「晶体管」に関連した中国語例文の一覧 -中国語例文検索

另外，由于能够对应于信号电压 VP1、VN1的互补变动而使电压缓和晶体管 202p、202n的电导互补地变化，所以可减轻信号电压 VP1、VN1的变动速度的劣化。

また、信号電圧VP1，VN1の相補的な変動に応じて電圧緩和トランジスタ202p，202nのコンダクタンスを相補的に変化させることができるので、信号電圧VP1，VN1の変動速度の劣化を軽減できる。 - 中国語 特許翻訳例文集

通过如此构成，可以按照供给节点 N201p、N201n的电压不超过辅助晶体管 205p、205n的栅极电压的方式来限制供给节点 N201p、N201n的电压。

このように構成することにより、供給ノードN201p，N201nの電圧が補助トランジスタ205p，205nのゲート電圧を超えないように供給ノードN201p，N201nの電圧を制限できる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在数据通信电路 31中，驱动器 201、电压缓和晶体管 202p、202n以及信号节点 NP1、NN1的连接关系与图 5所示的连接关系同样。

データ通信回路31において、ドライバ201，電圧緩和トランジスタ202p，202n，および信号ノードNP1，NN1の接続関係は、図5に示した接続関係と同様である。 - 中国語 特許翻訳例文集

在一个实施例中，被输入到图 6B和图 6C的 PMOS晶体管 M2的信号“空闲”用于绕过斜坡产生器 610和 620。

一実施形態において、図6B及び図6CのPMOSトランジスタM2に入力される信号"アイドル"は、ランプ発生器610、620をバイパスするのに使用される。 - 中国語 特許翻訳例文集

虽然图 6B和图 6C的实施例被示出为基于 CMOS的设计，但是可以使用其他晶体管技术 (例如，ECL、BJT、BiCMOS等 )来实现相同的设计，而不改变本发明的本质。

図6B及び図6Cの実施形態では、CMOSをベースとした設計が示されたが、他のトランジスタ技術（例えば、ECL、BJT、BiCOMS等）を、本発明の本質を変更することなく同じ設計を実装するのに採用してもよい。 - 中国語 特許翻訳例文集

PD 1的阴极与电源电压 VDD连接，PD 1的阳极与复位 MOS晶体管 3的主电极中的一个和运算放大器 2的非反相输入端子连接。

PD1のカソードは電源電圧VDDに接続され、アノードはリセットMOSトランジスタ3の一方の主電極およびオペアンプ2の非反転入力端子に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

差分放大器电路 4的非反相输入端子与单位像素的输出端子连接，并且，差分放大器电路 4的输出端子与用作第一开关的 MOS晶体管 5的主电极中的一个连接。

差動増幅回路4の非反転入力端子は単位画素の出力端子と接続され、その出力端子は、第1のスイッチであるMOSトランジスタ5の一方の主電極に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

差分放大器电路 6的非反相输入端子与单位像素的输出端子连接。 差分放大器电路 6的输出端子经由用作第一开关的MOS晶体管 7与差分放大器电路 6的反相输入端子连接。

差動増幅回路6の非反転入力端子は単位画素の出力端子と接続され、その出力端子は、第1のスイッチであるMOSトランジスタ7を介して自身の反転入力端子に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

因此，在最小值检测单元 BTM的输出端子 BOUT处获得来自所有电路块之中具有输入到 MOS晶体管 66的控制电极的最小信号的电路块的输出。

これにより、最大値検出部BTMの出力端子BOUTからは、MOSトランジスタ66の制御電極に入力される信号が最小となる回路ブロックの出力が得られる。 - 中国語 特許翻訳例文集

时序发生器 (TG)15生成时序信号 PTRG1、PTRG2、PTRG3(参考图 2)，用于确定供应电压控制电路 13向转移晶体管 22的栅电极供应控制电压的定时。

