「晶体管」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

传送晶体管 (下文中简称为传送 Tr)302a至 302c将累积在 PD303a至 PD 303c上的光信号电荷传送到浮动扩散 (下文中简称为 FD)304a至 304c，并且 PD 303a至 PD 303c是光电转换元件。

転送トランジスタ（以下転送Trと呼ぶ）302a〜302c はフォトダイオードに蓄積された光信号電荷をフローティングディフフュージョンに転送し、フォトダオード（以下、PD）303a〜303cは光電変換素子である。 - 中国語 特許翻訳例文集

选择晶体管 (下文中称为选择 Tr)305a至 305c选择特定行以使得像素源极跟随器 (称为像素 SF)306a至 306c能够将 FD电位读出到垂直输出线 204a至 204c上。

選択トランジスタ（以下選択Trと呼ぶ）305a〜305cは、特定行を選択して画素ソースフォロアを作動させてFD電位を垂直出力線に読み出す。 - 中国語 特許翻訳例文集

返回参考图 2，负荷晶体管 Ts1分别连接至垂直信号线 101、垂直信号线 102和垂直信号线 103，以使得漏极连接至垂直信号线 101～ 103，并且栅极和源极接地。

図2に戻って、垂直信号線101〜103に接続されている負荷トランジスタTs1は、ドレインがそれぞれ垂直信号線101〜103に接続され、ゲートおよびソースが接地されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

然后，垂直地址线 241接通选择晶体管 T2以将 FD电容器 C1的复位电压输出至垂直信号线 (信号输出线 )101。

次に、垂直アドレス線241により選択トランジスタT2がオンし、FD容量C1のリセット電圧を垂直信号線（信号出力線）101に出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

如从第一至第三实施例显而易见，与感光像素 110相比较，该配置具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果。

感光画素110と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があるのは、第1から第3の実施形態から明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

如上所述，在第一至第六实施例中，与各感光像素相比较，本发明的各实施例中的各遮光像素具有降低由驱动晶体管 Td1所生成的噪声的效果。

以上より、第1から第6の実施形態において、本発明の実施形態の遮光画素が、感光画素と比べて、駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減する効果があることは、明らかである。 - 中国語 特許翻訳例文集

第二复位晶体管Tr16被配置为所谓的溢出沟道机构(overflow drain mechanism)，其具有用作溢出栅极的复位栅极以及用作溢出漏极的漏极。

この第2リセットトランジスタTr16は、そのリセットゲートをオーバーフローゲートとし、そのドレインをオーバーフロードレインとした、いわゆるオーバーフロードレイン機構として構成される。 - 中国語 特許翻訳例文集

当向第二复位晶体管 Tr16的溢出栅极电极 (OFG)43施加复位脉冲时，像素部 3中的全部像素 22(22R、22G和 22B)进行通过完全排出电荷而实现的全局复位操作。

画素部3内の全ての通常画素22［22R，22G，22B］は、第2リセットトランジスタTr16のゲート電極（OFG）43にリセットパルスを印加することで、完全電荷排出によるグローバルリセット動作が行われる。 - 中国語 特許翻訳例文集

如图 7B所示，在漏光修正用像素 24中，传输晶体管 Tr11被保持为常闭，因而不进行传输操作。

一方、漏れ込み光補正用画素24では、図7Bに示すように、転送トランジスタTr11が常にオフ状態に維持されているので、転送の動作は行われない。 - 中国語 特許翻訳例文集

此后，如第一实施例的前述说明中所述的那样逐个像素行地接通读晶体管 Tr12，使普通像素 22的合并信号电荷 eS1+eM1+eM2被读出到浮动扩散部 (FD)37。

その後、第1実施の形態で説明したと同様に、1画素行毎に読み出しトランジスタTr12がオン状態となり、通常画素22の合算信号電荷（eS1＋eM1＋eM2）がフローティングディフージョン部（FD）37へ読み出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

每一个像素的电子累积时间是复位操作与读出操作之间的时段，并且正好是从复位之后传输晶体管 2的截止到用于读出的截止的时段 T1。

各画素の電子蓄積時間は、上記リセット動作と読み出し動作との間の期間であり、正確には転送トランジスタ2がリセット後オフしてから、読み出しでオフするまでの期間T1である。 - 中国語 特許翻訳例文集

