「電圧」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

在图 4B中讨论的乘法电路的实现取决于相对于 Xn如何设置偏压 Vb。

図4Bに示す乗算回路の実装は、どのようなバイアス電圧VbがXnに対して設定されるかに依存する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在一个实施例中，取决于信号Xn的电压，比较器 416选择复用器 411和 412的适当控制信号。

また、一実施形態では、比較器416は、信号Xnの電圧に応じてマルチプレクサ411、412の適切な制御信号を選択する。 - 中国語 特許翻訳例文集

相位 -频率检测器 208的输出被 RC网络滤波，以产生被输入到斜坡产生器 203和 204的控制电压 Vctrl。

位相周波数比較器208の出力は、RCネットワークによりフィルタされ、ランプ発生器203、204に入力される制御電圧Vctrlとなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在这样的实施例中，混沌信号产生器 410的最后输出包括预定电压 Vx。

このような実施形態において、カオス信号生成器410の最終的な出力は、所定電圧Vxを含む。 - 中国語 特許翻訳例文集

在该状态下，由于 MOS晶体管 25处于 ON状态，因此，箝位电容器的端子中的另一个与电源电压 VGR连接。

このときMOSトランジスタ25が導通しているので、クランプ容量の他方の端子は電源電圧VGRに接続された状態となる。 - 中国語 特許翻訳例文集

这导致通过 MOS晶体管 7引起的电压降对于从输出端子 BOUT输出的信号的影响减小。

したがって、出力端子BOUTから出力される信号からは、MOSトランジスタ7で生じる電圧降下の影響が低減されることになる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在半导体层 21中，当未照射光时，在施加偏置电压的状态下，仅几 pA/mm2或更小的电流流动。

半導体層21には、バイアス電圧が印加された状態で光が未照射の場合、数pA／mm2以下の電流しか流れない。 - 中国語 特許翻訳例文集

该情况下，通过设定在模糊抑制门 94的施加的电压，能够调节该预定的值。

この場合、この所定の値は、ブルーミング防止ゲート94に印加する電圧の設定によって調節することが可能である。 - 中国語 特許翻訳例文集

供应电压控制电路 13利用地址信号 ADR作为输入，其驱动由垂直扫描电路 12选定和扫描的行，并且通过基于从时序发生器电路 15供应的时序信号 PTRG1、PTRG2、PTRG3选定电压，向单元像素 20中的转移晶体管 22的栅电极供应从电压供应电路 14供应的多个第一控制电压中的一个电压，所述多个第一控制电压例如为四个电压 Vtrg1、Vtrg2、Vtrg3和Vtrg4(Vtrg1＞ Vtrg2＞ Vtrg3＞ Vtrg4)。

供給電圧制御回路13は、垂直走査回路12で選択走査された行を駆動するアドレス信号ADRを入力とし、電圧供給回路14から供給される複数の第1制御電圧、例えば4つの電圧Vtrg1，Vtrg2，Vtrg3，Vtrg4（Vtrg1＞Vtrg2＞Vtrg3＞Vtrg4）のうちの1つを、タイミング発生回路15から供給されるタイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3を基に選択して単位画素20内の転送トランジスタ22のゲート電極に供給する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 t19到时段 t22期间，在将电压 Vtrg3供应到转移晶体管 22的控制电极的情况下，与上面相同的操作被重复执行。

期間t19から期間t22では、転送トランジスタ22の制御電極への供給電圧をVtrg3として同様の動作を繰り返して実行する。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 6是示出了当在具有弱的入射光的阶段供应电压 Vtrg时的电势变化的电势图。

図6は、入射光が弱い場合に、電圧Vtrgが段階的に供給された場合のポテンシャル変化例を示すポテンシャル図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 11中，示出了被供应到转移晶体管 22的控制电极的供应电压的时序的另一个实例。

図11に、転送トランジスタ22の制御電極へ供給する電圧の供給タイミングについての別の例を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 12中，示出了将被供应到转移晶体管 22的控制电极的供应电极的时序的另一个实例。

図12に、転送トランジスタ22の制御電極へ供給する電圧の供給タイミングについてのさらに別の例を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

