「電圧サージ」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

ところで、第1撮像モードと比べて少ない個数の画素部のデータを信号読出部20から出力させる他の撮像モードとして、受光部10Aにおける連続するN1列に含まれる各画素部Pm,nのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から出力させることも考えられる。

再者，作为与第 1摄像模式相比较使信号读出部 20输出个数较少的像素部的数据的其它摄像模式，也可考虑使信号读出部 20输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在包含于受光部 10A中呈连续的 N1列的各像素部 Pm，n的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

ところで、第1撮像モードと比べて少ない個数の画素部のデータを信号読出部20から出力させる他の撮像モードとして、受光部10Aにおける連続するN1列に含まれる各画素部Pm,nのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から出力させてもよい。

再者，作为其它摄像模式，也可使信号读出部 20输出对应于电荷的量的电压值，所述其它摄像模式使信号读出部 20输出相比于第 1摄像模式个数较少的像素部的数据，所述电荷的量为包含于受光部 10A中呈连续的 N1列的各像素部 Pm， n的光电二极管PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

このように構成されている場合、FM受信機ASIC22は、プロセッサ12に対して送出するためにRDSデータエレメントが利用可能であることを示すために、例えば、ビット（1または0）を特定のアドレスロケーションに書き込むことによって、または、プロセッサが感知できる特定のリード線を高電圧または低電圧にすることなどによって、フラグをセットしてもよい。

如果如此配置，那么 FM接收器 ASIC 22可 (例如 )通过将一位 (1或 0)写入到特定地址位置或将一特定引线驱动到高或低电压来设置旗标，处理器12可感测所述旗标以指示 RDS数据元素可用于递送到处理器 12。 - 中国語 特許翻訳例文集

表示画像鑑賞用メガネ200の液晶シャッター200a，200bは、例えばTN液晶による液晶シャッターで構成されており、電圧をON／OFFすることにより光の透過／非透過を選択できるものである。

显示图像观看眼镜 200的液晶遮板 200a、200b可以例如包括具有 TN液晶的液晶遮板，并且能够通过接通和断开电压来选择光通过遮板的透光和非透光。 - 中国語 特許翻訳例文集

ここで、図4のフローチャートに戻り、ステップS14において、検出部27は、VSL57における、FD53がリセットされてから一定時間経過後の電圧レベルの変化が、所定の閾値より大きいか否かを判定する。

返回到图 4的流程图，检测部分 27在步骤 S14确定从 FD 53的重置经过一定时间之后 VSL 57的电压电平的改变是否大于预定阈值。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−1は、端子bがキャパシタC191A−1の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−1のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-1的端子 b连接至电容器 191A-1的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-1的栅极以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−2は、端子bがキャパシタC191A−2の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−2のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-2的端子 b连接至电容器 191A-2的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-2的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−3は、端子bがキャパシタC191A−3の一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−3のゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-3的端子 b连接至电容器 C191A-3的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-3的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

サンプリングスイッチSW191A−nは、端子bがキャパシタC191A−nの一端に接続され、その接続点がバイアス電圧VBIAS11の供給部として負荷MOSトランジスタ151−nのゲートに接続されている。

采样开关 SW191A-n的端子 b连接至电容器 C191A-n的一端，并且连接点连接至负载 MOS晶体管 151-n的栅极，以向晶体管供给偏置电压 VBIAS11。 - 中国語 特許翻訳例文集

この図3（c）に示すリファレンス信号は、アダプタ装置200内の中央制御ユニット206の制御に基づいて、混合部214で各データが電圧値として重畳される処理が行われ、アナログ伝送路92で伝送される。

图 3C所示的基准信号在适配器装置 200的中央处理单元 206的控制下被混合块214处理，其中各项数据作为电压值被叠加。 经过处理的基准 信号经由模拟传输路径 92被传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、上記の説明全体にわたって参照した、データ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁界または磁粒子、光学界または光粒子、あるいはこれらの何らかの組み合わせにより、表してもよい。

举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子或其任何组合来表示可能在以上整个描述中参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。 - 中国語 特許翻訳例文集