タイミング発生回路（TG）15は、供給電圧制御回路13が転送トランジスタ22のゲート電極に制御電圧を供給する際のタイミングを決めるタイミング信号PTRG1，PTRG2，PTRG3（図2参照）を発生する。 - 中国語 特許翻訳例文集

接着，在时段“t13”，电压 Vtrg1被供应到转移晶体管 22的控制电极，并且根据光电二极管 21中的存储电子的量 (其由入射光强度决定 )，电子被部分地转移到 FD区 26。

次に、期間t13で転送トランジスタ22の制御電極に電圧Vtrg1を供給し、入射光強度によって決まるフォトダイオード21の蓄積電子の量に応じて部分的にFD部26へ転送する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 t4，通过使得复位脉冲 RST为“H”电平并且使得复位晶体管 23处于导通状态 (充当电子快门 )，复位 FD区 26。

期間t4でリセットパルスRSTが“H”レベルになり、リセットトランジスタ23がオン状態になることによってFD部26をリセットし、電子シャッタの動作をする。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 20E是时段 T3、T4中时段 t3的电势图，这时转移晶体管 22在完全转移读出信号之后处于关断状态。

図20（e）は、期間T3，T4における期間t3、即ち信号を読み出すべく完全転送後に転送トランジスタ22をオフ状態にしたときのポテンシャル図である。 - 中国語 特許翻訳例文集

MOS晶体管 221和恒流源 225包含于源跟随器电路中，并且，源跟随器电路的输出端子与反馈开关 227的另一端子连接。

MOSトランジスタ221は定電流源225とともにソースフォロワ回路を構成し、その出力はフィードバックスイッチ227の他方の端子と接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在时段 (8)中，首先，信号 上升到高电平，并且，包含 MOS晶体管 221和恒流源 225的源跟随器的输出与共用输出线 102连接。

期間（8）においては、まず、信号φFBがハイレベルになり、MOSトランジスタ221と定電流源225とで構成されるソースフォロワの出力を共通出力線に接続する。 - 中国語 特許翻訳例文集

术语接收器指的是光电二极管、PIN二极管、光电晶体管或用于接收 IR或可见光信号并将它们转换为电信号的其他光电检测器。

受信機という用語は、IRまたは可視光信号を受信し、それを電気信号に変換するフォトダイオード、Pinダイオード、フォトトランジスタ、または他の光検出器を意味する。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 2示出了除了 IR RX和 LPF 32、光电晶体管 12、IR TX 33和 IR发射器或 LED 13之外具有与 SPDT调光器 6MIR中采用的等同或类似的电路和装置的 SPDT调光器电路 6M-2。

図2は、IRRXおよびLPF32、フォトトランジスタ12、IRTX33およびIR送信機またはLED13を除いて、SPDT調光器6MIRで使用された同一または同様な回路およびデバイスを有するSPDT調光器回路6M−2を示す。 - 中国語 特許翻訳例文集

接着，下面将详细描述后一种方法即当选择晶体管 25被关断时将负电压施加到栅极的实施例。

続いて、後者の手法、即ち選択トランジスタ25をオフするときにゲートに負電圧を与える具体的な実施例について以下に説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集

接着，将参照图 7所示的时序图来描述当应用根据第二实施例的方法时像素 20和负载晶体管 31的操作。

次に、第2実施例に係る手法を適用した場合の画素20および負荷トランジスタ31の動作について、図5のタイミングチャートを用いて説明する。 - 中国語 特許翻訳例文集

复位晶体管 22的漏极端子与电源 (电压 VDD)26连接，源极端子与 FD25连接，栅极端子与复位线 RESET连接。

リセットトランジスタ22は、ドレイン端子が電源（電圧VDD）26に接続され、ソース端子がFD25に接続され、ゲート端子がリセット線RESETに接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

