「在」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

第二图像处理算法 26b用于在来自相机 20a、相机 20b的图像和周围环境 16之间进行区分。

第2の画像プロセシングアルゴリズム26bは、カメラ20a、カメラ20b、及び周囲環境16からの画像の弁別を与える。 - 中国語 特許翻訳例文集

如在该典型的范例中所示的，图 6A示例了产生烟雾并具有 0.34的火焰质量比的火焰。

代表例に示されるように、図6Aは、煙を発生して火炎品質比0．34を有する火炎を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

深位于火炬尖端内部的火焰 56随着时间的消逝能够损坏该尖端的结构完整性。

フレアチップ内部に深く定在する火炎56は、当該チップの構造的完全性に経時的に損傷を与える。 - 中国語 特許翻訳例文集

当烟尘形成在火焰 56中时，火焰 56通常变暗，这通常能够被人眼所观察到。

すすが火炎56内に形成されると通常、火炎56の暗色化が起こる。 これは肉眼で見ることができるのが典型的である。 - 中国語 特許翻訳例文集

在一些情况下，此同样的烟雾 62可以由被侧风流从火焰的主体所吹走的燃料气体产生。

いくつかの場合、かかる煙62は、横風問題により火炎本体から吹き飛ばされる燃料ガスによって発生し得る。 - 中国語 特許翻訳例文集

火炬尖端安装在空中约 200英尺至约 400英尺 (约 60米至约 120米 )是常见的。

フレアチップが、空中約60メートルから約120メートル（約200フィートから約400フィート）に取り付けられることは珍しいことではない。 - 中国語 特許翻訳例文集

在一些情况下，风越大，用于保持火焰正确地形成并且没有烟雾所需的化学配比越大。

いくつかの場合、風が強くなればなるほど、火炎を適切に形成させて煙をなくすべく化学量論的要求は強くなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

与火炬尖端关联的常见的问题是当尖端处于休眠状态时在尖端内的燃烧。

フレアチップに関するよくある問題は、当該チップが休止状態にある際の当該チップ内部での燃焼である。 - 中国語 特許翻訳例文集

在许多情况下，经过许多不同的过程的阀易于泄漏，使得少量的极低压燃气流向火炬尖端。

多くの場合、多くの異なるプロセスからのバルブはリークしがちであり、少量の極低圧ガスがフレアチップまで進み得る。 - 中国語 特許翻訳例文集

如果单个燃烧器 48未在其排列阶段点燃，剩余的燃烧器 48会花掉若干分钟来点燃。

1つのバーナ48が整列ステージでの点火に失敗すると、残りのバーナ48は点火に数分かかり得る。 - 中国語 特許翻訳例文集

如下面所说明的，用于切换各个 TFT开关 4的控制信号在扫描线 101中流动。

なお、後述するように、走査配線101には、各TFTスイッチ4をスイッチングするための制御信号が流れる。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，通过使控制信号在各条扫描线 101中流动，切换各个 TFT开关 4。

このように制御信号が各走査配線101に流れることによって、各TFTスイッチ4がスイッチングされる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在信号检测电路 105中，由放大器电路放大通过各条信号线 3输入的电信号。

信号検出回路105では、各信号配線3より入力される電気信号を増幅回路により増幅している。 - 中国語 特許翻訳例文集

形成有源极 9和漏极 13的布线层还具有形成在其中的信号线 3。

このソース電極9及びドレイン電極13が形成された配線層には、ソース電極9、ドレイン電極13とともに、信号配線3が形成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

已经通过闪烁物被转换成可见光的光照射到在基板 1上以阵列设置的传感器部 103的半导体层 21上。

シンチレータで可視光に変換された光は、基板1上にアレイ状に配置されたセンサ部103の半導体層21に照射される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在各像素 20B中，下部电极 11连接到 TFT开关 4的漏极 13和放射线检测线 120。

また、下部電極11は、画素20Bでは、TFTスイッチ4のドレイン電極13及び放射線検出用配線120と接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

