「電圧サージ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

基準電圧線Vref1を駆動するPMOSトランジスタ75，76のうち、電源77にソース端子が接続されるPMOSトランジスタ75のゲート端子は、グランドに接続され、PMOSトランジスタ75のドレイン端子と基準電圧線Vref1との間に介在するPMOSトランジスタ76のゲート端子には、論理を反転した列選択信号（／列選択信号）が入力される。

驱动基准电压线 Vref1的 PMOS晶体管 75、76中源极端子连接到电源 77的 PMOS晶体管 75的栅极端子与电路接地端连接，处于 PMOS晶体管 75的漏极端子与基准电压线Vref1之间的 PMOS晶体管 76的栅极端子被输入反转了逻辑的列选择信号 (/列选择信号 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

また、基準電圧線Vref3を駆動するNMOSトランジスタ78，79のうち、基準電圧線Vref3にドレイン端子が接続されるNMOSトランジスタ78のゲート端子には、列選択信号が入力され、NMOSトランジスタ78のソース端子とグランドとの間に介在するNMOSトランジスタ79のゲート端子は、電源77に接続されている。

另外，驱动基准电压线 Vref3的 NMOS晶体管 78、79中漏极端子与基准电压线Vref3连接的 NMOS晶体管 78的栅极端子被输入列选择信号，处于 NMOS晶体管 78的源极端子与电路接地端之间的 NMOS晶体管 79的栅极端子与电源 77连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

図17（4）では、ビット“1”を転送するときのデータ線10の変化特性iと基準電圧線Vrefの変化特性jとが示されている。

在图 17(4)中，表示出传输位“1”时数据线 10的变化特性 i与基准电压线 Vref的变化特性 j。 - 中国語 特許翻訳例文集

図18（4）では、ビット“0”を転送するときのデータ線10の変化特性hと基準電圧線Vrefの変化特性jとが示されている。

在图 18(4)中，表示出传输位“0”时数据线 10的变化特性 h与基准电压线 Vref的变化特性 j。 - 中国語 特許翻訳例文集

この電圧出力用配線Loutへ出力される電圧値Voutは、第1行のN個の画素部P1,1〜P1,NそれぞれのフォトダイオードPDにおける受光強度を表すものである。

被输出至此电压输出用配线 Lout的电压值 Vout，表示第 1行的 N个像素部P1，1～ P1，N的各个的光电二极管 PD中的受光强度。 - 中国語 特許翻訳例文集

変換された信号は、電力制御回路50のバッファ回路51に監視電圧として入力され、その出力は、ローパスフィルタ52に入力され、ノイズを除去するとともに監視電圧の急変を抑制している。

将转换了的信号作为监控电压输入到功率控制电路 50的缓冲电路 51中，并将缓冲电路 51的输出输入到低通滤波器 52中，在此除去信号中的噪声，并抑制监控电压的突然变化。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように、一定周期で同様の動作を繰り返すことで、受光部10Aが受光した光の像の2次元強度分布を表す電圧値Voutが電圧出力用配線Loutへ出力されて、繰り返してフレームデータが得られる。

这样，通过在一定周期反复同样的动作，将电压值Vout输出至电压输出用配线 Lout，而反复获得帧数据，所述电压值 Vout表示受光部 10A所受光的光的像的 2维强度分布。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように、一定周期で同様の動作を繰り返すことで、受光部10Aが受光した光の像の2次元強度分布を表す電圧値Voutが電圧出力用配線Loutへ出力されて、繰り返してフレームデータが得られる。

这样，通过以一定周期反复同样的动作，将电压值 Vout输出至电压输出用配线 Lout，而反复获得帧数据，所述电压值 Vout表示受光部 10A所受光的光的像的 2维强度分布。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように、一定周期で同様の動作を繰り返すことで、受光部10Aが受光した光の像の2次元強度分布を表す電圧値Voutが電圧出力用配線Loutへ出力されて、繰り返してフレームデータが得られる。

这样，通过在一定周期反复同样的动作，将电压值 Vout输出至电压输出用配线 Lout，而反复获得帧数CN 10201761202 AA 说 明 书 10/17页据，所述电压值 Vout表示受光部 10A所受光的光的像的 2维强度分布。 - 中国語 特許翻訳例文集

