「導」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

以老带新，培养技术力。

ベテランが新人を導くというやり方で，技術者を養成していく． - 白水社 中国語辞典

党引导我们工人走上了革命的道路。

党は我々労働者を導いて革命の道を歩ませた． - 白水社 中国語辞典

不应该放松对他们的政治引导。

彼らに対する政治的指導をなおざりにしてはいけない． - 白水社 中国語辞典

引进的技术必须适合我们的需要。

導入する技術は我々の必要に合わねばならない． - 白水社 中国語辞典

这种引进是我们坚决反对的。

このような導入には我々は断固として反対するものである． - 白水社 中国語辞典

教师要诱导学生努力学习。

教師は学生が一生懸命勉強するように導かなければならない． - 白水社 中国語辞典

只要进行耐心的诱导，他就有可能转变。

辛抱強い導きを推し進めさえすれば，彼は変わる可能性がある． - 白水社 中国語辞典

不搞诱供、逼供、制造假材料。

誘導・拷問による自白の強要や証拠の偽造をしない． - 白水社 中国語辞典

妥当地处理新闻自由与舆论导向的关系。

報道の自由と世論の導きとの関係を適切に処理する． - 白水社 中国語辞典

信访部门把他的信摘报领导。

投書・苦情受付部門は彼の投書を指導者に要約報告した． - 白水社 中国語辞典

在这个问题上，厂领导中是有争议的。

この問題では，工場の指導者の間に意見の不一致がある． - 白水社 中国語辞典

他们的单位直属文化部领导。

彼らの勤め先は文化省に直属して指導されている． - 白水社 中国語辞典

只有在党的领导下，我们才能取得胜利。

党の指導の下でこそ，我々は勝利を手に入れることができる． - 白水社 中国語辞典

我没有工作经验，您多指拨吧！

私には仕事の経験がないので，いろいろご指導ください！ - 白水社 中国語辞典

当前的工作重点，领导已经指明了。

目前の仕事の重点を，指導者は既にはっきりと指摘した． - 白水社 中国語辞典

汇报完了，请首长指示。

（上級の指導者に対し）報告を終わります，ご指示をお願いします． - 白水社 中国語辞典

共产党要领导群众治穷。

共産党は大衆を指導して貧困をなくさねばならない． - 白水社 中国語辞典

由于领导作风不正，助长了歪风邪气。

トップ指導陣の腐敗現象で，社会の風潮も悪化し始めた． - 白水社 中国語辞典

你当了领导，要为群众的利益着想着想。

指導者になったら，大衆の利益を考えなくてはならない． - 白水社 中国語辞典

领导干部应善于擢用人才。

指導的な幹部は人材の抜擢採用に長じていなければならない． - 白水社 中国語辞典

领导上对这位专家的意见是十分尊重的。

指導部ではこの専門家の意見を十分尊重している． - 白水社 中国語辞典

波导 211-216可以是光纤、脊形波导或者光子晶体波导，其在下面参照图 11-15更详细地加以描述。

導波路211−216は、光ファイバまたはリッジ導波路またはフォトニック結晶導波路とすることができるが、これらについては、図11−図15を参照してより詳細に後述する。 - 中国語 特許翻訳例文集

波导 711-715可以是光纤、脊形波导或者光子晶体波导，其在下面参照图 11-15更详细地加以描述。

導波路711−715を、図11−図15を参照してより詳細に後述する光ファイバ、リッジ導波路、または、フォトニック結晶導波路とすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在特定系统实施例中，图 2中所示的波导 211-216和图 7中所示的波导 711-715可以是脊形波导，并且诸如谐振器 221之类的谐振器可以是微环谐振器。

いくつかのシステムの実施形態では、図2に示す導波路211−216及び図7に示す導波路711−715をリッジ導波路とすることができ、共振器221などの共振器をマイクロリング共振器とすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在其他系统实施例中，图 2中所示的波导 211-216以及图 7中所示的波导711-715可以是光子晶体波导，并且诸如谐振器 221之类的谐振器可以是谐振腔。

他のシステムの実施形態では、図2に示す導波路211−216、及び図7に示す導波路711−715をフォトニック結晶導波路とすることができ、共振器221などの共振器を共振空胴とすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

结果，谐振腔 1404位于波导 1402的短距离之内，以便允许波导 1402载送的特定波长的 EMR渐逝地从波导 1402耦合到谐振腔 1404中。

その結果、共振空胴1404は、導波路1402から短い距離内に配置されて、導波路1402によって運ばれるEMRの所定の波長を、導波路1402から共振空胴1404へとエバネッセント結合（または一時的に結合）できるようにする。 - 中国語 特許翻訳例文集

然而，所有剩余的半导体芯片 (在图中，半导体芯片 203A和203B_2)没有准备注入锁定。

また、複数ある受信側の半導体チップ203は、その中の1つのみ（図では半導体チップ203B_1）が注入同期に対応した構成を持っているが、残りの全て（図では半導体チップ203A，203B_2）は、注入同期に対応していない。 - 中国語 特許翻訳例文集