信号检测电路 105将在各条信号线 3中流动的电信号转换成数字数据。

信号検出回路105は、各信号配線3に流れる電気信号をデジタルデータへ変換する。 - 中国語 特許翻訳例文集

X射线检测电路 130用放大电路对在放射线检测线 120中流动的电信号进行放大。

X線検出回路130は、放射線検出用配線120を流れる電気信号を増幅回路により増幅している。 - 中国語 特許翻訳例文集

从而，在各个像素 20中累积的电荷每次一条线依次，通过各条信号线3流出作为电信号。

これにより、1ラインずつ順に各画素20に蓄積された電荷が電気信号として各信号配線3に流れ出す。 - 中国語 特許翻訳例文集

在这种情况下，直接转换方法中的传感器部由于用放射线的照射而生成电荷。

この場合、直接変換方式におけるセンサ部は、放射線が照射されることにより電荷を発生する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在将信号电荷于所有的传输段中后，将该信号电荷用垂直 CCD403从最初的信号电荷依次读出。

全ての転送段に信号電荷が蓄積された後で、初めの信号電荷から垂直CCD403で順次読み出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在将这些信号电荷积蓄于水平 CCD503具有的所有的 5个传输段中后，将该信号电荷同时向各个垂直 CCD504传输。

水平CCD503における5つの転送段全てに信号電荷が蓄積された後で、これらの信号電荷は、一斉に各垂直CCD504に転送される。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，通过从垂直 CCD504中传输各个信号电荷至在图中的下侧图示的范围外，读出该信号电荷。

なお、各信号電荷は、垂直CCD504中で図中の下側において図示された範囲外まで転送されることにより、読み出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

本发明由于具有如上所述的结构，所以在进行高速摄像时，能够以高 S/N得到图像信号

本発明は以上のように構成されているので、高速度撮像を行なう際に、高いS／N比で画像信号を得ることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 3为将在本发明的实施形态的摄像器件中使用的 CCD存储器假设为四相驱动CCD的场合的结构的一例；

【図3】本発明の実施の形態となる撮像素子において用いられるCCDメモリを4相駆動とした場合の構成の一例である。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 4为用于显示在四条线间采用了双扭绞二线电极结构的场合的结构的一例的附图；

【図4】4本のライン間においてダブルツイストペア電極構造が用いられた場合の構成の一例を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 5为在三相驱动 CCD的场合采用了双扭绞二线电极结构的场合的结构的一例；

【図5】3相駆動のCCDの場合にダブルツイストペア電極構造を用いた場合の構成の一例である。 - 中国語 特許翻訳例文集

在每像素中都设置有一个光电转换部以及 K个 (K＞ 1)图像信号记录元件。

各画素においては、1個の光電変換部と、K（K＞1）個の画像信号記録要素が設けられている。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，该摄像器件 10能够在图像信号记录元件存储 38帧份的图像信号。

従って、この撮像素子10においては、38コマ分の画像信号を画像信号記録要素に記憶することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，一旦在该状态下实行 CCD存储器的下一个的传输动作， 就使最终传输段 32处于复位状态。

従って、この状態でこのCCDメモリにおける次の転送動作を行うと、入力転送段31がリセットされた状態となる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在各个垂直 CCD50的终点，均连接有水平 CCD60，将向各个垂直 CCD50传输了的信号电荷传输至该水平 CCD61。

各垂直CCD50の終点には、水平CCD60が接続されており、転送された信号電荷はこの水平CCD60まで転送される。 - 中国語 特許翻訳例文集

即，该摄像器件 10，在读出来自各个像素的信号电荷以后，作通常的行间 CCD的工作。

すなわち、この撮像素子10は、各画素からの信号電荷の読み出し以降においては、通常のインターラインCCDとして動作する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在这些电极下部的信道部分中，不需要设置象两相驱动 CCD的情况下那样的杂质分布。

これらの電極下部におけるチャンネル部分においては、2相駆動の場合のような不純物分布を設ける必要はない。 - 中国語 特許翻訳例文集

该情况下，通过设定在模糊抑制门 94的施加的电压，能够调节该预定的值。

この場合、この所定の値は、ブルーミング防止ゲート94に印加する電圧の設定によって調節することが可能である。 - 中国語 特許翻訳例文集

该种情况下，在用 CCD存储器 80传输该信号电荷时，也能够抑制模糊的发生。

この場合、CCDメモリ80でこの信号電荷が転送される際にも、ブルーミングが発生することが抑制される。 - 中国語 特許翻訳例文集

据此，在最终积蓄段 82中积蓄了的信号电荷会被传输至输入传输段 81。

これによって、最終転送段82に蓄積されていた信号電荷は、入力転送段81に転送される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在放射线计量中，有时需要使放射线发生，并测定 (摄像 )其空间分布。