伝送線路の特性インピーダンスをZoとし、進行波をAe-γz、反射波をBe-γz（γは伝搬定数）とすれば、基準点zにおける電圧V（z）及び電流I（z）は以下の式で表される。

如果传输线具有特性阻抗 Zo，行波由 Ae-γz表示并且反射波由 Be-γz表示 (γ指示传播常数 )，则在参考点 z处的电压 V(z)和电流 I(z)由以下方程表示： - 中国語 特許翻訳例文集

なお、数値シミュレーションでは、充電装置100が送電する際のICチップ216内における整流後の電圧および電流の値を算出した。

要注意的是，在该数值模拟中，计算充电设备 100在功率传送期间在 IC芯片 216中的整流之后的电压和电流的值。 - 中国語 特許翻訳例文集

図3の上から1乃至4番目には、駆動信号SEL、駆動信号TG0，TG1、および駆動信号RSTが順に示されており、上から5，6番目には、フローティングディフュージョン（FD）53および垂直信号線（VSL）57における電圧の電圧レベルがそれぞれ示されている。

驱动信号 SEL、驱动信号 TG0和 TG1和驱动信号 RST从图 3的顶部起以第一到第四的顺序示出。 在浮置扩散 (FD)53和垂直信号线 (VSL)57的电压的电压电平从图 3的顶部起分别在第五和第六示出。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、上述した記載の全体で引用されているデータ、指示、命令、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁場または磁性粒子、光学場または光学微粒子、あるいはこれら何れかの組み合わせによって表現されうる。

例如，在贯穿上面的描述中提及的数据、指令、命令、信息、信号、比特、符号和码片可以用电压、电流、电磁波、磁场或粒子、光场或粒子或者其任意组合来表示。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、上記説明を通じて参照されうるデータ、命令群、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁場または磁性粒子、光学場または光学粒子、あるいはこれらの任意の組み合わせによって表現されうる。

举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子或其任何组合来表示可能贯穿以上描述而引用的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、上記説明を通じて参照されうるデータ、命令群、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁場または磁性粒子、光学場または光学粒子、あるいはこれらの任意の組み合わせによって表現されうる。

举例来说，可由电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示可在以上描述通篇中所引用的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及码片。 - 中国語 特許翻訳例文集

COが検出されると、FXSは、それが電話線から取り外される前にCOが検出されたという表示を通知する（“Error＿indication”＋CO電圧があるというTR69エージェントへの通知）。

当检测到 CO时，FXS在其被从电话线路上移除之前发送对检测到 CO的指示 ( “Error_indication” +通知 TR 69代理存在 CO电压 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、上記記載を全体にわたって言及されるデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁界または光電界または光粒子、またはこれらを組み合わせたものによって表され得る。

举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子，或其任何组合来表示可在整个以上描述中所参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。 - 中国語 特許翻訳例文集

ゲートアレイ45は、検出値処理部として機能し、第1スキャナー111及び第2スキャナー112から供給されたアナログ電圧を量子化して、画素毎のデジタルデータを並べたデータとしてCPU40に出力する。

门阵列 45作为检测值处理部发挥作用，对从第一扫描器 111以及第二扫描器 112供给的模拟电压进行量化，并将其作为排列了每个像素的数字数据的数据，输出到 CPU40。 - 中国語 特許翻訳例文集

そのうえ、知られているAC配線規定の多くは、AC電線と低電圧配線制御システムを同じ電気ボックスの内部で接続すること、および／またはAC電力電線および低電圧制御線を同じリレー、遠隔操作スイッチおよび／または調光器のような電力デバイスに接続すること、を禁じている。

而且，许多已知的 AC布线规章禁止在相同电箱内部连接 AC线和低压有线控制系统、和 /或 AC电力线和低压控制线连接至相同继电器、远程开关和 /或电气电力装置（诸如调光器）。 - 中国語 特許翻訳例文集

第3のトランジスターTr3の制御端子はプルアップ駆動部511の第7のトランジスターTr7の出力端子に接続され、第2のトランジスターTr2の制御端子には第2の入力端子IN2を介して次段のステージのゲート電圧が入力される。