专利文献 1公开了次级光波导层 (secondary optical waveguide layer)、具有从一种到另一种进行切换的多种振荡模式的半导体激光器，以及光程切换结构 (其中，切换从半导体激光器发射的光束的光程 )。

特許文献1では、二次元光導波路層と、発振モードを切り替えられる半導体レーザと、半導体レーザからの出射光の光路を切り替える光路交換構造体を有する。 - 中国語 特許翻訳例文集

排列光程切换结构以便根据半导体激光器的振荡模式的改变而在光波导层中改变辐射角，并且在光波导层中传输发射光。

光路交換構造体は、半導体レーザの発振モードの切り替えに応じて、光導波路層における放射角を変化させ、出射光が光導波路層を伝播するように配置される。 - 中国語 特許翻訳例文集

脸部关联部 174对特征量导出部 176导出的特征量和从特征量存储部 134读出的多个脸部信息的多个特征量的各个特征量，导出类似度。

顔関連付部174は、特徴量導出部176が導出した特徴量と、特徴量記憶部134から読み出した複数の顔情報の複数の特徴量それぞれについて、類似度を導出する。 - 中国語 特許翻訳例文集

存储控制部 178导出存储于特征量存储部 134的特征量中用户选择的脸部信息的特征量和特征量导出部 176导出的特征量之间的类似度。

記憶制御部178は、特徴量記憶部134に記憶された特徴量のうち、ユーザが選択した顔情報における特徴量と、特徴量導出部176が導出した特徴量との類似度を導出する。 - 中国語 特許翻訳例文集

本发明利用波导中的光传播状态 (波导模式 )根据进入波导的光束的入射角变化的性质。

本発明は、導波路に入射する光束の入射角に応じて、導波路内の光伝播状態（導波モード）が異なるという特性を用いて構成されたものである。 - 中国語 特許翻訳例文集

另一方面，如图 3B中所示，从第二方向进入的光束 120被转换为第二波导模式122，通过光学波导被引导，被光阻挡部件 106阻挡，并且未到达光电转换单元 104。

一方、図3（b）に示すように、第2の方向から入射した光束120は第2の導波モード122に変換され光導波路中を導波し、遮光部材106により遮光され、光電変換部104には達しない。 - 中国語 特許翻訳例文集

另一方面，如图10B所示，从第二方向进入的光束120被转换为第二波导模式124，通过光学波导被引导，被光阻挡部件 136阻挡，并且未到达光电转换单元 134。

一方、図10（b）に示すように、第2の方向から入射した光束120は第2の導波モード124に変換され光導波路中を導波し、遮光部材136により遮光され、光電変換部134には達しない。 - 中国語 特許翻訳例文集

更详细地讲，如果在再生装置的插槽 (未图示 )中插入半导体存储卡，则经由半导体存储卡 I/F将再生装置与半导体存储卡电气地连接。

より詳細には、再生装置のスロット（図示せず）に半導体メモリーカードが挿入されると、半導体メモリーカードI/Fを経由して再生装置と半導体メモリーカードが電気的に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

第一实施例的固体摄像装置 31具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。

第1実施の形態に係る固体撮像装置31は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二实施例的固体摄像装置 61具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。

第2実施の形態に係る固体撮像装置61は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。 - 中国語 特許翻訳例文集

第三实施例的固体摄像装置 63具有其中形成有第二导电型 (例如，p型 )半导体阱区域 33的第一导电型 (例如，n型 )半导体基板 72，并具有以图 3所示的像素布局图形布置在 p型半导体阱区域 33中的普通像素 22和漏光修正用像素 24。

第3実施の形態に係る固体撮像装置63は、第1導電型、例えばn型の半導体基板32に第2導電型、例えばp型の半導体ウェル領域33が形成され，このp型半導体ウェル領域33に通常画素22と漏れ込み光補正用画素24が図3の画素配列で配置されて成る。 - 中国語 特許翻訳例文集

描述了一种容纳有多个半导体芯片的多芯片系统中的半导体器件，其中接合焊盘设置在装载到第一半导体芯片的第二半导体芯片的一侧附近，并且半导体芯片的接合焊盘通过引线直接连接。

複数の半導体チップを収納したマルチチップ方式の半導体装置において、第1の半導体チップに搭載される第2の半導体チップの一辺の近傍にボンディングパッドを設け、それらの半導体チップのボンディングパッドを直接ワイヤで接続することが記載されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

当由此形成半导体芯片 103时，通过将输入信号经历并 -串转换以及将结果发送到半导体芯片 203一侧，并将从半导体芯片 203一侧接收到的信号经历串 -并转换，减少了作为毫米波转换对象的信号的数量。