复位晶体管 22通过复位线 RESET的电压进行导通 /截止控制，该导通期间中将 FD25的电压设定为电源 26的电压 VDD。

リセットトランジスタ22は、リセット線RESETの電圧によりオン・オフ制御され、そのオン期間においてFD25の電圧を電源26の電圧VDDに設定する。 - 中国語 特許翻訳例文集

即，放大晶体管 23仅源极端子与浮动状态的垂直信号线 VSL连接，不进行源极跟踪器电路的动作。

つまり、増幅トランジスタ23は、ソース端子がフローティング状態の垂直信号線VSLに接続されているだけであるので、ソースフォロワ回路の動作を行わない。 - 中国語 特許翻訳例文集

基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3侧的 3个 NMOS晶体管 30、33、35的各栅极端子被公共输入来自列选择电路 5a的列选择信号。

基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3側の3つのNMOSトランジスタ30，33，35の各ゲート端子には、列選択回路5aからの列選択信号が共通に入力される。 - 中国語 特許翻訳例文集

各控制信号驱动电路 20为相同构成，包括串联连接于控制信号线 21与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 40、41。

各制御信号駆動回路20は、同じ構成であって、制御信号線21とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ40，41で構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

此时，由于 PMOS晶体管 54、55导通，因此差动放大电路 45a、45b、45c的正相内部节点 D1、D2、D3和反相内部节点 /D1、/D2、/D3连接着数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3中所对应的基准电压线。

このとき、PMOSトランジスタ54，55がオンしているので、差動増幅回路45a，45b，45cの正相内部ノードD1，D2，D3、および逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の対応するものが接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 13中，各数据传输电路 18b构成都相同，包括串联连接于数据线 10与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 25、26。

図13において、各データ転送回路18bは、同じ構成であって、データ線10とグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ25，26で構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

图 14中，各基准电压驱动电路 19b的构成相同，包括串联连接于作为 1条基准电压线 11b的基准电压线 Vref与电路接地端之间的 2个 NMOS晶体管 30、31。

図14において、各基準電圧駆動回路19bは、同じ構成であって、1本の基準電圧線11bである基準電圧線Vrefとグランドとの間に直列接続された2つのNMOSトランジスタ30，31で構成されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

另一方面，在基准电压驱动电路 19b中，在列选择信号被输出且处于高电平的期间内，驱动基准电压线 Vref的 NMOS晶体管 30导通。

一方、基準電圧駆動回路19bでは、列選択信号が出力されて高レベルである期間では、基準電圧線Vrefを駆動するNMOSトランジスタ30がオンする。 - 中国語 特許翻訳例文集

此时，由于PMOS晶体管 54、55导通，因此差动放大电路 45a、45b、45c的正相内部节点 D1、D2、D3和反相内部节点 /D1、/D2、/D3连接着数据线 10、基准电压线 Vref1、Vref2、Vref3中对应的基准电压线。

このとき、PMOSトランジスタ54，55がオンしているので、差動増幅回路45a，45b，45cの正相内部ノードD1，D2，D3、および逆相内部ノード／D1，／D2，／D3は、データ線10、基準電圧線Vref1，Vref2，Vref3の対応するものが接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，复位晶体管 146的栅电极施加有复位脉冲 RST，浮置扩散区 145被复位，从而从浮置扩散区 145中释放多余电荷N0。

また、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から不要電荷N0が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体地，将复位脉冲 RST施加至复位晶体管 146的栅电极，使浮置扩散区145复位，电荷从浮置扩散区 145释放。

具体的には、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から電荷が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体地，在时间t19，复位脉冲RST被施加至复位晶体管146的栅电极，浮置扩散区145被复位，并从浮置扩散区 145中释放信号电荷 S1。

具体的には、時刻t19において、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から信号電荷S1が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

具体地，在时间t22，复位脉冲RST被施加至复位晶体管146的栅电极，浮置扩散区145复位，且从浮置扩散区 145释放信号电荷 S2。

具体的には、時刻t22において、リセットトランジスタ146のゲート電極にリセットパルスRSTが印加され、浮遊拡散領域145がリセットされ、浮遊拡散領域145から信号電荷S2が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