第一装置 210的第一输入 211耦合到第一切换元件的控制端子，例如 p沟道场效晶体管 (p沟道 FET)214的栅极。

第1のデバイス210の第1の入力211は、pチャネル電界トランジスタ（pチャネルFET）214のゲートのような第1のスイッチング要素の制御端子に連結される。 - 中国語 特許翻訳例文集

差分放大器 115被配置为使得从像素 101输出的信号被输入到差分放大器 115的非反相输入端子。 差分放大器 115的输出端子与最大值检测 NMOS晶体管 116的栅极端子连接。

差動アンプ115の非反転入力端子は画素101の出力端子からの信号を受けるように構成されており、その出力端子は最大値検出用NMOSトランジスタ116のゲート端子と接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

差分放大器 118被配置为使得从像素 101输出的信号被输入到差分放大器 118的非反相输入端子。 差分放大器 118的输出端子与最小值检测 PMOS晶体管 119的栅极端子连接。

差動アンプ118の非反転入力端子は画素101の出力端子からの信号を受けるように構成されており、その出力端子は最小値検出用PMOSトランジスタ119のゲート端子と接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

注意，在该操作中，在最大值检测周期 204期间，输出线 141通过流过最大值检测 NMOS晶体管 116的拉电流 (source current)被充电。

この動作で注目すべきなのは、最大値検出期間204では、最大値検出用NMOSトランジスタ116を流れるソース電流によって出力線141が充電される点である。 - 中国語 特許翻訳例文集

另一方面，在最小值检测周期 205期间，输出线 141通过流过最小值检测 PMOS晶体管119的灌电流 (sink current)被放电。

同様に、最小値検出期間205では、最小値検出用PMOSトランジスタ119を流れるシンク電流によって出力線141が放電されることである。 - 中国語 特許翻訳例文集

在下一个水平扫描时间周期中，转换区域 103-1和 103-2的电压被再次复位，在接下来传输晶体管 102-2和 102-4接通时，偶数行内的光信号然后被读取。

次の1水平走査期間では、再び、変換領域103−1、103−2の電圧がリセットされた後、今度は、転送トランジスタ102−2、102−4がオン状態にされて、偶数行の光信号が読み出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

不同的控制信号和 被施加到相应的选择晶体管 41的栅极，并且根据控制信号，从相应的中间保持单元 2选择信号并经由放大电路 42将该信号输出。

各選択トランジスタ41のゲートには、それぞれ別の制御信号φSW1、φSW2、φSW3が供給され、この制御信号に従って任意の中間保持手段2の信号が選択されて増幅回路42を介し出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

图6示出了切换晶体管61，其用于将每一保持单元5连接到公共输出线8，以便将经由节点N61输入的信号输出到公共输出线8中。

図6において、61は、各保持手段5からそれぞれの共通出力線8に接続する切替トランジスタであり、ノードN61を介して入力される信号を共通出力線8に対して出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在积累期间中，在源极跟随器电路中的输入晶体管 23的源极处将光电转换元件 21中转换的电信号放大，并从那里输出。

蓄積時間中は、光電変換素子21で電気信号に変換された信号が、ソースフォロワ回路の入力トランジスタ23のソース電極より増幅されて出力されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

复位晶体管 36使其源极连接到浮动扩散 38，且使其漏极连接到复位电源 Vrd(通常也用作模拟电源 Vdd＝ AVDD)。

リセットトランジスタ36は、ソースがフローティングディフュージョン38に、ドレインがリセット電源Vrd（通常はアナログ用の電源Vdd＝AVDD）と共通にする）にそれぞれ接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，以下的实施例中，作为本发明的显示装置的一例，说明了驱动电路内置型的 TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管 )激活矩阵驱动方式的液晶面板构成的液晶装置。

尚、以下の実施形態では、本発明の表示装置の一例として駆動回路内蔵型のTFT（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス駆動方式の液晶パネルで構成される液晶装置を挙げて説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集

PMOS晶体管PT313和PT314的栅极共同连接至用于在低电平有效的第一控制脉冲信号 CPL的输入端子 TCPL。

そして、PMOSトランジスタPT313およびPT314のゲートがローレベルでアクティブの第1の制御パルス信号CPLの入力端子TCPLに共通に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 5是图示根据本发明的第二实施例的负载晶体管栅极线上的耦合影响的示例的概念性图；

【図5】本発明の第2の実施の形態における負荷トランジスタゲート線612に対するカップリングの影響の一例を示す概念図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