放射線計測においては、放射線を発生させ、その空間分布を測定（撮像）することが必要となる場合がある。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 18是示出了在完全转移时段和电子快门时段中的电势关系和具体的时序关系的时序图；

【図18】完全転送期間および電子シャッタ期間における電位関係および詳細なタイミング関係を示すタイミングチャートである。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 19是示出了在中间转移时段中的电势关系和具体的时序关系的时序图；

【図19】中間転送期間における電位関係および詳細なタイミング関係を示すタイミングチャートである。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 22是示出了在中间转移中入射光强度和信号电荷之间的对应关系的图线；

【図22】中間転送における入射光強度と信号電荷との対応関係を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 42是示出了在非专利文件 1中记载的相关技术中的入射光强度和输出电子的数量之间的关系的图线。

【図42】非特許文献1記載の従来技術での入射光強度と出力電子数の関係を示す図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 t23的曝光之后，在时段 t24通过使得复位脉冲 RST为“H”电平，再次执行复位操作，并且通过使得选择脉冲 SEL为“H”电平，读出复位电平，接着，在时段 t25，通过使得转移脉冲 TRG为“H”电平，转移晶体管 22被完全导通并且执行到 FD区 26的完全转移，然后，在时段 t26，通过使得选择脉冲 SEL为“H”电平，读出信号电平。

そして、期間t23での露光後、期間t24でリセットパルスRSTが“H”レベルになることによって再びリセット動作を行い、選択パルスSELが“H”レベルになることによってリセットレベルを読み出し、次いで期間t25では転送パルスTRGが“H”レベルになることによって転送トランジスタ22を完全にオン状態にしてFD部26へ完全転送を実行し、期間t26で選択パルスSELが“H”レベルになることによって信号レベルを読み出す。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 6是示出了当在具有弱的入射光的阶段供应电压 Vtrg时的电势变化的电势图。

図6は、入射光が弱い場合に、電圧Vtrgが段階的に供給された場合のポテンシャル変化例を示すポテンシャル図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

注意，在图 6和 7中的各个操作时段 t10到 t26对应于图 4B的时序图中的各个操作时段 t10到 t26。

なお、図6および図7における各動作期間t10〜t26と、図4（A）のタイミングチャートにおける各動作期間t10〜t26とはそれぞれ対応している。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 9所示，当入射光的量固定时，在光电二极管 21中存储的电子的数量与曝光时间成比例地增加。

図9に示すように、フォトダイオード21の蓄積電子数は入射光量が一定の場合、露光時間に比例して増加する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 11中，示出了被供应到转移晶体管 22的控制电极的供应电压的时序的另一个实例。

図11に、転送トランジスタ22の制御電極へ供給する電圧の供給タイミングについての別の例を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 12中，示出了将被供应到转移晶体管 22的控制电极的供应电极的时序的另一个实例。

図12に、転送トランジスタ22の制御電極へ供給する電圧の供給タイミングについてのさらに別の例を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 t0，通过使得复位脉冲 RST为“H”电平并且使得复位晶体管 23处于导通状态，复位 FD区 26。

期間t0でリセットパルスRSTが“H”レベルになり、リセットトランジスタ23がオン状態になることによってFD部26をリセットする。 - 中国語 特許翻訳例文集

操作实例 4也是在 CMOS图像传感器具有包括三个晶体管的像素电路的像素的情况下的实例。

この動作例4も、3トランジスタ構成の画素回路の単位画素を持つCMOSイメージセンサの場合の動作例である。 - 中国語 特許翻訳例文集

在此状态中，通过向转移晶体管 22的控制电极施加中间电压 Vfg1，电荷 Qi1的一部分被转移到 FD区 26。

この状態において、転送トランジスタ22の制御電極に中間電圧Vfg1を印加することで、電荷Qi1の一部がFD部26へ転送される。 - 中国語 特許翻訳例文集