这里，此时，选择脉冲 SEL施加至目标行的单元像素 131的选择晶体管 147栅电极的状态持续到步骤 S55。

なお、このとき、注目行の単位画素131の選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加され、その状態がステップS55まで継続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

另外，此时，选择脉冲 SEL施加至目标行的单元像素 131的选择晶体管 147的栅电极的状态持续到步骤 S62。

また、このとき、注目行の単位画素131の選択トランジスタ147のゲート電極に選択パルスSELが印加され、その状態がステップS62まで継続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

光电二极管 PD进行将光信号变换为电信号的光电变换，其正极连接在接地电压GND上，负极连接在读取晶体管 READTr的电流路径的一端。

フォトダイオードPDは光信号を電気信号に変換する光電変換を行い、そのアノードは接地電源GNDに接続され、カソードは読み出しトランジスタREADTrの電流経路の一端に接続される。 - 中国語 特許翻訳例文集

在读取动作中，首先对单位像素 3的复位晶体管 RSTTr的栅极赋予复位脉冲(RST)，向垂直信号线 L输出复位信号。

読み出し動作は、まず、単位画素3のリセットトランジスタRSTTrのゲートにリセットパルス（RST）を与え、リセット信号を垂直信号線VSLに出力する。 - 中国語 特許翻訳例文集

在将未经调制的或调制过的载波作为互补类型的传输信号从调制器 14输入到传输放大器 15上时，用晶体管 T1和 T2放大此传输信号并提供给天线 16。

送信アンプ15は、変調器14から無変調または変調された搬送波が送信信号として相補型の形態で入力されると、その送信信号は、トランジスタT1，T2により増幅されてアンテナ16に供給される。 - 中国語 特許翻訳例文集

经由通过水平扫描电路319的输出信号318控制的选择晶体管316，将这样读出并存储在 S/H(N)309中的各列的第 m行的 N信号针对每列、顺序地读出到水平输出线 320上。

このようにして読み出されS／H（N）309に記憶された各列のm行目のN信号は、水平走査回路319の出力信号318により制御される選択トランジスタ316を介して、水平出力線320に列ごとに順次読み出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

同样，经由通过水平扫描电路 319的输出信号 318控制的选择晶体管 317，将读出并存储在S/H(S)310中的各列的第 m行的 S信号针对每列、顺序地读出到水平输出线 321上。

全く同様にして、読み出されS／H（S）310に記憶された各列のm行目のS信号は、水平走査回路319の出力信号318により制御される選択トランジスタ317を介して、水平出力線321に列ごとに順次読み出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

由于可以以这种方式将栅极宽度 (沟道宽度 )W3和栅极长度 (沟道长度 )L3设置为大，因此与在感光像素 110中相比，可以更多地降低由第二遮光像素 920中的驱动晶体管Td1所生成的噪声。

このように、ゲート幅（チャネル幅）W3とゲート長（チャネル長）L3を大きくとることができるので、感光画素110に比べて、第2の遮光画素920の駆動トランジスタTd1が発生するノイズを低減することができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

尽管没有具体说明 VOB钳位的噪声灵敏度和数字钳位的噪声灵敏度之间的比较，但可以根据使用方式来设置驱动晶体管 Td1的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L之间的一些差异。

また、VOBクランプとデジタルクランプについては、どちらがノイズに敏感かの比較は特にしないが、使い方に応じて、駆動トランジスタTd1のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lに差を設けてもかまわない。 - 中国語 特許翻訳例文集

尽管没有具体说明 VOB钳位的噪声灵敏度和数字钳位的噪声灵敏度之间的比较，但可以根据使用方式设置驱动晶体管 Td1的栅极宽度 (沟道宽度 )W和栅极长度 (沟道长度 )L之间的一些差异。