第三晶体管 Tr3的控制端连接到上拉驱动器 511的第七晶体管 Tr7的输出端，通过第二输入端 IN2向第二晶体管 Tr2的控制端输入下一级的栅极电压。 - 中国語 特許翻訳例文集

別の例示的な実施形態において、ジャマー検出器200への入力信号は、電圧または電力でも構わなく、または最初にデジタル化されても構わない。

在替代示范性实施例中，干扰检测器 200的输入信号可为电压或电力，或可首先将其数字化。 - 中国語 特許翻訳例文集

読み出しゲート42に電圧を印加したままでCCDメモリ30及び垂直CCD50における転送動作を順次行えば、次の信号電荷も同様にそのまま垂直CCD50に順次転送される。

随着 CCD存储器30和垂直 CCD50的传输动作的依次实行，如果始终向读出门 42施加电压，则也能够将下一个的信号电荷保持原样地向垂直 CCD50传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、ステップS14において、VSL57における、FD53がリセットされてから一定時間経過後の電圧レベルの変化が、所定の閾値より大きいと判定された場合、すなわち、図5のタイムチャートの時刻T7において、FD53の電圧レベルが時刻T6から変化し、ひいては、VSL57の電圧レベルが時刻T6から、所定の閾値より変化している場合、FD53に欠陥があるとされ、処理はステップS15に進む。

另一方面，当在步骤 S14确定从 FD 53的重置经过一定时间之后 VSL 57的电压电平的改变大于预定阈值，也就是说，当 FD 53的电压电平在时间 T6之后在图 5的时序图中的时间 T7改变，并且 VSL 57的电压电平的改变在时间 T6之后在时间 T7又大于预定阈值时，确定 FD 53具有缺陷。 处理进行到步骤 S15。 - 中国語 特許翻訳例文集

さらに、接眼検知センサー104の出力（電流または電圧）を判定する閾値（接眼と判断する基準値）を変化させることでも検知距離を変化させることができる。

并且，通过改变判断接眼检测传感器 104的输出 (电流或电压 )的阈值 (判断为接眼的基准值 )，也能够改变检测距离。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、図11を参照すると、水平に配列された複数のゲート線に上から下へ向かってゲートオン電圧が印加される場合、画面の下部にのみホワイトイメージを入力する。

例如，参照图 11，栅极导通电压被施加到从上到下水平布置的多条栅极线，白图像被输入到屏幕的下部。 - 中国語 特許翻訳例文集

たとえば、先の説明全体を通して参照されてもよいデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、チップは、電圧、電流、電磁波、磁場または磁気粒子、光学場または光学粒子、あるいはその任意の組合せによって表されてもよい。

举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子或其任何组合来表示可能在整个以上描述中参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。 - 中国語 特許翻訳例文集

各画像形成ユニット60で形成されたトナー像（ブラック、イエロー、シアン、マゼンタの各色）は、順次、ずれなく重畳して中間転写ベルト72に1次転写された後、所定の電圧を印加された2次転写ローラ75により、シートに転写される。

由各图像形成单元 60形成的调色剂图像 (黑、黄、青、品红各色 )依次无偏移地重叠而被一次转印到中间转印带 72上后，通过施加有指定电压的二次转印辊 75而被转印到片材上。 - 中国語 特許翻訳例文集

各画像形成ユニット50で形成されたトナー像（ブラック、イエロー、シアン、マゼンタの各色）は、順次、ずれなく重畳して中間転写ベルト62に1次転写された後、所定の電圧を印加された2次転写ローラ65により、シートに転写される。

由各图像形成单元 50形成的调色剂像 (黑色、黄色、青色、品红色的各种颜色 )依次无偏差地重叠且被首次转印到中间转印带 62上后，通过被施加了规定电压的二次转印辊 65，而被转印到薄片上。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば前述の説明全体を通して参照され得るデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボルおよびチップは、電圧、電流、電磁波、磁界または磁気粒子、光場または光粒子、あるいはこれらの任意の組合せによって表され得る。

举例来说，以上整个描述内容中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子，或其任何组合来表示。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、上記の説明を通して参照されうるデータ、命令群、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁場あるいは磁気粒子、光学場あるいは光学粒子、あるいはそれらのいずれかの組み合わせによって表わされうる。