在像素电路 410中，光电转换元件 411使其阳极端子接地，并且使其阴极端子连接到传输晶体管 412的源极端子。

この画素回路410において、光電変換素子411は、そのアノード端子が接地され、カソード端子が転送トランジスタ412のソース端子に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，复位晶体管 413使其栅极端子连接到像素复位线 321和 322，并且使其漏极端子连接到复位电势线 311和 312。

また、リセットトランジスタ413は、そのゲート端子が画素リセット線321および322に接続され、そのドレイン端子がリセット電位線311および312に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，放大晶体管 414使其漏极端子连接到电源电势线 415，并且使其源极端子连接到垂直信号线 (VSL1和 VSL2)501和 502。

また、増幅トランジスタ414は、そのドレイン端子が電源電位線415に接続され、そのソース端子が垂直信号線（VSL1および2）501および502に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在负载电流提供电路 610中，设置晶体管 611使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到参考电流线 601。

この負荷電流供給回路610において、設定トランジスタ611は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が基準電流線601に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

这允许将参考信号和像素信号的电平从像素电路 410的放大晶体管 414输出到垂直信号线 (VSL1和 VSL2)501和 502。

これにより、画素回路410における増幅トランジスタ414から基準信号および画素信号の信号レベルが、垂直信号線（VSL1および2）501および502に出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生电容器 619包括在负载晶体管 614的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和参考电流线 601之间形成的布线间电容器。

寄生容量619は、負荷トランジスタ614のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と基準電流線601との間に形成される配線間容量からなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在接在参考信号读出时段的结束之后的时刻 t3，经由电荷传输线 331将传输脉冲330从行扫描电路 300提供到传输晶体管 412。

基準信号読出し期間終了後、時刻t3では、電荷転送線331を介して、行走査回路300から転送トランジスタ412に転送パルス330が供給される。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，在保持时段中，由信号读出电路 710读出以恒定的放大增益从放大晶体管 414输出的参考信号和像素信号。

このため、保持期間において、増幅トランジスタ414における増幅利得が一定に維持された基準信号および画素信号の2つの信号が、信号読出し回路710によって読み出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

相反，固态成像设备 100基于从维持控制信号线 203提供的维持控制信号，在一行读出时段的保持时段期间使设置晶体管 611截止。

これに対し、この固体撮像装置100では、1行読出し期間における保持期間において、維持制御信号線203からの維持制御信号に基づいて設定トランジスタ611をオフ状態にする。 - 中国語 特許翻訳例文集

这在参考信号和像素信号读出时段期间维持从负载晶体管 614提供的负载电流的幅度恒定。

これにより、基準信号読出し期間および画像信号読出し期間における負荷トランジスタ614からの負荷電流の大きさを一定に維持することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，可以不能充分地抑制从垂直信号线 (VSL1)501的信号电平的改变导致的、对与该垂直信号线 (VSL1)501相关联的负载晶体管栅极线 612的耦合影响。

例えば、垂直信号線（VSL1）501における信号レベルの変動によるカップリングの影響は、その垂直信号線（VSL1）501に対応する負荷トランジスタゲート線612に対して充分に抑制できないことがある。 - 中国語 特許翻訳例文集

除了图 1所示的固态成像设备 100的组件之外，固态成像设备 110包括第二负载电流提供电路620、参考电流产生电路 681、和参考晶体管 691和 692。

固体撮像装置110は、図1に示した固体撮像装置100の構成に加えて、第2負荷電流供給回路620と、基準電流生成回路681と、基準トランジスタ691および692とを備えている。 - 中国語 特許翻訳例文集

在第二负载电流提供电路 620中，第二设置晶体管 621使其栅极端子连接到维持控制信号线 203，并且使其漏极端子连接到第二参考电流线 602。

この第2負荷電流供給回路620において、第2設定トランジスタ621は、そのゲート端子が維持制御信号線203に接続され、そのドレイン端子が第2基準電流線602に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

这允许将参考信号和像素信号的电平从像素电路 410的放大晶体管 414输出到垂直信号线 (VSL1和 VSL2)501和 502。

これにより、画素回路410における増幅トランジスタ414から基準信号および画素信号の信号レベルが垂直信号線（VSL1および2）501および502に出力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 5是图示根据本发明的第二实施例的负载晶体管栅极线 612上的耦合影响的示例的概念性图。

