 特許翻訳例文集

機械読取可能媒体は、例として、RAM（ランダムアクセスメモリ）、フラッシュメモリ、ROM（読出専用メモリ）、PROM（プログラム可能読出専用メモリ）、EPROM（消去可能プログラム可能読出専用メモリ）、EEPROM（電気的消去可能プログラム可能読出専用メモリ）、レジスタ、磁気ディスク、光学ディスク、ハードドライブ、または、他の何らかの適切な記憶媒体、あるいは、これらの何らかの組み合わせを含んでもよい。

机器可读媒体可包括各种存储器组件，包括 (例如 )RAM(随机存取存储器 )、快闪存储器、ROM(只读存储器 )、 PROM(可编程只读存储器 )、 EPROM(可擦除可编程只读存储器 )、 EEPROM(电可擦可编程只读存储器 )、寄存器、磁盘、光盘、硬盘驱动器或任何CN 102027679049 AA 说 明 书 8/8页其它合适存储媒体，或其任何组合。 - 中国語 特許翻訳例文集

ソフトウェア・モジュールは、ランダムアクセスメモリ（RAM）、フラッシュ・メモリ、読出し専用メモリ（ROM）、消去可能プログラマブル読出し専用メモリ（EPROM）、電気的消去可能プログラマブル読出し専用メモリ（EEPROM）、レジスタ、ハード・ディスク、リムーバブル・ディスク、コンパクトディスク読出し専用メモリ（CD−ROM）、あるいは当該技術分野で知られているその他任意の形式の記憶媒体に収納されうる。

软件模块可驻留于随机存取存储器 (RAM)、快闪存储器、只读存储器 (ROM)、可编程只读存储器 (PROM)、可擦除可编程只读存储器 (EPROM)、电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)、寄存器、硬磁盘、可装卸磁盘、紧密光盘只读存储器(CD-ROM)，或此项技术中已知的任何其它形式的存储媒体中。 - 中国語 特許翻訳例文集