このように半導体チップ103を構成すると、入力信号をパラレルシリアル変換して半導体チップ203側へ伝送し、また半導体チップ203側からの受信信号をシリアルパラレル変換することにより、ミリ波変換対象の信号数が削減される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在本示例中，通过在管状导电材料 144内形成介质波导管 142来配置凸出形状配置 198A(介质传输线 9A)，并且固定地放置凸出形状配置 198A，以便介质波导管 142的中心与传输线耦合部分 108的天线 136一致。

本例では、凸形状構成198A（誘電体伝送路9A）は、誘電体導波管142を筒型の導体144内に形成することで構成されており、伝送路結合部108のアンテナ136に対して誘電体導波管142の中心が一致するように固定的に配置される。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 8所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部 (FD)37、以及溢出沟道机构 40。

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 9所示，在漏光修正用像素 24中形成有形成在 P型半导体阱区域 33表面上的光接收区域 54、由 n型半导体区域形成的存储部 36、由 n型半导体区域形成的浮动扩散部(FD)37、以及溢出沟道机构 40。

漏れ込み光補正用画素24は、図8に示すように、p型半導体ウェル領域33の表面に受光領域54と、n型半導体領域によるメモリ部36と、n型半導体領域によるフローティングディフージョン部（FD）37と、オーバーフロードレイン機構40が形成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在漏光修正用像素 24中，光接收区域 54的 n型半导体区域 34与溢出漏极区域 38连接，从在提供了 n型半导体区域 34与溢出漏极区域 38之间的常导通状态。

一方、漏れ込み光補正用画素24では、受光領域54のn型半導体領域34がオーバーフロードレイン領域38に接続されており、常にn型半導体領域34とオーバーフロードレイン領域38間が導通状態にある。 - 中国語 特許翻訳例文集

在以上述方式配置半导体芯片 103的情况下，输入信号经历并行到串行转换，并且得到的串行信号传输到半导体芯片 203。 同时，来自半导体芯片 203侧的接收信号经历串行到并行转换。

このように半導体チップ103を構成すると、入力信号をパラレルシリアル変換して半導体チップ203側へ伝送し、また半導体チップ203側からの受信信号をシリアルパラレル変換することにより、ミリ波変換対象の信号数が削減される。 - 中国語 特許翻訳例文集

毫米波信号传输路径 9_2从外壳 190B和 290B中的自由空间、在这种自由空间中构造的介电传输路径、波导管和 /或波导形成。 波导包括插槽线和 /或微条线。

ミリ波信号伝送路9_2は、筐体190B，290Bの内部の自由空間、その内部に構築された誘電体伝送路や、導波管および／または導波路から構成され、導波路には、スロットラインおよび／またはマイクロストリップラインが含まれる。 - 中国語 特許翻訳例文集

只有接收侧的多个半导体芯片 203B中的一个 (在图 11中，只有半导体芯片203B_1)具有准备好注入锁定的配置。 然而，所有剩余的半导体芯片 (在图 11中，半导体芯片 203B_2)没有准备好用于注入锁定。

複数ある受信側の半導体チップ203Bは、その中の1つのみ（図では半導体チップ203B_1）が注入同期に対応した構成を持っているが、残りの全て（図では半導体チップ203B_2）は、注入同期に対応していない。 - 中国語 特許翻訳例文集

在接收侧的多个半导体芯片 203中只有一个 (在图中，只有半导体芯片 203_1)具有准备好注入锁定的配置。 然而，所有剩余的半导体芯片 (在图中，半导体芯片 203A和203B_2)没有准备注入锁定。

また、複数ある受信側の半導体チップ203は、その中の1つのみ（図では半導体チップ203B_1）が注入同期に対応した構成を持っているが、残りの全て（図では半導体チップ203A，203B_2）は、注入同期に対応していない。 - 中国語 特許翻訳例文集

如果两个子束之间的相对相移是 180度，那么子束在光学合束器 104处“相消”干涉，使得光不会耦合到输出波导150中，而是辐射到波导回路 102的衬底中，结果是实质上没有光从波导 150输出。

2つのサブビーム間の相対位相シフトが180度の場合には、（2つの）サブビームは、光が出力導波路150に結合せずに導波回路102の基板中に放射していくように光コンバイナ140で「減殺的に」干渉し、実質的に光は導波路150から出力されないことになる。 - 中国語 特許翻訳例文集

如果两个子束之间的相对相移是 0度，那么子束在光学合束器 140处“相长”干涉，使得光耦合到输出波导 150中，并且基本上不会辐射到波导回路 102的衬底中，结果是从波导 150输出最大光强度。

2つのサブビーム間の相対位相シフトが0度の場合には、（2つの）サブビームは、光が出力導波路150に結合して導波回路102の基板中に放射しないように光コンバイナ140で「増長的に」干渉し、最大光強度が導波路150から出力されることになる。 - 中国語 特許翻訳例文集