実験的応答曲線を取得するために、ドライバ104はまず、出力ビームが最大強度の約50％となるような直流バイアス電圧を導波回路102に印加するように構成される。

为了获得实验响应曲线，驱动器 104首先被配置为向波导回路 102施加 dc偏置电压，所述 dc偏置电压使输出束具有约 50％的最大强度。 - 中国語 特許翻訳例文集

この図3（a）のシリアルコマンドデータは、サンプリング周波数が37MHzのクロックでデジタル変換された後、74MHzのクロックでアナログ電圧に変換させる再サンプリングが行われることで、図3（b）に示したように圧縮されたデータとなる。

图 3A中示出的串行命令数据经过采样频率为 37MHz的时钟的数字转换之后，被74MHz的时钟转换为模拟电压。 该重采样提供了如图 3B所示的经压缩的数据。 - 中国語 特許翻訳例文集

この図4（a）のシリアルコマンドデータは、サンプリング周波数が37MHzのクロックでデジタル変換された後、74MHzのクロックでアナログ電圧に変換させる再サンプリングが行われることで、図4（b）に示したように圧縮されたデータとなる。

图 4A中示出的串行命令数据经过采样频率为 37MHz的时钟的数字 转换之后，被74MHz的时钟转换为模拟电压。 该重采样提供了如图 4B所示的经压缩的数据。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明の目的は、（特許文献1および2）に開示されたAC電流オンオフ感知デバイスを含んだAC電力リレー、調光器、および他のAC電力デバイスを、指定された電気ボックス内に別個に取り付けられた有線低電圧IR制御デバイスのファイバライトガイドまたは光ファイバケーブルを介して相互接続するための方法および装置を提供することである。

本发明的目的在于提供一种用于经由光纤光导或光纤线缆及单独安装在指定电箱中的有线低压 IR控制装置来互相连接 AC电力继电器、调光器以及美国专利申请11/874,309和 11/939,785中披露的包括 AC电流开启 -关断传感装置的其他 AC电力装置的方法和器具。 - 中国語 特許翻訳例文集

この際、通常時（a）では、フローティングディフージョン部（FD）は遮光されており電位変動はほぼ無い為、リセット信号はオートゼロ時に取得したとほぼ等しい電圧が出るのでコンパレータ8は反転し、その時間までのクロックカウント値をカウンタ11でカウント（計測）することでリセットカウントが確定する。

此时，在通常时 (a)，浮点扩散部 (FD)被遮光，电位变动几乎为零，由于复位信号出现与自动调零时所取得的电压几乎相等的电压，所以比较器 8反转，在该时间之前，通过由计数器 11对时钟计数值进行计数 (计测 )，由此来确定复位计数值。 - 中国語 特許翻訳例文集

したがって、CCDのようないくつかの通常の検出器アレイと同様に、コントローラ380は、画像センサが光を集めている間の時間間隔を制御する「電子シャッタ」を管理するために使用されることが可能である。

因此，类似于某些传统检测器，例如 CCD，可以使用控制器 380来管理“电子快门”，从而控制针对图像传感器捕获图像时的时间间隔。 - 中国語 特許翻訳例文集

各列選択信号は、本実施の形態によるサンプルホールド信号変換回路群4と追加した基準電圧駆動回路群8とに入力される。

各列选择信号被输入到本实施方式的采样保持信号转换电路组 4和所追加的基准电压驱动电路组 8中。 - 中国語 特許翻訳例文集

各列選択信号は、第1の実施例と同様に、サンプルホールド信号変換回路群4bと基準電圧駆動回路群8aと制御信号駆動回路群15とに入力される。

各列选择信号与第一实施方式同样地，被输入到采样保持信号转换电路组4b、基准电压驱动电路组 8a、控制信号驱动电路组 15。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28bがオフになると、図6に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続されることになる。

因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b时，第一天线开关 10A由图 6所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14。 - 中国語 特許翻訳例文集