例如，在贯穿上面的描述中提及的数据、指令、命令、信息、信号、比特、符号和码片可以用电压、电流、电磁波、磁场或粒子、光场或粒子或者其任意组合来表示。 - 中国語 特許翻訳例文集

図5のタイムチャートにおいては、図3のタイムチャートと同様に、図5の上から1，4，5，6番目には、駆動信号SEL、駆動信号TG0，TG1、および駆動信号RSTが順に示されており、上から7，8番目には、FD53およびVSL57における電圧の電圧レベルがそれぞれ示されている。

如在图 3的时序图的情况下，图 5的时序图从图 5的顶部起以第一、第四、第五和第六的顺序示出驱动信号 SEL、驱动信号 TG0和 TG1和驱动信号 RST，并且从图 5的顶部起分别在第七和第八示出在 FD 53和 VSL 57的电压的电压电平。 - 中国語 特許翻訳例文集

いくつかの機器構成においては、マイクロコントローラ240は、もしコンデンサ220の電圧が1ボルト未満になると、無線モジュール244の回路をオフにするように構成される。

在一些配置中，微控制器 240被配置为如果电容器 220上的电压小于 1伏特，则关闭无线模块 244的电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

追加した基準電圧駆動回路群8は、本実施の形態によるデータ転送回路の行方向における配置個数（本実施の形態では列数Nを含みそれ以下の個数である）と同じ個数の基準電圧駆動回路で構成されている。

所追加的基准电压驱动电路组 8包括与本实施方式的数据传输电路的行方向所配置的个数 (本实施方式中为小于等于列数 N的个数 )相同个数的基准电压驱动电路。 - 中国語 特許翻訳例文集

たとえば、上記説明を通して言及されうる、データ、命令、指示、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁場または磁性粒子、光場または光粒子、またはそれらの任意の組合せによって表されることができる。

举例来说，可由电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示可贯穿以上描述而参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、PMOSトランジスタ54，55がオンしているので、差動増幅回路45a，45b，45cの正相内部ノードD1，D2，D3、および逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の対応するものが接続される。

此时，由于 PMOS晶体管 54、55导通，因此差动放大电路 45a、45b、45c的正相内部节点 D1、D2、D3和反相内部节点 /D1、/D2、/D3连接着数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3中所对应的基准电压线。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、PMOSトランジスタ54，55がオンしているので、差動増幅回路45a，45b，45cの正相内部ノードD1，D2，D3、および逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の対応するものが接続される。

此时，由于PMOS晶体管 54、55导通，因此差动放大电路 45a、45b、45c的正相内部节点 D1、D2、D3和反相内部节点 /D1、/D2、/D3连接着数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3中对应的基准电压线。 - 中国語 特許翻訳例文集

非反転入力INが第2回路ブロック180_2に入力され論理反転され、さらにCMOSインバータ（nMOS186，pMOS187）で論理反転されることで、入力と同じ論理でかつ電圧レベルが変換された出力パルスが得られる。

将非反相输入 IN馈入第二电路块 180_2，并且在逻辑上反相，并且由 CMOS反相器(nMOS186和 nMOS187)进一步在逻辑上反相。 - 中国語 特許翻訳例文集

第1スキャナー111及び第2スキャナー112は、記録媒体Sの表面をリニアイメージセンサー111A、112A（図6）により光学的に読み取り、リニアイメージセンサー111A、112Aの検出値（電圧）を受光素子110A毎に読み出してゲートアレイ45に供給する。

第一扫描器 111以及第二扫描器 112由线性图像传感器 111A、112A(图 6)光学地读取记录介质 S的表面，按每个受光元件 110A读出线性图像传感器 111A、112A的检测值 (电压 )，并供给到门阵列 45。 - 中国語 特許翻訳例文集

下部1105は、上部で使用されたものと同じ線パターンを用い、ビクティム線上に現われる際の対応するクロストーク／電圧波形を示す。

下部 1105使用与上部中所使用的相同线型示出了在受害线路上出现的相应串扰 /电压波形。 - 中国語 特許翻訳例文集

一方、省電力モードからの復帰の際、ワークフローを呼び出してウィザード形式での表示を行う設定であれば（ステップ♯2のYes）、表示制御部10は、温度センサ74の出力（電圧）に基づき、定着部7（加熱ローラ72）の温度を把握する（ステップ♯7）。