図5は、本発明の第2の実施の形態における負荷トランジスタゲート線612に対するカップリングの影響の一例を示す概念図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

应注意，在第一实施例中，在像素信号读出时段期间，由于第二耦合改变 (ΔV2)，连接到垂直信号线 (VSL1)501的放大晶体管 414的放大增益升高。

なお、本発明の第1の実施の形態では、この第2カップリング変動量（ΔV2）により、画素信号読出し期間において、垂直信号線（VSL1）510に接続された増幅トランジスタ414における増幅利得が上昇してしまう。 - 中国語 特許翻訳例文集

电压设置电路 631基于从定时控制电路 200提供的维持控制信号，将在其漏极侧的参考电流线 601和其源极侧的负载晶体管栅极线 632连接到一起。

この電圧設定回路631は、タイミング制御回路200からの維持制御信号に基づいて、そのドレイン側の基準電流線601とソース側の負荷トランジスタゲート線632との間を接続する。 - 中国語 特許翻訳例文集

如见于图 6右侧的持续点所示，可以提供额外的控制信号和晶体管段来实现对于驱动电路 601的输出特性的调节的更高分辨率。

図6の右側に見られる連続点により示されるように、駆動回路601の出力特性を調節する際にさらなる分解能を実現するために追加の制御信号およびトランジスタ部を設けてもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

仅描绘了两个晶体管级“A”和“B”，但是可以添加第三或额外的级 (例如，“C”级 )； 这种扩展的可能性由两串延续点 717表示。

図7は、2つのトランジスタ段「A」と「B」だけが描写されるという点で図6と異なるが、第3の段または追加の段（例えば段「C」）を追加してもよく、この拡張可能性は2つの一連の連続点717により表される。 - 中国語 特許翻訳例文集

并且，在图 1的水平控制线 L3、L4的地址线是低电平 (low level)时，地址晶体管 3、3′成为截止 (OFF)状态，源极跟随器不动作，所以不输出信号。

そして、図1の水平制御線L3、L4のアドレス線がロウレベルの時、アドレストランジスタ3、3´がオフ状態となりソースフォロワ動作しないため、信号は出力されない。 - 中国語 特許翻訳例文集

在第一示例性实施例中，通过箝位电容器 5从第一共用输出线 2向第一输入晶体管 501的栅极供给信号。

第1の入力トランジスタ501のゲートに第1の共通出力線2からの信号が供給される。 本実施例においてはクランプ容量を介して供給される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在所述采样晶体管 N1被切换为导通状态之前，所述信号线 DTL的电位被切换为所述信号电位 Vsig(图 15A至 15C和图 16A至 16C)。

なお、サンプリングトランジスタN1がオン状態に切り替わる前には、信号線DTLの電位が信号電位Vsigに切り替わっている（図15（A）〜（C），図16（A）〜（C））。 - 中国語 特許翻訳例文集

例如，术语“CMOS”中的短语“金属氧化物半导体”传统上可以表示在氧化物材料上形成金属栅极的场效应晶体管的物理结构，其形成于半导体上。

例えば、「CMOS」に含まれる「金属酸化物半導体」という用語は、従来は、半導体に形成される酸化物材料に金属ゲートが形成された電界効果トランジスタの物理構造のことを示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

调齐传感器 39分别是具有夹着输送路 P而对置的发光部 (LED等 )和受光部 (光电晶体管等 )的光透射型的传感器，沿着主扫描方向排列配置。

整列センサー39は、それぞれ搬送路Pを挟んで対向する発光部（LED等）と受光部（フォトトランジスター等）とを備える光透過型のセンサーであり、主走査方向に並べて配設されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

通过如此构成，可以按照供给节点 N101的电压不超过辅助晶体管 105的栅极电压的方式来限制供给节点 N101的电压。

このように構成することにより、供給ノードN101の電圧が補助トランジスタ105のゲート電圧を超えないように供給ノードN101の電圧を制限できる。 - 中国語 特許翻訳例文集

通过如此构成，可以按照输入节点 N103的电压不超过辅助晶体管 105的栅极电压的方式来限制输入节点 N103的电压，因此能够可靠地防止接收器103的耐压破坏。

このように構成することにより、入力ノードN103の電圧が補助トランジスタ105のゲート電圧を超えないように入力ノードN103の電圧を制限できるので、レシーバ103の耐圧破壊を確実に防止できる。 - 中国語 特許翻訳例文集