これにより、複数フレームで見た場合に、液晶に印加される平均電圧を0とすることができ、液晶表示パネル134に焼き付きなどの現象が生じることを抑止できる。

于是，就帧的极性而言，可以使施加于液晶的平均电压为 0，从而能够抑制液晶显示面板 134上出现老化的现象。 - 中国語 特許翻訳例文集

そして、第1実施形態の場合と同様の動作が行われて、受光部10BにおけるM×N個の画素部P1,1〜PM,NそれぞれのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値が信号読出部20から出力される。

然后，进行与第 1实施方式的情况同样的动作，使信号读出部 20输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在受光部 10B中的M×N个像素部 P1，1～ PM，N的各个的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、画素アレイ2の中の選択された1行のN個の画素2aが出力する光量に応じた画素信号（電圧信号）が各列の垂直信号線9を伝播してサンプルホールド信号変換回路群4に入力される。

即，与像素阵列 2中被选择的 1行的 N个像素 2a所输出的光量对应的像素信号 (电压信号 )在各列的垂直信号线 9中传播，被输入到采样保持信号转换电路组 4。 - 中国語 特許翻訳例文集

上述とは反対に、第1制御端子Tc1に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第1PINダイオード28a及び第3PINダイオード28cがオフ、第2制御端子Tc2に順バイアス電圧Vc1が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオンになると、図14に示すような等価回路となり、受信端子20のみがアンテナ接続端子14に高周波的に接続され、送信端子16には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。

相反，当反向偏置电压 Vc2被施加到第一控制端子 Tc1以关断第一 PIN二极管 28a和第三 PIN二极管 28c，并且正向偏置电压 Vc1被施加到第二控制端子 Tc2以接通第二 PIN二极管 28b和第四 PIN二极管 28d时，第五天线开关 10E由图 14所示的等效电路表示，其中在高频下仅接收端子 20连接到天线连接端子 14，并且例如 50欧姆的端接电阻器 Re连接到传输端子 16。 - 中国語 特許翻訳例文集

一実施形態において、カオス信号生成器212からのランダムノイズ信号は、マスターセル201の所定電圧Vxに（加算器216、217によって）加算される。

在一个实施例中，来自混沌噪声产生器 212的随机噪声信号与主单元 201的预定电压 Vx(通过加法器 216和 217)相加。 - 中国語 特許翻訳例文集

ステップS14において、VSL57における、FD53がリセットされてから一定時間経過後の電圧レベルの変化が、所定の閾値より大きくないと判定された場合、すなわち、図5のタイムチャートの時刻T7において、実線Aで示されるように、FD53の電圧レベルが時刻T6から変化せず、ひいては、VSL57の電圧レベルが時刻T6から変化していない場合、FD53に欠陥はないとされ、処理はステップS15をスキップし、ステップS16に進む。

当在步骤 S14确定从 FD 53的重置经过一定时间之后 VSL 57的电压电平的改变不大于预定阈值，也就是说，当 FD 53的电压电平在时间 T6之后在图 5的时序图中的时间T7没有改变，并且 VSL 57的电压电平在时间 T6之后在时间 T7又没有改变时，如由实线 A所示，确定 FD 53不具有缺陷。 处理跳过步骤 S15，并且进行到步骤 S16。 - 中国語 特許翻訳例文集

このデータ線10毎に備える各3個の差動増幅回路の各一方の差動入力端には、10本のデータ線10の対応するものが接続され、各他方の差動入力端には、3本の基準電圧線11の対応するものが共通に接続されている。

对该每条数据线 10所设置的 3个差动放大电路的各一个差动输入端连接有 10条数据线 10中所对应的数据线，在各另一个差动输入端公共连接有 3条基准电压线 11中所对应的基准电压线。 - 中国語 特許翻訳例文集

電荷蓄積ゲート71への電圧印加を停止し、隣接する入力ゲート72をオンとすることにより、蓄積された信号電荷はCCDメモリ80の入力転送段81に転送される。 CCDメモリ80は、前記の4相駆動とされ、図中のA1〜A4に転送パルスを印加することにより、次の信号電荷が順次入力転送段81に転送され、既に入力転送段81に転送された信号電荷は最終転送段82まで図中の矢印で示された経路で転送される。