另一方面，当从省电模式回归时，如果是调出工作流程而以向导形式进行显示的设定 (步骤 #2的“是”)，则显示控制部 10根据温度传感器 74的输出 (电压 )，来把握定影部 7(加热辊 72)的温度 (步骤 #7)。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、上記の説明の全体にわたって参照されることができる、データ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、及びチップは、電圧、電流、電磁波、磁場あるいは磁粒子、光場あるいは光学粒子、あるいはそれらのいずれの組み合わせ、によって表わされることができる。

例如，在贯穿上面的描述中提及的数据、指令、命令、信息、信号、比特、符号和码片可以用电压、电流、电磁波、磁场或粒子、光场或粒子或者其任意组合来表示。 - 中国語 特許翻訳例文集

このとき、D／Aコンバータ11a、11bが、上述した4組の電圧が得られるように設定されているので、2電極MZ変調器14から出力される変調光信号として、光多値信号を得ることができる。

此时，D/A转换器 11a、11b被设定成得到上述 4组的电压，所以作为从双电极 MZ调制器 14输出的调制光信号可得到光多值信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

図11は、実際は、時間に対する6つの異なる曲線をプロットした上半分1103（電圧をY軸で表す）と、再びマイクロストリップバスの例を使用した最近傍線上のクロストークをプロットした下半分1105（ここでも電圧をY軸で表す）とを有する2部グラフである。

图 11事实上为两部分图示，再次使用了微带总线的示例，其具有标绘相对于时间的六条不同曲线的上半部1103(电压由Y轴表示)，以及标绘最近邻线路上的串扰的下半部 1105(电压在此也由 Y轴表示 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

そのメモリ116に蓄積されたデータを、デジタル／アナログ変換器117でデータに基づいた電圧の信号に変換した後、インターフェース部118を介して中央制御ユニット119に供給する。

存储在存储器 116中的数据被数字 /模拟转换器 117转换为具有基于该数据的电压的信号，该信号然后经由接口块 118被供应到中央处理单元 119。 - 中国語 特許翻訳例文集

ゲート駆動部500が独立したICチップとして構成される場合、ゲートICチップから複数のゲート線へ同時にゲートオン電圧を印加してもよい。

当用独立 IC芯片形成栅极驱动器 500时，可将栅极导通电压从栅极 IC芯片同时施加到多条栅极导线。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、上述の説明の様々な箇所で言及された可能性のある、データ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、記号、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁場もしくは磁気粒子、光場もしくは光粒子、またはそれらの任意の組み合わせによって表現することができる。

例如，可以用电压、电流、电磁波、磁场或粒子、光场或粒子或者其任意组合来表示在上文的描述中可能提及的数据、指令、命令、信息、信号、比特、符号和码片。 - 中国語 特許翻訳例文集

上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28aがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオンになると、図7に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。

相反，当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1以关断第一 PIN二极管28a，并且正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2以接通第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时，第六天线开关 10F由图 7所示的等效电路表示，其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、上記説明全体を通して参照されることができるデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁気の場または粒子、光学的な場または粒子、あるいはそれらの任意の組合せによって表されることができる。

举例来说，可贯穿上文描述所参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及码片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子或者其任何组合来表示。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、上記の説明全体を通して参照されることができるデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁気の場または粒子、光の場または粒子、あるいはそれらの任意の組合せによって表されることができる。

举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子，或其任何组合来表示可能贯穿以上描述而引用的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及码片。 - 中国語 特許翻訳例文集

さて、この移動度補正動作の完了後も電源制御トランジスタN3のオン状態が継続すると、駆動トランジスタN2のソース電位Vsが有機EL素子OLEDの閾値電圧Vth(oled)を越えるまで上昇し、有機EL素子OLEDの点灯が開始される。

当电力供应控制晶体管 N3的导通状态在完成所述迁移率校正操作之后继续时，所述驱动晶体管 N2的源极电位 Vs被增加到超过所述有机 EL器件 OLED的阈值电压Vth(oled)，并开始所述有机 EL器件 OLED的点亮。 - 中国語 特許翻訳例文集