接着，在 3/4的定时供应电压 Vtrg3，并且读出信号电平，最后，在完全转移中，读出信号电平。

次に、3／4のタイミングで電圧Vtrg3を供給し、信号レベルを読み出し、最後に完全転送で信号レベルを読み出している。 - 中国語 特許翻訳例文集

当入射光的量较小时，光电二极管 21的电压高至虚线所示，并且没有发生到 FD区26的转移。

入射光量が少ないとき、破線で示したようにフォトダイオード21の電圧は高くなっており、FD部26への転送は発生しない。 - 中国語 特許翻訳例文集

在此状态中，通过向转移晶体管 22的控制电极施加中间电压 Vfg1，电荷 Qi1的一部分被转移到 FD区 26。

この状態において、転送トランジスタ22の制御電極に中間電圧Vfg1を印加することで、電荷Qi1の一部がFD部26へ転送される。 - 中国語 特許翻訳例文集

传送的信号电荷在浮置扩散 22处被转换为电压信号，并输出到放大晶体管 Tr3的栅极。

FD22は転送された信号電荷を電圧信号に変換して増幅トランジスタTr3のゲートに出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

从浮置扩散 22输出的电压信号通过放大晶体管 TR3放大，并输出到列信号线 VSL。

FD22から出力される電圧信号は増幅トランジスタTr3により増幅され、列信号線VSLに出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在第一实施例中，电压发生器 201的电路配置不限于图 2所示的电路配置，并且它可以为任何其它的类型。

更に、本実施形態において、図2の電圧生成部201の回路構成はこれに限られるものではなく別の回路形式であってもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

参照图 1，显示面板 100中显示的箭头方向表示将栅极导通电压施加到多条栅极线的顺序。

図1を参照すると、表示パネル100に点線で示した矢印方向は、ゲート線にゲートオン電圧が印加される順序を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

栅极控制信号 CONT1还可包括用于定义栅极导通电压 Von的持续时间的输出使能信号 OE。

また、ゲート制御信号CONT1は、ゲートオン電圧Vonの持続時間を限定する出力イネーブル信号を更に含む。 - 中国語 特許翻訳例文集

液晶分子的布置根据像素电压的幅度而变化，从而通过液晶面板组件 300的液晶层的光的偏振改变。

液晶分子は画素電圧の大きさによりその配列を異にし、これにより、液晶層を通過する光の偏光が変化する。 - 中国語 特許翻訳例文集

传输信号产生器 512根据节点 Q的电压以及时钟信号 CKV和 CKVB输出传输信号 CR。

伝達信号生成部512は、Q接点での電圧及びクロック信号CKV、CKVBに基づいて伝達信号CRを出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

通过数字模拟 (DA)转换器 (未示出 )确定的低电压 VDAC 415被施加到比较器 412的非反相输入端子。

コンパレータの非反転入力端子には、不図示のデジタル・アナログ（DA）変換器で設定された低電圧VDAC415と比較される。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，测量信号 MS被配置为直流电压信号、电流信号或频率信号。

例えば、測定信号MSは、直流電圧信号、又は電流信号、又は周波数信号として構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

然后，选择脉冲 SEL被禁止 (inactivate)(例如，-1V的负电压 )，以关断选择晶体管 25。

しかる後、選択パルスSELを非アクティブ（負電圧、例えば−1V）にし、選択トランジスタ25をオフさせる。 - 中国語 特許翻訳例文集

对 VCO1540的控制电压的调整结果朝着最小化相位误差的方向调整了 VCO1540的频率。

VCO1540への制御電圧の得られた調節は、位相誤差を最小限に抑える方向にVCO1540の周波数を調節する。 - 中国語 特許翻訳例文集

读出晶体管 21通过与栅极端子连接的读出线 READ的电压来进行导通 /截止控制。

読み出しトランジスタ21は、ゲート端子に接続される読み出し線READの電圧によりオン・オフ制御される。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 7是说明 2列 2位传输时的数据线和 3个基准电压线的电位变化的波形图。

【図7】図7は、2列2ビット転送時のデータ線および3つの基準電圧線での電位変化を説明する波形図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 16是说明 1位传输时的数据线和基准电压线的电位变化的波形图。

【図16】図16は、1ビット転送時のデータ線および基準電圧線の電位変化を説明する波形図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

当使用各数据传输电路的传输位数 n时，该多个基准电压线 11的数量为 2n-1条或 2n-2条。

この複数の基準電圧線11の本数は、各データ転送回路の転送ビット数nを用いると、2n−1本または2n−2本である。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，图 7是说明 2列 2位传输时的数据线和 3个基准电压线的电位变化的波形图。

なお、図7は、2列2ビット転送時のデータ線および3つの基準電圧線での電位変化を説明する波形図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 8(5)表示连接有数据线 10和基准电压线 Vref1的差动放大电路 45a的内部节点 (D1、/D1)的电位变化。