通过停止向电荷积蓄门 71施加电压、接通邻接的输入门 72，将积蓄了的信号电荷向 CCD存储器 80的输入传输段 81传输，CCD存储器 80，假设为上述的四相驱动 CCD，通过在图中的 A1至 A4上施加传输脉冲，将下一个的信号电荷向输入传输段 81依次传输，并将已传输至输入传输段 81的信号电荷沿着用图中的箭头显示的途径传输至最终传输段82。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3側の3つのNMOSトランジスタ30，33，35の各ゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が共通に入力される。

基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3侧的 3个 NMOS晶体管 30、33、35的各栅极端子被公共输入来自列选择电路 5a的列选择信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

すなわち、ステップS34（図7のタイムチャートの時刻T7）において、FD53がリセットされてから、短い露光時間で転送トランジスタ52−1がオンされたときに、VSL57における電圧レベルが急激に変化したと判定された場合、処理はステップS35に進む。

也就是说，当在步骤 S34(图 7的时序图中的时间 T7)确定，当从 FD 53的重置起的短曝光时间中传送晶体管 52-1导通时、VSL 57的电压电平急剧下降时，处理进行到步骤S35。 - 中国語 特許翻訳例文集

【図9】本実施形態に係る補正用バイアス選択部内に形成されるAD変換用参照信号の傾きに対するクランプ電圧テーブルの一例を示す図である。

图 9描述了根据实施例的校正偏置选择部件中形成的用于 AD转换的参照信号的斜率的钳制电压表的例子； - 中国語 特許翻訳例文集

図9は、本実施形態に係る補正用バイアス選択部内に形成されるAD変換用参照信号の傾きに対するクランプ電圧テーブルの一例を示す図である。

图 9描述了根据实施例的校正偏置选择部件中形成的用于 AD转换的参照信号的斜率的钳制电压表的例子。 - 中国語 特許翻訳例文集

各列選択信号は、サンプルホールド信号変換回路群4aと基準電圧駆動回路群8aと制御信号駆動回路群15とに入力される。

各列选择信号被输入到采样保持信号转换电路组 4a、基准电压驱动电路组 8a、控制信号驱动电路组 15。 - 中国語 特許翻訳例文集

図8（4）では、データ転送回路18aが、2ビット（Dn＋1，Dn）の4通りの組み合わせ（0．0）（0，1）（1，0）（1，1）のいずれか一つを転送する場合として、転送2ビットが（0，1）である場合の図7（4）に示したデータ線10の電位変化の特性bと、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の特性e，f，gとが示されている。

图 8(4)中表示出作为数据传输电路 18a传输 2位 (Dn+1，Dn)的 4种组合 (0，0)、(0，1)、(1，0)、(1，1)的某个的情况，当传输 2位为 (0，1)时的图 7(4)所示的数据线 10的电位变化特性 b和基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3的特性 e、f、g。 - 中国語 特許翻訳例文集

図24（4）では、データ転送回路18dが、2ビット（Dn＋1，Dn）の4通りの組み合わせ（0．0）（0，1）（1，0）（1，1）のいずれか一つを転送する場合として、転送2ビットが（0，1）である場合の図23（4）に示したデータ線10の電位変化の特性pと、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の特性s，t，uとが示されている。

图 24(4)中，作为数据传输电路 18d传输 2位 (Dn+1，Dn)中 4种组合 (0，0)、(0，1)、(1，0)、(1，1)中的某个的情况，表示出传输 2位为 (0，1)时图 23(4)所示的数据线 10的电位变化的特性 p、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3的特性 s、t、u。 - 中国語 特許翻訳例文集

図7の機器構成においては、このことは、コンデンサ220を、ループ22に接続する端子をはさむ電圧降下を調整する調整器248のための分路素子として、オペアンプ254及び分路トランジスタ252と併せて配置することによって達成される。