また、VOBクランプとデジタルクランプについては、どちらがノイズに敏感かの比較は特にしないが、使い方に応じて、駆動トランジスタTd1のゲート幅（チャネル幅）Wおよびゲート長（チャネル長）Lに差を設けてもかまわない。 - 中国語 特許翻訳例文集

在合成来自相同像素列中的两个像素的信号并且读取合成信号的操作中，可通过同时接通传输晶体管 102-1到 102-4来从第一组像素行中的像素和第二组像素行中的像素同时读取信号。

同一画素列の2つの画素の信号を合成して読み出す動作においては、転送トランジスタ102−1〜104を同時にオン状態にすることによって、第1グループの画素行の画素と第2グループの画素行の画素から信号を同時に読み出すことができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

选择晶体管 41的漏极经由相应的节点 N41连接到相应的中间保持单元2(中间保持单元 2的节点 N32)，并且各自的源极耦接到放大电路 42的输入节点。

各選択トランジスタ41のドレイン電極は、対応するノードN41を介してそれぞれ別の中間保持手段2（中間保持手段2のノードN32）に接続されており、ソース電極はすべてショートされ増幅回路42の入力端に接続されている。 - 中国語 特許翻訳例文集

寄生电容器 629包括在第二负载晶体管 624的栅极和漏极之间产生的寄生电容器、以及在垂直信号线 (VSL1或 VSL2)501或 502和第二参考电流线 602之间形成的布线间电容器。

寄生容量629は、第2負荷トランジスタ624のゲートおよびドレイン間に生じる寄生容量、および、垂直信号線（VSL1または2）501または502と第2基準電流線602との間に形成される配線間容量からなる。 - 中国語 特許翻訳例文集

当输入信号为高逻辑电平时，第一 FET611将起作用并且将输出 605耦合到三个pMOSFET 617、619和621的公共节点613(并根据是否使用了额外的晶体管段而潜在地耦合到其他 nMOSFET)。

入力信号が高論理レベルの場合、第1のFET611はアクティブになり、出力605を3つのpMOSFET617、619、621（および追加トランジスタ部が使用されるかどうかに依存して可能性として他のnMOSFET）の共通ノード613に接続するだろう。 - 中国語 特許翻訳例文集

在信号电荷被读出到浮动扩散部 FD1、FD1′中之后，如果水平控制线 L3、L4的复位线成为高电平，则复位晶体管 2、2′导通，将读出到浮动扩散部 FD1、FD1′中的信号电荷排出。

フローティングディフージョンFD1、FD1´に信号電荷が読み出された後、水平制御線L3、L4のリセット線がハイレベルになると、リセットトランジスタ2、2´がオンし、フローティングディフージョンFD1、FD1´に読み出された信号電荷が排出される。 - 中国語 特許翻訳例文集

此外，通过将用于垂直信号线Vsig1a、Vsig1b的配线H1分别连接在放大晶体管4、4′的源极侧的扩散层 DF1上，能够使浮动扩散部 FD1、FD1′与垂直信号线 Vsig1b、Vsig1a之间的距离分别变大。

また、垂直信号線Vsig1a、Vsig1bに用いられている配線H1をアンプトランジスタ4、4´のソース側の拡散層DF1にそれぞれ接続することにより、フローティングディフージョンFD1、FD1´と垂直信号線Vsig1b、Vsig1aとの間の距離をそれぞれ大きくすることができる。 - 中国語 特許翻訳例文集

在图 7的配置中，这是通过将电容器 220作为稳压器 348的分路元件来达成的，其中稳压器 248与 OP amp 254和分路晶体管252一起调节与环路 22耦合的端子上的压降。

図7の機器構成においては、このことは、コンデンサ220を、ループ22に接続する端子をはさむ電圧降下を調整する調整器248のための分路素子として、オペアンプ254及び分路トランジスタ252と併せて配置することによって達成される。 - 中国語 特許翻訳例文集