図8（5）は、データ線10と基準電圧線Vref1とが接続される差動増幅回路45aの内部ノード（D1，／D1）の電位変化を示している。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 8(6)表示连接有数据线 10和基准电压线 Vref2的差动放大电路 45b的内部节点 (D2、/D2)的电位变化。

図8（6）は、データ線10と基準電圧線Vref2とが接続される差動増幅回路45bの内部ノード（D2，／D2）の電位変化を示している。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 8(7)表示连接有数据线 10和基准电压线 Vref3的差动放大电路 45c的内部节点 (D3、/D3)的电位变化。

図8（6）は、データ線10と基準電圧線Vref3とが接続される差動増幅回路45cの内部ノード（D3，／D3）の電位変化を示している。 - 中国語 特許翻訳例文集

基准电压线Vref侧的 NMOS晶体管 30的栅极端子被输入来自列选择电路 5a的列选择信号。

基準電圧線Vref側のNMOSトランジスタ30ゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 16是说明 1位传输时的数据线和基准电压线的电位变化的波形图。

図16は、1ビット転送時のデータ線および基準電圧線の電位変化を説明する波形図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 17(4)中，表示出传输位“1”时数据线 10的变化特性 i与基准电压线 Vref的变化特性 j。

図17（4）では、ビット“1”を転送するときのデータ線10の変化特性iと基準電圧線Vrefの変化特性jとが示されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 18(4)中，表示出传输位“0”时数据线 10的变化特性 h与基准电压线 Vref的变化特性 j。

図18（4）では、ビット“0”を転送するときのデータ線10の変化特性hと基準電圧線Vrefの変化特性jとが示されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，图 23是说明 2列 2位传输时的数据线和 3个基准电压线的电位变化的波形图。

なお、図23は、2列2ビット転送時のデータ線および3つの基準電圧線での電位変化を説明する波形図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

在预充电期间内，差动放大电路 45a、45b、45c从数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3断开。

プリチャージ期間では、差動増幅回路45a，45b，45cは、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3から切り離されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 23(4)中，实线表示数据线 10的电位变化，虚线表示基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3的电位变化。

図23（4）において、実線はデータ線10の電位変化を示し、破線は基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の電位変化を示している。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 24(5)表示连接有数据线 10和基准电压线 Vref1的差动放大电路 45a的内部节点 (D1、/D1)的电位变化。

図24（5）は、データ線10と基準電圧線Vref1とが接続される差動増幅回路45aの内部ノード（D1，／D1）の電位変化を示している。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 24(6)表示连接有数据线 10和基准电压线 Vref2的差动放大电路 45b的内部节点 (D2、/D2)的电位变化。

図24（6）は、データ線10と基準電圧線Vref2とが接続される差動増幅回路45bの内部ノード（D2，／D2）の電位変化を示している。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 24(7)表示连接有数据线 10和基准电压线 Vref3的差动放大电路 45c的内部节点 (D3、/D3)的电位变化。

図24（6）は、データ線10と基準電圧線Vref3とが接続される差動増幅回路45cの内部ノード（D3，／D3）の電位変化を示している。 - 中国語 特許翻訳例文集

各首次转印辊 61Bk～ 61M上被施加转印用电压，调色剂像被转印到中间转印带 62上。

各1次転写ローラ61Bk〜61Mには、転写用電圧が印加され、トナー像は中間転写ベルト62に転写される。 - 中国語 特許翻訳例文集

开关 SW1是自动调零开关，在自动调零期间，使开关 SW1导通，在该导通期间，取得比较器的基准电压。

スイッチSW1は、オートゼロスイッチであり、オートゼロ期間にスイッチSW1をONさせ、そのON期間に比較器の基準電圧を取得する。 - 中国語 特許翻訳例文集

接着，在时刻 t3时，使参照电压 VREF复位而返回“H”电平，并结束自动调零期间(1)。

続いて、時刻t3の際、参照電圧VREFをリセットさせて”H”レベルに戻し、オートゼロ期間（1）を終了させる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在本例中，根据该复位全部计数数来使参照电压 VREF复位计数时间 (计数数 )具有冗余性 (冗余范围 )。

本例では、このリセットフルカウント数より更に、参照電圧VREFリセットカウント時間（カウント数）に、冗長性を持たせておく。 - 中国語 特許翻訳例文集

在取得复位电压时 (时刻 t3～ t7的期间 )，控制垂直信号线 VSL的电位，以便该复位信号不会降低。

このリセット信号が下降しない様に、リセット電圧取得時（時刻t3〜t7の期間）に垂直信号線VSLの電位を制御する。 - 中国語 特許翻訳例文集