在图 7的配置中，这是通过将电容器 220作为稳压器 348的分路元件来达成的，其中稳压器 248与 OP amp 254和分路晶体管252一起调节与环路 22耦合的端子上的压降。 - 中国語 特許翻訳例文集

但し、このときのFD25の電圧は増幅トランジスタ23の閾値以下であるから、増幅トランジスタ23はソースフォロワ回路動作の開始をスタンバイしている状態になる。

但是，由于此时的 FD25的电压为放大晶体管 23的阈值以下，放大晶体管 23成为准备开始源极跟踪器电路动作的状态。 - 中国語 特許翻訳例文集

各近傍線上に誘導されるインダクタンスに支配されたクロストークは図11の下半分に表され、参照符号1107により示されるように各近傍線の電圧レベルで約0．3ボルトの負の「くぼみ」を生じ、抑制されないままであると、このクロストークはその線に沿って同時に送信された送信信号と干渉する可能性がある。

各个邻近线路上的电感主导型串扰在图 11的下半部中演示，并且如附图标记 1107所示的，在各个邻近线路的电压电平中产生接近 0.3伏的负“下沉”； 如不加以抑制，这种串扰可能干扰同时沿该线路发送的传输信号。 - 中国語 特許翻訳例文集

出力転送段33は通常のCCDにおける一つの転送段であるが、出力転送段33には、読み出しゲート42が接続され、読み出しゲート42に所定の電圧が印加された場合（読み出しゲート42がオンされた場合）には、出力転送段33中にある信号電荷は、垂直CCD50に転送される。

输出传输段 33为通常的 CCD中的一个传输段，在输出传输段 33，连接有读出门 42，在读出门 42施加有电压的情况下 (读出门 42已接通的情况下 )下，将输出传输段 33中存在的信号电荷向垂直 CCD50传输。 - 中国語 特許翻訳例文集

回路ブロック134は、アドレス信号ADRとNOR回路135の出力信号とを2入力とするAND回路1341、アドレス信号ADRを一方の（否定）入力とし、AND回路1341の出力信号を他方の入力とするOR回路1342、レベルシフタ1343およびNチャネルの駆動トランジスタ1344により構成され、接地電圧よりも低い電圧Vtrg4を選択して転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。

电路块 134包括采用地址信号 ADR和 NOR电路 135的输出作为两个输入的 AND电路 1341，采用地址信号 ADR作为一个 (负 )输入并且采用 AND电路的输出信号作为另一个输入的 OR电路 1342，电平相移器 1343以及 N-沟道驱动晶体管 1344，其选定电压 Vtrg4(所述电压 Vtrg4低地电压 )并且将其供应到转移晶体管 22的栅电极。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明に係る固体撮像装置では、制御部は、第2撮像モードのときに、受光部におけるM行のうち信号読出部に最も近い行から順に数えてM1行の範囲を上記特定範囲として、この特定範囲の各画素部Pm,nのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部から出力させるのが好適である。

本发明所涉及的固体摄像装置中，优选为控制部在第 2摄像模式时，从受光部中的M行内最接近信号读出部的行开始依次数起，将M1行的范围作为上述特定范围，使信号读出部输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在此特定范围的各像素部Pm，n的光电二极管在所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

本発明に係る固体撮像装置では、制御部は、第2撮像モードのときに、受光部におけるM行のうち信号読出部に最も近い行から順に数えてM1行の範囲を上記特定範囲として、この特定範囲の各画素部Pm,nのフォトダイオードで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部から出力させるのが好適である。

本发明所涉及的固体摄像装置中，优选为控制部在第 2摄像模式时，从受光部中的M行内最接近信号读出部的行开始依次数起，将M1行的范围作为上述特定范围，使信号读出部输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在此特定范围的各像素部 Pm，n的光电二极管在所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集

なお、これまでに説明してきた図4〜図6に示されたタイミングチャートでは、各保持回路Hnから電圧値の読み出しが終了した後に各積分回路Snを初期化した。

再者，在迄今为止所说明的图 4～图 6所示时序流程图中，在从各保持电路 Hn结束电压值的读出后，将各积分电路 Sn初期化。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオフになると、図12に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的には接続され、受信端子20には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。

因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时，第四天线开关 10D由图 12所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14，并且 50欧姆的端接电阻器 Re例如连接到接收端子 20。 - 中国語 特許翻訳例文集

従って、例えば第1制御端子Tc1に順バイアス電圧Vc1が印加されて第1PINダイオード28aがオン、第2制御端子Tc2に逆バイアス電圧Vc2が印加されて第2PINダイオード28b及び第4PINダイオード28dがオフになると、図12に示すような等価回路となり、送信端子16のみがアンテナ接続端子14に高周波的に接続され、受信端子20には例えば50オームの終端抵抗Reが接続されることになる。

因此，当正向偏置电压 Vc1被施加到第一控制端子 Tc1以接通第一 PIN二极管28a，并且反向偏置电压 Vc2被施加到第二控制端子 Tc2以关断第二 PIN二极管 28b和第四PIN二极管 28d时，第六天线开关 10F由图 12所示的等效电路表示，其中在高频下仅传输端子 16连接到天线连接端子 14，并且例如 50欧姆的端接电阻器 Re连接到接收端子 20。 - 中国語 特許翻訳例文集

基準電圧Vref307は列アンプ205a〜205cでの信号増幅用の基準として用いられ、サンプルホールド回路（以下S／H（N）と呼ぶ）309a〜309cはN信号（ノイズ信号）を記憶する。

使用基准电压 Vref 307作为用于列放大器 205a至 205c中的信号放大的基准，并且采样保持电路 (下文中称为 S/H(N))309a至 309c存储 N信号 (噪声信号 )。 - 中国語 特許翻訳例文集

例えば、一実施形態において、図4Bのバイアス電圧Vbはコンピュータ実行可能な命令によってプログラム可能であり、それにより変調出力信号の周波数分散を調整してもよい。

例如，在一个实施例中，图 4B的偏压 Vb是经由计算机可执行指令可编程的，以调整调制输出信号的频率扩展。 - 中国語 特許翻訳例文集

逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、それぞれ「差動増幅回路の一方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ54を介してデータ線に接続され、正相内部ノードD1，D2，D3は、それぞれ「差動増幅回路の他方の差動入力端」として、PMOSトランジスタ55を介して基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3に接続されている。

反相内部节点 /D1、/D2、/D3分别作为“差动放大电路的一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 54与数据线连接，正相内部节点 D1、D2、D3分别作为“差动放大电路的另一个差动输入端”，经由 PMOS晶体管 55与基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3连接。 - 中国語 特許翻訳例文集

比較例2では、リセット信号読み出し動作時のソースホロア回路の出力信号を信号制御用コンパレータ部113である閾値電圧と比較し、リセット信号がある閾値電圧を越えた場合は、リセットレベルの信号と画素信号との差分処理（CDS）後の画素信号を、ある信号におきかえる制御を行う。

在比较例 2中，将复位信号读取动作时的源跟随电路的输出信号和信号控制用比较器部 113的阈值电压进行比较，在复位信号超过某个阈值电压的情况下，进行将复位电平的信号和像素信号之间的差分处理 (CDS)后的像素信号置换为某个信号的控制。 - 中国語 特許翻訳例文集

制御部40Aは、第2撮像モードのときに、受光部10AにおけるM行のうち信号読出部20に最も近い行から順に数えてM1行の範囲を上記特定範囲として、この特定範囲の各画素部Pm,nのフォトダイオードPDで発生した電荷の量に応じた電圧値を信号読出部20から出力させるのが好ましい。

控制部 40A在第 2摄像模式时，优选为从受光部 10A中的M行内最接近信号读出部 20的行开始依次数起，将M1行的范围作为上述特定范围，使信号读出部 20输出对应于电荷的量的电压值，所述电荷的量为在该特定范围的各像素部 Pm，n的光电二极管 PD中所产生的电荷的量。 - 中国語 特許翻訳例文集